第一创业_韩国存储大扩产 半导体设备需求仍将高增长_20260703.pdf


第一创业证券研究所

分析师：郭强

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韩国存储大扩产半导体设备需求仍将高增长

核心观点：

6月29日韩国总统主持“三大超级项目国民报告会”，把存储半导体、AI和 AI数据中心列为三大核心支柱，并与三星、海力士等集团公布未来十年总规模约1.3万亿美元的投资计划，支撑国家未来20~30年的发展。其中包括，三星和海力士将在韩国西南地区共建四座半导体晶圆厂，总投资约800万亿韩元，即相当于5300亿美元，并计划提前完工首都圈的在建存储晶圆厂使未来五年内DRAM产能提升一倍。其它还包括，到2035年，韩国在AI数据中心领域的投资预计将高达1000万亿韩元，以及在封测领域和AI研发领域的投资。可以说韩国在AI，特别是存储方面赌上了国运。

美光科技Micro在6月24日公布最新一季度的财务报告，除了收入和盈利都显著超出市场预期外，最值得关注的两点信息是：1）美光将2026财年资本开支从250亿美元上修至270亿美元，同时预计2027财年单季度资本开支均超100亿美元，全年开支目标从350亿美元上调至400亿美元。2）公布已签署16份战略客户协议（SCA），合同期通常为2026年起的五年，汽车类为三年，结构是不可撤销的合约，按保守底价计算剩余履约义务约1000亿美元。目前客户缴纳了约180亿美元现金押金和40亿信用证，合约可以覆盖美光约 20%的DRAM出货量和三分之一的NAND出货量，公司的目标是最终让SCA覆盖公司一半以上的收入。目前除了美光外，三星电子和海力士也都披露了从2026年开始的与下游客户签署的3~5年期的长期供货协议，基本覆盖其现有Dram产能的 30%以上和HBM产能的 90%以上。

从去年下半年开始，三星、海力士和美光就已开始对存储芯片扩产投资，其中三星电子在韩国平泽和龙仁开发区的投资超过1700亿美元，海力士在清州和龙仁的投资也超过700亿美元，美光在美国爱达荷和纽约等地的扩产投资也接近2000亿美元，这些产能正常情况下将在2027年~2028年逐步大规模释放。也就是说在未来存储产能可能倍增的预期下，下游大客户还愿意签署到 2030年的带有履约责任的长期合同，只能说明下游客户对AI需求驱动下的存储需求增长十分乐观且比较确定，而且长期合约覆盖面的增加使存储需求和价格的波动性显著降低。

根据国际半导体产业协会SEMI在2026年4月发布的最新报告，2025年全球半导体设备销售额为1351亿美元，较2024年增长 15%，已连续第三年创下历史新高，因此半导体设备厂已经高度景气。在全球存储芯片投资再次成倍增长至万亿美元投资的趋势下，叠加台积电等海外逻辑芯片和中国芯片产能的持续扩产，我们认为半导体设备行业将长期高度景气。

风险提示：AI算力基础设施建设不如预期、新技术变革等。仅供投资分析时参考。


一、韩国公布超万亿美元的投资规划在AI产业链赌上国运

6月29日韩国总统主持“三大超级项目国民报告会”，把存储半导体、AI和 AI数据中心列为三大核心支柱，并计划分别在湖南、忠清、岭南等非首都地区进行大规模投资，总投资规模或突破2000万亿韩元，即超过1.3万亿美元，三星、SK披露的长期独立投资计划总额达4700万亿韩元，其中三星单独投资 2655万亿韩元、SK投资2100万亿韩元。韩国总统期望以此能形成一个“物理 AI一数据中心一产业创新”的体系，即把产业一线用物理AI收集的数据汇聚到数据中心，从而推动产业创新来支撑国家未来20~30年的发展。

表1、韩国公布“三大超级项目”全面押注AI产业链

项目名称

核心简要内容

1. 全球半导体核心产业工程

政企合计超881万亿韩元投资，三星、海力士各投400万亿韩元布局光州西南晶圆新基地，新建4座12英寸大厂；政府出资搭建HBM先进封装集群，简化审批、配套基建，5年实现DRAM产能翻倍，稳固全球存储与HBM龙头地位，锁定海外长期大客户订单。

1. 实体经济物理AI融合项目

2026-2030年合计投入20万亿韩元，聚焦工业智能机器人、智能制造产线、自动驾驶、智能医疗设备等实体应用；划分研发与量产两大片区，提升制造业AI渗透率，打造本土顶尖智能装备企业，打通产业落地链路。

1. 国家级AI算力数据中心基建

15年总投资1000万亿韩元，首期550万亿韩元；全国布局15座超大型算中心，配齐高端GPU集群与专属电力储能设施，划分核心训练、存储配套、出海交换三大算力片区，目标跻身全球顶尖AI算力枢纽，匹配本土半导体产能需求。

