万联证券_电子行业跟踪报告:日韩MLCC龙头厂商业绩表现较好,并上调全年业绩指引_20260810.pdf
摘要
文本

日韩MLCC龙头厂商业绩表现较好,并上调全年业绩指引
电子行业跟踪报告
行业核心观点:
上周申万电子指数上涨 12.62%,跑赢沪深300指数和创业板指数。日韩MLCC龙头厂商业绩表现较好,并上调全年指引,其订单出货比体现行业有望进入景气周期。存储行业方面,结构性紧缺格局或延续,SK海力士等大厂资本开支仍较为积极。我们认为算力建设方兴未艾,算力产业链中高景气细分赛道如PCB、存储、MLCC等需求旺盛,均处于景气扩张周期,亦有望提振上游设备、先进封装等需求,建议关注PCB、存储、 MLCC、半导体设备及材料、先进封装等产业链投资机遇。
投资要点:
产业动态:(1)MLCC,8月5日,日本MLCC龙头太阳诱电发布最新一季财报,期内销售额约为939亿日元,同比增长 10.7%其中,电容器产品销售额约为690亿日元,占比 73.5%,同比增长 14.7%。归属于母公司股东的净利润为25亿日元,上年同期为亏损8.76亿日元。公司表示,业绩增长是因为用于AI服务器的高附加值高端产品需求扩大。另两家国际巨头,日本村田(Murata)和韩国三星电机(Samsung ElectroMechanics)此前公布的业绩情况也体现了这轮由AI驱动的高增长。
(2) 存储,根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究,由于DRAM供不应求格局将延续至2027年,而且原厂HBM4e的验证进度存在变量,自2026年第三季起,NVIDIA(英伟达)对Rubin Ultra的HBM配置已从HBM4e12hi,改为并行评估HBM4e8hi、HBM412hi、HBM48hi等设计,目前尚未定案。(3)存储,为应对AI时代持续增长的存储器需求,SK海力士最新宣布,将在韩国龙仁和清州新建两座晶圆厂,合计投资规模约54万亿韩元(约合380亿美元)。具体而言,SK海力士计划投资35.2万亿韩元(约合248亿美元)用于建设龙仁“Y2”晶圆厂,另投资19.1万亿韩元(约合135亿美元)用于建设清州“M17”晶圆厂。此举是该司今年6月公布的中长期投资战略的后续落地。(4)存储,华邦电子2026年第二季度财务业绩表现强劲,合并营收达598.43亿元新台币,同比增长184.7%;营业毛利率攀升至66.2%;归属母公司税后净利达243.17亿元新台币,同比暴增超256倍。华邦电子总经理陈沛铭预期,在AI、数据中心及车用等需求的持续推动下,DRAM供给吃紧的态势将延续至2027年,且明年供需缺口可能进一步扩大。
行业估值:从估值情况来看,截至2026年8月9日,SW电子板块PE(TTM)为100.87倍,2019年至2026年8月9日SW电子板块PE(TTM)均值为 56.56倍,行业估值高于近年中枢水平。
风险因素:中美科技摩擦加剧;AI应用发展不及预期;国产技术突破不及预期;下游终端需求不及预期;市场竞争加剧。
强于大市(维持)
2026年08月10日
行业相对沪深300指数表现

数据来源:聚源,万联证券研究所
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分析师:夏清莹
执业证书编号: S0270520050001
电话: (0755)83223620
邮箱: xiaqy1@wlzq.com.cn
分析师: 陈达
执业证书编号: S0270524080001
电话: 13122771895
邮箱: chenda@wlzq.com.cn

正文目录
1 行业周观点...3
2 市场行情回顾...4
3 产业动态...5
3.1 MLCC:日韩 MLCC 龙头厂商业绩表现较好,并上调全年业绩指引...5
3.2 存储:2027 年内存供给紧张,英伟达评估降低 Rubin Ultra HBM 配置...6
3.3 存储:SK 海力士投资 380 亿美元建设 DRAM 及 NAND Flash 新厂...6
3.4 存储:华邦电子长约占比达五成,存储结构性缺货或延续...7
4 风险提示...7
图表 1: 申万一级周涨跌幅(%)...4
图表 2: 申万一级年涨跌幅(%)...4
图表 3: 申万电子板块估值情况(2019 年至今)...5

