国金证券_非金属建材行业研究:高端扩容,mSAP-PCB的增量贡献_20260727.pdf

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摘要

1国金证券发布非金属建材行业研报,指出AI光模块迭代及NV-CoWoP技术将催化mSAP-PCB需求快速扩容。
2mSAP工艺线宽可达15um以下,适用于高端场景。
3报告重点推荐上游材料及设备环节:直写光刻关注芯碁微装;
4电镀线关注东威科技;
5载体铜箔关注铜冠铜箔、方邦股份、德福科技;
6药水关注光华科技、天承科技;
7Low-CTE电子布及二代布重点关注宏和科技、中材科技、国际复材、中国巨石。
8预计2026年T布及HVLP4铜箔存在供需缺口并呈现涨价趋势。

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非金属建材行业研究

行业点评

证券研究报告

建筑建材组

分析师:李阳(执业S1130524120003)

分析师:赵铭(执业S1130524120004)

liyang10@gjzq.com.cn

zhaoming@gjzq.com.cn

高端扩容,mSAP-PCB的增量贡献

1、mSAP工艺适用于线宽线距要求高的应用场景

SLP类载板,是指具有接近于IC载板特征尺寸的PCB,主要特征是线宽和线距(L/S)尺寸界于常规PCB和IC载板之间,传统PCB以及HDI板的线宽和线距尺寸大于30/30um,而IC载板的线宽和线距通常小至15/15um。SLP制造工艺采用mSAP, mSAP从薄的层压铜箔(1.5-5.0um)开始,以薄铜为种子层、进行图形电镀与闪蚀。

相较传统的减成法,mSAP具备以下优势: $ \textcircled{1} $图形电镀,只镀所需区域,铜厚低, $ \textcircled{2} $正片曝光,精度更高, $ \textcircled{3} $快速蚀刻,咬蚀超薄铜箔, $ \textcircled{4} $线宽/线距可达15um以下, $ \textcircled{5} $垂直显影,均匀无划痕。

2、光模块+NV-CoWoP催化mSAP-PCB快速扩容

mSAP 最初应用场景主要为智能手机,2017年iPhone要求PCB密度类似于封装载板,产生SLP需求、带动mSAP工艺发展。 2018年初,三星Galaxy手机也采用SLP设计。除消费电子外,AI预计将带动mSAP-PCB市场需求快速扩容:1◯\textcircled{1}光模块向 800G-1.6T-3.2T迭代,需要使用类载板(SLP)承接、使用mSAP工艺制备;2◯\textcircled{2}英伟达等相关头部企业提出的CoWoP技术路线,该路线场景下传统封装基板被取消,芯片通过硅中介层直接与高精度PCB主板连接,倒逼主板线路细化、类载板化。

3、mSAP-PCB对于上游材料和设备的拉动:

(1) 直写光刻:mSAP要求曝光的线宽线距降至15um,光模块、CoWoP技术所用的SLP需求上升,下游厂商扩产意愿增加,拉动mSAP直写光刻设备需求增长。国内mSAP直写光刻设备厂家主要是芯碁微装,设备性能已经比肩海外设备厂商,加上设备交付周期显著短于海外厂商,有望充分受益本轮国产替代。

(2) 电镀线:mSAP要求铜厚均匀性控制在 $ \pm 5\% $以内(传统工艺 $ \pm 10\% $),对电镀精度提出更高要求,要求VCP(垂直连续电镀)以及水平三合一电镀(除胶+沉铜+闪镀铜,mSAP前道种子层)设备。国内电镀设备厂家包括东威科技等,东威VCP国内超 50%市占率,预计海外拓展将分阶段推进。

(3) 载体铜箔:日本三井金属占据载体铜箔超 90%市场份额,三井当前产能约500万平/月、预计到2028年提升至580万平/月,扩产幅度不大。载体铜箔下游需求快速增长(除光模块、NV-CoWoP外,高端存储芯片目前紧缺,海内外头部企业扩产进一步放大载体铜箔供需缺口),而上游供给相对偏紧,有望推动下游客户加快对国产产品的验证导入。国内载体铜箔的参与者包括铜冠铜箔、方邦股份、德福科技等。

