电子行业点评报告

存储价格二季度集中补涨，DRAM现货强势延续至7月：二季度DRAM合约价集中补涨，服务器RDIMM、PC DIMM及移动LPDDR5均价环比分别上涨约 57%、52%和 67%，DDR516Gb合约价环比上涨约 53%； NAND合约价与产品价格同步补涨，1Tb TLC/QLC合约均价环比上涨 67%~69%，客户端SSD、eMMC及UFS涨幅更为显著；7月DDR5现货价格环比继续上涨约 8%，为三季度合约价上行提供支撑。

二季度价格指引验证，多数产品涨幅达到或超出指引：PC DIMM、Client SSD、UFS及eMMC实际涨幅高于TrendForce/CFM预测，服务器RDIMM高于CFM预测，DDR516Gb合约价及移动LPDDR5略低于预测，整体涨价兑现度较高。

三季度价格展望乐观，外资行预测普遍高于产业机构：TrendForce预计三季度传统DRAM合约价环比上涨 13%~18%、NAND合约价环比上涨 10%~15%；Morgan Stanley、UBS等外资行预测DRAM涨幅可达 20%~32%，美银、高盛对NAND涨幅的预测亦高于产业机构。

原厂业绩验证景气上行，长协锁定中长期需求：三星与五大CSP签订5年期滚动长协，现有产能难以满足全部供货请求；美光已签署16份SCA长协、对应约220亿美元现金存款及相关承诺，管理层称供需缺口"看不到尽头"；SK海力士HBM4提前批量出货并锁定约10家核心客户多年长协；凯侠坚持价格与利润优先，目标2028年长协覆盖率达 50%。

投资建议：存储涨价周期持续兑现，AI服务器与HBM需求挤占先进 DRAM产能，原厂以长协锁定供给、供需缺口中期内难以缓解，建议重点关注：1）受益于存储涨价的原厂及模组厂；2）HBM与先进制程产能紧张带来的产业链配套机会；3）企业级SSD、接口芯片等需求弹性较大的细分环节。

风险提示：存储价格上涨不及预期，AI服务器及终端需求不及预期，原厂扩产导致供需格局恶化，行业竞争加剧及价格下降风险。

存储涨价持续兑现，原厂业绩验证景气上行增持（维持）

投资要点

2026年08月06日

证券分析师 张良卫

执业证书：S0600516070001

021-60199793

zhanglw@dwzq.com.cn

行业走势


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内容目录

1. DRAM：二季度合约价集中补涨，现货强势延续至7月 ...4

1. NAND：产品端集中补涨，现货价格率先回落 ...5

1. 二季度价格指引验证：多数产品涨幅达到或超出指引 ...6

1. 三季度价格展望：外资行普遍高于产业机构 ...7

1. 原厂季度业绩概览：长协锁定需求，景气持续验证 ...8

1. 投资建议 ...11

1. 风险提示 ...11


图表目录

图 1: 服务器、PC端、移动端 Dram 产品月度价格（美元）...4

图 2: Dram 部分产品月度价格（美元）...4

图 3: NAND 部分产品月度价格（美元）...5

图 4: NAND 部分产品月度价格（美元）...5

图 5: Dram 2026Q2 实际价格涨幅与指引验证情况...6

图 6: NAND 2026Q2 实际价格涨幅与指引验证情况...6

图 7: DRAM 分产品预测矩阵 (CFM)...7

图 8: Dram 2026Q3 价格预测...7

图 9: NAND 2026Q3 价格预测...7

图 10: 三星业绩概览...8

图 11: 美光业绩概览...9

图 12: SK 海力士业绩概览...9

图 13: 凯侠业绩概览...10

图 14: 闪迪业绩概览...11


1. DRAM：二季度合约价集中补涨，现货强势延续至7月

二季度DRAM价格呈现"合约价集中补涨、现货价格持续上行"的特征。DDR516Gb合约价4月涨幅明显，服务器RDIMM、PC DIMM及移动LPDDR5二季度均价分别环比上涨约 57%、52%和 67%。