1 行业周观点
日韩MLCC龙头厂商业绩表现较好,并上调全年指引,其订单出货比体现行业有望进入景气周期。存储行业方面,结构性紧缺格局或延续,SK海力士等大厂资本开支仍较为积极。我们认为算力建设方兴未艾,算力产业链中高景气细分赛道如PCB、存储、MLCC等需求旺盛,均处于景气扩张周期,亦有望提振上游设备、先进封装等需求,建议关注PCB、存储、MLCC、半导体设备及材料、先进封装等产业链投资机遇。
中长期视角,我们建议把握AI高景气产业周期和国产突破与扩产带来的投资机遇。AI浪潮持续推进,算力建设方兴未艾,算力关键硬件环节需求旺盛,存储、PCB、MLCC等正处于景气扩张周期;此外,国产厂商先进技术创新突破,为AI芯片、先进封装优质厂商带来发展机遇,同时成熟领域产能扩充,有望提振上游半导体设备及材料等环节需求,带来投资机遇。
1) PCB,AI PCB行业受益于全球算力建设需求,高多层板及HDI市场需求增速相对较快,高端PCB扩产有望提振上游设备及材料需求,材料方面覆铜板供不应求推动产品涨价,设备方面曝光设备及钻孔设备等细分领域增速更高。建议关注在HDI、多层板等高端PCB领域前瞻布局的PCB龙头厂商,同时主流PCB厂商加速扩产,有望拉动上游设备及材料需求,建议关注覆铜板材料、钻孔及曝光设备等领域的龙头厂商。
2) 存储,受益于AI算力建设,存储供应持续偏紧,产品合约价格持续走高,行业整体盈利能力有望增强,同时我国存储龙头厂商积极把握行业发展机遇,市场份额跻身前列。建议关注DRAM及NAND Flash领域国产龙头厂商,在存储需求高企、供给偏紧或导致产品价格维持较高位的背景下,厂商盈利能力持续提升有望带来投资机遇。
3) MLCC,AI算力、新能源车等需求驱动高端MLCC需求快速增长,市场规模稳步提升,全球龙头厂商已调涨AI及车规产品价格,行业整体有望步入景气周期。建议关注前瞻布局高端MLCC产品的国产龙头厂商,在行业景气回升时有望具备较强盈利修复弹性。
4) 先进封装,华为发布“韬定律”,通过逻辑折叠等技术创新推动芯片性能提升,先进封装是实践的重要技术环节之一,市场规模稳步增长,且全球芯片大厂积极布局该领域。建议关注在先进封装各前沿技术领域前瞻布局的优质厂商,如在混合键合技术、玻璃基板材料、光互连封装、Chiplet技术等领域取得突破的龙头厂商。
5) AI芯片,国产AI芯片市场份额快速提升,由国产芯片、国产框架、国产大模型构成的完整AI生态闭环正加速形成。建议关注AI芯片领域技术创新突破并取得下游客户认可的国产优质厂商,在国产算力加速建设背景下产品出货需求旺盛有望带来投资机遇。
6) 半导体设备及材料,半导体各行业优质公司积极筹备上市,存储芯片龙头公司业绩亮眼,国内晶圆厂加速推动产能扩充建设,有望提振上游半导体设备、零部件及材料需求,同时部分环节仍有较大国产替代空间。建议关注半导体设备、零部件及材料领域的优质龙头厂商,受益于下游扩产及国产替代双重增长动力,产品出货需求旺盛有望带来投资机遇。

2 市场行情回顾
上周,申万电子行业跑赢沪深300指数和创业板指数。上周申万电子指数上涨12.62%,在31个申万一级行业中排第1,沪深300指数上涨2.32%,创业板指数上涨6.55%,申万电子跑赢沪深300指数10.30个百分点,跑赢创业板指数6.06个百分点。
图表1:申万一级周涨跌幅(%)

