PCB设备专题报告 mSAP工艺应用场景拓展，设备股迎成长新机遇

首席证券分析师：周尔双

执业证书编号：S0600515110002

zhouersh@dwzq.com.cn

研究助理：陶泽

执业证书编号：S0600125080004

taoz@dwzq.com.cn

2026年6月26日

投资要点


AI硬件升级驱动PCB性能要求提升，mSAP工艺应用边界持续拓宽，迎来扩产放量。伴随1.6T光模块、CoWoP工艺及NPO的加速渗透，mSAP工艺正快速向光模块、先进封装等场景拓展。1.6T光模块量产落地促使PCB线路精度要求提升至15μm级别，布线密度大幅提升。传统Tenting工艺难以满足高密度互联需求，mSAP工艺通过超薄种子铜层、图形电镀、闪蚀等流程，可实现陡直线路侧壁与高精度线宽控制，能够适配高密度布线与低信号损耗需求，成为高阶PCB的主流升级方案。长期来看，CoWoP、NPO等下一代封装与光学技术演进，将进一步推进PCB载板化需求，持续打开mSAP工艺的市场空间。下游PCB厂商加速mSAP产能布局，鹏鼎、深南、兴森、景旺、红板、方正等头部厂商均投资规划新增多条mSAP产线，直接拉动高阶设备需求增长。

• mSAP工艺驱动设备技术升级，钻孔/电镀/LDI/成型四大核心环节受益。mSAP工艺突破了传统减成法的精细线路局限，对多环节核心设备提出更高阶的技术要求，微孔加工精度、曝光对位精度、电镀铜厚均匀性等技术门槛大幅抬升： $ \textcircled{1} $钻孔环节：孔径缩小至 $ 50\mu\mathrm{m} $左右，超快激光钻孔机具备更强的小孔加工能力，成为解决 $ \mathrm{CO}_{2} $激光钻局限的更优解决方案； $ \textcircled{2} $电镀环节：要求铜厚均匀性偏差控制在 $ \pm 5\% $以内，垂直连续电镀（VCP）设备、水平三合一设备价值量大幅攀升； $ \textcircled{3} $曝光环节：线宽线距缩小至 $ 15\mu\mathrm{m} $，倒逼激光直接成像（LDI）设备成像精度与对位精度要求提升； $ \textcircled{4} $成型环节：针对1.6T光模块等小面积复杂结构，CCD锣机等高精度成型设备成为刚需。技术升级带动设备单价与壁垒同步提升。

• 国产厂商突破技术壁垒，国产替代与批量交付正加速兑现。国内厂商已实现多环节技术突破，逐步进入头部客户供应链。 $ \textcircled{1} $大族数控：覆盖钻孔、曝光、成型全流程，超快激光钻孔机已在头部客户实现批量化生产，CCD锣机成为1.6T光模块成型的优质方案； $ \textcircled{2} $东威科技：mSAP移载式VCP及水平镀三合一设备量产领先，打破国外垄断。国产设备凭借产品性能、交付周期与本地化服务优势加速替代； $ \textcircled{3} $芯碁微装：作为PCB直写光刻龙头， MAS6P系列LDI设备解析能力达6/6 $ \mu\mathrm{m} $ ，生产效率领先国际同类产品； $ \textcircled{4} $洪田股份：通过收购东莞速远、控股洪镭光学，布局高端电镀与光刻环节，解决mSAP高孔径比多层板填孔工艺，可满足HDI及IC封装基板的mSAP工艺需求。