(4) 药水:mSAP技术难点环节主要在基铜、电镀、闪蚀等,其中闪蚀目的是快速蚀刻掉基铜及电镀铜,由于线路铜由基铜以及电镀铜组成,药水对两种铜的蚀刻存在差异,侧蚀成为闪蚀的控制难点。国内mSAP药水参与者主要包括光华科技、天承科技等。

(5) low-CTE电子布:mSAP-PCB中的mSAP层预计使用T布。T布预计2026年继续呈现涨价趋势,由于日东纺的新T布产能预计于26H2才能释放,短期供应紧张或难以缓解。国内T布有布局的玩家包括宏和科技、中材科技、国际复材。

(6) low-dk二代布、HVLP4铜箔:1.6T光模块mSAP-PCB中的HDI预计使用M8+二代布+HVLP4铜箔的搭配。 $ \textcircled{1} $ HVLP4铜箔,全球龙头三井金属扩产、印证产业趋势。我们预计ASIC平台(亚马逊、谷歌等)及NV在2026年高阶方均会大量采用HVLP4铜箔方案,因此我们看好2026年全系列PCB铜箔的涨价趋势。国内HVLP4有产能厂家主要包括铜冠铜箔。 $ \textcircled{2} $ low-dk二代布,2026年存在明确供需缺口,随着谷歌V8及以上TPU/NV-Rubin架构全面放量,我们预计将大量拉动Low-Dk二代布需求。国内二代布主要参与者包括国际复材、中材科技、宏和科技、中国巨石、光远新材。

投资建议与估值

mSAP工艺适用于线宽线距要求高的应用场景(线宽/线距可达15um以下),技术难点环节主要在基铜、电镀、闪蚀等。mSAP最初应用场景主要为消费电子,AI光模块+NV-CoWoP预计将带动mSAP-PCB快速扩容。mSAP-PCB对于上游材料的拉动方面,我们建议关注 $ \textcircled{1} $直写光刻, $ \textcircled{2} $电镀线, $ \textcircled{3} $载体铜箔, $ \textcircled{4} $药水, $ \textcircled{5} $low-CTE电子布, $ \textcircled{6} $low-dk二代布、HVLP4铜箔等方向。

风险提示

算力需求不及预期;行业竞争格局恶化的风险;原材料价格波动的风险。

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光模块催化mSAP-PCB快速扩容,关注上游新材料拉动

1、mSAP工艺适用于线宽线距要求高的应用场景

SLP类载板,是指具有接近于IC载板特征尺寸的PCB,主要特征是线宽和线距(L/S)尺寸界于常规PCB和IC载板之间,传统PCB以及HDI板的线宽和线距尺寸大于30/30um,而IC载板的线宽和线距通常小至15/15um。SLP制造工艺采用mSAP,mSAP从薄的层压铜箔(1.5-5.0um)开始,以薄铜为种子层、进行图形电镀与闪蚀。

相较传统的减成法,mSAP具备以下优势: $ \textcircled{1} $图形电镀,只镀所需区域,铜厚低, $ \textcircled{2} $正片曝光,精度更高, $ \textcircled{3} $快速蚀刻,咬蚀超薄铜箔, $ \textcircled{4} $线宽/线距可达15um以下, $ \textcircled{5} $垂直显影,均匀无划痕。

2、光模块+NV-CoWoP催化mSAP-PCB快速扩容

mSAP最初应用场景主要为智能手机,2017年iPhone要求PCB密度类似于封装载板,产生SLP需求、带动mSAP工艺发展。2018年初,三星Galaxy手机也采用SLP设计。除消费电子外,AI预计将带动mSAP-PCB市场需求快速扩容: $ \textcircled{1} $光模块向800G-1.6T-3.2T迭代,需要使用类载板(SLP)承接、使用mSAP工艺制备; $ \textcircled{2} $英伟达等相关头部企业提出的CoWoP技术路线,该路线场景下传统封装基板被取消,芯片通过硅中介层直接与高精度PCB主板连接,倒逼主板线路细化、类载板化。

3、mSAP-PCB对于上游材料的拉动

(1) 直写光刻:mSAP要求曝光的线宽线距降至15um,光模块、CoWoP技术所用的SLP需求上升,下游厂商扩产意愿增加,拉动mSAP直写光刻设备需求增长。国内mSAP直写光刻设备厂家主要是芯碁微装,设备性能已经比肩海外设备厂商,加上设备交付周期显著短于海外厂商,有望充分受益本轮国产替代。