资料来源:iFinD,万联证券研究所
2026年初以来,申万电子行业跑赢沪深300指数和创业板指数。2026年初至2026年8月 9日,沪深300指数上涨1.39%,创业板指数上涨11.24%,申万电子行业上涨36.96%,在31个申万一级行业中排名第1位,跑赢沪深300指数35.56个百分点,跑赢创业板指数25.72个百分点。
图表2:申万一级年涨跌幅(%)

资料来源:iFinD,万联证券研究所
申万电子行业估值略高近年估值情况来看,截至2026年8月9日,SW电子板块PE(TTM)为100.87倍,2019年至2026年8月9日SW电子板块PE(TTM)均值为56.56倍,行业估值高于近年中枢水平。基于AI算力加速建设、半导体产业链景气上行等趋势利好,我们认为板块估值仍有上行空间。

图表3:申万电子板块估值情况(2019年至今)

资料来源:iFinD,万联证券研究所
3 产业动态
3.1 MLCC:日韩MLCC龙头厂商业绩表现较好,并上调全年业绩指引
8月5日,日本MLCC龙头太阳诱电(Taiyo Yuden)发布最新一季财报(2026年4月1日至6月30日),期内销售额约为939亿日元(约合人民币40.34亿元),同比增长 10.7%其中,电容器产品销售额约为690亿日元,占比 73.5%,同比增长14.7%。营业利润48亿日元,同比增长 53.3%。归属于母公司股东的净利润为25亿日元,上年同期为亏损 8.76亿日元。公司表示,业绩增长是因为用于AI服务器的高附加值高端产品需求扩大。
另两家国际巨头,日本村田(Murata)和韩国三星电机(Samsung Electro-Mechanics)此前公布的业绩情况也体现了这轮由AI驱动的高增长。这两家企业合计占据全球 50%以上MLCC市场份额。村田最新财报显示,2026财年第一季(对应自然季度2026年第二季度)营收约5023亿日元(约合人民币215.81亿元),同比增长 20.7%;实现归母净利润813.77亿日元,同比大增 63.7%。营业利润985亿日元,同比增长 59.8%,核心驱动力来自元器件事业部(含MLCC电容、电感EMI滤波器等),该板块营收3467.62亿日元,同比增长 28.5%;其中MLCC业务营收2825.08亿日元,同比上涨 30%。三星电机2026年第二季度营收约3.46万亿韩元(约合人民币164.5亿元),同比增长 24.2%,创历史季度最高纪录。组件事业部营收约1.65万亿韩元,MLCC产品约占 92%;营业利润4404亿韩元,同比大增106.7%,盈利大幅改善,主因是AI服务器与汽车相关高端产品占比提升。
从订单情况来看,村田披露,4-6月订单总额约为6739亿日元,创历史新高,其中MLCC电容新增订单同比暴涨 85.5%。公司整体订单出货比达1.34,连续两季保持在1.2以上高位,其中MLCC产品BB Ratio达1.47。太阳诱电披露,4-6月电容器BB Ratio为1.72。订单出货比是衡量企业供需热度的核心先行指标,BB比率>1则表示新订单多于发货量,企业在手订单积压增加。这意味着未来产能需拉满,未来营收增长确定性高,通常被视为行业繁荣期。
基于强劲的订单动能,村田大幅上修全年业绩指引:全年营收指引上调至2.11万亿日元,全年营业利润指引上调至4300亿日元;太阳诱电则预计年度总营业利润可达到