• 投资建议：推荐【大族数控】【东威科技】【芯碁微装】【洪田股份】。

• 风险提示：宏观经济波动风险，PCB工艺进展不及预期风险，算力服务器需求不及预期风险。



1. PCB载板化，mSAP工艺带来设备价值抬升

1. 设备：钻孔/电镀/LDI/成型均有受益

1. 风险提示

1.1受益于AI PCB硬件升级，mSAP工艺关注度提高


过往mSAP工艺主要应用于手机主板、BT载板领域。

1. 6T光模块对PCB性能要求提升，需要使用mSAP工艺。1.6T光模块采用 $ 8 \times 2 2 4 \mathrm {G b p s} $ PAM4通道设计，奈奎斯特频率高达56GHz，信号对插损、回波损耗、串扰及阻抗波动极度敏感，且OSFP-XD封装尺寸受限，需在有限空间内集成16-20层线路，线宽/线距需缩小至 $ 1 5 \mu \mathrm {m} / 1 5 \mu \mathrm {m} $ ，布线密度大幅提升。传统减成法蚀刻精度低、线路侧壁不规则，无法实现细线路和高阻抗稳定性，而 mSAP通过超薄种子铜层、图形电镀、闪蚀等流程，可实现陡直的线路侧壁和 $ \pm 1-2 \mu \mathrm {m} $ 的线宽公差，有效降低信号损耗，适配高密度互联需求。

• 面向未来，CoWoP工艺的渗透、NPO的渗透将进一步打开mSAP工艺的使用空间。

图：1.6T光模块PCB实物图


图：BT载板与ABF载板



1.1受益于AI PCB硬件升级，mSAP工艺关注度提高


CoWoP工艺要求最底层的PCB达到类载板级别的线宽线距。伴随封装技术的持续推进，CoWoP工艺（Chip-On-Wafer-On-PCB）提上产业化日程。相比于CoWoS工艺（Chip-On-Wafer-On-Substrate），CoWoP工艺省略了封装基板，因此对最底层的PCB提出了接近载板化的布线要求。线宽线距的缩小倒逼PCB厂使用mSAP工艺进行布线。

NPO工艺需要更精细的线路以提供更高的带宽。NPO（近封装光学）虽然将光引擎从交换机外的可插拔模块中搬到Switch ASIC旁，但实质上光引擎与ASIC仍共存于系统级PCB上，信号传输依靠PCB走线。伴随信号传输速率的不断提高，奈奎斯特频率越高/趋肤效应加剧，需要更高的铜表面质量。另外带宽需求的提高带动更密集的SerDes走线要求，需要进一步缩小线宽线距。需要使用mSAP工艺。

图：CoWoP工艺要求PCB达到类载板级别

类型

CoWoS

CoWoP

结构

HBM GPU/CPU

Interposer

Package Substrate

PCB

HBM GPU/CPU

Interposer

SLP

层次

芯片-硅基中介层-ABF载板-PCB

芯片-硅基中介层-类载板级别PCB

线宽线距

5-8μm(CoWoS-L)

8-12μm(CoWoS-R)

10-15μm(CoWoS-S)

15-20μm(CoWoP类载板)

工艺

ABF-SAP法

PCB-Tenting法

类载板级别PCB-mSAP法

图：近封装光学对PCB走线的要求提高

数据来源：智能计算芯世界，光芯，东吴证券研究所


1.2 PCB升级，从Tenting法到mSAP法再到SAP法


• 从Tenting法-mSAP法-SAP法，本质上是为了做出更加精密的线路。

• Tenting法为传统主流工艺。以12μm底铜的覆铜板为起点，经激光钻孔+除胶→水平电镀沉铜（1- 2μm）→VCP垂直电镀增厚→贴干膜→曝光显影（线路处干膜聚合）→蚀刻去铜→剥膜成型留下线路。核心逻辑为“全铜减去多余”，工艺成熟、成本低，但铜层越厚侧蚀越严重，线宽/间距 （L/S）极限约35μm，难以满足高密度互联需求。