图1：服务器、PC端、移动端Dram产品月度价格（美元）



数据来源： Bloomberg，东吴证券研究所


AI服务器与HBM持续挤占先进DRAM产能，叠加客户提前锁定供应，支撑传统 DRAM价格上涨。7月DDR5现货价格继续环比上涨约 8%，为三季度合约价上行提供支撑。

图2：Dram部分产品月度价格（美元）


数据来源：Bloomberg，东吴证券研究所


2. NAND：产品端集中补涨，现货价格率先回落

二季度NAND合约价和产品价格完成集中补涨。1Tb TLC/QLC合约均价环比上涨 67%~69%，客户端SSD、eMMC及UFS价格涨幅更为显著，其中Client SSD1TB、UFS 512GB、eMMC128GB二季度均价环比分别上涨 83%、160%和 135%。

图3：NAND部分产品月度价格（美元）



数据来源： Bloomberg，东吴证券研究所


与产品价格上涨形成对比，TLC和QLC现货价格自3月高点逐步回落。6月现货价格较3月下降约 5%~8%，表明二季度涨价更多体现为合约及终端产品的集中重定价，现货市场的边际动能已经减弱。

图4：NAND部分产品月度价格（美元）


数据来源：Bloomberg，东吴证券研究所


3. 二季度价格指引验证：多数产品涨幅达到或超出指引

以 Bloomberg实际价格为基准对比 TrendForce与CFM二季度指引，多数产品实际涨幅达到或超出指引。DRAM方面，PC DIMM16GB环比上涨 51.5%、服务器RDIMM 64GB上涨 56.7%，均高于预测；DDR516Gb合约价上涨 53.2%，略低于 TrendForce预测；移动端 LPDDR564Gb上涨 66.7%，低于预测。

图5：Dram2026Q2实际价格涨幅与指引验证情况

产品

实际价格

(取自Bloomberg)

TrendForce Q2指引

CFM Q2指引

验证

DDR5 16Gb合约价

53.20%

+58%~63%

—

略低于Trendforce预测

服务器RDIMM64GB

56.70%

+43%~48%

涨幅低于50%

高于预测

PC DIMM16GB

51.50%

PC DRAM+40%~45%

涨幅超过30%

高于预测

移动端LPDDR564Gb

66.70%

LPDDR5X+78%~83%

Mobile DRAM超过85%

低于预测

数据来源：Bloomberg，Trendforce，CFM闪存市场，东吴证券研究所

NAND方面，Client SSD 1TB、UFS 512GB和eMMC128GB涨幅分别达 83%、160%和 135%，均显著高于预测；TLC/QLC1Tb合约价上涨 40%~42%，低于Wafer口径指引。

图6：NAND2026Q2实际价格涨幅与指引验证情况

产品

实际价格

(取自Bloomberg)

TrendForce Q2指引

CFM Q2指引

验证

TLC/QLC1Tb合约价

+40%~42%

3D NAND Wafer+60%~65%

—

低于预测

Client SSD1TB

83%

Client SSD+70%~75%

cSSD超过50%

高于预测

UFS512GB

160%

UFS+89.1%

Mobile NAND超过85%

显著高于预测

eMMC128GB

135%

eMMC/UFS+75%~80%

Mobile NAND超过85%

显著高于预测

数据来源：Bloomberg，Trendforce，CFM闪存市场，东吴证券研究所


4. 三季度价格展望：外资行普遍高于产业机构

产业机构方面，TrendForce预测三季度传统DRAM合约价环比上涨 13%~18%， NAND合约价环比上涨 10%~15%。CFM分产品预测矩阵亦覆盖服务器端、移动端与 PC端，整体指引延续上行。

图7：DRAM分产品预测矩阵（CFM）

市场

品类

26Q1

26Q2

26Q3

26Q4

Server

DDR5

>100%

40%~45%

10%~20%

10%~15%

eSSD

>100%

30%~35%

25%~30%

15%~20%

市场

品类

26Q1

26Q2

26Q3

26Q4

Mobile

LPDDR4X/5X

55%~60%

80%~90%

5%~15%

0%~5%

eMMC/UFS

70%~85%

85%-95%

15%-25%

0%~5%

市场

品类

26Q1

26Q2

26Q3

26Q4

PC

DDR5/LPDDR5X

>100%

40%-50%

13%-18%

0%~5%

cSSD

>100%

55%~60%

15%~25%

0%~5%

数据来源：CFM闪存市场，东吴证券研究所

外资行预测普遍更为乐观。

DRAM方面，高盛预测三星传统DRAMASP环比上涨 16%，美银预测全球DRAM ASP上涨 21%，Morgan Stanley预测DRAM价格上涨 20%~30%，UBS预测DRAM合约价上涨 32%；

