半导体设备行业深度： AI发展带动HBM需求爆发，看好半导体设备商充分受益

首席证券分析师：周尔双

执业证书编号：S0600515110002

zhouersh@dwzq.com.cn

证券分析师：李文意

执业证书编号：S0600524080005

liwenyi@dwzq.com.cn

2026年8月3日

投资要点


• AI驱动HBM需求爆发，DRAM供需持续偏紧，全球存储进入新一轮扩产周期。AI训练及推理需求持续增长，推动GPU、ASIC等AI芯片出货量快速提升，同时单芯片HBM容量、堆叠层数及带宽持续升级，HBM需求呈现量价齐升趋势。我们测算，全球HBM wafer需求将由2024年的2.9万片/月增长至2028年的44.2万片/月，年均复合增速超过 90%。由于HBM持续挤占传统DRAM晶圆产能，AI对存储的挤出效应未来两年内仍难缓解，全球DRAM供需仍将维持紧平衡，国内外存储厂商扩产需求具备较强持续性。

• HBM带动存储制程升级，设备投资额与资本开支同步提升。随着HBM向HBM4、HBM4E持续演进，DRAM制程不断升级，3D NAND同步向更高层数发展，先进存储单位产能对应设备投资额持续提升。与此同时，为满足高带宽、高堆叠、高良率要求，刻蚀、薄膜沉积、量检测等关键工艺的重要性进一步提高，设备数量及工艺复杂度同步增加。我们测算，薄膜、刻蚀及量测设备合计占存储设备资本开支超过 50%，将充分受益于本轮存储扩产周期。

• 国内外存储同步扩产，平台化设备龙头及核心环节有望持续受益。海外三星、SK海力士、美光持续加大HBM及先进DRAM产能投入，国内长鑫存储、长江存储扩产节奏同步加快，国产存储市占率有望持续提升。随着存储景气度回升及新一轮资本开支开启，平台化设备商将凭借产品覆盖度持续提升率先受益，同时薄膜沉积、刻蚀、量检测等高价值量环节也将迎来更大的成长空间，看好具备平台化能力及国产替代优势的设备龙头长期成长。

• 投资建议：看好前后道半导体设备+零部件厂商，重点推荐前道设备【北方华创】【中微公司】【迈为股份】【芯源微】【屹唐股份】【中科飞测】【精测电子】【天准科技】【拓荆科技】【微导纳米】【先导基电】【华海清科】【盛美上海】【晶盛机电】；后道设备【长川科技】【华峰测控】；材料和零部件环节【富创精密】【新莱应材】【英杰电气】【汉钟精机】【晶盛机电】；建议关注后道设备【联讯仪器】【精智达】【联动科技】。

• 风险提示：半导体行业投资不及预期，设备国产化进程不及预期，技术迭代及工艺路线变化风险。



一、AI发展带动HBM需求爆发，DRAM挤出效应未来两年内仍难缓解

二、DRAM短缺影响巨大，行业亟待扩产

三、国内外存储加速扩产，设备商将充分受益

四、投资建议&风险提示

1.1 全球模型数量及能力不断提升，带动算力需求增长


• 全球大模型性能不断提升，驱动训练算力投入持续攀升。截至2025年底，全球已公开披露的千亿参数以上大模型达87个，2025年新发布的开源大模型数量达124个，其中有超20个模型参数量超过700亿，海内外如Claude、 Gemini、ChatGPT、Deepseek、智谱GLM、Kimi等众多模型的竞争不断白热化。2026年，四大科技巨头合计AI资本支出预计再次上调至7250亿美元，同比增长约 77%，远超2025年的4100亿美元，投入规模空前。

AI在下游应用的渗透率不断提升，驱动推理token调用量高增长。据Gartner预测，到2028年，至少15%的日常工作决策将由AgenticAI自主完成，33%的企业软件应用将内嵌AI Agent能力，AI在应用层的渗透率将不断提升。同时，推理端调用量正持续增长，全球最大人工智能模型API聚合平台OpenRouter最新数据显示，3月16日至3月22日，全球AI大模型总调用量为20.4万亿Token，环比增长20.7%，其中中国大模型调用量达7.36万亿token，环比提升56.9%，并已连续三周超越美国大模型，推理token需求持续膨胀。

• 图：ChatGPT每代际训练token数持续增加

模型

年份

参数量

训练token

GPT-1

2018

1.17亿

50亿

GPT-2

2019

15亿

400亿

GPT-3

2020

1750亿

3000亿

GPT-4

2023

1.8万亿

13万亿

GPT-4o

2024

1.7万亿

20万亿

GPT-5

2025

1.7万亿

30万亿

• 图：AI下游应用层生态多样，将产生大量调用需求


数据来源：CSDN、东吴证券研究所整理

1.2 AI芯片出货持续高增，英伟达占据市场主导地位


AI算力需求持续扩张，驱动芯片出货量保持高增长。我们预计全球AI芯片出货量由2025年约1,007万颗增至 2028年的约2,657万颗，年均复合增速约 38%。云厂商资本开支加码、模型训练算力持续升级，以及生成式AI推理需求加速落地，共同支撑AI芯片需求快速放量。

• 英伟达仍占据主导地位，市场供给结构有望逐步多元化。2025年英伟达AI芯片出货量占比约 57%，谷歌及其他ASIC分别占约 25%和 18%。凭借CUDA生态及软硬件一体化优势，英伟达短期仍将保持领先；中长期随着 Google TPU、AWS Trainium、AMD及国内自研芯片加速迭代，非英伟达芯片有望逐步放量，推动市场结构趋于多元。

图：AI芯片全球出货量保持高增长


图：2025年AI芯片出货量中，英伟达占比 57%


1.3 AI芯片迭代驱动HBM容量与带宽持续升级，HBM需求增长趋势明确


• 英伟达GPU迭代持续推动芯片HBM容量与带宽升级，进一步放大AI芯片对HBM的拉动。当前Blackwell平台通常为1颗GPU搭配8颗HBM3E，GB200/GB300单GPU的HBM容量为186GB/278GB。Vera Rubin进一步采用HBM4，单GPU容量约288GB、带宽22TB/s，Rubin Ultra有望跃升至1TB。HBM需求将同时受芯片出货增长与单芯片配置升级驱动。

