东吴证券_半导体设备深度报告:海外半导体设备龙头订单&业绩持续新高,看好国产设备商投资机遇_20260823.pdf

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摘要

1东吴证券发布半导体设备深度报告,指出AI驱动下2026年全球WFE销售额预计上调至1439亿美元,海外龙头业绩创新高且供需趋紧。
2国内晶圆厂扩产空间大,叠加国产化率提升及海外设备交期延长,国产设备商迎来替代与出海双重机遇。
3研报重点推荐北方华创、中微公司、拓荆科技等前道设备商及长川科技等后道厂商,看好零部件环节全球化份额提升。
4行业评级为增持(强于大市)。

证券研究报告

半导体设备深度报告:

海外半导体设备龙头订单&业绩持续新高,

看好国产设备商投资机遇

首席证券分析师:周尔双

执业证书编号:S0600515110002

zhouersh@dwzq.com.cn 13915521100 证券分析师:李文意 liwenyi@dwzq.com.cn 18867136239 证券研究员:谈沂鑫 tanyx@dwzq.com.cn 17851090557 2026年8月23日

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投资要点

⚫ AI发展拉动存储与先进逻辑需求,海外Fab厂加速扩产,海外半导体设备龙头业绩持续新高。根据SEMI2026 年7月测算,全球2026年WFE销售额预测上调至1439亿美元,预计2027、2028年分别增长21.8%/14.1%,至 1753/2000亿美元,增长动能主要来自人工智能相关投资,覆盖先进逻辑、存储及先进封装等关键领域。三星 、SK海力士、台积电、英特尔等海外厂商均积极推进扩产计划。下游扩产已逐步兑现至设备端,ASML、 Lam Research(后文简称Lam)、TEL等海外前道龙头收入及盈利持续创新高并上调后续指引,泰瑞达、爱德万 等后道测试厂商同步受益于AI GPU/ASIC及HBM测试需求提升。

⚫ 国内资本开支上行与国产化率提升共同拉动国产设备厂商业绩增长。中国大陆晶圆全球产能占比仍具提升空 间,2024年占比22%,低于同期中国大陆半导体销售额全球占比30%,叠加晶圆环节自主可控需求,后续扩产 具备持续性。中国头部逻辑与存储厂商产能与国际巨头均存在显著差距,市场份额提升空间广阔。随着国内 资本开支上行与设备国产化率提升,国产半导体设备厂商有望凭借国产替代优势持续提升业绩与市场份额。

⚫ 海外半导体设备供需趋紧向价格和交期传导,国产半导体设备与零部件迎出海机遇。海外设备龙头产能扩张 整体保持平稳,周期普遍2-3年,新增供给难以快速释放。供需趋紧传导至海外半导体设备价格和交期,部分 设备出现明确涨价趋势,设备交期同步延长。国产设备与零部件有望凭借交付、本地化服务和性价比优势加 速切入海外市场,持续提升海外市场份额。

⚫ 投资建议:看好前后道半导体设备+零部件厂商,重点推荐前道设备【北方华创】【中微公司】【迈为股份】 【芯源微】【屹唐股份】【中科飞测】【精测电子】【天准科技】【拓荆科技】【微导纳米】【先导基电】 【华海清科】【盛美上海】【晶盛机电】;后道设备【长川科技】【华峰测控】;材料和零部件环节【富创 精密】【新莱应材】【英杰电气】【汉钟精机】【晶盛机电】;建议关注后道设备【联讯仪器】【精智达】 【联动科技】。建议关注海外半导体前道设备商【AMAT】【ASML】【TEL】【Lam Research】【KLA】;后道 环节【DISCO】【泰瑞达】【爱德万测试】。

⚫ 风险提示:半导体行业投资不及预期,设备国产化进程不及预期,技术迭代及工艺路线变化风险。

目录
一、AI发展带动存储&先进逻辑需求,海外Fab厂 加速扩产
二、海外半导体设备龙头订单&业绩持续新高,多 家上修全年指引
三、国内资本开支加速上行&国产化率提升,看好 国产设备商

四、海外设备交期拉长&尝试涨价,国产设备& 零部件迎出海机遇

五、投资建议与风险提示

⚫ AI驱动下,2026年全球半导体设备支出预计创历史新高。根据SEMI2026年7月测算,全球2026年WFE销售额 预测上调至1439亿美元(25年末预测为1261亿美元),主要受益于先进存储和前沿逻辑应用投资的增强,预计 2027、2028年分别增长21.8%/14.1%,至1753/2000亿美元,增长动能主要来自人工智能相关投资,覆盖先进逻 辑、存储及先进封装等关键领域。

⚫ 先进逻辑产能、设备需求保持高速增长,2028年Foundry/Logic相关WFE销售额预计提升至1047亿美元。据 SEMI预测,2026年Foundry/Logic相关WFE销售额预计同比增长18.9%至780亿美元,受AI加速器、高性能计算 与高端移动芯片带动,2027、2028年有望继续分别增长18.1%/13.6%,2028年达1047亿美元;先进逻辑产能预

期在2028年增长至140万片/月,其中2nm及以下制程产能预计达50万片/月。

◆ 图:SEMI预计2026-2028年全球WFE销售额分别为

◆ 图:SEMI预测2028年全球先进逻辑产能将达140万片

1439/ 1753/ 2000亿美元

/月,其中2nm及以下产能将达50万片/月

其他 DRAM NAND

2nm及以下 3nm-7nm

Foundry/Logic WFE销售额yoy

2500

25.0%

160

21.8%

140

140

23.1%

2000

20.0%

176

116

120

50 85

156

98.2

30

100

569 132

1500

15.0%

20

494

14.1%

80

388 208

182

1000

10.0%

60

139

85 78.2 86 90

40

780 921 1047

500

5.0%

20

0

0.0%

0

2026E 2027E 2028E

2024 2025 2026E 2028E

4

数据来源:SEMI,东吴证券研究所

⚫ 全球存储厂商积极扩产,三星、SK海力士均规划2030年DRAM产能接近翻倍。根据TrendForce测算(1)NAND

端:三星26Q1产能37.5万片/月, Kioxia/WDC/SanDisk26Q1产能均为40万片/月,占全球NAND市场主要产能,其

中三星&SK海力士等DRAM厂商预计将NAND厂房切换为盈利更好的DRAM产品,导致NAND产能未来预期略降,

预计2026Q4全球产能降至119万片/月。(2)DRAM 端:三星、SK 海力士、 Micron26Q1的12 英寸月产能分别为 65万片、55万片和 34.5 万片,预计2026Q4全球总产能提升至201.5万片/月;根据韩系厂商远期产能规划,三星与 SK海力士预计2030年前产能接近翻倍,DRAM产能未来将显著提升。

◆ 图:全球DRAM厂商积极扩产,未来产能将显著提升,NAND产能因DRAM挤出预期略降

NAND

12-inch (kwpm)1Q242Q243Q244Q241Q252Q253Q254Q251Q262Q26E3Q26F4Q26F30F
Samsung360440530560450410401400375365340310-
Kioxia/WDC/SanDisk390460460460400400400400400405418418-
SK Hynix135140150150145145145145140140140135-
Micron130130155155130130130130130130130130-
长江存储120125125130140140150160160170200200-
12英寸总产能113512951420145512651225122612351205121012281193-

DRAM

12-inch (kwpm)1Q242Q243Q244Q241Q252Q253Q254Q251Q262Q26E3Q26F4Q26F30F
Samsung5356006506706456456556506506707107401350
SK Hynix3683804354805005155305455505856006101000
Micron320310310315320330340340345360365365-
长鑫存储140155185210230260270280290300300300900
其他123129135128127136148151160159160166-
12英寸总产能1,3631,4451,5801,6751,6951,7501,7951,8151,8351,9151,9752,0152-3X

注: E表示估算值(Estimate),基于已发生的当期信息测算;F表示预测值(Forecast),指对未来期间的前瞻预测。

5

数据来源:SEMI,Trendforce,东吴证券研究所

⚫ 韩国存储厂商积极扩产,三星、SK海力士预计2030年DRAM产能接近翻倍(相较于截至2026年8月21日产能)。 (1)三星电子:平泽P5产线建设周期缩短至3-4年,共包含两个Fab,每个Fab产能均为30万片/月,共60万片/ 月、平泽P4产线预计于2026年完工投产,贡献产能10万片/月;投产后理论产能达135万片/月。(2)SK海力士: 龙仁Fab,共包含6个洁净室,每个洁净室预计贡献产能6万片/月,合计36万片/月、清州M15X产线产能爬坡中, 满产后预计贡献产能8万片/月;投产后理论产能达100万片/月。

⚫ 三星与SK海力士2026年资本开支指引同比大幅提升至70/40万亿韩元。由于人工智能对存储的强劲需求,韩系 存储厂商积极上调2026年资本开支指引:三星电子2026年计划投资额达110万亿韩元,其中40万亿韩元用于研

发支出,70万亿韩元用于资本开支,资本开支同比大增34%;SK海力士给出2026年资本开支指引为40万亿韩

元,同比大增40%。

◆ 图:三星与SK海力士积极规划扩产

三星电子SK 海力士
扩产项目平泽园区 P5(双晶圆厂 Fab1+Fab2)、P4 剩余产能爬坡龙仁晶圆厂、无锡现有工厂
产能规划1. P5:Fab1/2 单厂月产能 30 万片 300mm 晶圆,合计 60 万片 / 月1. 龙仁首座晶圆厂:6 间洁净室,单洁净 室 6 万片 / 月,合计新增 36 万片 / 月
2. P4 剩余产能:10 万片 / 月2. 清州M15X 8万片/月
截至2026年8 月21日产能65 万片 / 月 DRAM 晶圆55 万片 / 月DRAM晶圆
产能目标三年内存储产能翻倍至 135 万片 / 月2030 年前DRAM 晶圆产能提升至 100 万 片 / 月

◆ 图:三星与SK海力士2026年资本开支指引同比大幅提升

34%/40%(财年与日历年完全对应)

|49.8

53.1

60.5

53.7 52.2

70.0

13.5

19.7

8.8

16.7

28.6

40.0

-80%

-60%

-40%

-20%

0%

20%

40%

60%

80%

100%

0

10

20

30

40

50

60

70

80

2021 2022 2023 2024 2025 2026E

三星资本开支(万亿韩元) SK海力士资本开支(万亿韩元)

三星yoy% SK海力士yoy%

|

|---|

⚫ 除三星、SK海力士外,其他存储厂商也在积极上调资本开支指引。(1)美光(Micron):持续大额投资美国前 沿DRAM产线,扩产计划包括爱达荷州ID1和ID2晶圆厂、纽约Fab集群、弗吉尼亚Manassas Fab及中国台湾地 区铜锣工厂建设,FY2026资本开支预计达270亿美元,FY2027资本开支指引约450亿美元,同比+70%/67%;

(2)铠侠(Kioxia):FY2026将继续扩大第八代BiCS FLASH产品生产,推进第十代BiCS FLASH产品产出,同

时积极研发面向KV Cache的CM系列、大容量QLC的LC系列、以及面向NVIDIA Storage Next架构的Super High IOPS (SHI) SSD等一系列新品。铠侠给出FY2026资本开支指引为4,500亿日元,同比提升60%。(3)闪迪 (SanDisk):其与铠侠组成的“美-日NAND联盟”预计于当前财年(对应闪迪2026.8-2027.7、铠侠2026.42027.3)投入共45亿美元的资本开支,同比增长41%。

◆ 图:铠侠FY2026资本开支指引达4500亿日元,同比+60%

◆ 图:美光FY2026资本开支预计达270亿美元,FY2027指引进

(FY2026对应2026年4月-2027年3月)

一步提升至约450亿美元(FY2026对应2025年9月-2026年8月)

美光资本开支(亿美元) yoy%

铠侠资本开支(亿日元) yoy%

6000

80%

500

100%

450

5,064

450

60%

80%

5000

4,500

400

60%

40%

350

4000

40%

300

270.0

20%

3,044

2,811

3000

250

20%

0%

2,238

200

0%

158.6

2000

150

120.7

-20%

100.3

-20%

76.8 83.9

82.2

100

1000

-40%

-40%

50

0

-60%

0

-60%

⚫ 台积电与英特尔积极推进扩产计划,大幅上调资本开支预期。(1)台积电:积极推进日本熊本、美国亚利桑 那晶圆厂建设;2026Q1法说会给出2026年全年资本开支预期520-560亿美元,2026Q2进一步上调至600-640亿

美元,中值620亿美元对应同比增长52%。(2)英特尔:积极推进美国亚利桑那Mega Fab、Tera Fab、Santa

Clara EUV光掩膜工厂建设,爱尔兰Fab 34设备升级;2026Q2财报发布会宣布全年资本开支指引上调至200亿美 元以上,并指出2027年资本开支指引将较2026年大幅提升。

◆ 图:台积电与英特尔2026年资本开支指引同比大幅提升

◆ 图:台积电与英特尔积极推进扩产计划,上调资本开支指引

,预期 年仍将继续上调

|306.3

355.6

312.1 299.2

407.1

620.0

187.3

248.4 257.5 239.4

146.5

200.0

-60%

-40%

-20%

0%

20%

40%

60%

80%

0

100

200

300

400

500

600

700

2021 2022 2023 2024 2025 2026E

台积电资本开支(亿美元) 英特尔资本开支(亿美元)

台积电yoy% 英特尔yoy%

52%/37% 2027|

|---|

台积电
2026年2月日本熊本二厂制程升级至3nm,投资额由122亿美元追加至170 亿美元
2026年4月Q1法说会宣布全年Capex上调至520-560亿美元上限,2nm量产 加速
2026年7月追加美国亚利桑那州1000亿美元投资,总额达2650亿美元,新 建4座2nm晶圆厂,全年Capex上调至600-640亿美元
英特尔
2025年10月亚利桑那州Fab 52全面投产,Mega Fab总投资额达320亿美元
2026年4月加入Musk TeraFab项目,成为其代工合作方
2026年6月Santa Clara EUV光掩膜产能扩建动工
2026年7月爱尔兰Fab 34设备升级,投资50亿欧元扩产
2026年7月2026Q2财报发布,宣布全年资本开支上调至200亿美元+
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数据来源:wind,silicon analysis,东吴证券研究所整理