图8： Dram 2026Q3价格预测


数据来源：Trendforce，高盛，美银、UBS，东吴证券研究所

NAND方面，美银预测全球传统NANDASP上涨 15%，高盛预测三星NANDASP上涨 21%，UBS预测NAND价格上涨 30%。

图9：NAND2026Q3价格预测


数据来源：Trendforce，高盛，美银、UBS，东吴证券研究所


5. 原厂季度业绩概览：长协锁定需求，景气持续验证

三星电子（2026Q2）：2Q26 DRAM Bit、NAND Bit出货量环比均增长个位数；公司指引3Q26 DRAM Bit出货量环比增长中个位数，NAND Bit出货量环比增长高个位数。长协覆盖大部分产能：三星计划将约 60%~70%的总产能分配给长期供货协议，目前已与五大CSP签订多年期供货协议，合同期限以5年为基础，可通过年度协商逐年续期，形成滚动长协；随着客户签约需求持续增加，公司表示现有产能已难以满足全部供货请求。

图10：三星业绩概览

亿美元

实际公布(Reported)

彭博一致预期(截至7月30日)

实际财报公布情况

25Q3

25Q4

26Q1

26Q2

26Q2

营业收入

620.16

647.73

913.96

1128.94

1139.29

QoQ(%)

-

4%

41%

24%

25%

——DS

238.81

303.56

557.77

750.13

849.47

QoQ(%)

-

27%

84%

34%

52%

--Memory

192.54

256.09

510.66

677.10

804.83

QoQ(%)

-

33%

99%

33%

58%

--S.LSI/Foundry

46.27

47.47

47.11

47.79

44.64

QoQ(%)

-

3%

-1%

1%

-5%

——DX

348.84

306.05

359.79

297.28

319.80

——SDC

58.42

65.24

45.74

45.76

49.97

——Harman

28.51

31.73

25.94

27.19

30.65

营业成本

379.09

342.28

354.74

346.19

营业开支

153.79

166.89

168.49

214.59

有效税率(%)

9.74

6.59

19.72

19.50

EBIT

87.29

138.56

390.73

568.17

595.63

QoQ(%)

59%

182%

45%

52%

数据来源：Bloomberg，东吴证券研究所（注：营收增速与EBIT增速与官方韩元口径披露略有差异主要系汇率变动导致。）

美光（FY2026Q3）：管理层称市场紧张"将锁定持续至2027日历年之后"，目前看不到内存供给何时能追上不断增长的需求，中期内公司仅能满足 50%~三分之二的客户需求。公司已与数据中心运营商、汽车厂商等签署16份Strategic Customer Agreements （SCA），锁定3~5年销售，完成后预计约一半或以上营收将纳入SCA，且为带约束力的提货量承诺；迄今SCA对应约220亿美元现金存款及相关财务承诺。HBM412-high放量"追赶速度是HBM3E12-high的两倍"，HBM4迄今已贡献超10亿美元营收；下一代DRAM/NAND节点计划2027日历年下半年量产（HBM4E基于1-gamma，2027量产）。公司预计日历2026年DRAM位元出货增速为low-twenties%，NAND约 20%。


图11：美光业绩概览

实际公布(Reported)

基于中性假设预期情况

彭博一致预期(截至6月24日)

实际财报公布情况

公司FY26Q4指引(GAAP口径)

亿美元

FY25Q3

FY25Q4

FY26Q1

FY26Q2

FY26Q3

FY26Q3

FY26Q4

2025/5/29

2025/8/28

2025/11/27

2026/2/26

2026/5/28

2026/5/28

2026/5/28

2026/8/27

营业收入

93.01

113.15

136.43

238.60

374.49

353.51

414.56

490-510(环比+20.6%)