• 谷歌TPU配套HBM容量和带宽整体持续提升。由TPU v5e的16GB、400GB/s，提升至TPU v7(Ironwood)的192GB、7.4TB/s；最新TPU v8i进一步增至288GB、8.6TB/s，较v5e分别提升约18倍和21.5倍。尽管不同代际因训练与推理定位存在配置差异，但高性能TPU持续升级HBM代际、堆栈数量及堆叠层数，单芯片HBM需求增长趋势明确。

图：英伟达每一代主流机柜HBM容量及带宽持续提升

每GPU HBM颗数

HBM类型

HBM堆叠层数

每GPU HBM容量

每GPU HBM带宽

H100

6

HBM3

8

94GB

3TB/s

H200

6

HBM3E

8

141GB

4.8TB/s

GB200

8

HBM3E

8

186GB

8TB/s

GB300

8

HBM3E

12

278GB

8TB/s

Vera Rubin

8

HBM4

12

288GB

22TB/s

Rubin Ultra

8

HBM4E

16

1TB

/

• 图：谷歌TPU的HBM容量及带宽持续提升

每TPU HBM颗数

HBM类型

HBM堆叠层数

每TPU HBM容量

每TPU HBM带宽

TPU v5e

1

HBM2

8

16GB

400GB/s

TPU v5p

6

HBM2

8

96GB

2,575GB/s

TPU v6e(Trillium)

2

HBM2

8

32GB

1.6TB/s

TPU v6p

6

HBM2

8

96GB

1.6TB/s

TPU v7(Ironwood)

8

HBM3E

8

192GB

7.4TB/s

TPU v8t

6

HBM3E

12

216GB

6.5TB/s

TPU v8i

8

HBM3E

12

288GB

8.6TB/s

数据来源：英伟达官网，谷歌官网，东吴证券研究所

1.4 AI算力需求推动下，存储产能向HBM倾斜


• 2025年，HBM市场由SK海力士、三星和美光占据，SK海力士以绝对优势占据市场 58.3%份额，三星和美光各自占比约 20%左右。其中HBM主流产品为HBM3e系列，占整个市场 96.3%，HBM3以及HBM2e系列分别占 2.2%与 1%，逐渐被市场淘汰。截至2025年，HBM4系列还未实现大规模量产，市场还处于验证阶段，仅占比 0.6%。

• AI算力需求推动下，存储产能向HBM倾斜。从2025Q1至2026Q1，三家厂商的DRAM晶圆总投入量持续攀升，尤其是用于生产HBM的晶圆占比显著提高，并且我们预计有加强趋势。SK海力士的HBM晶圆投入占比从 25.9%一路增长至29.2%，始终保持行业最高水平；三星和美光的占比也分别从约19%和11%稳步提升至约23%和约19%。

图：HBM产能及其在DRAM产能占比稳步上升，海力士已接近 30%

单位：千片晶圆/月

1Q24

2Q24

3Q24

4Q24

1Q25

2Q25

3Q25

4Q25

1Q26

Samsung

HBM产能

65

80

100

120

125

130

140

150

150

DRAM晶圆产能

535

600

650

670

645

645

655

650

640

HBM在DRAM占比

12.15%

13.33%

15.38%

17.91%

19.40%

20.20%

21.40%

23.10%

23.40%

SK hynix

HBM产能

70

85

105

120

130

138

147

150

165

DRAM晶圆产能

368

380

435

480

500

515

530

545

565

HBM在DRAM占比

19.02%

22.37%

24.14%

25.00%

25.90%

26.80%

27.80%

27.50%

29.20%

Micron

HBM产能

8

15

18

25

36

48

54

55

65

DRAM晶圆产能

320

310

310

315

320

330

340

340

345

HBM在DRAM占比

2.50%

4.84%

5.81%

7.94%

11.30%

14.50%

16.00%

16.20%

18.80%

total

HBM产能

143

180

223

265

291

316

341

355

380

DRAM晶圆产能

1,486

1,574

1,715

1,803

1,822

1,886

1,943

1,966

1,995

HBM在DRAM占比

9.62%

11.44%

13.00%

14.70%

16.00%

16.70%

17.60%

18.10%

19.05%

图：2025年HBM市场份额

数据来源：Trendforce，东吴证券研究所


图：2025HBM各代产品市场份额


1.5 我们预测2028年全球由AI拉动的HBM wafer需求将达44.2万片月


• 据我们测算，2024-2028E全球HBM wafer需求量从2.9万片/月提升至44.2万片/月。

英伟达GPU出货对应HBM wafer需求测算

2024

2025

2026E

2027E

2028E

英伟达GPU出货量(颗)$\textcircled{1}$

3528800

5740000

7860000

10218000

13283400

英伟达GPU出货量YOY

62.7%

36.9%

30.0%

30.0%

其中：H100/H200占比

99%

11%

7%

0%

0%

GB200占比

1%

72%

14%

0%

0%

GB300占比

0%

18%

57%

20%

0%

Vera Rubin占比

0%

0%

22%

80%

70%

Rubin Ultra占比

0%

0%

0%

0%

30%

HBM需求(万个)$\textcircled{2}$=$\textcircled{1}$*各型号占比*各型号对应HBM数量/10000

2124

4471

6178

8174

10627

其中：H100/H200(每个GPU对应6个HBM)

2096

363

330

0

0

B200(每个GPU配置8个HBM)

28

3286

893

0

0

B300(每个GPU配置8个HBM)

0

822

3572

1635

0

Rubin(每个GPU配置8个HBM)

0

0

1383

6540

7439

Rubin Ultra(每个GPU配置8个HBM)

0

0

0

0

3188

HBM对应DRAM Die数量(万个)$\textcircled{3}$=$\textcircled{2}$*HBM堆叠层数

其中：H100/H200(8层堆叠)