450亿日元,同比增长125.0%。
在业绩说明会上,三星电机表示,目前各应用(消费电子、工业、汽车)需求环比增长,AI基础设施投资与汽车电气化推动高端MLCC需求显著上升。因AI服务器所需高温、高压、高容量MLCC技术门槛高、可供厂商少,供给持续趋紧,客户寻求长约保供;公司已与约10家(含头部超大规模厂商与半导体大厂)签订长约。目前,三星电机年内公开的AI服务器MLCC长协总额已达约7500亿韩元(约5.1亿美元),显示下游客户正提前锁定AI服务器用高端MLCC供应。(来源:第一财经)
3.2 存储:2027年内存供给紧张,英伟达评估降低 Rubin Ultra HBM配置
根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究,由于DRAM供不应求格局将延续至2027年,而且原厂HBM4e的验证进度存在变量,自2026年第三季起,NVIDIA(英伟达)对 Rubin Ultra的HBM配置已从HBM4e12hi,改为并行评估HBM4e8hi、HBM412hi、HBM4 8hi等设计,目前尚未定案。除了NVIDIA外,部分云端服务供应商(CSP)也正考虑调降下一代自研ASIC的HBM容量设计。
TrendForce集邦咨询表示,近期存储器供给紧缺已导致数次AI芯片的DRAM规格调降。2026年上半年以来,CSP、Server OEM陆续下调RDIMM容量;日前NVIDIA也考量LPDDR5X短缺将持续至2027年,决定将次世代Vera Rubin Superchip模组所搭载的SOCAMM容量减半。针对Rubin Ultra,NVIDIA在2025年至2026年上半年间皆以HBM4e12hi作为基准设计,直至第三季上旬起开放评估其他较低的规格,目前持续商讨中。此举主要为应对供给端的两项瓶颈:首先,2027年整体DRAM供应维持紧缺,将限制原厂可分配给HBM的晶圆产能。其次,HBM4e12hi的验证、量产良率提升进程仍存在不确定性。
TrendForce集邦咨询认为,后续规格定案亦将取决于原厂晶圆供给分配。就供需而言,预估2027年HBM出货位元将年增 50-60%,仍不足以满足需求端的成长。在供不应求格局的情况下,TrendForce集邦咨询预估2027年HBM议价权仍偏向供应商,HBM单位价格大幅上涨已成为产业共识。AI芯片厂商将面临HBM供给量紧缩与采购成本提高的双重压力,采用较低容量HBM的动机随之增强。(来源:TrendForce集邦咨询)
3.3 存储:SK海力士投资380亿美元建设DRAM及NAND Flash新厂
为应对AI时代持续增长的存储器需求,SK海力士最新宣布,将在韩国龙仁和清州新建两座晶圆厂,合计投资规模约54万亿韩元(约合380亿美元)。具体而言,SK海力士计划投资35.2万亿韩元(约合248亿美元)用于建设龙仁“Y2”晶圆厂,另投资19.1万亿韩元(约合135亿美元)用于建设清州“M17”晶圆厂。此举是该司今年6月公布的中长期投资战略的后续落地。此前,SK海力士曾披露,计划向龙仁半导体集群投资600万亿韩元,并向清州生产基地扩建投资100万亿韩元。目前,龙仁首座晶圆厂(Y1)正在建设中,此次投资标志着两地后续晶圆厂建设正式启动。作为龙仁半导体集群规划中的第二座晶圆厂,Y2总建筑面积约34.1万坪(约113万平方米),定位为DRAM生产基地。该项目计划于明年7月动工,首个无尘室预计于2029年6月启用,将主要生产HBM等新一代DRAM产品。目前,龙仁首座晶圆厂(Y1)建设进展顺利,首个无尘室预计于明年2月启用。
此外,SK海力士已将龙仁半导体集群的整体竣工时间由原定的2045年大幅提前至2033年,完成四座晶圆厂的建设。Y2项目的建设将为该目标提供支撑,其投资将分阶段实施至2031年10月。在清州园区目前已拥有M11、M12、M15等NAND闪存生产设施,新建晶圆厂可与现有产线协同增效,且厂址、电力及用水等基础设施已基本就绪。M17晶圆厂总建筑面积约20.6万坪(约68万平方米),计划于明年2月动工,首个无尘室预计于2028年12月启用。该