数据来源：韩国KTV国民报告会直播、第一创业证券研究所整理

目前韩国存储半导体的核心根基是首都附近的龙仁、平泽两大产业基地，历经多年高密度开发，当地的电力供应、工业供水等核心基础设施已逼近物理承载极限，无法支撑新一轮晶圆厂落地与产能扩张。因此本次韩国的半导体大扩产主要部署在首都圈外的西南部和南部地区。具体包括三星、海力士等集团公布在韩国西南地区共建四座半导体晶圆厂，总投资约800万亿韩元约5300亿美元。同时，两家企业还规划提前完工目前首都圈平泽和龙仁地区在建的存储晶圆厂项目，三星和海力士在这些地区规划中的最后一座晶圆厂完工时间将较原有计划分别提前7年和12年，使未来五年内韩国DRAM产能提升一倍。其它还包括，到2035年韩国在AI数据中心领域的投资预计将高达1000万亿韩元，以及在封测领域和AI研发领域的投资。可以说韩国在AI，特别是存储方面赌上了国运。


表2、韩国“三大超级项目”企业主要投资项目安排

地区

项目具体情况

西南地区

规划在西南部的光州和全罗南道新建4座半导体晶圆厂，三星电子承担300万亿韩元建两座晶圆厂，SK海力士出资400万亿韩元同样建两座晶圆厂，剩余100万亿韩元由两家企业以配套联合投资形式共同完成，整体2034至2035年量产落地，将成为韩国内存芯片产能扩张的核心承载地。

中部地区

将聚焦以HBM、CoWoS，以及3D封装等为代表的先进封装技术，规划投资81万亿韩元。三星将在忠清地区建设一条专业HBM生产线。

东南地区

东南、大庆地区发展半导体材料、零部件和设备产业集群，同时重点布局新一代功率半导体。

首都圈

不再追求扩产，转而聚焦高端制程升级与技术研发，维持其全球领先的技术溢价。

AI算力中心

SK、GS、Naver三家企业投资550万亿韩元，第一阶段将建设总规模8.4GW的AI数据中心，项目分别落地蔚山、东海、世宗三地。到2035年，韩国将追加建设10吉瓦的算力设施，推进总规模达18.4吉瓦、投资额超1000万亿韩元的项目。

数据来源：韩国KTV国民报告会直播、第一创业证券研究所整理

二、美光、三星和海力士存储长约订单超预期且覆盖至2030年

美光科技Micro在6月24日公布最新一季度的财务报告，除了收入和盈利都显著超出市场预期外，最值得关注的两点信息，首先是美光将2026财年资本开支从250亿美元上修至270亿美元，同时预计2027财年单季度资本开支均超100亿美元，全年开支目标从350亿美元上调至400亿美元，同比2026年增长将超过 50%。

图1、美光季度资本开支展望从26Q4开始增至100亿美元

Outlook

• Micron continues to invest in a disciplined manner across our global footprint to address customer demand.

• As a reminder, our capex is net of anticipated government incentives.

• In fiscal Q4, we project capex of around $10 billion, bringing full-year fiscal 2026 capital spending to approximately $27 billion.

• We expect quarterly capex in fiscal 2027 to be above fiscal Q4 levels, with more than half the increase year over year in fiscal 2027 from construction capex as we pull in cleanroom capacity required to address long-term demand.

数据来源：美光FQ32026业绩发布PPT、第一创业证券研究所整理


此外美光还公布截至本季度末，公司已签署16份战略客户协议（SCA），合同期通常为2026年起的五年，汽车类为三年，结构是不可撤销的合约，按保守底价计算剩余履约义务约1000亿美元。目前客户缴纳了约180亿美元现金押金和40亿信用证，合约可以覆盖美光约 20%的DRAM出货量和三分之一的NAND出货量，公司的目标是最终让SCA覆盖公司一半以上的收入。

图2、美光公布的16份战略客户协议详情

• Micron has been a pioneer in our industry in creating a new class of strategic customer agreements, or SCAs, with very robust terms.

• We are pleased to announce that we have completed 16 SCAs with customers across the data center, consumer and auto market segments. These SCAs accelerate the transformation of our business model, enhance partnership in technology and innovation, and provide customers with contracted supply assurance.

• Typically, these agreements have a five-year term, from calendar 2026 through the end of calendar 2030. Automotive agreements generally have a three-year term.

• The 16 signed agreements represent roughly 20% of our DRAM volume and a third of our NAND volume over this period.

• These SCAs include four very large customers and three medium-sized customers.

• The remaining agreements relate to smaller customers from the automotive industry and represent our commitment to this important sector.