——DRAM

70.71

89.84

108.12

187.68

289.03

275.13

313.28

-

QoQ(%)

-

27%

20%

74%

54%

47%

67%

——NAND

21.55

22.52

27.43

49.97

84.45

77.46

99.43

QoQ(%)

-

5%

22%

82%

69%

55%

99%

——Others

0.75

0.79

0.88

0.95

1.02

0.92

1.85

营业成本

56.78

61.46

58.90

59.84

63.07

63.65

64.04

70.0

营业开支

13.39

14.00

15.10

16.20

16.85

14.33

17.38

18.6

有效税率(%)

11.12

11.81

13.68

14.67

15.50

12.67

12.24

11.93

净利润

18.85

32.01

52.40

137.85

248.92

238.41

282.4

340-363(环比+24.56%)

数据来源：Bloomberg，东吴证券研究所

SK海力士（2026Q2）：HBM4在Q2提前实现批量出货（早于此前市场普遍预期的 H2），公司披露已与约10家核心客户锁定多年长协，以长协平滑周期；公司指引Q3 DRAM产品Bit口径出货季度环比约+10%，NAND产品Bit口径出货季度环比提升低个位数。

图12：SK海力士业绩概览

亿美元

实际公布(Reported)

彭博一致预期(截至7月28日)

实际财报公布情况

25Q3

25Q4

26Q1

26Q2

26Q2

营业收入

176.30

226.59

358.94

572.13

528.46

QoQ(%)

-

29%

58%

59%

47%

——DRAM

137.62

170.22

277.58

429.73

QoQ(%)

-

24%

63%

55%

——NAND

35.98

53.46

79.02

138.36

QoQ(%)

-

49%

48%

75%

营业成本

75.14

70.75

74.39

90.51

营业开支

19.08

23.52

27.78

40.77

有效税率(%)

14.83

13.64

21.84

18.63

EBIT

82.09

132.32

256.77

438.21

403.37

QoQ(%)

61%

94%

71%

57%

数据来源：Bloomberg，东吴证券研究所（注：营收增速与EBIT增速与官方韩元口径披露略有差异主要系汇率变动导致。）

凯侠（2026Q2）：26Q2 Bit出货量环比仅低个位数增长，收入增长几乎全部由价格驱动；公司预计2026年NAND市场Bit需求增速为high-teens，自身出货增速与市场同步，2027年供给仍将偏紧。公司坚持"价格与利润优先"，不盲目扩产，目标2028年长


协（LTA）覆盖率达 50%；第8代BiCSFLASH产量占比已超 50%，北上工厂推进第10代量产。财务与股东回报方面，26Q2末转为净现金1,867亿日元（全额偿还4,075亿优先贷款），股东权益比率由 38%升至 51%，并宣布3拆1及上限8,000亿日元回购。

图13：凯侠业绩概览

亿美元

FY26Q2

FY26Q3

FY26Q4

彭博一致预期FY27Q1

FY27Q1

财季结束日期

2025/9/30

2025/12/31

2026/3/31

截至7月28日

2026/6/30

营业收入

30.41

35.28

63.95

112.17

110.87

SSD&Storage

16.59

19.49

38.28

72.93

73.70

QoQ(%)

10.2

17.5

96.3

-1.0

92.5

Smart Devices

10.67

12.09

21.51

35.94

32.98

QoQ(%)

95.0

13.3

77.9

9.0

53.3

Others

3.15

3.70

4.16

4.08

4.19

QoQ(%)

-1.7

17.3

12.5

-2.6

0.7

营业成本

22.12

23.82

22.95

24.40

24.28

营业开支

4.98

4.51

5.41

6.12

9.41

有效税率(%)

28.29

27.87

29.50

29.20

31.79

净利润(GAAP)