16769

2904

2641

0

0

B200(8层堆叠)

226

26292

7143

0

0

B300(12层堆叠)

0

9858

42859

19619

0

Rubin(12层堆叠)

0

0

16600

78474

89264

Rubin Ultra(16层堆叠)

0

0

0

0

51008

良率(=DRAM Die良率×TSV等后续工序良率)$\textcircled{4}$

其中：H100/H200

76%

76%

76%

76%

76%

B200

60%

72%

76%

76%

76%

B300

-

60%

72%

76%

76%

Rubin(12层堆叠)

-

-

56%

70%

72%

Rubin Ultra(16层堆叠)

-

-

-

-

56%

英伟达GPU对HBM wafer需求量(万片)(假设每片切810颗die)$\textcircled{5}$=$\textcircled{3}$/$\textcircled{4}$/810

28

70

126

169

265

其中：H100/H200

27

5

4

0

0

B200

0

45

12

0

0

B300

-

20

73

32

0

Rubin

-

-

36

138

153

Rubin Ultra

-

-

-

-

112

英伟达GPU对HBM wafer需求量(万片/月)$\textcircled{6}$=$\textcircled{5}$/12

2.3

5.8

10.5

14.1

22.1

英伟达HBM需求全球占比$\textcircled{7}$

80%

57%

55%

53%

50%

全球HBM wafer需求量(万片/月)$\textcircled{8}$=$\textcircled{6}$/$\textcircled{7}$

2.9

10.2

19.1

26.6

44.2

全球HBM wafer需求量YOY

254%

87%

40%

66%

数据来源：东吴证券研究所测算

1.6 AI HBM对存储产能的挤出效应未来两年内仍难缓解


• AI HBM对存储晶圆产能的挤占在未来两年内难以缓解。根据Trendforce测算，全球DRAM wafer总产能将从2024年的164万片/月提升至2026年的205万片/月，用于HBM的wafer产能将由2024年的20万片/月提升至2026年的43万片/月，我们估计2027年两者增速分别为 20%/30%。在此基础上，我们估计全球HBM占DRAM产能比重、AI HBM需求量占比在未来两年内仍将保持增长，HBM产能占DRAM比重预计从2025年的 17.1%提升至2027年的 22.5%，我们预计AI需求占HBM产能比重从2025年的 58.5%提升至2027年的 79.5%。据此，我们判断AI对存储芯片的挤出效应未来仍得不到有效缓解，存储仍亟待扩产。

图：我们估计AI HBM对DRAM总产能的占用率将逐年提升，AI对存储的挤出效应仍未缓解

2025

2026E

2027E

2028E

全球AI HBM wafer需求量(万片/月)$\textcircled{1}$

10

19

27

44

2024

2025

2026E

2027E

用于HBM的wafer产能(万片/月)$\textcircled{2}$

20

33

43

56

DRAM Wafer总产能(万片/月)$\textcircled{3}$

164

190

205

246

HBM产能占DRAM比重$\textcircled{4}$=$\textcircled{2}$/$\textcircled{3}$

12.3%

17.1%

20.8%

22.5%

AI需求占HBM产能比重$\textcircled{5}$=$\textcircled{1}$/$\textcircled{2}$

50.4%

58.5%

62.3%

79.5%

注：由于HBM wafer产能投入到GPU出货的过程中存在一定时间差，我们假设时间差为一年，并在HBM wafer产能与AI HBM wafer需求量对应时前置一年。

数据来源：Trendforce，东吴证券研究所测算



一、AI发展带动HBM需求爆发，DRAM挤出效应未来两年内仍难缓解

二、DRAM短缺影响巨大，行业亟待扩产

三、国内外存储加速扩产，设备商将充分受益

四、投资建议&风险提示

2.1.1国内：消费电子和汽车电子作为存储下游第一大终端，对存储芯片的需求正不断提升


• 消费电子和汽车电子为存储下游最大需求端，对大容量、高带宽存储需求量将随技术进步不断提升。消费电子和汽车电子作为存储下游的重要客户，对高容量存储的需求正不断提升：（1）汽车电子：自动驾驶和ADAS系统对高可靠性、高带宽NAND的需求快速增长，未来两年内将成为NAND端需求增速最快的应用领域之一。

（2）智能手机：随着AI功能在智能手机中的普及，对存储容量的需求大幅提升，市场预计AI手机将推动智能手机平均存储容量从2025年的128GB提升至256GB甚至512GB。（3）PC和笔记本电脑：随着操作系统和应用程序功能的不断增强，对存储容量的需求持续提升，市场预期AIPC的兴起将推动笔记本电脑存储容量从2025年的256GB/512GB向1TB甚至2TB升级。

图：2025年全球存储芯片下游应用结构中，消费电子和汽车电子合计占比高达 35%


图：2026年NAND需求量增长驱动因素中，汽车电子的推动最为显著

应用领域

增长驱动因素

预期增长率

数据中心

AI训练和推理需求；大容量QLC SSD爆发

25%+

智能手机

AI功能推动存储容量提升

15%+

PC/笔记本

操作系统和应用程序容量需求增长

10%+

汽车电子

ADAS和自动驾驶需求

30%+

企业级SSD

云计算和边缘计算需求

20%+

2.1.1存储涨价潮致2026年全球智能手机出货量/出货预期大幅下降 东吴证券 SOOCHOW SECURITIES

• 全球智能手机受存储涨价、缺货影响，出货量持续走低。在2026年存储不断涨价的趋势下，以三星、苹果、小米、OPPO为代表的全球主要手机厂商2026Q1出货量显著下降，三星/苹果/小米/OPPO/VIVO/传音同比分别 2/+25/-38%/+9/-8/-10%，环比分别+8/-31/-37/-25/-8/-6%。

• 同时，国内主要厂商普遍下调了2026年的出货量预期：小米将2026年全年出货量预期由原先的1.35亿部下调约 30%至9500万部左右；OPPO和vivo的全年出货预测也降至9000万部以下；荣耀表示在2025年创下7100万部出货纪录后，2026年可能难以继续保持增长势头。