目录
一、AI发展带动存储&先进逻辑需求,海外Fab厂 加速扩产
二、海外半导体设备龙头订单&业绩持续新高,多 家上修全年指引
三、国内资本开支加速上行&国产化率提升,看好 国产设备商

四、海外设备交期拉长&尝试涨价,国产设备& 零部件迎出海机遇

五、投资建议与风险提示

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ASML:2026Q2业绩超预期,全年收入及盈利指引大幅上调

⚫ 营收超前一季度指引上限,毛利率、营业利润率均大幅优于前一季度指引。公司FY26Q2(对应CY26Q2)实 现营收93.3亿欧元,环比+6.4%,同比+21.3%,超出Q1给出的84–90亿欧元收入指引上限;实现净利润29.18亿

欧元,同比+27.4%,环比+5.8%。按终端划分的系统销售收入中,FY26Q2存储/逻辑收入分别约为32.2/33.5亿

欧元,同比分别+83.5%/-12.9%,环比分别+0.4%/+8.8%。公司FY26H1营业利润66.1亿欧元,同比+22.4%,环 比+9.4%;净利润56.7亿欧元,同比+22.2%,环比+5.8%。本次超预期主要来自高毛利升级服务及装机基础管 理业务,反映晶圆厂扩产正持续带动设备升级需求,行业景气进一步提升。

⚫ FY26全年指引大幅上调。公司将FY26全年收入指引上调至430–450亿欧元,中值上调至440亿欧元,上调幅度

约15.8%,按中值计算2026E收入同比+34.7%;全年毛利率指引上调至54%–56%,中值提升3pct。

◆ 图:公司FY26H1实现营业利润66.1亿欧元,同比+22.4%,

◆ 图:公司FY26Q2实现营收93.3亿欧元,同比+21.3%

净利润56.7亿欧元,同比+22.2%

|118.2 139.8

186.1 211.7

275.6 282.6

326.7

180.9

259.1

0%

5%

10%

15%

20%

25%

30%

35%

40%

0

50

100

150

200

250

300

350

400

450

500

FY2019 FY2020 FY2021 FY2022 FY2023 FY2024 FY2025 FY2026E

FY26E H2营收(亿欧元) FY26H1营收(亿欧元)

营业收入(亿欧元) yoy

|

|---|

|-10%

0%

10%

20%

30%

40%

50%

60%

70%

0

20

40

60

80

100

120

FY19 FY20 FY21 FY22 FY23 FY24 FY25 FY26H1

净利润(亿欧元) 营业利润(亿欧元)

营业利润yoy 净利润yoy

|

|---|

◆ 图:公司FY26营收、毛利率指引不断上修

2026年初FY2026Q1季报FY2026Q2季报
FY2026收入指引340-390亿欧元360亿-400亿欧元430-450亿欧元
毛利率51-53%51%-53%54%-56%
ASML:产品结构与规模效应优化,盈利能力持续提升

⚫ 盈利能力继续提升,毛利率、净利率维持历史高位。 FY26Q2公司毛利率为54.0%,大幅超出Q1给出的51%– 52%毛利率指引上限,同比+0.3pct、环比+1.0pct;营业利润率为37.1%,同比+2.5pct、环比+1.1pct;净利率为 31.3%,同比+1.5pct,环比-0.1pct,仍处于历史高位。盈利能力提升主要受三方面推动:高毛利IBM(Installed Base Management)升级业务超预期增长、收入规模扩大带来固定成本摊薄,以及EUV与浸没式DUV产品组合

改善,浸没式DUV及干式DUV交付明显增加。

⚫ 研发费用保持增长,收入扩张带动研发费用率同比下降。 FY26H1公司研发费用24.6亿欧元,同比+5.7%,研 发费用率13.6%,同比-1.5pct;FY26Q2公司研发费用为12.77亿欧元,同比+9.4%,研发费用率为13.7%,同比1.5pct。公司在持续提高研发费用的同时,收入及毛利润增长更快,实现研发费用增加与利润率提升并行,为 EUV、浸没式DUV及装机基础升级产品的后续增长提供支撑。

◆ 图:公司FY26H1毛利率和营业利润率分别达53.5%和

◆ 图:公司FY26H1研发费用24.6亿欧元,研发费用率

13.6%

36.6%

19.69<br><br>22.01<br><br>25.47<br><br>32.54<br><br>39.81<br><br>43.04<br><br>46.99<br><br>24.62<br><br>16.65%<br><br>15.74%<br><br>13.69%<br><br>15.37%<br><br>14.44%<br><br>15.23%<br><br>14.38%<br><br>13.60%<br><br>5%<br><br>7%<br><br>9%<br><br>11%<br><br>13%<br><br>15%<br><br>17%<br><br>19%<br><br>0<br><br>5<br><br>10<br><br>15<br><br>20<br><br>25<br><br>30<br><br>35<br><br>40<br><br>45<br><br>50<br><br>FY19<br><br>FY20<br><br>FY21<br><br>FY22<br><br>FY23<br><br>FY24<br><br>FY25<br><br>FY26 H1<br><br>研发费用(亿欧元) 研发费用率<br><br>
44.67<br><br>48.63<br><br>52.71 50.54 51.29 51.28 52.83 53.50<br><br>23.61<br><br>28.98<br><br>35.12<br><br>30.70 32.81 31.92 34.60 36.55 21.93<br><br>25.42<br><br>31.61<br><br>26.56 28.44 26.79 29.42 31.36<br><br>0<br><br>10<br><br>20<br><br>30<br><br>40<br><br>50<br><br>60<br><br>FY2019<br><br>FY2020<br><br>FY2021<br><br>FY2022<br><br>FY2023<br><br>FY2024<br><br>FY2025<br><br>FY2026H1<br><br>毛利率% 营业利润率% 净利率%<br><br>

数据来源:公司官网,东吴证券研究所 11

ASML:存储需求显著回升,韩国及中国台湾成为主要收入来源

⚫ 韩国占比同比仍显著增加、中国台湾占比环比回升,亚洲先进制程客户是设备销售核心驱动。按分区域设备销 售看,FY26Q2韩国/中国大陆/中国台湾/美国收入占比分别为43%/14%/30%/9%,同比+24pct/-13pct/-5pct/-1pct, 环比分别-2pct/-5pct/+7pct/-3pct。中国台湾地区占比的显著回升或反映台积电等先进制程客户在该季度的集中 交付需求增加;韩国占比环比略有下降但同比仍显著提升,反映存储需求维持高位。

⚫ 存储端需求占比环比基本持平,EUV光刻机收入比重有所下降。(1)按终端应用看,FY26Q2存储端收入占

比49%,同比+18pct,环比-2pct,维持在近几个季度的高位(对比FY25Q4仅为30%);逻辑端占比51%,同比

-18pct,环比+2pct。(2)从技术类型分布看,FY26Q2的EUV收入占比为57%,同比+9pct,环比-9pct;DUV 系列占比有所提升,ArF浸没式收入占比为29%,同比-14pct,环比+6pct;ArF干式收入占比4%,同比+2pct, 环比+2pct;KrF收入占比环比持平于6%,同比+2pct。

◆ 图:公司FY26H1营收EUV占比61%

◆ 图:FY26H1存储端与逻辑端收入各

◆ 图:FY26H1中国大陆收入占比降

占50%

低至25%,韩国占比升至33%

31%<br><br>53%43%<br><br>38%46% 4<br><br>36% 342%<br><br>41%38%<br><br>44%48%<br><br>42%61%<br><br>26%
4%-
-
-
-
6%-
-
-
-
-
<br><br>0%<br><br>10%<br><br>20%<br><br>30%<br><br>40%<br><br>50%<br><br>60%<br><br>70%<br><br>80%<br><br>90%<br><br>100%<br><br>FY19<br><br>FY20<br><br>FY21<br><br>FY22<br><br>FY23<br><br>FY24<br><br>FY25<br><br>FY26H1<br><br>Metrology&Inspection I-line<br><br>KrF ArF Dry<br><br>ArFi EUV<br><br>----------
-------------

|27% 28% 30% 35%

27%

39% 34%

50%

73% 72% 70% 65%

73%

61% 66%

50%

0%

10%

20%

30%

40%

50%

60%

70%

80%

90%

100%

FY19

FY20

FY21

FY22

FY23

FY24

FY25

FY26H1

Logic Memory

|

|---|

12%<br><br>51%<br><br>16%18% 1<br><br>36% 4<br><br>31%<br><br>35%14<br><br>42<br><br>29%<br><br>29<br><br>%<br><br>30<br><br>% 24%<br><br>4<br><br>% 1<br><br>%<br><br>233<br><br>22<br><br>25%<br><br>2<br><br>%<br><br>2<br><br>% 3
3%-
-
1%-
-
4%1%-
-
2%-
1%-
-
-
5%-
-
6%-
-
<br><br>0%<br><br>10%<br><br>20%<br><br>30%<br><br>40%<br><br>50%<br><br>60%<br><br>70%<br><br>80%<br><br>90%<br><br>100%<br><br>FY19<br><br>FY20<br><br>FY21<br><br>FY22<br><br>FY23<br><br>FY24<br><br>FY25<br><br>FY26H 1<br><br>欧洲、中东和非洲 其他(亚洲) 美国<br><br>韩国 日本 中国台湾<br><br>中国大陆------------
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FY19

FY20

FY21

FY22

FY23

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FY25

FY26H1

FY20

FY23

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FY21

FY22

FY24

FY25

FY26H 1

ASML:AI驱动逻辑与存储同步扩产,ASML各产品线全面增长

⚫ 先进逻辑与存储同步扩产,共同驱动ASML系统收入高增。根据公司FY26Q2季报对FY2026的最新指引,(1) 先进逻辑:相关收入预计同比增长超25%,主要受3nm扩产、2nm爬坡及5/4nm AI配套芯片需求增长带动;(2) 存储:相关收入预计同比增长超75%,核心驱动为HBM、DDR供需偏紧推动DRAM厂商加快扩产,同时先进 制程升级提升DRAM光刻强度,带来EUV层数增加及浸没式DUV需求提升。

⚫ 产品与服务端全面受益于光刻强度提升和装机规模扩大。根据公司最新指引,FY2026 EUV收入预计增长超

45%,非EUV收入增长约25%,EUV收入增长主要受逻辑与DRAM需求共同拉动。FY2026IBM业务(Installed Base Management,装机基础管理,即存量设备服务及升级业务)增长预计超30%,主要受存量设备升级和服 务需求增长推动。整体来看,本轮需求上行不仅来自AI逻辑芯片扩产,HBM、DDR紧缺及DRAM制程升级同

样显著提升光刻设备需求。

◆ 图:公司FY26先进逻辑、存储收入分别预计增长超25%、75%

业务类别FY2026收入同比增长指引驱动因素
分终端口径先进逻辑超过25%3nm扩产、2nm爬坡,5/4nm AI配套芯片需求增长
存储收入超过75%HBM与DDR供需偏紧,DRAM客户大规模新增 产能;客户向先进节点迁移,DRAM的光刻强 度正在提高
分产品口径EUV超过45%预计交付约65台Low-NA EUV,逻辑与DRAM 需求共同拉动
非EUV(DUV+量测检测)约25%干式DUV出货增长、浸没式DUV维持高位,量<br><br>测检测渗透率提升
IBM业务超过30%EUV装机基数扩大,性能和生产率升级需求增 长
ASML:长期订单能见度显著提升,EUV与浸没式产能连续扩张

⚫ 长期订单能见度提升推动ASML连续扩充EUV与浸没式DUV产能。(1)低NA EUV:规划产能预计由2026年 的约65台提升至2027年的约85台,增幅约30%;在客户订单持续覆盖后续产能的基础上,公司正评估2028年进 一步扩产约30%,对应潜在产能约110台。(2)浸没式DUV:亦延续相同扩产节奏,规划产能由2026年的约 130台增至2027年的约169台,并有望于2028年进一步提升至约220台。连续两年扩产表明客户需求已由短期设

备采购逐步转向中长期产能锁定,ASML通过提前协调供应链和制造资源,为后续先进制程扩产预留交付能力。

⚫ High-NA EUV取得量产准备里程碑,进一步强化先进制程设备需求的长期确定性。High-NA EUV已在Intel 18A制程中实现量产准备相关进展,标志着0.55 NA平台由研发验证阶段逐步迈向量产导入,为后续先进节点 应用奠定基础。结合低NA EUV与浸没式DUV产能持续上调,ASML扩产已不仅是对当期需求增长的响应,更 反映客户长期订单、先进节点建设计划及下一代光刻技术导入节奏持续明确。

◆ 图:公司27年/28年Low-NA EUV、浸没式DUV产能预计

均提升30%

◆ 图:公司于Intel俄勒冈D1X厂安装High-NA EUV设备

|65

85

110

130

169

220

0

50

100

150

200

250

2026E 2027E 2028E

Low-NA EUV(台) 浸没式DUV(台)

|

|---|

Lam Research: FY26Q4收入创新高,下一季度业绩指引进一步 上修

⚫ 业绩稳步提升,FY26Q4(对应CY26的4-6月)营收、利润创新高。营收方面,公司FY26Q4实现季度营收 67.22亿美元,同比+30%,FY2026全年实现营收232.3亿美元,同比+26%。利润水平稳定增长,公司 FY2026Q4实现单季度净利润22.8亿美元,同比+32%,FY2026全年实现净利润达72.7亿美元,同比+36%。

⚫ FY27Q1业绩指引上调,体现未来乐观预期。公司给出FY27Q1单季度收入指引为77亿美元-85亿美元,毛利 率指引51%-53%,营业利润率指引38.5%-40.5%,区间中值较FY26Q4分别+23%/+1.5pct/+3pct。FY27Q1指引 大幅上调,体现出公司对未来经营情况的乐观预期。根据2026.08.21wind一致预期,公司FY2027预计实现 营收322亿美元、净利润108亿美元;FY2028年预计实现营收404亿美元、净利润144亿美元。

◆ 图:Lam自FY2024以来营收稳增,FY2026实现营

◆ 图:Lam FY2026实现净利润72.7亿美元,同比

收232.3亿美元,同比+26%

+36%

|97 100

146

172 174

149

184

232

322

404

-20%

0%

20%

40%

60%

0

50

100

150

200

250

300

350

400

450

营业收入(亿美元) yoy(%)

|

|---|

|22 23

39

46 45

38

54

73

108

144

-20%

0%

20%

40%

60%

80%

0

20

40

60

80

100

120

140

160

净利润(亿美元) yoy(%)

|

|---|

Lam Research:利润率中枢不断上移,研发费用稳增
⚫ Q4单季度毛利率超指引,毛利率、净利率中枢不断上移。毛利率方面,公司FY2026Q4实现毛利率52%,超前