• 现阶段主流的HDI、高多层（高频高速）等PCB主要都使用Tenting法进行加工。

图：Tenting法加工PCB流程


数据来源：元器件封装测试之友，东吴证券研究所

1.2 PCB升级，从Tenting法到mSAP法再到SAP法


• mSAP法为改良型半加成法。核心层的加工仍然为Tenting工艺，在增层上使用mSAP工艺。增层以 2 $ \mu\mathrm{m} $底铜的载体铜箔（种子层）为起点，经激光钻孔+除胶 $ \rightarrow $闪镀沉铜增厚（3-5 $ \mu\mathrm{m} $ ） $ \rightarrow $贴膜 $ \rightarrow $曝光显影（非线路处干膜聚合） $ \rightarrow $蚀刻去铜（非线路处的铜被去除掉） $ \rightarrow $VCP电镀增厚+填孔（使得线路与激光孔铜厚增加很多） $ \rightarrow $剥膜闪蚀（把被干膜覆盖的非线路部分种子层快速刻蚀掉，而线路上的铜晶格发生变化不会被刻蚀）。核心逻辑为“种子层薄易去除+VCP加成增厚出电路”，由于种子层较薄，因此可减轻侧蚀，线宽/间距极限约15 $ \mu\mathrm{m} $ ，初步满足高密度互联的需求。

• mSAP工艺主要应用在SLP（类载板）领域，如苹果手机主板、BT载板（存储）、1.6T光模块PCB，以及潜在使用的CoWoP工艺、NPO。

• SAP法为半加成法，与mSAP法有较大重叠度。SAP法从绝缘材料出发，需先压合ABF膜，后在 ABF膜上闪镀一层0.3-0.5 $ \mu\mathrm{m} $的铜层作为种子层。后续的流程与mSAP均相同。SAP法可将线宽线距缩小到 $ 1 5 \mu\mathrm{m} $以下。

• SAP工艺主要应用在ABF载板与玻璃基板领域。

图：mSAP法加工PCB流程









1.3 mSAP工艺下钻孔/曝光/电镀/成型环节均有受益


mSAP工艺对设备提出了更高的要求。

$ \textcircled{1} $曝光设备：线宽线距降低至 $ 1 5 \mu \mathrm{m} $，LDI设备需实现 $ \pm 0. 5 \mu \mathrm{m} $的成像精度和 $ \pm 1. 5 \mu \mathrm{m} $的对位精度，确保细线路图形的精准呈现，芯碁微装LDI设备已经实现 $ 1 5 \mu \mathrm{m} $线宽线距能力；另外洪镭光学也有对应设备布局（洪田股份子公司）。

$ \textcircled{2} $钻孔设备：孔径缩小至 50 $ \mu\mathrm{m} $左右，相比于CO2激光钻，超快激光钻加工小孔能力更强，成为更优的解决方案，大族数控目前已有成功案例（超快激光钻与头部客户均有接触，实现批量化）。

$ \textcircled{3} $电镀设备：需控制铜厚均匀性在 $ \pm 5\% $以内，保证线路分布均匀、无凹陷，东威科技已经实现 mSAP工艺VCP电镀设备（移载式VCP-红板、沪电）量产，另外水平三合一也拿到可观订单（沪电7条线）；另外东莞速远也有对应设备出货（洪田股份子公司）。

$ \textcircled{4} $成型设备：1.6T光模块PCB面积小结构复杂，对于分板成型提出更高需求，CCD锣机成为1.6T光模块PCB成型的优质方案，大族数控目前已有成功案例，与兴斐合作开发CCD锣机。

图：三孚新科mSAP工艺VCP电镀线


指标

参数

传动方式

框架式电镀挂具升降式

生产速度

0.3-0.8m/min

均匀性

20±1.5μm

板厚

Min:0.034 Max:2mm

通孔孔径

孔径Min:50μm AR比max:8:1

盲孔孔径

孔径Min:25μm AR比max:1.2:1

数据来源：三孚新科，东吴证券研究所



1. PCB载板化，mSAP工艺带来设备价值抬升

1. 设备：钻孔/电镀/LDI/成型均有受益

1. 风险提示

2.1 大族数控：PCB全流程设备龙头


公司2025年营收57.73亿元，同比+72.68%；归母净利润8.24亿元，同比+173.68%。主要系AI算力基础设施需求强劲，消费电子、汽车电子、工业控制等终端技术升级，高价值高多层板、高多层HDI板增长快速，PCB专用加工设备市场需求放大。2026年Q1公司实现营业收入19.55亿元，同比+103.69%，实现归母净利润3.23亿元，同比+176.53%。主要系AI算力中心需求强劲，新一代AI服务器、高速交换机及高速光模块等终端带动高附加值AIPCB市场规模增长及技术难度提升，对高技术附加值专用加工设备需求上升。