2.76

5.70

26.00

59.51

52.84

数据来源：Bloomberg，东吴证券研究所（注：营收增速与EBIT增速与官方日元口径披露略有差异主要系汇率变动导致。）

闪迪（FY26Q4）：营收89.7亿美元，环比+51%，价格上涨贡献约2/3，出货量贡献约1/3；净利润69.0亿美元，环比+91%，同比扭亏，Non-GAAP每股收益39.3美元超预期。GAAP毛利率84.6%，环比+6.2pct，ASP上涨与高毛利数据中心产品占比提升共同推动。AI驱动数据中心营收29.8亿美元，环比+103%，同比+1298%；边缘业务54.3亿美元占比61%；消费类5.6亿美元环比-32%，受涨价压制需求且产能向高毛利客户倾斜。FY27Q1营收指引103-108亿美元，Non-GAAP毛利率83%-85%，每股收益44-46美元；新批准140亿美元回购计划，剩余额度155亿美元，Q4已回购45.2亿美元，经营现金流71.3亿美元。


图14：闪迪业绩概览

亿美元

FY26Q1

FY26Q2

FY26Q3

彭博一致预期FY26Q4

FY26Q4

财季结束日期

2025/10/3

2026/1/2

2026/4/3

截至8月6日

2026/7/3

营业收入

23.08

30.25

59.50

86.37

89.65

Datacenter

2.69

4.40

14.67

26.28

29.77

QoQ(%)

26.3

63.6

233.4

-11.7

102.9

Edge

13.87

16.78

36.63

45.48

54.32

QoQ(%)

25.7

21.0

118.3

-16.3

48.3

Consumer

6.52

9.07

8.20

10.81

5.56

QoQ(%)

11.5

39.1

-9.6

94.5

-32.2

营业成本

16.21

14.84

12.88

15.47

13.83

营业开支

5.11

4.76

5.51

5.51

5.45

有效税率(%)

9.68

14.30

11.98

13.06

12.05

净利润(GAAP)

1.12

8.03

36.15

55.37

69.03

数据来源：Bloomberg，东吴证券研究所

6. 投资建议

存储行业涨价周期持续兑现，供需缺口中期内难以缓解。AI服务器与HBM需求持续挤占先进DRAM产能，原厂通过多年期长协锁定供给，三星、美光、SK海力士、凯侠最新季度业绩与指引均验证行业景气上行；三季度产业机构与外资行价格预测普遍乐观。建议重点关注：1）受益于存储涨价的原厂及模组厂；2）HBM与先进制程产能紧张带来的产业链配套机会；3）企业级SSD、接口芯片等需求弹性较大的细分环节。

7. 风险提示

存储价格上涨不及预期风险：若合约价谈判进度放缓或下游接受度不足，存储价格涨幅可能低于预期。

AI服务器及终端需求不及预期风险：若云厂商资本开支放缓或终端消费电子需求疲弱，DRAM/NAND位元需求增速可能下降。

原厂扩产导致供需格局恶化风险：若原厂扩产节奏加快或HBM产能转回传统产品，行业供需格局可能恶化，价格承压。

行业竞争加剧及价格下降风险：若存储厂商竞争加剧，可能导致产品价格下降及盈利能力承压。


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东吴证券投资评级标准

投资评级基于分析师对报告发布日后6至12个月内行业或公司回报潜力相对基准表现的预期（A股市场基准为沪深300指数，香港市场基准为恒生指数，美国市场基准为标普 500指数，新三板基准指数为三板成指（针对协议转让标的）或三板做市指数（针对做市转让标的），北交所基准指数为北证50指数），具体如下：

公司投资评级：

买入：预期未来6个月个股涨跌幅相对基准在 15%以上；

增持：预期未来6个月个股涨跌幅相对基准介于 5%与 15%之间；

中性：预期未来6个月个股涨跌幅相对基准介于-5%与 5%之间；

减持：预期未来6个月个股涨跌幅相对基准介于-15%与-5%之间；

卖出：预期未来6个月个股涨跌幅相对基准在-15%以下。

行业投资评级：

增持：预期未来6个月内，行业指数相对强于基准 5%以上；

中性：预期未来6个月内，行业指数相对基准-5%与 5%；

减持：预期未来6个月内，行业指数相对弱于基准 5%以上。

我们在此提醒您，不同证券研究机构采用不同的评级术语及评级标准。我们采用的是相对评级体系，表示投资的相对比重建议。投资者买入或者卖出证券的决定应当充分考虑自身特定状况，如具体投资目的、财务状况以及特定需求等，并完整理解和使用本报告内容，不应视本报告为做出投资决策的唯一因素。

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