一季度给出的49.5%-51.5%毛利率指引上限,FY2027Q1指引中枢维持52%,预期毛利率51-53%;自FY2023以

来,公司毛利率持续增长,毛利率中枢已由先前的45%上移至FY2026的50%;净利率保持同步增长,FY2026 公司净利率已提升至31%,增长趋势已延续两年,中枢随之上移。

⚫ 研发费用持续增长,研发费用率基本稳定。公司研发费用每年均保持稳定增长,FY2026产生研发费用达23.8亿 美元,研发费用率稳定在10%-13%区间波动,持续稳定的研发投入为公司保持技术领先地位提供坚实支撑。

◆ 图:FY2026Lam毛利率、净利率提升至50%/31% ◆ 图:研发费用持续增长,费用率稳定波动

45% 46% 47% 46% 45%<br><br>47%<br><br>49%<br><br>50%<br><br>52%<br><br>23% 22%<br><br>27% 27% 26% 26%<br><br>29%<br><br>31%<br><br>10%<br><br>15%<br><br>20%<br><br>25%<br><br>30%<br><br>35%<br><br>40%<br><br>45%<br><br>50%<br><br>55%<br><br>60%<br><br>毛利率(%) 净利率(%)<br><br>11.9 12.5<br><br>14.9<br><br>16.0<br><br>17.3<br><br>19.0<br><br>21.0<br><br>23.8<br><br>12% 12%<br><br>10%<br><br>9%<br><br>10%<br><br>13%<br><br>11%<br><br>10%<br><br>5%<br><br>7%<br><br>9%<br><br>11%<br><br>13%<br><br>15%<br><br>0<br><br>5<br><br>10<br><br>15<br><br>20<br><br>25<br><br>研发费用(亿美元) 研发费用率(%)<br><br>
Lam Research:存储和先进逻辑代工需求旺盛,带动中国台湾地 区收入占比提升
⚫ 韩国、中国台湾占比近年来显著提升,存储&先进逻辑需求高速增长。按分区域业务收入看,FY2024的出口管

制引发的抢购潮后,中国大陆占比逐渐回落,韩国、中国台湾地区收入占比回升,自FY2025起持续增长,韩国

占比从FY2024的19%提升至FY2026的23%,提升4pct,中国台湾地区占比从FY2024的11%提升至FY2026的20%, 提升9pct。

⚫ Foundry需求扩张迅速。按下游终端客户类型看,Lam的下游客户可分为逻辑、代工和存储三类,其下游需求 结构于FY2023发生了一次切换:FY2023由于存储周期下行,存储端占比大幅下降,同时代工和逻辑收入占比

显著提升;FY2023后,Foundry需求在AI算力芯片代工需求拉动下,占比每年稳定扩张,至FY2026占比已超过

50%。

◆ 图:逻辑占比不断压缩,FY26H1 Foundry需求旺盛

◆ 图:中国台湾、韩国占比明显提升,体现先进逻辑代工、

存储需求旺盛

欧洲 东南亚 美国 日本 中国台湾 韩国 中国大陆

100%

90%

80%

70%

60%

50%

40%

30%

20%

10%

0%

4% 3% 3% 4% 7% 5% 3% 3%

5% 5% 5%

6% 6% 6% 8%

8%

7% 7% 7%

8% 8% 5%

7%

9%

10% 10% 9%

10%

9%

9%

20%

10%

14%

11% 19% 20%

19%

17%

20%

17%

19%

27%

22% 23%

24%

23%

20%

23%

42%

31% 35% 31%

34% 34%

26%

22%

FY2019 FY2020 FY2021 FY2022 FY2023 FY2024 FY2025 FY2026

拉动代工占比提升

Logic/Integrated Foundry Memory

100%

10% 11% 7%

8%

13%

14%

20% 18%

90%

80%

20%

32%

31%

26%

70%

45% 54%

38% 40%

60%

50%

40%

70%

58% 61% 60%

30%

42% 42% 42% 38%

20%

10%

0%

FY2019 FY2020 FY2021 FY2022 FY2023 FY2024 FY2025 FY2026

Lam Research:26Q3以来NVM存储板块占比大幅提升,WFE市 场规模预期已连续两个季度上调
  • ⚫ FY2026Q3以来存储客户开始加速放量。在FY2026期间(对应CY2025Q3-2026Q2),Lam的客户端需求结 构发生较大变化,存储客户占比由Q1的39%提升至Q4的46%,其中NVM(NAND等非易失性存储)板块占 比由11%提升至23%,并在Q4实现营收连续翻倍增长,为推动存储收入占比增长的主要动力。

⚫ Lam连续上调2026年WFE市场规模预期,反映AI对半导体设备拉动力度超预期。Lam在FY2026Q2季报中开 始给出CY2026的WFE市场规模预测值,初始为1350亿美元,并在后续的两个季度报告中对预测值进行了两

次上调,至FY2026Q4(对应CY2026Q2)该预测值已上调至1500亿美元,较初始提升150亿美元,Lam对市

场规模的两次上调反映AI对半导体设备需求的拉动仍不断超预期。

◆ 图:FY2026期间,存储板块内部收入结构改变,

◆ 图:Lam已连续两个季度上调CY2026 WFE市场规模

预期,FY2026Q4预期提升至约1500亿美元(单位:亿 美元)

NAND等非易失性存储占比显著提升

Foundry Logic NVM DRAM

|1350

1400

1500

1250

1300

1350

1400

1450

1500

1550

FY26Q2 FY26Q3 FY26Q4

WFE市场规模(亿美元)|

|---|

100%

90%

80%

44%

54%

59% 60%

70%

60%

10%

50%

7%

40%

7% 6%

12% 23%

30%

11%

18%

20%

27% 23%

23%

10%

16%

0%

FY2026Q1 FY2026Q2 FY2026Q3 FY2026Q4

Lam Research:制程节点演进带动设备投资额成倍数增长,业

绩增速有望超过WFE市场规模增速
⚫ Lam凭借下一代制程核心工艺的卡位,业绩增速将超过

WFE市场增速。随着逻辑&存储制程不断迭代,新设备& 材料工艺需求有望放量。(1)刻蚀设备:多层3D堆叠与

先进晶体管结构推动高深宽比刻蚀需求快速提升;高选择

比&ALE刻蚀成为关键以保障精细结构稳定性;低温刻蚀 技术用于NAND等高层堆叠结构,提升良率与边缘控制。 (2)薄膜设备:ALD用量提升,广泛用于通孔填充、栅

极形成等关键环节,支持高密堆叠与先进结构制造;(3)

材料体系:钼凭借其更优的电阻性能在逐步替代钨成为先

进制程金属材料主流,具备更优电阻率与刻蚀适配性。

◆ 图:3D堆叠持续推进NAND层数由1XX向5XX演进

◆ 图:先进架构驱动逻辑制程从FinFET迈向GAA与CFET ◆ 图:位密度提升推动DRAM向3D堆叠与新工艺演进

数据来源:LamResearch,东吴证券研究所 19

TEL:季度营收创历史新高,下一季度业绩指引大幅上调

⚫ FY2027Q1(对应CY2026的4-6月)单季度营收创历史新高,业绩增长保持强势。营收方面,公司 FY2027Q1实现营收7,324亿日元,同比+33.3%,环比+2.9%,创历史新高。公司实现单季度净利润1,643亿 日元,同比+39.5%,营收利润增长均保持强劲。

⚫ FY2027H1收入、利润率指引大幅上调,体现强劲增长预期。公司上调先前给出的FY2027H1业绩指引,调 整后预计实现营业收入16,200亿日元(原15,700亿日元,上修3.2%),毛利率46.2%(原45.5%),营业利 润率28.3%(原27.5%),指引上调主要系客户在先进制程领域的投资需求保持强劲。同时,公司预计 FY2027下半年需求进一步加速,预计会超过原本FY2027/FY2028全年营收预期的31,135/36,388亿日元。

◆ 图:TEL FY27Q1实现营收7,324亿日元,同比+33.3% ◆ 图:TEL FY27Q1实现净利润1,643亿日元,同比+39.5%

12,782<br><br>11,273<br><br>13,991<br><br>20,038<br><br>22,090<br><br>18,305<br><br>24,316 24,435<br><br>7,324<br><br>31,135<br><br>36,388<br><br>-40%<br><br>-20%<br><br>0%<br><br>20%<br><br>40%<br><br>60%<br><br>0<br><br>5000<br><br>10000<br><br>15000<br><br>20000<br><br>25000<br><br>30000<br><br>35000<br><br>40000<br><br>营业收入(亿日元) yoy(%)<br><br>
2,482<br><br>1,852<br><br>2,429<br><br>4,371<br><br>4,716<br><br>3,640<br><br>5,441<br><br>5,745<br><br>1,643<br><br>6,956<br><br>8,724<br><br>-40%<br><br>-20%<br><br>0%<br><br>20%<br><br>40%<br><br>60%<br><br>80%<br><br>100%<br><br>0<br><br>1000<br><br>2000<br><br>3000<br><br>4000<br><br>5000<br><br>6000<br><br>7000<br><br>8000<br><br>9000<br><br>10000<br><br>净利润(亿日元) yoy(%)<br><br>
TEL:利润率近年来基本稳定,研发投入持续加码

⚫ 毛利率、净利率保持中枢波动,无显著变化趋势。利润率方面,公司FY2027Q1实现毛利率46.8%,同比

+0.6pct,实现净利率22.4%,同比+1pct;整体来看,公司毛利率中枢自FY2022上移至45%后,即保持该水

平波动,净利率围绕22%中枢波动。根据公司给出的利润率指引,FY2027H1毛利率预计为46.2%,净利率 为21.5%,较FY2027Q1有小幅下降。

⚫ 研发费用持续增长,研发费用率高位波动。公司研发费用每年均保持稳定增长,FY2026产生研发费用2779 亿日元,研发费用率11.4%。公司研发费用率稳定在9%-11%区间波动,且自FY2024以来均保持在约10%的

高位,保持较高的研发强度。公司给出FY2027研发费用指引3300亿日元,同比+19%。

◆ 图:TEL毛利率、净利率近年维持在45%/22%中枢附近 ◆ 图:研发费用持续增长,研发费用率稳定波动

41% 40% 40%<br><br>46% 45% 45%<br><br>47%<br><br>45%<br><br>47% 46%<br><br>19%<br><br>16% 17%<br><br>22% 21%<br><br>20%<br><br>22%<br><br>24% 22% 22%<br><br>0%<br><br>5%<br><br>10%<br><br>15%<br><br>20%<br><br>25%<br><br>30%<br><br>35%<br><br>40%<br><br>45%<br><br>50%<br><br>毛利率(%) 净利率(%)<br><br>1,140 1,203<br><br>1,366<br><br>1,583<br><br>1,912<br><br>2,029<br><br>2,500<br><br>2,779<br><br>3,300<br><br>9%<br><br>11%<br><br>10%<br><br>8%<br><br>9%<br><br>11%<br><br>10%<br><br>11.4%<br><br>10.6%<br><br>5%<br><br>7%<br><br>9%<br><br>11%<br><br>13%<br><br>15%<br><br>0<br><br>500<br><br>1000<br><br>1500<br><br>2000<br><br>2500<br><br>3000<br><br>3500<br><br>研发费用(亿日元) 研发费用率(%)<br><br>
TEL:先进逻辑需求挤压存储端销售占比,中国台湾地区占比显 著提升

⚫ 中国大陆占比冲高回落,韩国和中国台湾地区接力回升。按分地区收入占比来看,中国大陆设备收入占比自FY2024出口 管制导致的抢购潮引发的高点后回落,出口管制政策对高端设备采购的限制影响逐渐体现;韩国和中国台湾地区收入占 比则自FY2024开始逐渐提升,FY2027Q1韩国和中国台湾地区收入占比分别为21%/25%,同比+4.7pct/+5.1pct,环比3.5pct/+3.4pct,其中,中国台湾地区的占比显著提升也反映了先进逻辑代工的需求旺盛。

⚫ 逻辑/代工需求旺盛,DRAM需求被明显挤压。从TEL(Tokyo Electron Ltd)的下游分应用收入占比来看,其下游需求结 构经历了两次明显切换,第一次为以DRAM和NAND为代表的存储占比从FY2019起持续增长至FY2023的高点86%,随后 因消费电子疲软、存储行业进入周期低谷,NAND占比大幅下降;第二次是以逻辑/代工为代表的先进逻辑客户占比从 FY2023的低点大幅提升至FY2026的31%,在FY2027Q1及H1指引中,逻辑客户占比已提升至57%,以AI芯片为代表的先

进逻辑/代工需求正加速增长,成为拉动公司下一阶段增长的核心驱动力。我们认为主要系TEL产品结构偏向逻辑,特别

是高价值量的EUV Track跟随先进逻辑EUV机台放量。

◆ 图:FY21-FY26刻蚀、涂胶显影

◆ 图:自FY2024中国大陆占比回落,韩国和中国

◆ 图:FY27Q1先进逻辑需求旺盛,挤压存

和薄膜设备始终为收入主要贡献

台湾地区占比提升

储占比

其他 欧洲 北美 日本 中国台湾 韩国 中国大陆

其他 晶圆检测 清洗 薄膜 涂胶显影 刻蚀

|31% 34%

50% 53%

66% 66%

62% 59%

32% 32%

40%

20%

26% 21%

20%

7%

7% 10%

11% 11%

29%

46%

24% 26%

14%

27%

31% 31%

57% 57%

0%

10%

20%

30%

40%

50%

60%

70%

80%

90%

100%

Non-memory (Logic/Foundry) NAND Flash DRAM

|

|---|

100%

100%

1% 1% 1% 2% 2% 2%

5% 3% 4% 5% 5% 3% 3% 3% 3%

7% 5% 5% 3% 4% 5%

7% 3% 4% 3%

5% 4% 5% 8%

7% 10% 7% 8%

90%

90%

8% 11% 12% 12% 13% 9%

11%

9%

13%

10% 18% 8% 10% 9%

80%

80%

16%

10%

20%

14%

21% 21% 22% 21% 19%

12%

70%

70%

16%

11% 17% 20% 25%

14%

11%

60%

60%

18% 18%

13%

16% 17%

25% 23%

50%

26% 30% 27% 28%

50%

20%

23%

22%

21%

40%

40%

20% 19%

24%

16%

30%

30%

14%

44% 42%

20%

20%

38% 39%

34% 32% 35% 36%

34% 30%

29% 28% 24%

24% 22%

10%

10%

0%

0%

TEL:WFE市场规模持续上修,非AI需求保持增长,多因素共 同拉动半导体设备需求

⚫ TEL连续上修CY2026、2027 WFE市场规模预期。TEL在2026年发布的三篇季报中给出了关于2026、2027

年全球WFE市场规模的预测值,并不断上修,最新FY2027Q1季报中给出的最新预期为2026年市场规模达

1500亿美元,与Lam给出的预测一致;同时预测2027年市场规模进一步增长至1900亿美元。

⚫ TEL预计2027年AI数据中心半导体设备需求占整体半导体设备市场的比例将超50%,通用存储(GPM)及 CPU需求同步提升,芯片制程、存储技术进步将不断推动设备需求增长。TEL预计2027年数据中心的半导 体设备需求占比将超过50%,数据中心将正式主导半导体设备市场;同时TEL指出,在AI相关的HBM、