(2) 电镀线:mSAP要求铜厚均匀性控制在 $ \pm 5\% $以内(传统工艺 $ \pm 10\% $),对电镀精度提出更高要求,要求VCP(垂直连续电镀)以及水平三合一电镀(除胶+沉铜+闪镀铜,mSAP前道种子层)设备。国内电镀设备厂家包括东威科技等,东威VCP国内超 50%市占率,预计海外拓展将分阶段推进。

(3) 载体铜箔:日本三井金属占据载体铜箔超 90%市场份额,三井当前产能约500万平/月、预计到2028年提升至 580万平/月,扩产幅度不大。载体铜箔下游需求快速增长(除光模块、NV-CoWoP外,高端存储芯片目前紧缺,海内外头部企业扩产进一步放大载体铜箔供需缺口),而上游供给相对偏紧,有望推动下游客户加快对国产产品的验证导入。国内载体铜箔有布局的玩家包括方邦股份、铜冠铜箔、德福科技等。

(4) 药水:mSAP技术难点环节主要在基铜、电镀、闪蚀等,其中闪蚀目的是快速蚀刻掉基铜及电镀铜,由于线路铜由基铜以及电镀铜组成,药水对两种铜的蚀刻存在差异,侧蚀成为闪蚀的控制难点。国内mSAP药水有布局的企业包括光华科技、天承科技等。

(5) low-CTE电子布:mSAP-PCB中的mSAP层预计使用T布。T布预计2026年继续呈现涨价趋势,由于日东纺的新T布产能预计26H2才能释放,短期供应紧张或难以缓解。国内T布参与者包括宏和科技、中材科技、国际复材、中国巨石等。

(6) low-dk二代布、HVLP4铜箔:1.6T光模块mSAP-PCB中的HDI预计使用M8+二代布+HVLP4铜箔的搭配。 $ \textcircled{1} $ HVLP4铜箔,全球龙头三井金属扩产、印证产业趋势。我们预计ASIC平台(亚马逊、谷歌等)及NV在2026年高阶方均会大量采用HVLP4铜箔方案,因此我们看好2026年全系列PCB铜箔的涨价趋势。国内HVLP4有明确产能的企业主要为铜冠铜箔。 $ \textcircled{2} $ low-dk二代布,2026年存在明确供需缺口,随着26Q3谷歌V8及以上TPU、NV-Rubin架构全面放量,我们预计将大幅拉动Low-Dk二代布需求。国内二代布有布局的企业包括国际复材、中材科技、宏和科技、中国巨石、光远新材等。

投资建议与估值

mSAP工艺适用于线宽线距要求高的应用场景(线宽/线距可达15um以下),技术难点环节主要在基铜、电镀、闪蚀等。 mSAP最初应用场景主要为消费电子,AI光模块+NV-CoWoP预计将带动mSAP-PCB市场需求快速扩容。mSAP-PCB对于上游材料的拉动方面,我们建议关注 $ \textcircled{1} $直写光刻,继续推荐【芯碁微装】, $ \textcircled{2} $电镀线,建议关注【东威科技】, $ \textcircled{3} $载体铜箔,关注【铜冠铜箔】【方邦股份】【德福科技】, $ \textcircled{4} $药水,关注【光华科技】【天承科技】, $ \textcircled{5} $low-CTE电子布,重点关注【宏和科技】【中材科技】【国际复材】【中国巨石】, $ \textcircled{6} $low-dk二代布、HVLP4铜箔等方向,重点关注【铜冠铜箔】【国际复材】【宏和科技】【中材科技】【中国巨石】。

风险提示

算力需求不及预期;行业竞争格局恶化的风险;原材料价格波动的风险。

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行业投资评级的说明:

买入:预期未来3一6个月内该行业上涨幅度超过大盘在 15%以上;

增持:预期未来3-6个月内该行业上涨幅度超过大盘在 5%−15%5\% -15\%;

中性:预期未来3一6个月内该行业变动幅度相对大盘在 $ - 5\% - 5\% $;

减持:预期未来3一6个月内该行业下跌幅度超过大盘在 5%以上。

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