长川科技（300604）

盈利预测与估值

2024A

2025A

2026E

2027E

2028E

营业总收入(百万元)

3,642

5,292

8,657

11,330

13,964

同比(%)

105.15

45.31

63.60

30.88

23.24

归母净利润(百万元)

458.43

1,331.38

2,151.04

3,042.12

4,153.59

同比(%)

915.14

190.42

61.56

41.43

36.54

EPS-最新摊薄(元/股)

0.72

2.10

3.39

4.80

6.55

P/E(现价&最新摊薄)

308.77

106.32

65.81

46.53

34.08

AI算力芯片放量，SoC测试机进入量价齐升周期。AI/HPC芯片向先进制程、Chiplet及先进封装持续演进，测试步骤和测试时长显著增加。全球SoC测试机市场规模预计由2023年的33亿美元增长至2026年的91亿美元， 2023-2026E CAGR达 40%。

国产算力崛起带动国内SoC测试需求快速提升。当前海外SoC测试需求已以AI芯片为主，而国内仍以手机芯片为主。随着华为昇腾、寒武纪、海光等国产算力芯片持续放量，中国AI芯片测试需求占比有望快速提升，带动国产测试设备需求增长。

国产SoC测试机龙头，看好公司份额持续提升&存储测试机第二曲线

买入（维持）

投资要点

HBM推动存储测试机进入新周期。HBM采用多层DRAM堆叠及TSV结构，新增KGSD、TSV、CoW等测试环节，测试复杂度显著提升。随着AI训练卡对HBM需求快速增长，存储测试机迎来需求扩张与技术升级双重驱动。

投资建议：我们基本维持公司2026-2028年归母净利润分别为21.5/30.4/41.5 （原值22.8/31.2/42.3）亿元，2026-2028年当前股价对应动态PE分别为 66/47/34倍；公司的SoC测试设备和存储测试设备技术国内领先，未来将受益于半导体测试领域国产化进程的不断推进，综合来看成长性较为突出，维持“买入”评级。

自主可控趋势强化，测试机国产替代空间广阔。全球测试机市场长期由爱德万和泰瑞达主导，其中爱德万市占率达 65%。美国持续升级半导体限制叠加中日关系变化，自主可控重要性进一步提升。按2025年市场测算，仅测试机领域国产替代空间即超过百亿元。

风险提示：封测设备需求不及预期，技术研发不及预期，行业竞争加剧。

先进封装扩产带来测试设备增量需求。盛合晶微、长电科技、通富微电、华天科技等头部封测厂持续扩张先进封装产能。测试机通常为封测厂资本开支占比最高设备之一，先进封装扩产将持续拉动测试设备需求增长。

2026年06月15日

证券分析师 周尔双

执业证书：S0600515110002

021-60199784

zhouersh@dwzq.com.cn

证券分析师 李文意

执业证书：S0600524080005

liwenyi@dwzq.com.cn

股价走势


市场数据

收盘价(元)

223.12

一年最低/最高价

40.60/258.68

市净率(倍)

27.79

流通A股市值(百万元)

109,210.87

总市值(百万元)

141,551.48

基础数据

每股净资产(元,LF)

8.03

资产负债率(%，LF)

49.42

总股本(百万股)

634.42

流通A股(百万股)

489.47

相关研究

《长川科技（300604）：2025年报&2026一季报点评：业绩持续高增，充分受益国产替代加速&封测厂扩产》

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《长川科技（300604）：盛合晶微核心设备供应商、看好去日化公司份额持续提升》