GPU需求增长的同时,通用存储和CPU的需求也将保持增长,回应市场对未来“非AI领域需求持续萎缩”

的担忧。未来,随着AI范式向物理AI、Agentic AI发展,算力芯片、存储制程迭代、NAND/HBM堆叠层数 提升,半导体设备需求将进一步增长。

◆ 图:CY2026、2027 WFE市场规模分别上修至

◆ 图:AI范式转变、芯片制程迭代、堆叠层数提升均将成

1500/1900亿美元

为未来WFE增长驱动力

|1300

1500 1500

1700

1900

0

200

400

600

800

1000

1200

1400

1600

1800

2000

2026-2预测 2026-4预测 2026-7预测

CY2026 WFE CY2027 WFE

|

|---|

注:横轴为预测时间 23

TEL:平台化布局道阻且长,下一步战略重点为PECVD、PVD

设备布局

⚫ 以扩散炉和IC测试机起家,逐步纳入刻蚀设备、薄膜设备,平台化进程道阻且长。截至2026年8月,TEL作 为全球主要的平台化半导体设备厂商之一,其平台化进程经历了多年变迁。TEL成立于1963年,早期以进口 电子设备分销业务和扩散炉代理为主营业务。20世纪70年代,TEL分别与Lam Research、Varian

Semiconductor合资生产刻蚀设备、CVD与PVD设备,并于20世纪80年代的半导体行业衰退期收购了合资伙

伴的合资股份,开始了半导体设备平台化布局。

⚫ 持续加大产品覆盖度,TEL平台化布局加速。TEL下一步战略目标重点在于提升T-CVD、ALD和炉管设备市 场份额,同时提升PECVD、PVD设备覆盖度。根据TEL 2025年披露的薄膜沉积扩张战略,公司后续将推进 在T-CVD、ALD和炉管设备的市占份额,并逐渐向PECVD、PVD设备渗透,进一步提升平台化水平。

◆ 图: TEL提升ALD等既有市场份额,持续拓展PECVD/PVD等增量市场

数据来源:TEL,东吴证券研究所 24

KLA:行业景气度反转后,营收和净利润恢复高速增长,下一季 度指引环比上调

⚫ KLA作为全球量检测设备龙头,近年业绩走势充分体现了其与AI半导体投资周期的深度绑定。公司FY2026实现 营收135.8亿美元,同比+12%,净利润48.3亿美元,同比+19%。从历史业绩分析,FY2024因WFE行业景气度走 弱、消费电子市场低迷,营收同比下降7%;FY2025后,AI基础设施建设投资快速增长,带动公司业绩反转,

净利润与营收呈现相似走势。FY2026Q4(对应CY2026的4-6月)实现营收36.6亿美元,同比+15%、净利润13.9

亿美元,同比+13%。

  • ⚫ FY2027Q1营收指引较FY2026Q4上调,展现乐观预期。公司给出FY2027Q1业绩指引,预期实现营业收入38-42 亿美元,中枢40亿美元较FY2026Q1营收同比+25%,预期实现EPS 1.04-1.24美元,中枢1.14美元较FY2026Q4环 比+9%,体现公司管理层对未来市场形势的乐观预期。根据2026.08.21wind一致预期,公司FY2027预计实现营 收155亿美元,净利润56.8亿美元;FY2028预计实现营收166亿美元,净利润61.7亿美元。

◆ 图:公司营业收入自 FY2025反转以来即保持高速增长,

◆ 图:净利润与营收保持相似增长趋势,FY2026实现净利润

FY2026实现营收135.8亿美元,同比+12%

48.3亿美元,同比+19%

营业收入(亿美元) yoy(%)

净利润(亿美元) yoy(%)

180

40%

165.8

70

80%

154.8

61.7

160

56.8

60

135.8

60%

30%

140

121.6

48.3

50

120

40%

105.0

40.6

98.1

20%

92.1

100

40

33.2 33.9

20%

69.2

80

27.6

30

10%

58.1

20.8

60

0%

45.7

20

11.8 12.2

40

0%

-20%

10

20

0

-10%

0

-40%

KLA:利润率中枢处行业高位,研发投入持续稳定

⚫ 毛利率水平长期稳定,净利率中枢处于行业高位。毛利率方面,公司毛利率中枢长期维持在60%的较高水

平,FY2026实现毛利率61%;净利率方面,公司净利率表现出明显的周期性波动,在FY2024的行业低景气

度阶段曾下降至28%,随后在FY2025-2026回升至30%以上,净利率中枢约为33%,相比其他海外主流半导 体设备公司处于高位。公司给出FY2027Q1毛利率指引为62.5%±1%,较FY2026毛利率有所上调。

⚫ 稳定持续的研发投入体现公司在高壁垒量检测赛道中稳固的竞争地位。研发费用方面,KLA保持较强的研 发投入力度。FY2019-FY2023期间研发费用从7.1亿美元稳步增长至13.0亿美元,在FY2024的行业低景气度

时期阶段性同比下降,FY2026又进一步跃升至15.3亿美元,对应研发费用率11.3%。尽管研发费用率随收入

高增长而下降,但绝对投入金额仍在持续增加。

◆ 图:研发费用整体呈现逐年递增趋势,费用率因收入的高

◆ 图:公司毛利率稳定在60%以上,净利率有周期性波动

增速而下降

毛利率(%) 净利率(%)

研发费用(亿美元) 研发费用率(%)

18

16%

70%

59% 58% 60% 61% 60% 60% 61% 61% 63%

16% 15.3 15%

16

15%

60%

13.6

13.0 12.8

14

50%

11.1

12

14%

36%

33% 36%

9.3

13%

40%

10

8.6

32%

30%

13%

13%

28%

7.1

26%

8

30%

12%

21%

6

12%

12%

20%

4

11% 11.3%

10%

11%

2

0%

0

10%

KLA:非存储端占收入主导,韩国和中国台湾地区收入占比逐渐 回升
⚫ 下游客户由逻辑/代工主导,FY2026存储端占比略有提升。KLA将终端客户按下游应用分为Foundry&Logic和

Memory两大类,在FY2020-FY2022期间,存储的占比稳定在34%以上,FY2023由于下游存储客户主动减少资

本开支,叠加消费电子疲软,存储收入占比有所下降,中枢下移至30%上下。FY2026存储收入占比为31%,根 据FY2027Q1指引,下一季度存储占比预期约27%,仍在30%的中枢附近波动。

⚫ 中国台湾、韩国占比回升,中国大陆自FY2024的集中采购后占比即回落。从分地区收入占比看,FY2023及之 前的占比基本保持稳定,以中国台湾、韩国和中国大陆为主导;FY2024期间面临美国对华半导体设备出口严格

管制,出现抢购设备的集中采购潮,导致FY2024的中国大陆收入占比跃升至43%,挤占了中国台湾和韩国的销

售占比,随后在FY2025以后,中国大陆占比逐渐回落,韩国和中国台湾地区占比回升。截至FY2026,中国台 湾占比达27%,韩国占比达13%,反映下游先进逻辑、存储的旺盛需求。

◆ 图:KLA的存储收入占比自FY2023起即在30%上下波动 ◆ 图:自FY2024中国大陆设备抢购潮后,中国台湾地区和韩国占

比逐渐回升

Memory Foundry & Logic

其他亚洲国家 欧洲 韩国 日本 北美 中国台湾 中国大陆

100%

100%

4% 3% 4% 3% 4% 4% 3% 5%

7% 5% 6% 7% 7% 6% 5% 6%

90%

26%

26%

31% 27%

90%

33%

34% 38%

9% 12%

39%

13% 17% 19% 16% 18%

80%

13%

80%

10% 9%

7%

70%

8%

13% 12%

70%

8%

9%

11% 11% 13%

60%

10%

60%

13% 11% 11%

12%

18%

50%

50%

26%

27%

27%

40%

40%

24%

24% 27% 24%

74%

74%

69% 73%

68%

66% 63%

30%

62%

30%

43%

20%

20%

33% 30%

27% 25% 26% 29% 27%

10%

10%

0%

0%

FY2019 FY2020 FY2021 FY2022 FY2023 FY2024 FY2025 FY2026

FY2020 FY2021 FY2022 FY2023 FY2024 FY2025 FY2026 FY2027Q1E

KLA:DRAM占比持续提升,管理层对未来业绩持乐观预期
⚫ 存储端客户中,DRAM占比处于增长趋势,预计FY2027Q1 DRAM占比将达90%。KLA自FY2024起在季报中

披露下一季度的存储端收入拆分预期,包括NAND与DRAM两类产品;DRAM收入占比自FY2024Q1的91%降至

FY2025Q3的75%,随后逐渐回升,公司给出FY2027Q1最新预期中,DRAM在存储端收入占比将达到90%,反 映了AI驱动下DRAM的需求高速增长。

⚫ 未来五年收入预期高速增长,AI领域投资为业绩主要驱动因素。公司给出CY2030年业绩目标,预期实现收入 235-285亿美元,对应CY2025-CY2030年CAGR13%-17%,反映公司管理层对未来业绩的乐观预期;公司同时指

出,AI推动半导体设计复杂度增加、产品迭代周期加快、高价值晶圆需求提升,同时带动先进封装解决方案的

投资规模扩张,是公司主要业绩驱动因素。

◆ 图:DRAM在存储客户中占比近六个季度以来保持增长,公

◆ 图:KLA预期至CY2030年实现营收235-285亿美元,保持

司预计FY2027Q1将达到90%

CY2025-CY2030年均13%-17%增速

NAND 占 Memory(%) DRAM 占 Memory(%)

财务指标 CY2026 年目标模型 CY2030 年目标模型 持续财务框架

100%

收入 140 亿美元 ± 5 亿美元 260 亿美元 ± 25 亿美元 ~13% - 17% CAGR

9%

10%

15% 15%

15% 16%

22% 17%

90%

24% 25% 24% 21% 22%

80%

毛利率 ~63% ~63.5% ± 50 个基点 —

70%

研发费用率 ~13% ~11% —

60%

50%

91%

90%

85% 85%

85% 84%

销售及管理费用率 ~8% ~7% —

78% 83%

40%

76% 75% 76% 79% 78%

30%

营业利润率 41-43% 45% - 47% 40% - 50%

20%

10%

摊薄每股收益 3.80 美元 ± 0.15 美元 8.40 美元 ± 0.80 美元 ~1.3 倍收入增长率

0%

资本配置 目标 > 85% 的自由现金流 目标 > 90% 的自由现金流 混合方式:股息 + 回购

注:公司财年截至每年6月30日,此处指引均按自然年计算

KLA:芯片工艺复杂化带来诸多挑战,对应量测设备需求有望 加速扩张

⚫ 先进逻辑、存储与先进封装工艺复杂度不断提升,对应量检测设备需求增速有望快于整体半导体设备资本开 支。(1)先进逻辑:面临图形尺寸和线宽缩小、芯片面积增大和复杂3D晶体管结构三重挑战,带来更多的 缺陷模式;(2)存储领域:面临更多逻辑电路、更少冗余行列、更大芯片面积及EUV的使用带来更多随机 缺陷问题四项主要挑战;(3)先进封装领域:面临芯片的TSV堆叠引入更多可能缺陷、2.5D/3D封装价值上 升导致缺陷成本上升、混合键合等技术对精度和缺陷控制要求高等诸多挑战。高端芯片制造面临的复杂挑战 带来对量检测设备的强劲需求,对应量检测设备需求增速达16%有望快于整体设备资本开支的14%增速。 ⚫ 2024年KLA全球市占率高达56.5%。根据KLA在2026年Investor Day中披露的数据,其2024年的全球市占率高

达56.5%,较2021年提升2pct,远超其他竞争对手。KLA在全球量检测设备市场仍处于绝对主导地位。

◆ 图:量检测设备市场空间增速在2019-2025年快于

WFE整体市场空间增速

◆ 图:2024年KLA在量检测设备的市占率高达56.5%,远超同业竞争对手

29

数据来源:KLA,东吴证券研究所

爱德万:AI测试需求高景气,FY2026Q1收入利润创历史新高

⚫ 受益于AI半导体相关测试需求的持续爆发,公司单季度营收创历史新高,利润率均达近期高点。营收方面, 公司FY26Q1(对应CY26Q2)实现营收3,675亿日元,同比+39.3%,环比+12.0%;净利润1,748亿日元,同比 +93.8%,环比+37.8%,均创单季度历史新高。分业务来看,FY26Q1爱德万SoC/存储测试机收入分别为 2,596/480亿日元,同比分别+35.7%/+43.3%,环比分别+9.4%/+30.4%。业绩超预期主要受益于下游AI需求拉动

GPU、ASIC及高性能DRAM测试需求增长,主力平台V93000持续放量,叠加收入增长带来规模效应。

⚫ AI驱动的测试需求超预期,公司大幅上调全年业绩指引。由于AI相关测试需求超预期,公司上调前一季度给 出的FY26全年业绩指引,营业收入上调20.7%至17,140亿日元,营业利润上调34.8%至8,460亿日元,营业利润 率提升5.2pct至49.4%,净利润上调41.8%至6600亿日元。