图：受存储涨价影响，全球主要手机厂商出货量在2026年Q1均出现显著下降（单位：万台）


数据来源：Trendforce，东吴证券研究所

2.1.2国内：低端机型对存储成本敏感，存储涨价大幅压缩了该类型手机利润空间


• 存储涨价趋势下，低端机型成本端急速膨胀，利润空间被大幅压缩。以小米Redmi Note15为例，其基础款配置8GB内存型号价格已由原先的1099元上涨至1399元。按照2025年初和近期（2026年7月）LPDDR5内存价格测算，内存在该机型售价中的占比已由原先的 15%上升至 40%。由此可见，存储涨价影响下，存储在低端机型中的成本占比极高，低端机型的利润水平被大幅压缩。

图：存储涨价导致千元低端机型成本急速膨胀，该品类销售难以为继

低端机型成本受存储涨价影响测算

存储涨价前(2025年初)

存储涨价后(2026年)

单GB LPDDR5价格(单位:元)$\textcircled{1}$

21

70

手机内存空间(GB)$\textcircled{2}$

8

8

手机内存成本(元)$\textcircled{3}$=$\textcircled{1}$*$\textcircled{2}$

168

560

低端千元机型价格(元)$\textcircled{4}$

1099

1399

内存占手机价格比重(%)$\textcircled{5}$=$\textcircled{3}$/$\textcircled{4}$

15%

40%

2.1.2国内：中端定位新能源车受存储涨价影响同样严重，月销量自2026年以来严重下滑


• 相较低端、高端定位的新能源汽车，中端定位的新能源汽车受存储涨价影响最为严重。由于低端车型普遍不配置高端功能，因此对存储需求量天然较小，而高端定位车型售价较高，存储成本占比有限，因而以上两种车型对存储涨价的敏感度相对较低。而中端车型具备一定的进阶功能，对存储需求较多的同时价格相对低，存储成本占比较高，因而成本端受存储涨价影响明显。

• 以问界M7、M8为代表的中端车型销量自2026年初以来严重下滑。问界M7车型月销量已从2025年10月至2026年1月高点的超20000辆下跌至2026年3月的8383辆；M8车型销量在2025年4月上市后迅速爬升，2025年6-9月稳定在2.1万辆左右，但同样于2026年开始下滑，至3月销售量下滑至4007台。

图：问界M7、M8车型自2026年以来销量明显下滑，2026年3月两种车型月销量已跌至0.8/0.4万台（单位：万台/月）


数据来源：易车，东吴证券研究所

2.1.2国内：整车存储成本占比进一步提高，新能源汽车行业的利润空间在本轮存储涨价潮中被严重压缩


• 按中性口径估计，某国产中档豪华车厂商在本轮存储涨价潮中因存储成本上涨而损失的利润超13亿，单车销售由盈转亏。由于车规存储、碳酸锂价格上涨，导致某国产中档豪华车的单车成本增加1.5-2万元，其中由于存储芯片涨价带动的成本增加约为7000-10000元，取均值8500元测算，2026年上半年其销售量约16.1万台，估算因存储成本上涨而减少的利润高达13.7亿元。由于车厂难以在保持市场份额的基础上将价格传导至终端，再叠加碳酸锂、钢材等材料涨价，我们估计厂商于本轮涨价潮中的单车销售将净亏损0.82万元，可见存储价格上涨对汽车制造业利润的挤压极为严重。

图：以某国产中档豪华车为代表的新能源汽车受存储芯片、碳酸锂等涨价影响，单车销售已由盈转亏

某国产中档豪华车成本受存储涨价影响分析

存储涨价前

存储涨价后

某国产中档豪华车平均售价(万元/台)$\textcircled{1}$

39

39

整车芯片成本(万元/台)$\textcircled{2}$

5.46

6.31

存储芯片成本(万元/台)$\textcircled{3}$

0.49

1.34

存储涨价带动的成本增量均值(万元/台)$\textcircled{4}$

-

0.85

电池、钢材等涨价带动的成本增长(万元/台)$\textcircled{5}$

-

0.9

净利率(%)$\textcircled{6}$

2.4%

-2.1%

整车净利润(万元/台)$\textcircled{7}=\textcircled{6}*\textcircled{1}$

0.9

-0.82

2.1.3国内：长鑫科技战略配售对象涵盖上游设备/材料供应商、下游应用端企业，与产业链紧密关联


• 此次战配对象多为产业链重要合作伙伴，包含上游核心零部件与设备供应商、下游受前期存储涨价影响的重要客户。此次配售对象中产业链核心合作伙伴主要可分为如下两类：（1）上游半导体产业链设备、材料、芯片公司：澜起科技（内存接口芯片）、西安奕材（硅片）、拓荆科技（薄膜设备）等。（2）下游存储需求客户：腾讯（互联网/云厂商）、美团（互联网）、传音控股（手机）、小米（手机、新能源汽车）、蔚来（新能源汽车）等。

• 下游客户在存储涨价潮中利润严重缩水，急需与长鑫建立长期稳定合作关系。以小米为代表的智能手机、电动汽车厂商主营业务的存储成本比重较高，受存储芯片涨价影响明显，小米集团2026Q1净利润同比-56.8%，利润严重缩水，因此急需通过战略配售与长鑫科技建立长期合作关系，以缓解存储涨价影响。

图：2026年长鑫科技战略配售对象中，超 20%为产业链关键合作伙伴


上游半导体产业链设备、材料、芯片公司

中微公司

刻蚀/薄膜设备

参与战略配售原因：以上企业均为存储制造产业链重要的设备、原材料供应商，可围绕主业DRAM等存储芯片研发、制造、量产及产品迭代需求，在上游核心材料、半导体设备、关键工艺、封装测试等环节形成稳定协同