数据来源：美光FQ32026业绩发布PPT、第一创业证券研究所整理

目前除了美光外，三星电子半导体联席CEO全永铉在3月18日召开的定期股东大会上明确表示，公司正积极推动将供货合约从“年度或季度”单位升级为 “三至五年”多年期合约。按目前新闻披露推算，三星电子和海力士已从2026年开始与下游客户签署的3~5年期的长期供货协议，基本覆盖其现有Dram产能的 30%以上和HBM产能的 90%以上。

表3、美光、三星电子和SK海力士的存储长期订单情况

厂商

期限(标准)

已锁定收入

出货覆盖

核心模式

预付款

美光

5年(数据中心)/3年(汽车)

约1,000亿美元

DRAM收入覆盖20%、NAND收入覆盖33%

照付不议

220亿美元

SK海力士

3-5年(HBM5年)

未公开(数万亿韩元级)

DRAM收入覆盖30%、HBM收入覆盖>90%

价保+季度调

10-30%

三星

最低3年(HBM5年)

未公开

DRAM收入覆盖35%、HBM收入覆盖90%

价保+季度调

10-20%

数据来源：美光FQ32026业绩发布PPT、第一创业证券研究所整理


三、存储长单跨越2028年产能释放期显示下游对需求长期看好

从去年下半年开始，三星、海力士和美光就已开始对存储芯片扩产投资，其中三星电子在韩国平泽和龙仁开发区的投资超过1700亿美元，海力士在清州和龙仁的投资也超过700亿美元，美光在美国爱达荷和纽约等地的扩产投资也接近2000亿美元，这些产能正常情况下将在2027年~2028年逐步大规模释放。

表4、全球前三存储厂近期扩产规划与最早投产时间

公司

预计开支亿美元

关键新厂投产时间

三星

约1,739

1、平泽P4厂HBM2027年初10~12万片/月2、平泽P5工厂，三层工厂。P5厂，约20万片/月，2028年投产。3、龙仁国家产业园，计划建6座晶圆厂，2026年下半年开工，2031年完工。

SK海力士

约710

1、清州M15X工厂，2026年3月使用，1万片/月HBM；2、龙仁计划建四座工厂，2027年2月150亿美元首座工厂启用20万片/月。

美光

约2000亿

1、爱达荷工厂2027年中15~20万片/月2、2028年纽约四座工厂，日本广岛工厂

数据来源：公司新闻、第一创业证券研究所整理

也就是说在未来存储产能可能倍增的预期下，下游大客户还愿意签署到2030年的带有履约责任的长期合同，只能说明下游客户对AI需求驱动下的存储需求增长十分乐观且比较确定，而且长期合约覆盖面的增加使存储需求和价格的波动性显著降低。美光预计2026年服务器使用的内存按容量将占市场的 50%以上，成为第一大应用。Google等美国AI算力巨头已陆续宣布将2026年的资本开支翻倍，因此2026年服务器市场的需求将继续增长。

图3、2026年美国主要AI云厂商资本开支仍将大幅增长


数据来源：各公司财报PPT整理、第一创业证券研究所整理


四、存储等半导体大扩产设备需求将长期看好

根据国际半导体产业协会SEMI在2026年4月发布的最新报告，2025年全球半导体设备销售额为1351亿美元，较2024年增长 15%，已连续第三年创下历史新高，因此半导体设备厂已经高度景气。在全球存储芯片投资再次成倍增长至万亿美元投资的趋势下，将显著增强半导体设备的需求增长。

图4、2018~2025年全球半导体设备年投资持续增长


数据来源：iFind、Semi、第一创业证券研究所整理

在过去几年晶圆制造设备的投资中，用于存储芯片生产的设备投资大约在340亿美元，仅占全部晶圆生产设备投资的约 33%。逻辑代工厂设备占 10%，其余是中国等的成熟产能的扩产等。

图5、2025年存储晶圆设备投资占半导体设备投资约 33%


数据来源：iFind、Semi、第一创业证券研究所整理


从目前主流Dram厂商的技术演进看，目前AI算力需求最旺盛的HBM内存所依赖的Dram晶圆生产工艺已经从HBM3的1b制程升级到HBM4的1d制程，即将由HKMG制程升级至FinFET制程，线宽也将从13nm升级到10nm，进一步还将向7nm等制程升级。

图6、Dram制程也和逻辑芯片一样快速需要快速升级制程


资料来源：芯片制造台第微信公众号、第一创业证券研究所整理

半导体晶圆制程从16nm升级到7nm的过程中，每万片月度产能的设备投资额是加速增长的，因此在当前的AI算力需求推动下存储芯片的制程升级也将快速演进，因此也会进一步推动设备投资额的增长。叠加台积电等海外逻辑芯片和中国芯片产能的持续扩产，我们认为半导体设备行业将长期高度景气。

图6、芯片制程线宽越小设备投资强度越高

不同制程逻辑芯片扩产对应半导体设备投资额（亿美元/万片月产能）


资料来源：Semi、第一创业证券研究所整理


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