mSAP工艺相关设备：主要提供钻孔、图形转移（曝光）、成型、检测等关键环节的专用设备，核心为超快激光钻孔设备和激光直接成像（LDI）设备。超快激光钻孔机采用皮秒超快激光技术，适用于微小盲孔与通孔加工（最小可达 $ 3 0 \mu \mathrm{m} $），解决传统 $ \mathrm{C O}_{2} $激光加工质量问题及带玻纤材料微小孔加工瓶颈，满足M9、碳化硅、陶瓷等新材料的微孔加工需求。激光直接成像设备面向mSAP精细线路加工需求，最小线路解析能力可达 $ 1 5 / 1 5 \mu \mathrm{m} $ ，可完成高解析度与高效率的数字化曝光。

风险提示：AI算力建设及PCB扩产不及预期，技术迭代与新产品研发不及预期，下游行业景气度波动风险。

图：2020-2026Q1公司营业收入（亿元）


图：2020-2025分业务收入占比（%）

图：2020-2026Q1公司归母净利润（亿元）



图：2020-2026Q1公司毛利率与销售净利率（%）

数据来源：Wind，东吴证券研究所


2.2 东威科技：全球领先的精密电镀设备制造商


公司2025年营收10.98亿元，同比+46.45%；归母净利润1.21亿元，同比+74.58%。2026年Q1公司实现营业收入3.05亿元，同比 +44.47%，实现归母净利润0.44亿元，同比+160.59%，主要系公司PCB领域的电镀设备订单持续增长，带动公司整体业绩稳步提升。

mSAP工艺相关设备：聚焦核心电镀工序，主要包括MSAP移载式VCP设备、水平镀三合一设备、垂直连续电镀（VCP）设备、脉冲电镀设备。MSAP移载式VCP设备是精细线路加工的主力机型，最小线宽/线距可达 $ 8 / 8 \mu \mathrm{m} $ ，电镀均匀性偏差 $ \leq 3\% $ ，适配超薄载板；水平镀三合一设备实现了水平除胶渣、化学沉铜与电镀工艺的一体化集成，打破国外在水平电镀设备领域的垄断；垂直连续电镀 （VCP）设备用于mSAP中通孔和盲孔填孔电镀，解决高多层、HDI、类载板工艺中的深孔镀铜难题；脉冲电镀设备用于mSAP中高精度脉冲电镀，解决高阶PCB深孔镀铜、填孔难题，是提升MSAP产线良率的关键设备。

风险提示：PCB行业需求不及预期，电镀设备放量不及预期，行业竞争加剧及价格压力风险。

图：2020-2026Q1年公司营业收入（亿元）


图：2020-2025分业务收入占比（%）


图：2020-2026Q1公司归母净利润（亿元）


图：2020-2026Q1公司毛利率与销售净利率（%）

数据来源：Wind，东吴证券研究所


2.3芯甚微装：全球PCB直写光刻设备龙头


公司2025年营收14.08亿元，同比+47.61%；归母净利润2.9亿元，同比+80.42%，主要系公司积极布局海外市场，头部客户份额不断提升，丰富泛半导体产品矩阵。2026年Q1公司实现营业收入5.15亿元，同比+112.48%，实现归母净利润1.08亿元，同比 +108.98%，主要原因是高端PCB设备量价齐升、先进封装设备放量及产能释放三重驱动，叠加AI算力与先进封装的行业高景气。

mSAP工艺相关设备：核心为直写光刻（LDI）设备和阻焊直接成像（DI）设备，主打高精度直写光刻，满足mSAP超细线路需求。主要包括MAS6P线路系列和NEX30阻焊系列产品，MAS6P系列是全球头部PCB厂开展mSAP、高阶HDI、类载板SLP生产的主力机型，线宽线距解析能力达到 6/6 $ \mu\mathrm{m} $水平，生产效率较国际主流同类设备提升 50%以上。其高精度LDI设备能够支撑更细线路与更高层间对准精度，为CoWoP等下一代封装技术的产业化提供了关键设备基础。