◆ 图:公司FY26Q1实现营收3,675亿日元,同比+39%

◆ 图:公司FY26Q1实现营业利润1893亿日元,同比+56%

2758.9 3127.9 4169.0 5601.9 4865.1<br><br>7797.1<br><br>11286.1<br><br>3674.7<br><br>13465.3<br><br>-20%<br><br>-10%<br><br>0%<br><br>10%<br><br>20%<br><br>30%<br><br>40%<br><br>50%<br><br>60%<br><br>70%<br><br>0<br><br>2000<br><br>4000<br><br>6000<br><br>8000<br><br>10000<br><br>12000<br><br>14000<br><br>16000<br><br>18000<br><br>FY19 FY20 FY21 FY22 FY23 FY24 FY25 FY26E<br><br>FY26E Q2+H2营收(亿日元) FY26Q1营收(亿日元)<br><br>营业收入(亿日元) yoy<br><br>
-100%<br><br>-50%<br><br>0%<br><br>50%<br><br>100%<br><br>150%<br><br>200%<br><br>0<br><br>1000<br><br>2000<br><br>3000<br><br>4000<br><br>5000<br><br>6000<br><br>FY19 FY20 FY21 FY22 FY23 FY24 FY25 FY26Q1<br><br>营业利润(亿日元) 净利润(亿日元)<br><br>

◆ 图:公司FY26营收/营业利润/净利润指引分别上调至17140亿日元/8460亿日元/6600亿日元

FY26营业收入指引FY26营业利润指引FY26净利润指引
2026年4月14200亿日元6275亿日元4655亿日元
2026年7月17140亿日元8460亿日元6600亿日元
上调幅度+20.7%+34.8%+41.8%
爱德万:高端SoC产品占比提升,规模效应推动盈利能力创新高
⚫ 高端SoC产品占比提升叠加规模效应,推动盈利能力于FY26Q1创历史新高。利润率方面,FY26Q1公司实现毛

利率69.5%,同比+4.4pct,环比+2.1pct;营业利润率51.5%,同比+5.6pct,环比+4.7pct;净利润率达47.6%,同

比+13.4pct,环比+8.9pct,均为FY2025Q1以来最高水平。产品结构改善、V93000平台渗透及固定费用摊薄共 同释放利润弹性。

⚫ 研发费用稳步增长、费用率持续摊薄,平台化研发进入规模兑现期。 FY19-FY25研发费用由400.70亿日元增至 781.40亿日元,研发费用率由14.5%降至6.9%;FY26Q1研发费用215.00亿日元,同比+25.7%,环比-8.5%,费

用率5.9%,同比-0.6pct,环比-1.3pct。公司持续投入软件、自动化、AI测试及先进封装,并通过通用软硬件平

台复用提升研发效率和客户覆盖;收入增长快于研发投入,平台化能力与规模效应形成共振,推动高性能SoC 测试机的收入增量加速转化为利润。

◆ 图:公司FY26Q1毛利率和营业利润率分别达69.5%和

◆ 图:公司FY26Q1研发费用215亿日元,研发费用率

降至5.85%

51.5%

21.29 19.96<br><br>27.53 29.81<br><br>17.90<br><br>32.02<br><br>43.99<br><br>51.52<br><br>56.72<br><br>53.80<br><br>56.59 56.96<br><br>50.57<br><br>57.08<br><br>64.34<br><br>69.54<br><br>19.40<br><br>22.31 20.94 23.28<br><br>12.80<br><br>20.67<br><br>33.26<br><br>47.56<br><br>0<br><br>10<br><br>20<br><br>30<br><br>40<br><br>50<br><br>60<br><br>70<br><br>80<br><br>FY19 FY20 FY21 FY22 FY23 FY24 FY25 FY26Q1<br><br>营业利润率% 毛利率% 净利率%<br><br>
400.7 426.78<br><br>483.67<br><br>600.94<br><br>654.92<br><br>713.99<br><br>781.4<br><br>215<br><br>14.52%<br><br>13.64% 11.60%<br><br>10.73%<br><br>13.46%<br><br>9.16%<br><br>6.92%<br><br>5.85%<br><br>0%<br><br>2%<br><br>4%<br><br>6%<br><br>8%<br><br>10%<br><br>12%<br><br>14%<br><br>16%<br><br>0<br><br>100<br><br>200<br><br>300<br><br>400<br><br>500<br><br>600<br><br>700<br><br>800<br><br>900<br><br>FY19 FY21 FY23 FY25<br><br>研发费用(亿日元) 研发费用率<br><br>
爱德万:SoC测试机贡献主要增量,中国台湾为最大出货地区

⚫ 韩国销售占比大幅提升,中国台湾仍为最大出货区。按分区域业务收入看,FY26Q1韩国/中国大陆/中国台湾

地区收入占比分别为18.3%/18.9%/ 48.6% ,分别同比+5.9pct/+4.1pct/-12.8pct,分别环比+7.8pct/+1.6pct/-8.9pct。 整体来看,FY26Q1收入地域结构变化体现了以韩国为代表的存储测试需求的旺盛,中国台湾地区虽然占比环 比下降,但绝对收入金额变化不大,仍为爱德万最大出货地区。

⚫ SoC测试系统主导业绩增长,DRAM占比在存储端内部有所下降。FY2026Q1按分业务板块收入看,(1)SoC

测试机:在半导体测试系统( Test System)业务中收入占比约78%,同比-2pct,环比-2pct;其中,公司预期

FY26全年计算/通信相关需求占比维持在约95%。(2)存储测试机:在半导体测试系统( Test System)业务中 收入占比14.4%,同比+0.5pct,环比+2pct;其中,公司预期FY26全年DRAM占比将由FY25的90%降至85%, NVM占比由10%提升至15%,反映出下游NAND客户测试需求的逐渐增长。

◆ 图:FY26Q1韩国收入占比提升至 18%,中国台湾地区仍为最大收入

◆ 图:公司FY26Q1半导体测试营收占总

◆ 图:FY26Q1SoC测试机营收占总收

收入比例约91%

入比例约71%

服务与其他(Services & Others)

其他 系统级测试SLT

来源

机电系统(Mechatronics)

Memory测试系统 SoC测试系统

半导体测试系统(Test System)

23%<br><br>30%<br><br>23%24%<br><br>24%<br><br>26%21%<br><br>32%<br><br>25%20%<br><br>27%<br><br>27%19%<br><br>22%<br><br>32%20%<br><br>42%<br><br>22%16%<br><br>50%<br><br>19%18%<br><br>49%<br><br>19%
-
-
-
-
-
-
-
-
-
<br><br>0%<br><br>10%<br><br>20%<br><br>30%<br><br>40%<br><br>50%<br><br>60%<br><br>70%<br><br>80%<br><br>90%<br><br>100%<br><br>FY19<br><br>FY20<br><br>FY21<br><br>FY22<br><br>FY23<br><br>FY24<br><br>FY25<br><br>FY26Q1<br><br>其他 欧洲 美国 中国大陆 中国台湾 韩国 日本<br><br>---------
------------

100%

100%

90%

90%

80%

80%

15.20%13.06%

70%

70%

20.23%

14.07%

15.30%

15.18%

60%

17.66%

60%

21.04%

50%

90.78%

50%

90.32%

40%

40%

76.71%

68.00%70.64%

71.40%69.30%69.20%72.16%68.15%

30%

54.11%58.10%

56.48%

56.18%

30%

50.48%

45.20%

20%

20%

10%

10%

0%

0%

FY19

FY20

FY21

FY22

FY23

FY24

FY25

FY26Q 1

FY24

FY25

FY19

FY20

FY21

FY22

FY23

FY26Q 1

FY19

FY20

FY21

FY22

FY23

FY24

FY25

FY26Q1

爱德万:AI芯片数量与复杂度双升,全球测试机市场加速扩容
⚫ 测试需求正由单一芯片出货增长,转向“芯片数量、单颗测试时间与测试插入次数”共同驱动。根据爱德万预

测,全球测试机市场规模由CY24的60亿美元增至CY25的90亿美元,CY26预计进一步提升至130-145亿美元。 AI服务器、加速卡及推理侧ASIC持续放量,直接扩大待测芯片数量;与此同时,芯片算力、接口速率及集成 复杂度不断提升,测试项目和测试向量相应增加,单颗芯片占用测试机的时间持续拉长。

⚫ SoC测试机贡献本轮市场扩容的主要增量,高性能DRAM升级同步拉动存储测试需求。SoC测试机市场规模由

CY24的41亿美元增至CY25的69亿美元,CY26预计达到105-115亿美元,同比增长52.17%-66.67%,SoC测试机 市场规模占比预计由CY24的68%增至CY26的80%,增长动力由传统GPU进一步扩展至Custom ASIC和CPU;存 储测试机市场同期由19亿美元增至21亿美元,CY26有望升至25-30亿美元,同比增长19.05%-42.86%,主要受 HBM迭代及高性能DRAM后端测试需求增强带动。

◆ 图:CY26测试机市场规模有望达130-145亿美元

|43 40

33

41

69

110

13 12 11

19 21

27.5

-6.98% -17.50%

24.24%

68.29%

59.42%

-7.69%

-8.33%

72.73%

10.53%

30.95%

-30%

-20%

-10%

0%

10%

20%

30%

40%

50%

60%

70%

80%

0

20

40

60

80

100

120

CY21 CY22 CY23 CY24 CY25 CY26E

SoC测试机市场规模(亿美元) 存储测试机市场规模(亿美元)

SoC测试机yoy 存储测试机yoy

|

|---|

◆ 图:CY26SoC测试机市场规模占比有望达80%

|77% 77% 75%

68%

77% 80%

23% 23% 25%

32%

23% 20%

0%

10%

20%

30%

40%

50%

60%

70%

80%

90%

100%

CY21 CY22 CY23 CY24 CY25 CY26E

存储测试机 SoC测试机

|

|---|

爱德万:SoC测试机份额目标提升至70%,产能扩张支撑长期成长

⚫ 平台黏性强化客户壁垒,CY25爱德万SoC测试机市场份额66%,目标SoC测试机市场份额提升至70% 。CY25 公司SoC测试机市占率已达66%,并提出未来提升至70%的目标(公司未说明达成目标年限)。高性能SoC测 试平台一旦完成客户导入,测试程序、接口硬件及量产验证流程将形成深度绑定,客户切换平台通常需要重新 开发程序并完成可靠性验证,迁移成本和时间成本较高。伴随GPU、Custom ASIC及CPU测试需求快速增长,

公司凭借领先的客户基础、成熟的平台生态和测试资源复用能力,有望在客户新增设备采购及既有平台扩容中

持续获得更高份额。

⚫ 产能快速扩张补齐供给能力,为市场份额提升及长期订单兑现提供支撑。公司SoC测试机年产能由2020年的约

1,000台提升至FY2026末的5,000台,并计划于CY2028末至CY2029年初进一步增至10,000台以上,较2020年扩 张超过十倍。与此同时,客户需求预测周期已由约6个月延长至18个月,需求能见度显著改善,使公司能够提

前协调零部件采购、供应链资源及制造节奏。平台黏性决定客户需求获取能力,产能扩张决定订单承接和交付

能力,两者形成共振,有望推动爱德万持续巩固SoC测试机领先地位并进一步扩大市场份额。

◆ 图:公司有望于CY28末至CY29初将SoC测试机年产能提

◆ 图:公司CY25年SoC测试机市占率66%,未来目标提升至

升至10000台以上

70%

SoC测试机市占率 存储测试机市占率

2020年FY2026末CY2028末至<br>CY2029年初<br>
SoC测试机年 产能1,000台5,000台10,000台以上
客户需求预测周期由约6个月延长至18个月,需求能见度显著 改善,为供应链及产能扩张提供依据。

70%

66% 55% 56%

63% 61%

60%

58% 59%

56%

51%

50%

53%

45%

56%

40%

38%

30%

20%

10%

0%

CY19 CY20 CY21 CY22 CY23 CY24 CY25

泰瑞达:AI计算与存储测试需求共振,2026Q2业绩再创新高
⚫ 半导体测试业务高景气延续,推动公司26Q2及H1收入创历史新高。 26H1(泰瑞达按照日历年披露业绩,后

文相关日期均对应实际日历年)实现营业收入26.11亿美元,同比+95%;26Q2公司实现营业收入13.29亿美元, 同比+104%,环比+3.6%,连续两个季度刷新单季度收入纪录。26H1GAAP净利润7.73亿美元,同比+336.31%,

26Q2 GAAP净利润3.75亿美元,同比+377.89%,环比-6.1%。分业务来看,26Q2公司SoC/存储测试机收入分别 为8.43/2.12亿美元,同比分别+112.3%/+247.5%,环比分别-4.4%/+4.4%。业绩高增长主要受益于AI基础设施建 设推动高性能芯片测试需求快速增长,其中半导体测试业务成为核心增长来源。

⚫ 公司26Q3业绩指引整体稳健,收入预计维持高位,但毛利率及营业利润率较26Q2有所回落。 公司给出26Q3 单季度收入指引为12-13亿美元,以中值12.5亿美元计,同比+62.5%、环比-6.0%;Non-GAAP毛利率指引 58.0%-59.0%,中值58.5%,同比持平、环比-1.3pct;Non-GAAP营业利润率指引28.0%-30.0%,中值29.0%,同 比+8.6pct、环比-4.7pct。公司预计CY26H1收入占全年收入50%–52%,27年营收加速增长。

◆ 图:公司26H1实现GAAP营业利润 9.1亿美元,同比

◆ 图:公司26H1实现营收26.1亿美元,同比+95%

|22.9

31.2 37.0 31.6 26.8 28.2 31.9 26.1

25.1

-20%

0%

20%

40%

60%

80%

0

10

20

30

40

50

60

2019 2020 2021 2022 2023 2024 2025 2026E

26E H2营收(亿美元) 26H1营收(亿美元)

营业收入(亿美元) yoy

|

|---|

+331%

|-100%

0%

100%

200%

300%

400%

0

5

10

15

2019 2020 2021 2022 2023 2024 2025 2026H1

营业利润(亿美元) 净利润(亿美元)