澜起科技

内存接口芯片

安集科技

半导体材料

通富微电

封装测试

西安奕材

硅片材料

拓荆科技

CVD/PVD设备

屹唐股份

热处理设备

半导体设备、关键工艺、封装测试等环节形成稳定协同

沪硅产业

大硅片

下游存储需求客户

小米

消费电子

参与战略配售原因：下游客户上半年受存储涨价影响，利润严重缩水，急需与长鑫建立稳定合作关系缓解存储涨价影响；长鑫可依托其在消费电子、服务器、数据中心等场景中的市场地位和客户需求，协助公司推进存储产品验证导入、规格共创、联合测试和批量应用

美团

互联网

腾讯

云计算/互联网

阿里云

云计算

中兴通讯

通信设备

TCL

消费电子/面板

传音控股

手机终端

蔚来

智能汽车

奇瑞汽车

智能汽车

华勤技术

ODM/半导体设计

数据来源：长鑫科技，东吴证券研究所

2.2.1海外：存储成本上涨已传导至下游C端


AI带动的存储成本上涨已向终端售价传导。苹果于2026年6月上调部分MacBook和iPad售价，其中MacBook Neo起售价由 599美元提高至699美元，512GB MacBook Air由1,099美元提高至1,299美元，128GB iPad Air由599美元提高至749美元，反映存储涨价已逐步由零部件成本向终端消费者传导。

• 低价位产品成本转嫁能力有限，存储涨价对利润空间的挤压更为明显。以Redmi Note15基础款为例，按产业链价格测算， 8GB内存成本由约168元升至560元，占产品售价的比重由 15%提升至 40%。即使终端售价由1,099元上调至1,399元，产品提价仍难以完全覆盖存储成本增量，厂商需要在进一步提价、调整配置和让渡利润之间进行权衡。

图：存储成本上涨推动苹果上调部分产品售价

产品

原价

现价

涨幅

MacBook Neo

599美元

699美元

+16.7%

MacBook Air

1099美元

1299美元

+18.2%

iPad Air

599美元

749美元

+25%

图：存储涨价后，低端手机存储BOM占比大幅抬升 Memory share of the total BOM cost by price tier


2.2.2海外：AI服务器存储成本占比快速提升，存储价格或将影响整体CAPEX


• VR200整柜BOM接近翻倍，存储成为成本增长的主要来源之一。市场预计VR200NVL72整柜成本约780.3万美元，较 GB300 NVL72的399.5万美元增长约 95%。其中，存储成本由约37.4万美元提升至200.2万美元，增幅达 435%，占整柜 BOM的比重也由 9.36%上升至 25.65%，提升约16.3个百分点。随着存储在整柜成本中的占比快速提高，后续价格上涨对 AI服务器成本的影响将进一步放大。

• 存储价格继续上行或将影响CSP Capex，当前股价已充分Pricein。市场预计2026年的前五大CSP资本开支将几乎消耗其全部经营现金流，自由现金流空间明显收窄。存储涨价将进一步推高AI基础设施投资成本，加剧市场对资本开支持续性及投资回报率的担忧。近期市场开始重新评估高强度AI投入对现金流的压力，也成为相关科技股调整的重要原因之一。

图：VR200和GB300的BOM对比

项目Component

GB300(USD)

GB300BOM占比

VR200(USD)

变化Diff.

GPU图形处理器

$2,520,000

63.09%

$3,960,000

+57%

CPU中央处理器

$180,000

4.51%

$180,000

0%

NVLink Switch chip交换芯片

$64,800

1.62%

$144,000

+122%

Other networking chips其他网络芯片

$261,000

6.53%

$576,000

+121%

Memory内存

$373,939

9.36%

$2,001,600

+435%

Cooling散热

$64,610

1.62%

$72,080

+12%

Power supply电源

$57,600

1.44%

$76,000

+32%

PCB印刷电路板

$35,100

0.88%

$116,730

+233%

ABF Substrate ABF载板

$11,160

0.28%

$20,340

+82%

MLCC多层陶瓷电容

$1,530

0.04%

$4,320

+182%

Others其他

$402,412

10.07%

$623,278

+55%

Rack assembly value add整机组装增值

$22,400

0.56%

$28,800

+29%

合计Total

$3,994,551

100.00%

$7,803,148

+95%

数据来源：SEMI，中国产业信息网，东吴证券研究所整理

图：市场预计2026年的前5大CSP Capex已占据全部自由现金流


2.2.3存储高价或反噬终端需求，海外玩家加快扩产缓解供需错配


• 服务器及CSP客户开始通过长期协议和配置调整控制采购支出。部分美系CSP已与存储厂商签订多年期供货协议，以提高供应和采购价格的确定性。与此同时，2026年上半年以来，部分服务器系统的RDIMM配置由96GB和128GB转向32GB和64GB，反映下游开始通过降低单机内存配置控制成本。AI服务器需求仍具韧性，但长协锁价和配置下调表明，下游对价格和资本使用效率的敏感度正在提升，存储持续提价面临的需求约束有所增强。

• 存储龙头关注高价格对终端需求的潜在抑制，将加速扩产。SK集团会长崔泰源表示，当前存储价格已处于非正常高位，若成本持续向PC、手机等终端传导，可能进一步推升产品售价并形成“芯片通胀”，进而削弱消费需求。相较继续依赖涨价，增加供给有助于推动价格回归合理区间，维持下游需求和行业长期增长。

AI需求持续增长，中韩存储龙头加速扩产。崔泰源预计，2027年AI半导体需求或较2026年增长 60%至 100%，但受晶圆厂建设和设备导入周期限制，短期内能够显著增加供给的厂商仍然有限。根据TrendForce及产业链预测， SK海力士与三星DRAM月产能预计分别由2025年第四季度的54.5/65万片提升至2030年的约100/135万片，我国厂商有望加速扩产。

图：短期供给扩张有限，主要DRAM厂商中长期扩产提速

DRAM

12-inch (Kwpm)