项目的投资期将持续至2031年4月,并将根据业务进度分阶段实施。(来源:CFM闪存市场)
3.4 存储:华邦电子长约占比达五成,存储结构性缺货或延续
华邦电子2026年第二季度财务业绩表现强劲,合并营收达598.43亿元新台币,同比增长184.7%;营业毛利率攀升至66.2%;归属母公司税后净利达243.17亿元新台币,同比暴增超256倍,每股盈余为5.4元新台币。华邦电子总经理陈沛铭预期,本季DRAM价格将继续上扬,Flash产品有望同步调涨,对下半年营运持乐观态度。在AI、数据中心及车用等需求的持续推动下,DRAM供给吃紧的态势将延续至2027年,且明年供需缺口可能进一步扩大。华邦电子指出,此波产业变化与过去的景气循环已有本质不同,AI应用使存储由过去高度商品化的零组件,逐步转变为需要提前规划的战略性资源。
华邦电子表示,部分AI推理应用因拿不到DRAM被迫降低内存配置,需待供应改善后再补足;而大型语言模型训练架构对内存需求较为固定,降规空间有限。尽管产业持续扩产,但预估至2028年全球存储位元产能增幅仅约 20%,相较AI产业需求仍明显不足。
面对严峻的缺货环境,目前华邦电子DRAM长约(LTA)签订比重已达约五成,合约形式涵盖逐季报价、一年固定价格或设定未来数季价格底线等,中长期合约期限大致为1至2年。展望后市,华邦电子看好存储需求可一路延续至2030年前。随着未来高雄厂 Module B新产能启动,长约期限可能由目前的1至2年进一步拉长至3至5年。同时,公司正研议由客户预付约 20%至 30%的资金,以共同分担新产能的投资风险。LTA将优先提供给具备长期合作基础、需求稳定的策略型客户,不会因短期波动而大量承接消费性订单。目前,已有客户开始提前洽谈2029年至2030年的Module B产能,甚至有客户询问是否能提前下单、数年后再交货。
在产能规划上,华邦电子未来两三年不依赖大量新增产能,而是以制程微缩和提升良率作为增加有效产出的核心策略。高雄厂现有Module A目前月产能约1.5万片,预计年底提高至2.4万片。其中,16纳米DRAM良率目前已接近 88%,目标在年底前提升至 90%左右。现阶段16纳米月产能仅约2,000片,理想目标是未来将其提高至每月1.6万片,但转换速度仍需视客户对20纳米产品的需求而定。为应对客户对2029年以后产能的强烈需求,华邦电子正式启动Module B建设,预计2027年1月动工,若工程顺利,2029年1月可开始装机,采取设备陆续到位、陆续启动的模式,预计2029年第四季进入较大规模量产,实际产出与营收贡献将主要集中在2030年。
在具体产品端,AI服务器机柜对NOR Flash的需求显著增加,单套机柜预估需使用500至600颗不同容量的NOR Flash,华邦电子有望取得 40%至 50%的供货比重。高容量NOR Flash的供不应求态势将推动价格上行趋势延续至2026年之后。同时,车用、工控、机器人、无人机及低轨卫星等新兴应用带动了SLC NAND需求持续升温,价格涨势有望延续至2026年下半年。此外,随着AI数据中心持续成长,Enterprise SSD成为长期必要配置,华邦电子明年供应Enterprise SSD所需DRAM业绩占比,预估将由今年几乎为零提升至约 10%。(来源:CFM闪存市场)
4 风险提示
中美科技摩擦加剧;AI应用发展不及预期;国产技术突破不及预期;下游终端需求不及预期;市场竞争加剧。

行业投资评级
强于大市:未来6个月内行业指数相对大盘涨幅10%以上;
同步大市:未来6个月内行业指数相对大盘涨幅 10% 至-10% 之间;
弱于大市:未来6个月内行业指数相对大盘跌幅 10%以上。
公司投资评级
买入:未来6个月内公司相对大盘涨幅15%以上;
增持:未来6个月内公司相对大盘涨幅 5% 至 15%;
观望:未来6个月内公司相对大盘涨幅-5%至5%;
卖出:未来6个月内公司相对大盘跌幅5%以上。
基准指数:沪深300指数
风险提示
我们在此提醒您,不同证券研究机构采用不同的评级术语及评级标准。我们采用的是相对评级体系,表示投资的相对比重建议;投资者买入或者卖出证券的决定取决于个人的实际情况,比如当前的持仓结构以及其他需要考虑的因素。投资者应阅读整篇报告,以获取比较完整的观点与信息,不应仅仅依靠投资评级来推断结论。
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