营业利润yoy 净利润yoy

|

|---|

◆ 图:公司26Q3营收指引12-13亿美元

营业收入Non-GAAP毛利率Non-GAAP营业利润率
26Q312-13亿美元58.0% - 59.0%28.0% - 30.0%
YoY(按中值计算)+62.5%持平+8.6pct
QoQ(按中值计算)-6.0%-1.3pct-4.7pct
泰瑞达:半导体测试规模效应释放,盈利能力显著改善

⚫ AI高价值测试需求释放,推动公司26H1盈利能力达到历史高位。 26H1公司GAAP毛利率/营业利润率/净利率 达到60.3%/34.9%/29.6%,同比+1.4pct/+19.1pct/+16.3pct;26Q2公司GAAP毛利率/营业利润率/净利率达到

59.8%/32.9%/28.2%,同比+2.6pct/+19.0pct/+16.2pct,环比-1.1pct/-3.9pct/-2.9pct。26Q2受益于高端SoC测试机及

存储测试设备放量,规模效应进一步增强,推动利润率维持高水平。

⚫ 研发投入持续增长但费用率下降,平台化研发能力进入规模兑现阶段。 26H1公司研发费用达到2.92亿美元, 同比增长约23.4%,研发费用率降至11.2%,同比-6.5pct。26Q2研发费用1.56亿美元,同比+32.0%,环比

+15.3%;研发费用率11.8%,同比-6.4pct,环比+1.2pct。AI/HPC相关SoC及存储测试需求快速放量,公司收入

规模显著扩张,研发费用增速明显低于收入增速。同时,公司核心测试平台具备较强的软硬件复用能力,新产

品可通过模块升级、仪器扩展及软件迭代持续覆盖新增测试需求,规模效应带动研发费用率持续摊薄。

◆ 图:公司26H1GAAP毛利率和GAAP营业利润率分别

达60.3%和34.9%

|24.12

29.74 32.43

26.37

18.72 21.06 20.38

34.88

58.38 57.21 59.59 59.18 57.42 58.48 58.22 60.33

20.37

25.12

27.40

22.68 16.77 19.23 17.37

29.63

0

10

20

30

40

50

60

70

2019 2020 2021 2022 2023 2024 2025 2026H1

GAAP营业利润率% GAAP毛利率% GAAP净利率%

|

|---|

◆ 图:公司26H1研发费用2.92亿美元,研发费用率降

至11.2%

|3.23

3.75

4.28 4.41

4.18

4.61

5.05

2.92

14.07%

12.01%

11.55%

13.96%

15.62%

16.34%

15.82%

11.18%

0%

2%

4%

6%

8%

10%

12%

14%

16%

18%

0

1

2

3

4

5

6

2019 2020 2021 2022 2023 2024 2025 2026H1

研发费用(亿美元) 研发费用率

|

|---|

泰瑞达:半导体测试贡献超八成收入,计算与存储共同驱动增长
⚫ SoC测试系统成为增长核心,AI计算芯片贡献主要收入增量。 从业务结构看,26年H1半导体测试系统收入占

公司整体收入约85.5%,同比+8.2pct,26Q2占比约84.4%,同比+9.0pct、环比-2.2pct。其中:(1)SoC测试:

26H1收入占比约66.1%,同比+6.1pct,26Q2收入占比约63.4%,同比+2.5pct、环比-5.4pct,SoC测试需求增长 主要来自AI计算芯片,包括GPU、Custom ASIC及CPU等高性能逻辑芯片。同时,存储测试业务保持增长, (2)Memory测试:26H1收入占比约15.9%,同比+3.2pct,26Q2收入占比约16.0%,同比+6.6pct、环比+0.1pct, 主要受HBM、DRAM升级及高性能存储需求推动。整体来看,公司收入由AI计算与高性能存储测试双轮驱动。

⚫ 亚洲先进制造区域需求旺盛,中国台湾、韩国成为收入增长主要来源。 从地区结构看,26H1中国台湾收入占

比达到40.5%,同比+9.1pct,26Q2中国台湾收入占比约40%,同比+5pct、环比-1pct,为公司最大收入区域; 26H1韩国收入占比提升至19.5%,同比+9.9pct,26Q2韩国收入占比约20%,同比+13pct、环比+1pct,主要受 HBM及DRAM扩产需求带动。中国台湾地区受益于先进逻辑芯片及AI GPU供应链扩张,韩国则受益于存储厂

商加速布局HBM产能。

◆ 图:26H1中国台湾收入占比升至40.5%

◆ 图:公司26H1营收SoC测试机占比升至66.1%

56.05% 60.14% 60.68% 54.10%<br><br>53.53% 54.51% 59.24% 66.07%<br><br>11.60%<br><br>12.24% 10.68%<br><br>11.84%<br><br>14.42% 17.79%<br><br>15.83%<br><br>15.89%<br><br>0%<br><br>10%<br><br>20%<br><br>30%<br><br>40%<br><br>50%<br><br>60%<br><br>70%<br><br>80%<br><br>90%<br><br>100%<br><br>2019 2020 2021 2022 2023 2024 2025 2026H1<br><br>Robotics Wireless<br><br>Test<br><br>Industrial Automation System Test IST memory test SoC test<br><br>
21.16%<br><br>37.74%<br><br>30.19%<br><br>19.85% 14.38%<br><br>21.35%<br><br>36.21% 40.50%<br><br>22.41%<br><br>14.92%<br><br>17.07%<br><br>15.59%<br><br>11.77%<br><br>13.30%<br><br>14.15% 11.50%<br><br>10.44%<br><br>12.54%<br><br>13.56%<br><br>17.27%<br><br>14.75%<br><br>24.67%<br><br>13.99% 19.50%<br><br>0%<br><br>10%<br><br>20%<br><br>30%<br><br>40%<br><br>50%<br><br>60%<br><br>70%<br><br>80%<br><br>90%<br><br>100%<br><br>2019 2020 2021 2022 2023 2024 2025 2026H1<br><br>其他地区 泰国 菲律宾 马来西亚 新加坡 欧洲<br><br>日本 韩国 中国大陆 美国 中国台湾<br><br>
泰瑞达:Compute客户突破推动SoC份额回升,存储测试景气延 续
⚫ Compute客户突破带动SoC测试收入高增,公司预计市场份额自2026年起企稳回升。2026H1 Compute(主要包括

超大规模云计算客户自研AI加速器/Custom ASIC、商用GPU、服务器CPU及高速网络芯片)占公司SoC测试收入

比重升至73%,2026Q2占比约70%、收入同比增长近600%。公司Q2已交付首个Merchant GPU(商用GPU)客户 订单,并于Q3初完成第二家AI Hyperscaler(超大规模云计算)客户的Correlation验证,客户覆盖由定制AI加速器 向商用GPU及更多云厂商扩展。随着大型计算客户逐步导入双测试平台,公司预计SoC测试市场份额自2026年开 始企稳回升,相关客户量产有望推动2027年份额提升进一步兑现。

⚫ HBM及DRAM需求强劲叠加NAND终测复苏,存储测试高景气有望延续至2027年。2026Q2公司存储测试收入达
  • 2.12亿美元,创历史新高,已连续三个季度超过2亿美元,季度Book-to-bill(订单收入比)超过2。公司预计2026 年全球存储测试机市场规模同比增长超过40%、达到18.8亿美元及以上,下半年需求较上半年进一步加速;同时, 存储厂商已将扩产及测试设备采购规划延伸至2027年,管理层暂未观察到2027年需求明显回落的迹象。

◆ 图:公司26H1计算芯片占SoC测试机收入比重升至72.56%

◆ 图:26年全球存储测试机市场规模有望同比增长超过

40%

|10.82%

33.53%

47.84%

72.56%

0%

10%

20%

30%

40%

50%

60%

70%

80%

2023 2024 2025 2026H1

计算芯片占SoC测试收入比重|

|---|

|6

9

10.1 9.6 9

14 13.4

18.8 50.00%

12.22%

-4.95%

-6.25%

55.56%

-4.29%

40.30%

-10%

0%

10%

20%

30%

40%

50%

60%

0

2

4

6

8

10

12

14

16

18

20

2019 2020 2021 2022 2023 2024 2025 2026E

Memory Test TAM(亿美元) yoy

|

|---|

泰瑞达:围绕AI数据中心拓展业务边界,构建全链条测试与自动 化能力

⚫ AI数据中心推动公司由芯片测试向板级、光通信、系统测试及产线自动化延伸。泰瑞达围绕“从晶圆到AI数 据中心”战略,将半导体测试、产品测试和机器人能力贯穿晶圆、芯片、封装、PCB、机架及数据中心建设环 节。2026Q2公司AI相关收入占比超过60%,除CPU、GPU/加速器、网络芯片及HBM测试外,AI数据中心亦成 为板级测试、高速互连测试及生产自动化业务的重要增长动力。

⚫ 高速互连测试与生产自动化业务持续拓展,打开半导体ATE之外的成长空间。(1)高速互连与生产测试方面,

公司推出Omnyx板级测试平台,并通过收购Quantifi Photonics、成立Multilane Test Products合资公司及推出 Photon 100,覆盖高速电互连、可插拔光模块及CPO等测试场景;(2)产线自动化方面,协作机器人及移动 机器人逐步进入半导体和数据中心设备的上下料、装配、辅助测试及厂内物流环节;2026Q2,公司产品测试/ 机器人业务收入分别为1.07/1.00亿美元,分别同比+26%/+33%,分别占公司总收入约8.1%/7.5%。

◆ 图:公司围绕“从晶圆到AI数据中心”战略,产品逐渐覆盖晶圆至产品测试、产线自动化各环节

数据来源:公司官网,东吴证券研究所 39

DISCO:FY26Q1业绩超预期,FY26Q2指引延续高增长

⚫ FY26Q1业绩表现亮眼,营收及盈利均实现较快增长并超过前期指引。营收方面,公司FY26Q1(对应 CY2026的4-6月)实现季度营收1143.1亿日元,高于FY25Q4营收指引1061亿日元,同比+27%;利润方面, 公司FY26Q1实现营业利润490亿日元,大幅超出FY25Q4指引295亿日元,同比+42%,实现净利润342.8亿日 元,同比+44%。

⚫ 营收和净利润已实现连续多年高速增长,下一季度业绩指引延续强劲增长态势。DISCO自FY2019以来营收、

净利润即保持20%/30%的增速中枢稳定增长。公司给出FY2026Q2营收指引1285亿日元,净利润396亿日元, 环比增速分别为12%/16%,同比增速23%/15%,营收与净利润预计进一步提升。

◆ 图:公司FY26Q1实现营收1143.1亿日元,同比+27% ◆ 图:公司FY26Q1实现净利润342.8亿日元,同比+44%

|1,411

1,829

2,538

2,841

3,076

3,933

4,369

1,143

2,428

5,637

6,636

-20%

0%

20%

40%

60%

0

1000

2000

3000

4000

5000

6000

7000

营业收入(亿日元) yoy(%)

|

|---|

|277

391

663

829 842

1,241

1,356

343

739

1,950

2,405

-20%

0%

20%

40%

60%

80%

0

500

1000

1500

2000

2500

3000

净利润(亿日元) yoy(%)

|

|---|

DISCO:利润率中枢上移,保持高强度研发投入

⚫ 利润率呈现阶梯式提升趋势,中枢已上移约10pct。毛利率方面,DISCO FY2019-FY2020期间毛利率在58%-

60%区间波动,FY2021起毛利率突破60%并持续增长,至FY2024-FY2025达到70%以上的高位,中枢上移至

70%,最新季度FY2026Q1毛利率达到71.3%;净利率与毛利率同趋势变动,在FY2024后中枢上移至30%,但短 期因波动环比略降,FY2026Q1实现净利率30%,公司给出Q2净利率指引为30.8%,说明净利率的短期下降属 阶段性波动。

⚫ 研发费用绝对金额不断攀升,费用率因收入高增长被稀释。DISCO研发费用从FY2019的160亿日元增至

FY2025的342亿日元,增长已超过一倍。但由于营收增速更快,研发费用率呈下降趋势,从FY2019的11.3%降

至FY2025的7.8%。FY2026全年DISCO预计研发费用约380亿日元,对应研发费用率约6.7%。

◆ 图:DISCO毛利率中枢已提升至70%、净利率中枢提升至30% ◆ 图:研发费用绝对值保持增长,费用率被收入高增长稀释

80%

70%

60%

毛利率(%) 净利率(%)

71% 70% 71%

68%

65%

60% 58% 61%

50%

40%

30%

20%

20% 21%

26%

29% 27%

32% 31% 30% 31%

10%

0%

FY2019 FY2020 FY2021 FY2022 FY2023 FY2024 FY2025 FY2026Q1 FY26Q2E

研发费用(亿日元) 研发费用率(%)

380

400

342

350

317

300

273

15%

13%

250

200

150

160

176

199

224

11%

9%

100

50

0

7%

FY2019 FY2020 FY2021 FY2022 FY2023 FY2024 FY2025 FY2026E

5%

DISCO:存储/逻辑需求始终占主导,先进封装需求旺盛推动中 国台湾地区占比提升

⚫ 逻辑/存储始终占主导。DISCO主要产品主要包括研

磨机、切割机两大类,从应用用途来看,IC(逻辑/

存储)用途占据绝对主导地位,自FY2024以来不断 提升,FY2026Q1切割机中IC用途占比约70%、研磨 机中IC用途占比高达79%,主要受益于AI对HBM和 先进逻辑芯片的封装需求激增。

⚫ 中国台湾地区占比持续提升,先进封装需求旺盛。

中国台湾地区占比自FY2023起大幅增长至FY26Q1 的34%,已成为DISCO最主要出货地区。

◆ 图:中国台湾地区占比提升最大,成为最主要出货地区

|15% 14% 12% 12% 12% 10% 10% 9%

27% 31% 37%

31%

36%

32% 31%

27%

13% 11%

9%

10%

9%

11% 8%

11%

20% 20% 18%

15% 12% 19% 27% 34%

11% 11% 12%

12% 8%

9%

10%

11%

7% 7% 7%

13% 13%

12%

8%

7% 7% 6% 8% 10% 7% 6% 4%4%

0%

10%

20%

30%

40%

50%

60%

70%

80%

90%

100%

FY2019 FY2020 FY2021 FY2022 FY2023 FY2024 FY2025 FY2026Q1

欧洲 美洲 其他 中国台湾 韩国 中国大陆 日本

|

|---|

◆ 图:切割机、研磨机在IC领域的需求占比均最大,主要供给逻辑/存储客户(左:切割机,右:研磨机)