1Q24

2Q24

3Q24

4Q24

1Q25

2Q25

3Q25

4Q25

1Q26

2Q26E

3Q26F

4Q26F

30F

Samsung

535

600

650

670

645

645

655

650

640

670

710

740

1350

SK Hynix

368

380

435

480

500

515

530

545

565

585

600

610

1000

Micron

320

310

310

315

320

330

340

340

345

360

365

365

-

长鑫存储

140

155

185

210

230

260

270

280

290

300

300

300

-

12英寸总产能

1,486

1,574

1,715

1,803

1,822

1,886

1,943

1,966

1,995

2,074

2,135

2,181

2-3X

数据来源：Reuters、TrendForce、Omdia、产业链资料，东吴证券研究所整理。



一、AI发展带动HBM需求爆发，DRAM挤出效应未来两年内仍难缓解

二、DRAM短缺影响巨大，行业亟待扩产

三、国内外存储加速扩产，设备商将充分受益

四、投资建议&风险提示

3.1全球存储龙头产能领先，国内厂商扩产空间广阔


• 全球DRAM产能2030年有望翻倍，国产厂商市占率有望快速提升。（1）NAND端：三星与西部数据/闪迪在 2026Q1分别以37.5万片和40万片占据主要市场份额，其中三星&海力士等DRAM玩家也陆续将NAND厂房切为盈利更好的DRAM产品。我国长江存储2026Q1月产能仅16万片，提升空间巨大。（2）DRAM端：2026Q1，三星、SK海力士、美光三家12英寸月产能分别为64万片、56.5万片和34.5万片，韩系厂商预计2030年前将产能翻倍；长鑫存储2026Q1月产能约29万片。

图：中国头部存储厂商与国际头部仍有较大产能差距

NAND

12-inch (Kwpm)

1Q24

2Q24

3Q24

4Q24

1Q25

2Q25

3Q25

4Q25

1Q26

2Q26E

3Q26F

4Q26F

30F

Samsung

360

440

530

560

450

410

401

400

375

365

340

310

-

Kioxia/WDC/SanDisk

390

460

460

460

400

400

400

400

400

405

418

418

-

SK Hynix

135

140

150

150

145

145

145

145

140

140

140

135

-

Micron

130

130

155

155

130

130

130

130

130

130

130

130

-

长江存储

120

125

125

130

140

140

150

160

160

170

200

200

-

12英寸总产能

1135

1295

1420

1455

1265

1225

1226

1235

1205

1210

1228

1193

-

DRAM

12-inch (Kwpm)

1Q24

2Q24

3Q24

4Q24

1Q25

2Q25

3Q25

4Q25

1Q26

2Q26E

3Q26F

4Q26F

30F

Samsung

535

600

650

670

645

645

655

650

640

670

710

740

1350

SK Hynix

368

380

435

480

500

515

530

545

565

585

600

610

1000

Micron

320

310

310

315

320

330

340

340

345

360

365

365

-

长鑫存储

140

155

185

210

230

260

270

280

290

300

300

300

-

12英寸总产能

1,486

1,574

1,715

1,803

1,822

1,886

1,943

1,966

1,995

2,074

2,135

2,181

2-3X

数据来源：SEMI，Trendforce，东吴证券研究所

3.2全球存储龙头产能领先，国内厂商扩产空间广阔


• 长江存储&长鑫存储全球市占率稳步提升，后续空间非常广阔。长鑫存储DRAM全球市占率2025Q1约为 3% 2026Q1提升至约 8%；长江存储NAND2025Q1全球市占率约为 8% ，2026Q1提升至约 13%。综合来看，长存长鑫两者在国际存储市场的市占率水平正逐年稳定提升，后续份额空间仍十分广阔。

图：2025Q1长鑫存储DRAM全球市占率仅为 3% ，2026Q1提升至 8%



图：2025Q1长江存储NAND全球市占率仅为 8% ，2026Q1提升至 13%



数据来源：SEMI，Trendforce，东吴证券研究所

3.3存储制程节点演进，带动设备投资额持续增长


在相同产能下，集成电路设备投资量随制程节点先进程度提升而大幅增长。当技术节点向5nm甚至更小的方向升级时，集成电路的制造需要采用昂贵的极紫外光刻机（EUV），或多重模版工艺（重复多次刻蚀及薄膜沉积工序以实现更小的线宽），需要投入更多且先进的光刻机、刻蚀设备和薄膜沉积设备，带动投资规模提升。

(1) 逻辑：以5nm技术节点为例，每单位产能的建设需要约50万美元的资本开支投入，是14nm的两倍以上，28nm的3.5倍左右。（2）存储：DRAM方面，当DRAM制程达到10nm时，每千片晶圆月产能的设备投资额上升至9000万美元。NAND方面，以2015年2D NAND设备投资额为基准，2015年3D NAND设备投资额为其1.5倍，2021年3D NAND设备投资额为其2.2倍。

图：5nm逻辑制程设备投资额约是28nm的3.5倍

图：随着制程迭代，NAND与DRAM设备投资额逐步上升



3.4存储扩产将显著利好薄膜、刻蚀、量测等高占比核心设备


• 薄膜、刻蚀和量测设备在存储扩产的设备资本开支中占比超 50%，相关厂商将显著受益于存储扩产。我们测算，存储扩产的设备资本开支中，薄膜设备支出占比约 22%、刻蚀设备约 20%、量测设备约 10%、清洗设备约 6%、涂胶显影设备约 5%、CMP设备约 5%、离子注入设备约 3%、炉管设备约 3%。其中，薄膜设备、刻蚀设备、量测设备三类设备资本开支总占比高达 52%，相关厂商将明显受益于存储扩产。

• 刻蚀设备以ICP、CCP为核心，薄膜设备以PECVD为核心。我们测算，刻蚀设备中ICP设备占比约为 48% ，CCP设备占比约为 47% ，是最主要的两种刻蚀设备；薄膜设备中PECVD占比约为 33%。