风险提示：PCB客户扩产节奏低于预期，技术迭代及新产品研发进度滞后，行业竞争加剧风险。

图：2020-2026Q1公司营业收入（亿元）


图：2020-2025分业务收入占比（%）


图：2020-2026Q1公司归母净利润（亿元）


图：2020-2026Q1公司毛利率与销售净利率（%）


数据来源：Wind，东吴证券研究所

2.4洪田股份：子公司速远/洪镭光学布局VCP与LDI


公司2025年营收10.79亿元，同比-21.46%；归母净利润0.15亿元，同比-87.58%，主要系处置全资子公司道森机械和道森材料。 2026年Q1公司实现营业收入1.18亿元，同比-12.78%，实现归母净利润-0.16亿元，同比+36.55%，主要系子公司洪田科技收回客户贷款转回计提的信用减值损失所致。

mSAP工艺相关设备：主要集中在光刻与电镀环节，核心设备为VCP垂直连续电镀设备、直写光刻设备。公司通过收购东莞速远补齐高端电镀环节，垂直/升降式VCP适用于mSAP高阶工艺，完全解决高孔径比多层板填孔工艺；控股孙公司洪镭光学已推出多款微纳直写光刻设备，解析能力覆盖 $ 0. 5 \mu \mathrm{m} - 2 0 \mu \mathrm{m} $ ，可满足HDI及IC封装基板的mSAP工艺需求；提供 $ 2 \mu \mathrm{m} - 5 \mu \mathrm{m} $ 载体铜箔全套生产设备，满足mSAP工艺对超薄铜箔的需求。

风险提示：新业务拓展不及预期，收购整合与商誉减值风险，行业竞争加剧及价格压力风险。

图：2020-2026Q1年公司营业收入（亿元）


图：2020-2025分业务收入占比（%）


图：2020-2026Q1公司归母净利润（亿元）


数据来源：Wind，东吴证券研究所

图：2020-2026Q1公司毛利率与销售净利率（%）




1. PCB载板化，mSAP工艺带来设备价值抬升

1. 设备：钻孔/电镀/LDI/成型均有受益

1. 风险提示

3. 风险提示


• 宏观经济波动风险。若全球经济复苏不及预期或地缘政治环境恶化，可能抑制算力建设进展，进而影响产业链上游材料需求。

• PCB工艺进展不及预期风险。若算力服务器迭代进展不及预期，则PCB升级节奏可能放缓，可能影响材料端扩产进展。

算力服务器需求不及预期风险。若AI产业发展低于预期，云厂商资本开支放缓，将影响高算力服务器用PCB扩产，进而影响材料端扩产意愿。

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投资评级基于分析师对报告发布日后6至12个月内行业或公司回报潜力相对基准表现的预期（A股市场基准为沪深300指数，香港市场基准为恒生指数，美国市场基准为标普 500指数，新三板基准指数为三板成指（针对协议转让标的）或三板做市指数（针对做市转让标的），北交所基准指数为北证50指数），具体如下：

公司投资评级：

买入：预期未来6个月个股涨跌幅相对基准在 15%以上；

增持：预期未来6个月个股涨跌幅相对基准介于 5%与 15%之间；

中性：预期未来6个月个股涨跌幅相对基准介于-5%与 5%之间；

减持：预期未来6个月个股涨跌幅相对基准介于-15%与-5%之间；

卖出：预期未来6个月个股涨跌幅相对基准在-15%以下。

行业投资评级：

增持：预期未来6个月内，行业指数相对强于基准 $5\%$ 以上；

中性：预期未来6个月内，行业指数相对基准-5%与 5%；

减持：预期未来6个月内，行业指数相对弱于基准 $5\%$ 以上。

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