58%<br><br>48% 51% 49% 50%<br><br>65%<br><br>72% 70%<br><br>8%<br><br>13%<br><br>16%<br><br>10% 4%<br><br>4%<br><br>11% 5% 8% 15%<br><br>9%<br><br>7%<br><br>9%<br><br>7%<br><br>7% 3%<br><br>11% 11%<br><br>15%<br><br>27%<br><br>28%<br><br>17%<br><br>8% 12%<br><br>12% 14%<br><br>9% 7% 9% 8% 8% 8%<br><br>0%<br><br>10%<br><br>20%<br><br>30%<br><br>40%<br><br>50%<br><br>60%<br><br>70%<br><br>80%<br><br>90%<br><br>100%<br><br>FY2019 FY2020 FY2021 FY2022 FY2023 FY2024 FY2025 FY2026Q1<br><br>非半导体 其他半导体 光半导体 封装/切割 IC(逻辑/存储)<br><br>38%<br><br>48% 49% 48% 43%<br><br>58%<br><br>74%<br><br>79%<br><br>12%<br><br>11% 9%<br><br>4%<br><br>6%<br><br>7%<br><br>5%<br><br>5%<br><br>26%<br><br>22% 21% 32% 36%<br><br>25%<br><br>11%<br><br>7% 14% 6%<br><br>14%<br><br>10% 13% 13% 11% 8% 7% 7%<br><br>7% 3% 4% 4% 4% 2%<br><br>0%<br><br>10%<br><br>20%<br><br>30%<br><br>40%<br><br>50%<br><br>60%<br><br>70%<br><br>80%<br><br>90%<br><br>100%<br><br>FY2019 FY2020 FY2021 FY2022 FY2023 FY2024 FY2025 FY2026Q1<br><br>非半导体 晶圆材料 其他半导体 光半导体 IC(逻辑/存储)<br><br>
DISCO:先进封装加速发展,对切磨抛设备需求量显著增加

⚫ 受AI算力需求驱动,全球先进封装市场正进入加速扩张周期。根据群智咨询,2026年全球先进封装市场规模 预计达587亿美元,同比增长约97%;2.5D/3D封装产能持续紧张,2025至2030年,全球先进封装产能将以41% 的年均复合增长率提升,其中2025-2027年快速扩产阶段增速有望高达77%。TSMC先进封装产能在2026年预

计同比增长约84%,ASE、Amkor等传统封测龙头也加速抢占先进封装份额,全球先进封装市场正进入加速扩

张周期。

⚫ DISCO在W2W、D2W两种主要封装方式中均覆盖多个工艺步骤。根据DISCO,在W2W封装工艺的过程中

(如左图),有边缘修整(Edge trimming)、高精度研磨(Grinding)、减薄(Thinning)、切割(Dicing) 四个主要步骤涉及切磨抛设备;在D2W封装工艺中(如右图),有减薄(Thinning)、高洁净度切割(High

Cleanliness Dicing)、芯粒研磨(Chip grinding)、氧化层研磨(Oxide layer grinding)、再次减薄和切割六个

主要步骤涉及切磨抛设备,充分受益于先进封装的快速发展带来的设备需求。

◆ 图:DISCO在W2W工艺中覆盖四个工艺阶段 ◆ 图:DISCO在D2W工艺中覆盖六个工艺阶段

数据来源:DISCO,东吴证券研究所 43

目录
一、AI发展带动存储&先进逻辑需求,海外Fab厂 加速扩产
二、海外半导体设备龙头订单&业绩持续新高,多 家上修全年指引
三、国内资本开支加速上行&国产化率提升,看好 国产设备商

四、海外设备交期拉长&尝试涨价,国产设备& 零部件迎出海机遇

五、投资建议与风险提示

44

3.1 中国晶圆厂仍有较大扩产空间

⚫ 中国大陆晶圆制造仍是半导体行业的短板,自主可控驱动本土晶圆厂逆周期大规模扩产。中国大陆晶圆全球 产能占比已从2021年的16%提升至2024年的22%,但相较于2024年中国大陆半导体销售额全球占比的30%仍 有提升空间。外部制裁事件频发的背景下,晶圆环节自主可控需求越发强烈,看好后期扩产持续性。

◆ 图:2024年中国大陆占全球半导体

◆ 图:中国大陆晶圆厂产能全球占比已从2021年的16%提升至2024年的

销售额约30%

22%

其他 10%

其他 14%

韩国 23%

中国台湾

EMEA

5%

23%

全球其他 26%

中国大陆 30%

美洲 11%

美洲 11%

日本

日本 15%

中国台湾 21%

8%

日本 12%

中国大陆

欧洲

22%

美洲 26%

10%

中国大陆 16%

韩国 17%

45

数据来源:SEMI,SIA,东吴证券研究所

⚫ 中国头部逻辑厂商与国际龙头在产能上仍存在显著差距,对标台积电仍有较大扩产空间。国际龙头台积电 25Q2 的 12 英寸晶圆月产能达 127.9 万片,遥遥领先于三星(34.4 万片)、中芯国际(26.5 万片)和华虹

(19.8 万片)。

⚫ 在全球纯晶圆代工市场中,中国大陆厂商与海外头部玩家仍有明显差距,市占率处于较低水平。2024年 Q2至2025年Q3,中芯国际的市场份额稳定在5%-6%区间,华虹份额预计不超过2%。相比2024Q2-2025Q3 台积电稳定在65%-72%、三星稳定在9%左右的全球占比,中国大陆厂商仍具备较大提升空间。

◆ 图:中国头部逻辑厂商与国际头部仍有较大产能差距
12-inch(kwpm)1Q242Q243Q244Q241Q252Q25
台积电1,1891,1991,2171,2221,2391,279
三星340344346347339344
中芯国际205205225250260265
华虹175175175180188198
12英寸总产能1,9091,9231,9631,9992,0262,086

◆ 图:24Q2-25Q3中芯国际在全球纯晶圆代工市场中份

额在5%-6%

|65% 66% 69% 68% 71% 72%

10%6%6%5% 9%6%5%5% 8%6%5%5% 9%6%5%4% 8%5%5%4% 7%5%4%4%

9% 9% 8% 8% 8% 8%

0%

10%

20%

30%

40%

50%

60%

70%

80%

90%

100%

Q2 2024 Q3 2024 Q4 2024 Q1 2025 Q2 2025 Q3 2025

OthersUMC 图表标题 GlobalFoundriesSMIC

Samsung Foundry TSMC

|

|---|

46

数据来源:SEMI,Trendforce,东吴证券研究所

⚫ 在逻辑端,中芯国际为扩产主力,2026年资本开支预计维持高位。作为内资逻辑晶圆代工龙头,中芯国际为国 内逻辑厂商扩产主力。资本开支方面,2025年中芯国际资本开支达到81亿美元,同比+11%。根据中芯国际披露 的资本开支指引,2026全年资本开支预计与2025年基本持平,约为81亿美元。

⚫ 产能利用率方面,中芯国际产能利用率自2023Q1起持续回升,2025Q3升至高点95.8%,2026Q1为93.1%。

◆ 图:2023Q1以来中芯国际产能利用率持续回升 ◆ 图:中芯国际资本性支出及增速
19<br><br>57<br><br>45<br><br>64<br><br>75<br><br>73<br><br>81 81<br><br>-50%<br><br>0%<br><br>50%<br><br>100%<br><br>150%<br><br>200%<br><br>250%<br><br>0<br><br>10<br><br>20<br><br>30<br><br>40<br><br>50<br><br>60<br><br>70<br><br>80<br><br>90<br><br>2019 2020 2021 2022 2023 2024 2025 2026E<br><br>中芯国际资本开支(亿美元) yoy(%,右轴)<br><br>
68.1%<br><br>95.8%<br><br>50%<br><br>60%<br><br>70%<br><br>80%<br><br>90%<br><br>100%<br><br>1Q20 3Q20 1Q21 3Q21 1Q22 3Q22 1Q23 3Q23 1Q24 3Q24 1Q25 3Q25 1Q26<br><br>产能利用率产能利用率<br><br>

47

数据来源:中芯国际官网, 东吴证券研究所

⚫ 华虹集团先进制程产能主要在旗下上海华力体系中,上市主体华虹半导体整合主要成熟制程产能。截至2026年8 月,上市公司华虹半导体已覆盖 Fab1-3、Fab7、Fab9,以及将完成收购的 Fab5,工艺集中在 350nm–28nm。 Fab6(28–14nm,先进逻辑)尚未纳入上市体系,后续仍具注入预期。
◆ 图:华虹集团旗下各厂区运营主体及主要工艺节点等

厂区/Fab 运营主体 产品内容/主要工艺 晶圆尺寸 主要工艺节点

是否在上市公司体系

内

  • Fab1 上海华虹宏力半导体制造有限公司

嵌入式存储、功率器 件等 8 英寸 350nm – 95nm 是

  • Fab2 上海华虹宏力半导体制造有限公司 智能卡、消费电子 8 英寸 350nm – 180nm 是
  • Fab3 上海华虹宏力半导体制造有限公司 消费电子、物联网 8 英寸 250nm – 90nm 是
  • Fab5 上海华力微电子有限公司 逻辑芯片、手机通信 12 英寸 65/55nm – 28nm 否(拟注入)
  • Fab6 上海华力集成电路制造有限公司 高端逻辑、车规芯片 12 英寸 28/22nm – 14nm 否(拟注入)
  • Fab7 华虹半导体(无锡)有限公司

功率器件(新能源/光

伏) 12 英寸 90nm – 55nm 是 Fab8(规划中) 上海华力集成电路制造有限公司

先进逻辑 / FinFET 芯

片 12 英寸 N+2 否(新建/规划中) Fab9 华虹半导体(无锡)有限公司

车规 MCU、高压功率 器件 12 英寸 65nm – 40nm 是

48

数据来源:华虹半导体, 东吴证券研究所

3.3 全球存储龙头产能领先,国内厂商扩产空间广阔

⚫ 长江存储&长鑫存储全球市占率稳步提升,后续空间非常广阔。长鑫存储DRAM全球市占率2024年约为5%,2025年 提升至约8%;长江存储NAND2024年全球市占率约为5%,2025年提升至约8%。综合来看,长存长鑫两者在国际存

储市场的市占率水平正逐年稳定提升,后续份额空间仍十分广阔。

◆ 图:2024年长鑫存储DRAM全球市占率仅为5%,2025年提升至8%

其他 2%

|三星 40%

SK海力 士 30%

美光 20%

长鑫 科技

8%

其他 2%

2025|

|---|

2024

长鑫存储 5%

三星 36%

美光 22%

SK海力士 35%

◆ 图:2024年长江存储NAND全球市占率仅为5%,2025年提升至8%

2025

2024

|三星

27%

Sk海力 士 20%

铠侠 14%

闪迪 12%

美光 11%

长江

存储 8%

其他 8%|

|---|

长江存储 5%

其他 15%

三星 33%

美光 11%

铠侠

SK海力士 19%

17%

49

数据来源:SEMI,Trendforce,东吴证券研究所

目录
一、AI发展带动存储&先进逻辑需求,海外Fab厂 加速扩产

二、海外半导体设备龙头订单&业绩持续新高,多

家上修全年指引

三、国内资本开支加速上行&国产化率提升,看好 国产设备商

四、海外设备交期拉长&尝试涨价,国产设备&零 部件迎出海机遇

五、投资建议与风险提示

4.1海外设备扩产周期较长,新增供给难以快速释放

⚫ 海外设备龙头产能扩张整体保持相对平稳,新增供给释放周期较长。 从主要海外设备厂商来看,生产基地普 遍已经形成较成熟的全球化布局,新一轮扩产大多以现有基地扩建、新建洁净室或新增厂房为主,建设及产能 爬坡周期较长,周期普遍2-3年。其中,ASML持续扩建荷兰Veldhoven生产基地,Low-NA EUV及浸没式DUV 产能预计26-28年保持约30%的年度增长;TEL新建宫城工厂预计至2027年夏季方可完成,历时约2年,用于刻 蚀等设备生产。KLA新加坡二期、DISCO Gohara新工厂等新增项目同样主要于2026-2028年陆续落地。

◆ 图:海外设备厂商产能扩张节奏相对平稳,扩产周期普遍2-3年
截至2026年8月生产基地及产能近期扩产计划预计26-28年年均扩产增速
ASML生产基地位于荷兰、德国、美国、韩国、中国台湾等。26年 Low-NA EUV产能约65台/年,浸没式DUV产能约130台/年Veldhoven:截至2026年8月,De Run 6000正在建设新的 洁净室,其中一间已接近完工;De Run 7000也规划建<br><br>设用于新一代设备生产的洁净室。Low-NA EUV和浸没式DUV产 能每年增长30%
Lam Research美国工厂主要承担研发职能;马来西亚一厂是Lam全球最大 制造工厂。此外,还有韩国、中国台湾、奥地利等地生产基 地。马来西亚二厂预计2026H2投产,约80万平方英尺暂无2026及后续扩产计划
TEL每年出货 4000–6000 台设备;核心半导体设备制造基地高度 集中在日本,包括熊本、宫城等。宫城新生产厂房建设从2025年6月启动至预计2027年 夏季完成,历时约2年,用于刻蚀等设备生产。/
KLA主要制造活动位于美国、新加坡、以色列、中国及欧洲。新加坡二期从2024年10月启动至预计2026年完成, 历时2年,投产后基地面积将由20万平方英尺增至42 万平方英尺,扩大约110%暂无2026及后续扩产计划
爱德万核心ATE测试机主要制造基地是日本Gunma Factory和韩国 Cheonan。CY26产能较CY25扩60%–70%,FY26末SoC tester≥5,000台/年;2028年底预计10,000台/年40%+
泰瑞达大量采用合同制造模式,Flex Malaysia生产FLEX/J750, Plexus Malaysia/Thailand生产FLEX、Magnum等,SAM<br><br>Meerkat Malaysia/Thailand承担部分存储测试产品制造。2025年在菲律宾Cebu购置约29万平方英尺厂房用于<br><br>半导体测试生产暂无2026及后续扩产计划
DISCO截至2026年8月,三个核心生产基地均在日本:Kure Plant、 Kuwabata Plant以及Chino Plant。Gohara Plant一期2026年2月开工,计划2028年4月完<br><br>成,历时2年以上,生产精密加工工具/耗材,后续还 有二、三期。/