图：薄膜、刻蚀和量测设备在存储扩产的设备资本开支中占比超 50%，ICP、CCP为刻蚀设备核心，PECVD是薄膜设备核心





一、AI发展带动HBM需求爆发，DRAM挤出效应未来两年内仍难缓解

二、DRAM短缺影响巨大，行业亟待扩产

三、国内外存储加速扩产，设备商将充分受益

四、投资建议&风险提示

4.1北方华创积极推进平台化布局，产品矩阵与存储扩产设备需求高度吻合


• 截至2025年末，通过自研、兼并购，北方华创核心设备工艺覆盖度已超 60%，产品矩阵与存储扩产需求高度吻合。在整个行业中，从2025年的产品种类结构来看，薄膜产品占比最高，达 22.9%，其中PECVD产品占比最高，达 8%；其次，刻蚀产品种类占比第二，达 22.1%，其中硅刻蚀占比最高，达 12.0%。光刻、清洗、炉管种类产品各占 21%、10%、6.1%，离子注入产品占比 11.6%，电镀产品ECD占比0.9%，CMP占比1.4%。北方华创生产的设备包括刻蚀、薄膜、清洗、离子注入、电镀、炉管等种类中的所有产品，占该行业所有产品约 60+%。

• 风险提示：下游扩产不及预期，新产品研发&验证不及预期。

图：北方华创核心设备工艺覆盖度超过 60%，核心拳头产品优势明显

北方华创/AMAT设备覆盖度

种类

产品

用量占比

北方华创

AMAT

光刻

光刻

21.0%

涂胶显影

涂胶显影

4.0%

Y

刻蚀

硅刻蚀

12.0%

Y

Y

介质刻蚀

9.0%

Y

Y

干法去胶

1.1%

Y

Y

薄膜(薄膜总体占比为22.9%,除右侧列出项目外还包括其他,未列出)

PECVD

8.0%

Y

Y

ALD

2.2%

Y

Y

PVD

6.0%

Y

Y

EPI

1.8%

Y

Y

MOCVD

0.9%

Y

Y

管式CVD

2.1%

Y

Y

清洗

槽式清洗

6.0%

Y

单片清洗

4.0%

Y

炉管

退火

1.1%

Y

Y

氧化扩散

5.0%

Y

Y

电镀

ECD

0.9%

Y

Y

CMP

CMP

1.4%

Y

离子注入

离子注入

11.6%

Y

Y

检测及其他

检测及其他

21.0%

数据来源：Wind，北方华创官网，东吴证券研究所

4.2 中微公司刻蚀+薄膜构建基本盘，平台化布局量检测、电镀、清洗&CMP设备，有望充分受益于存储扩产


• 刻蚀机龙头加速平台化布局，截至2025年底已覆盖 33%的集成电路设备需求。截至2025年底，公司刻蚀设备产品涵盖高能CCP刻蚀、低能ICP刻蚀以及边缘刻蚀机，能够满足约 22%的设备需求。同时，公司在薄膜设备领域深度布局，产品包括ALD设备、LPCVD导体设备以及EPI外延设备，目前其薄膜设备能覆盖约 5%的市场需求。此外，公司的电镀设备和电子束检测设备等产品也正在研发中。

• 公司也通过参股优秀一级设备公司全面布局光学量测、电镀、清洗设备。 $ \textcircled{1} $量检测：睿励科学仪器公司，主要产品包括光学膜厚测量设备和光学缺陷检测设备等。 $ \textcircled{2} $CMP：2025年12月公司公告拟通过发行股份方式购买杭州众硅。

• 风险提示：晶圆厂扩产节奏不及预期，新品研发&产业化不及预期等。

图：公司未来5-10年内预期覆盖 60%集成电路高端设备市场，湿法设备和量检测设备均有布局


数据来源：中微公司官网，东吴证券研究所

4.3拓荆科技为薄膜沉积设备龙头，产品卡位存储扩产重要环节


• 公司起家于PECVD，产品矩阵持续完善。凭借PECVD技术积累，公司现已实现PECVD逻辑芯片 100%工艺覆盖、 NAND 80%以上、DRAM 60%以上，并进一步拓展ALD、SACVD、HDPCVD等薄膜设备，已批量供货中芯国际、华虹集团、长江存储、厦门联芯、燕东微电子等国内龙头晶圆厂，稳居薄膜沉积设备领域第一梯队。控股子公司拓荆键科率先布局混合键合设备，为公司打开全新成长曲线。

• 2026Semicon公司发布多款ALD、PECVD及Gap-fill系列新设备，积极完善前道设备布局。公司2026年发布的新品包括两款ALD设备、一款PECVD设备，以及一款Gap-fill设备。其中，此次发布的ALD和Gap-fill设备均具有业界前沿水平的坪效比和CoO，PECVD设备应用领域涵盖先进逻辑后道层低介电薄膜，并兼容逻辑≤28nm后道层间低介电薄膜，可实现介质薄膜的低介电常数和高机械强度。

• 风险提示：晶圆厂资本开支下滑、国产化率提升不及预期等。

图：拓荆科技后道封装设备完成HBM及3DIC全工艺覆盖

应用类型

先进逻辑

先进DRAM

NAND

HBM

CIS

3D IC

化合物半导体

W2W混合键合

√

√

√

√

√

√

熔融键合

√

√

√

√

√

激光剥离(W2W，W2F)

√

√

√

√

√

D2W预处理

√

√

√

D2W键合

√

√

√

Overlay量测

√

√

√

√

√

√

数据来源：拓荆科技官网，东吴证券研究所

4.4 微导纳米存储&逻辑市场开拓顺利，有望受益于存储扩产


• 逻辑&存储市场开拓顺利。公司ALD设备代表国内半导体先进工艺发展方向，自21年9月首次在前道工艺产线上得到验证后，逻辑&存储市场开拓顺利。（1）逻辑芯片：28nm逻辑芯片中高K栅介质层是国内集成电路突破28nm先进制程节点要求最高的工艺之一，相关设备已取得客户验收，实现产业化应用，并已获得重复订单。（2）存储芯片：公司应用于该领域的设备已进入产业化验证阶段，其中单片型ALD设备已获得多种工艺设备的重复订单；批量型ALD设备也已获得客户订单，且为行业首台批量型ALD设备在存储芯片制造领域的应用。