51

数据来源:公司官网,东吴证券研究所

4.2海外设备供需趋紧向交期与价格传导,国产设备响应优势凸显
⚫ 海外半导体设备供需趋紧逐步向价格和交期传导,部分设备已经出现明确涨价趋势。 从价格端看,ASML正在

与客户讨论部分设备进一步提价,部分中国客户已接受老款DUV设备约10%的提价;KLA亦会在推出新产品时

重新评估成本及售价。

⚫ 设备交期同步延长进一步强化国产设备的供应链响应和本土服务优势。截至2026年8月, KLA平均交期约12个 月,部分产品达到18-24个月,与客户讨论的交付时间已经主要指向2027H2;截至2026年8月,Lam交期存在挑 战,与客户讨论的交付时间亦指向2027年及以后;爱德万客户需求可视期已经从历史上的约6个月延长至18个

月。海外设备产能释放偏慢、交期延长及涨价,为国产设备凭借交付、本地化服务和性价比优势加速切入,并

向海外市场拓展创造窗口。

◆ 图:海外设备厂商涨价趋势明确,设备交期同步延长
价格交期
ASML公司有进一步提升部分设备价格的空间并正在和客户讨论,部分中 国客户已接受老款DUV设备约10%的提价。2027年 Low-NA EUV订单已经接近全部覆盖产能;2028年也已收到 大量订单。
Lam Research定价是公司关注重点,但尚未公布明确涨价幅度。截至2026年8月,交期存在挑战,客户讨论的交付时间已经进入 2027 年及以后。
TEL公司正积极推进提价策略,包括将上涨的成本转嫁给客户。/
KLA新产品推出时会重新评估成本与售价并进行调整。此前长期客户交货周期6-8个月,截至2026年8月公司整体交货周期12 个月,某些产品接近18-24个月。
爱德万公司称DRAM等存储器件成本上涨使毛利率承压,预计下一财年仍 有压力,正在评估在适当情况下向客户转嫁一部分成本。客户需求可视期已经从历史上的约6个月延长至18个月。

数据来源:公司官网,东吴证券研究所

4.3 国产设备产能加速扩张,为国产替代与全球化布局夯实供给基 础
⚫ 国内设备厂商进入集中扩产周期,为后续国产替代及海外市场拓展提前储备供给能力。 截至2026年8月拓荆科

技沈阳、上海基地合计产能约500台/年,新生产基地完全达产后理论总产能有望达到约1,100台/年,产能扩充

至2.2倍;盛美上海临港A厂区满产产值能力约100亿元,A+B厂全面运行后预计提升至约200亿元,实现产能翻 倍;中微公司预计到2031年左右研发生产基地面积由2026年8月的约60万平方米提升至90万平方米,整体生产 能力将超过700亿元。此外,华海清科、微导纳米、长川科技等均在推进新增生产基地或设备产能建设,国内 设备供给能力正在进入快速扩张阶段。

◆ 图:国产半导体设备厂商加速产能扩张

截至2026年8月产能扩产指引
拓荆科技沈阳约300台/年+上海约200台/年,合计约500台/年新生产基地项目最终设计产能600台/年;公司预计28-30年阶段性总产能约 800台/年,项目完全达产(2032年)后理论总产能约1,100台/年,产能扩充至 2.2倍。
华海清科CMP 装备最大年产量 300台、减薄装备最大年产量 72 台、离子 注入装备最大年产量36台(位于租赁场地);晶圆再生标准产能 20 万片/月上海基地项目新增半导体装备生产能力150台/年:离子注入90台、CMP 30台、减薄30台;同时晶圆再生新增20万片/月。上海基地项目预计于 2028年建成。
微导纳米/“半导体薄膜沉积设备智能化工厂”项目新增50台/年,达产收入设计值<br><br>约15.65亿元/年,预计2028年达产。
盛美上海公司临港A厂区满产状态下可达到100亿元年产值B厂计划2026H2装修完毕并投产;A+B厂全面运行后合计可达到约200亿 元/年产值能力,实现产能翻倍。
中微公司公司截至2026年8月研发生产基地总建筑面积约60万平方米; 2024年临港基地85亿元 + 南昌基地61亿元生产总值。公司研发生产基地预计到2031年左右增至90万平方米,届时整体生产能 力将超过700亿元。
中科飞测2024 年产量为 384 台,其中检测设备245台,量测设备139台, 前次IPO募投项目达产后预计年产量 190 台上海项目新增产能78台/年,其中检测设备43台,量测设备35台,预计 2029年达产。
长川科技/内江生产基地二期总预算约6.91亿元,预计2027Q1竣工投用,全面建成 后预计实现年销售收入超20亿元;高端智能制造基地预算约7.50亿元。
北方华创四期项目达产后,各类半导体设备年产2,000台,其中集成电路设<br><br>备500台/年、新兴半导体设备500台/年、LED设备300台/年、光伏 设备700台/年公司近几年资本开支主要聚焦研发投入。2020-2025年员工人数从5,977人<br><br>增至21,101人,5年CAGR约28.7%,其中研发人员扩张更快,从1,415人增 至6,511人,5年CAGR约35.7%

数据来源:公司公告,东吴证券研究所 53

4.4 国产零部件已进入海外设备龙头供应链,海外扩产打开份额提 升空间
⚫ 国产半导体零部件厂商已较早进入海外设备巨头供应链,全球化基础成熟。 新莱应材2025年海外收入达到7.53

亿元、占收入比重25.12%,主要向海外客户供应高洁净真空系统及超高纯气体系统零部件;富创精密2024年海

外收入约8.97亿元、占比29.50%,产品涵盖反应腔、传输腔、匀气盘等工艺零部件,以及冷却板、离子注入机 模组、气柜模组等结构件和模组。

⚫ 海外设备扩产与供应链本土化趋势下,国产零部件厂商有望加速切入全球产业链。 半导体核心零部件认证周 期长、供应关系稳定,一旦进入全球设备龙头供应体系,有望伴随客户设备出货持续放量。富创精密、新莱应

材等国内龙头已由单一零部件向腔体、阀门、气路系统及模块化产品升级,产品价值量和供应深度不断提升。

随着海外设备厂商扩产及供应链保障需求增强,国内零部件企业凭借成本、交付及精密制造优势,有望进一步 提升全球供应链份额。

◆ 图:国内半导体零部件厂商积极开拓海外市场
新莱应材(2025年数据)富创精密(2024年数据)
海外收入金额(亿元)7.538.97
海外收入占比25.12%29.50%
主要出海的零部件类型① AdvanTorr高洁净真空系统:真空法兰、管件、 传输阀、闸阀、角阀、球阀,以及PVD/CVD用不锈<br><br>钢/铝合金腔室及核心零部件;<br><br>② NanoPure UHP气体系统:超高纯管道/管件、<br><br><br>VCR接头、IGS模块、减压阀、超高纯隔膜阀、ALD<br><br>阀、过滤器、定制超高洁净管路等工艺零部件:过渡腔、传输腔、反应腔、内衬、匀气 盘等; 结构件:冷却板等;<br><br>模组:离子注入机模组、传输腔模组、过渡腔模组、 阀体模组、气柜模组;此外还有超高洁净气体管路。

注:25年富创精密未公布海内外收入结构数据

数据来源:Wind,东吴证券研究所 54

目录
一、AI发展带动存储&先进逻辑需求,海外Fab厂 加速扩产
二、海外半导体设备龙头订单&业绩持续新高,多 家上修全年指引
三、国内资本开支加速上行&国产化率提升,看好 国产设备商

四、海外设备交期拉长&尝试涨价,国产设备& 零部件迎出海机遇

五、投资建议与风险提示

⚫ 建议关注海外半导体前道设备商【AMAT】【ASML】【TEL】【 Lam Research 】【KLA】;后道环节

【DISCO】【泰瑞达】【爱德万测试】。

◆ 表:海外可比公司估值(截至2026.8.21收盘价,折算至对应日历年)
2026/8/21标的货币收盘价 (元)市值营业收入(亿元)PS
代码公司(亿元)2025A2026E2027E2028E2025A2026E2027E2028E
AMAT.O应用材料USD492.323,907282345437500141198
TER.O泰瑞达USD375.74587324553641813119
KLAC.O科天半导体USD183.992,40412714516016619171514
LRCX.O拉姆研究USD314.003,92920627736340419141110
8035.T东京电子JPY54,290.00254,09523,87131,00836,49038,03611877
6857.T爱德万测试JPY35,900.00262,78810,32916,14218,39318,80825161414
6146.TDISCOJPY61,360.0066,5804,2455,6036,4086,64516121010
ASML.O阿斯麦EUR1,763.766,94632744051257521161412
2026/8/21标的货币收盘价 (元)市值归母净利润(亿元)PE
代码公司(亿元)2025A2026E2027E2028E2025A2026E2027E2028E
AMAT.O应用材料USD492.32003,90778.410513616050372924
TER.O泰瑞达USD375.745875.59.813.217.4106604534
KLAC.O科天半导体USD183.992,40446.747.556.861.751514239
LRCX.O拉姆研究USD314.003,92967.187.5107.9144.359453627
8035.T东京电子JPY54,290.00254,0955,031.07,467.38,822.29,396.551342927
6857.T爱德万测试JPY35,900.00262,7882,884.05,583.66,168.46,306.691474342
6146.TDISCOJPY61,360.0066,5801,312.01,912.52,306.02,415.351352928
ASML.O阿斯麦EUR1,763.766,94696.1127.4175.2206.672554034

注:均为2026.08.21wind一致预期

⚫ 看好前后道半导体设备+零部件厂商,重点推荐前道设备【北方华创】【中微公司】【迈为股份】【芯源微】

【屹唐股份】【中科飞测】【精测电子】【天准科技】【拓荆科技】【微导纳米】【先导基电】【华海清科】

【盛美上海】【晶盛机电】;后道设备【长川科技】【华峰测控】;材料和零部件环节【富创精密】【新莱应 材】【英杰电气】【汉钟精机】【晶盛机电】;建议关注后道设备【联讯仪器】【精智达】【联动科技】。

◆ 表:可比公司估值(截至2026.8.21收盘价)
2026/8/21货币收盘价 (元)市值归母净利润(亿元)PE
代码公司(亿元)20252026E2027E2028E20252026E2027E2028E
002371.SZ北方华创CNY714.435,18555.268.890.8119.494755743
688012.SH中微公司CNY362.503,47221.127.334.642.616512710082
688037.SH芯源微CNY366.507390.72.04.06.51056370185114
688361.SH中科飞测CNY349.461,2300.63.76.910.42050332178118
300567.SZ精测电子CNY217.096070.83.26.310.47591909658
688072.SH拓荆科技CNY673.501,9589.317.325.330.32111137765
688147.SH微导纳米CNY119.725562.23.74.86.125315011691
688200.SH华峰测控CNY412.528285.46.88.59.81531229784
300604.SZ长川科技CNY279.421,80413.321.530.441.5136845943
300751.SZ迈为股份CNY193.665407.28.311.316.275654833
300260.SZ新莱应材CNY58.102371.82.33.35.11321037246
688409.SH富创精密CNY209.00640-0.14.86.5--640013398-
300316.SZ晶盛机电CNY42.535578.89.811.714.563574838
300820.SZ英杰电气CNY52.711172.23.84.8-533124-
002158.SZ汉钟精机CNY26.351414.75.77.08.030252018
688729.SH屹唐股份CNY24.337196.78.512.2-1078559-
688627.SH精智达CNY484.794560.72.94.56.465115710171
688808.SH联讯仪器CNY2,322.222,3841.78.417.227.4140228413987
301369.SZ联动科技CNY134.501380.31.43.5-4609939-
688003.SH天准科技CNY85.001660.81.72.43.3208986950
600641.SH先导基电CNY32.55308-1.31.12.13.9-23728014779
688120.SH华海清科CNY271.701,34810.814.118.524.3125967355
688082.SH盛美上海CNY301.101,45314.018.023.629.4104816249

注:均为2026.08.21wind一致预期,“-”即为暂无预测

5.3 风险提示
  • 1、半导体行业投资不及预期:若AI算力需求增长放缓、存储及先进逻辑扩产节奏低于预期, 可能导致晶圆厂资本开支下修,进而影响半导体设备需求及相关厂商业绩增长。
  • 2、设备国产化进程不及预期:半导体设备客户验证周期较长,若国产设备在性能、稳定性或 客户导入进度方面不及预期,可能导致国产化率提升速度低于预期,影响相关企业订单释放。
  • 3、技术迭代及工艺路线变化风险:半导体制程及先进封装技术持续迭代,若设备厂商研发进 度无法匹配客户新工艺需求,或技术路线发生较大变化,可能造成原有产品需求下降及研发投 入损失。
免责声明

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东吴证券投资评级标准

投资评级基于分析师对报告发布日后6至12个月内行业或公司回报潜力相对基准表现的预期(A 股市场基准为沪深 300 指数,香港市场基准为恒生指数,美国市场基准为标普

500 指数,新三板基准指数为三板成指(针对协议转让标的)或三板做市指数(针对做市转让标的),北交所基准指数为北证50指数),具体如下: 公司投资评级: 买入:预期未来6个月个股涨跌幅相对基准在15%以上; 增持:预期未来6个月个股涨跌幅相对基准介于5%与15%之间; 中性:预期未来 6个月个股涨跌幅相对基准介于-5%与5%之间; 减持:预期未来 6个月个股涨跌幅相对基准介于-15%与-5%之间; 卖出:预期未来 6个月个股涨跌幅相对基准在-15%以下。 行业投资评级: 增持: 预期未来6个月内,行业指数相对强于基准5%以上; 中性: 预期未来6个月内,行业指数相对基准-5%与5%; 减持: 预期未来6个月内,行业指数相对弱于基准5%以上。

我们在此提醒您,不同证券研究机构采用不同的评级术语及评级标准。我们采用的是相对评级体系,表示投资的相对比重建议。投资者买入或者卖出证券的决定应当充分考虑 自身特定状况,如具体投资目的、财务状况以及特定需求等,并完整理解和使用本报告内容,不应视本报告为做出投资决策的唯一因素。

东吴证券研究所 苏州工业园区星阳街5号 邮政编码:215021 传真:(0512)62938527 公司网址: http://www.dwzq.com.cn

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