• 风险提示：下游扩产不及预期，新品拓展不及预期。

图：2022-2025公司半导体设备收入保持高增速


4.5迈为股份前道设备加速突破，积极布局刻蚀、薄膜设备，有望受益于存储扩产


公司半导体设备业务新签订单快速放量，预期将成为市场第三家主流上市刻蚀设备商。公司半导体设备业务新签订单保持高增速，我们预计迈为股份将成为中微公司、北方华创后第三家主流刻蚀上市设备商。

• 风险提示：下游扩产不及预期，新品拓展不及预期。

半导体设备


4.6投资建议


• 看好前后道半导体设备+零部件厂商，重点推荐前道设备【北方华创】【中微公司】【迈为股份】【芯源微】【屹唐股份】【中科飞测】【精测电子】【天准科技】【拓荆科技】【微导纳米】【先导基电】【华海清科】【盛美上海】【晶盛机电】；后道设备【长川科技】【华峰测控】；材料和零部件环节【富创精密】【新莱应材】【英杰电气】【汉钟精机】【晶盛机电】；建议关注后道设备【联讯仪器】【精智达】【联动科技】。

表：可比公司估值（截至2026.8.3收盘价）

2026/8/3

货币

收盘价(元)

市值

归母净利润(亿元)

PE

代码

公司

(亿元)

2025

2026E

2027E

2028E

2025

2026E

2027E

2028E

002371.SZ

北方华创

CNY

641.30

4,654

55.2

68.8

90.8

119.4

84

68

51

39

688012.SH

中微公司

CNY

309.85

2,968

21.1

27.3

34.6

42.6

141

109

86

70

688037.SH

芯源微

CNY

261.00

527

0.7

2.0

4.0

6.5

734

258

132

81

688361.SH

中科飞测

CNY

302.97

1,067

0.6

3.7

6.9

10.4

1,819

289

156

102

300567.SZ

精测电子

CNY

167.00

467

0.8

3.2

6.3

10.4

570

144

74

45

688072.SH

拓荆科技

CNY

591.86

1,720

9.3

17.3

25.3

30.3

186

99

68

57

688147.SH

微导纳米

CNY

79.55

369

2.2

3.7

4.8

6.1

168

99

76

61

688200.SH

华峰测控

CNY

319.88

642

5.4

6.8

8.5

9.8

120

94

76

65

300604.SZ

长川科技

CNY

227.42

1,443

13.3

21.5

30.4

41.5

108

67

47

35

300751.SZ

迈为股份

CNY

145.91

407

7.2

8.3

11.3

16.2

56

49

36

25

300260.SZ

新莱应材

CNY

43.25

176

1.8

2.3

3.3

5.1

101

76

53

35

688409.SH

富创精密

CNY

146.84

450

-0.1

4.8

6.5

-

-5,221

95

69

-

300316.SZ

晶盛机电

CNY

39.05

511

8.8

9.8

11.7

14.5

58

52

44

35

300820.SZ

英杰电气

CNY

43.30

96

2.2

3.8

4.8

-

43

25

20

-

002158.SZ

汉钟精机

CNY

24.84

133

4.7

5.7

7.0

8.0

28

23

19

17

688729.SH

屹唐股份

CNY

21.48

635

6.7

8.5

12.2

-

95

75

52

-

688627.SH

精智达

CNY

371.88

350

0.7

2.9

4.6

6.5

535

121

77

54

688808.SH

联讯仪器

CNY

1,624.00

1,667

1.7

7.5

13.7

22.1

960

221

122

75

301369.SZ

联动科技

CNY

109.41

112

0.3

1.4

3.6

-

334

80

31

-

注：以上盈利预测中精智达、联讯仪器、联动科技数据来自截至2026/08/03Wind一致预测，其余盈利预测均来自东吴证券研究所内部预测。

数据来源：Wind，东吴证券研究所

风险提示


半导体行业投资不及预期：若半导体行业景气度下滑，下游客户资本支出减少，则对半导体设备的需求将可能下降，将给半导体设备行业的短期业绩带来一定压力。

设备国产化不及预期：集成电路专用设备技术门槛较高，某些环节的技术难点或者国内设备厂商产能瓶颈可能导致设备国产化进展不及预期。

技术迭代及工艺路线变化风险：半导体先进制程及先进封装技术迭代较快，若下游客户技术路线调整或新工艺导入节奏发生变化，可能导致部分设备需求结构发生变化。

免责声明


东吴证券股份有限公司经中国证券监督管理委员会批准，已具备证券投资咨询业务资格。

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市场有风险，投资需谨慎。本报告是基于本公司分析师认为可靠且已公开的信息，本公司力求但不保证这些信息的准确性和完整性，也不保证文中观点或陈述不会发生任何变更，在不同时期，本公司可发出与本报告所载资料、意见及推测不一致的报告。

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东吴证券投资评级标准

投资评级基于分析师对报告发布日后6至12个月内行业或公司回报潜力相对基准表现的预期（A股市场基准为沪深300指数，香港市场基准为恒生指数，美国市场基准为标普 500指数，新三板基准指数为三板成指（针对协议转让标的）或三板做市指数（针对做市转让标的），北交所基准指数为北证50指数），具体如下：

公司投资评级：

买入：预期未来6个月个股涨跌幅相对基准在 15%以上；

增持：预期未来6个月个股涨跌幅相对基准介于 5%与 15%之间；

中性：预期未来6个月个股涨跌幅相对基准介于-5%与 5%之间；

减持：预期未来6个月个股涨跌幅相对基准介于-15%与-5%之间；

卖出：预期未来6个月个股涨跌幅相对基准在-15%以下。

行业投资评级：

增持：预期未来6个月内，行业指数相对强于基准 5%以上；

中性：预期未来6个月内，行业指数相对基准-5%与 5%；

减持：预期未来6个月内，行业指数相对弱于基准 $5\%$ 以上。

我们在此提醒您，不同证券研究机构采用不同的评级术语及评级标准。我们采用的是相对评级体系，表示投资的相对比重建议。投资者买入或者卖出证券的决定应当充分考虑自身特定状况，如具体投资目的、财务状况以及特定需求等，并完整理解和使用本报告内容，不应视本报告为做出投资决策的唯一因素。

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