2026-03-06


内容目录

1. 逻辑一：AI带动SoC测试机用量及单机价值量提升，测试时间变长、机台价格提升 ...5

1. 逻辑二：外部环境不确定性提升，国产设备替代进程有望加快 ...11

1. 逻辑三：国内主流封测厂积极扩产，测试机占比最高 ...12

1. 逻辑四：存储测试机国产化率低，HBM带来设备难度提升&CP测试大幅增长 ...16

1. 逻辑五：从英伟达&爱德万看测试设备龙头成长路径 ...23

1. 盈利预测与投资建议 ...29

1. 风险提示 ...31


图表目录

图 1: SEMI 预测 2026-2027 全球半导体设备市场分别达 1456/1561 亿美元...5

图 2: 2025 年后道测试设备价值量约占半导体设备总额的 9%（单位：亿美元）...5

图 3: 全球 SoC 测试机和存储测试机市场规模自 2023 年后回暖，总市场规模 2023-2026E 年均复合增速高达 38%...6

图 4: 2018 年 SoC 测试机市占率仅 23%...6

图 5: 2025 年 SoC 测试机市占率提升至 63.14%...6

图 6: 2025 年海外的 SoC 测试机市场下游应用以 AI 芯片为主，占比 40%...7

图 7: 2025 年国内的 SoC 测试机市场下游应用以手机芯片为主，占比 40%...7

图 8: 2025 年中国大陆 SoC 测试系统市场在全球占比约 25%...7

图 9: 据 IDC 预测，我国加速服务器 2029 年出货量预计增长至 272 万台，规模持续增长...8

图 10: 国产 GPU 出货量自 2023 年以来持续增长，国产先进逻辑加速放量...8

图 11: 国内算力芯片厂商积极布局 CPU、GPU，下游应用覆盖广泛...8

图 12: 推动 HPC/AI 测试量增长的结构性因素...9

图 13: 复杂芯片加速放量，带动测试量显著提升...10

图 14: 2010s 的测试流程相对简单...10

图 15: 2020s 测试流程更加复杂（标红处为 2020 年代新增 ATE 测试）...11

图 16: 半导体设备去日化标的梳理...12

图 17: 盛合晶微原有产线+此次募投项目产线...13

图 18: 2025 年 1-6 月盛合晶微采购设备中占比最高的是测试机...13

图 19: 2024 年盛合晶微采购设备中占比最高的是测试机...13

图 20: 2023 年盛合晶微采购设备中占比最高的是测试机...14

图 21: 2022 年盛合晶微采购设备中占比最高的是测试机...14

图 22: 2026 年通富微电定向增发项目投入明细，其中绝大多数募集资金用于设备购置...14

图 23: 伟测科技 2026 年可转债募资设备投资明细，其中测试机投入占比超 80%...15

图 24: 国内头部封测厂商先进封装布局与项目投入情况...15

图 25: 相比 SoC 测试机，存储测试机更强调高 UPH 和低成本...16

图 26: 以爱德万 T5830 系列为例，并行测试能力高达 2304site（晶圆测试）/768site（成品测试）...17

图 27: 相比 SoC 测试机，存储测试机 CP 环节与 FT 环节差异大...18

图 28: DRAM 的测试难度大于 NAND...18

图 29: HBM 市场有望以远超 DRAM 市场的速度扩张（单位：亿美元）...19

图 30: HBM 预计将在存储芯片复苏进程中不断提升占有率...19

图 31: HBM 内部堆叠及封装结构...20

图 32: HBM 与传统 DRAM 测试流程区别...20

图 33: HBM 存储测试工艺复杂度和难度大幅提升...21

图 34: 爱德万主要产品，覆盖存储/非存储测试机和分选机...23

图 35: 爱德万成长路径...23

图 36: 爱德万测试系统产品主要涵盖晶圆测试和封装测试环节，下游客户覆盖半导体研发制造全流程...24

图 37: 爱德万在 SoC/存储测试领域市占率逐年增长，2025 年整体市占率已提升至 65%...25

图 38: 爱德万的产品迭代&与英伟达的合作...25


图 39: 2025 财年 SoC 检测占总营业收入 68%（单位：亿美元） ...26

图 40: 2025 财年中国大陆、中国台湾、韩国三地合计占比达 85%（单位：亿美元） ...26

图 41: 2025 财年实现营收 72.04 亿美元，同比+44.93% ...26

图 42: 2025 财年实现净利润 23.96 亿美元，同比+64.74% ...26

图 43: 2025 财年毛利率为 64.34%，净利率为 33.26% ...27

图 44: 2009-2025 财年泰瑞达和爱德万研发投入及占比 ...27

图 45: V93000 可扩展平台 ...28

图 46: V93000 可扩展构建块 ...28

图 47: 长川主要产品 ...29

图 48: 公司分业务收入预测（百万元） ...30

图 49: 可比公司估值表（截至 2026/6/12） ...30


1. 逻辑一：AI带动SoC测试机用量及单机价值量提升，测试时间变长、机台价格提升

2025年全球半导体设备支出预计创历史新高。据SEMI数据，2025年全球半导体设备销售额达1333亿美元，同比增长 13.7%，创历史新高；2026/2027年有望进一步升至1456/1561亿美元。增长动能主要来自人工智能相关投资，覆盖先进逻辑、存储及先进封装等关键领域。

图1：SEMI预测2026-2027全球半导体设备市场分别达1456/1561亿美元


数据来源：SEMI，东吴证券研究所

2025年半导体设备市场中，封测环节检测设备价值量占比达 9.1%，市场规模约121亿美元。

图2：2025年后道测试设备价值量约占半导体设备总额的 9% （单位：亿美元）


数据来源：SEMI，东吴证券研究所


我们认为随着AI芯片需求持续放量，SoC测试机、存储测试机市场持续放量。根据爱德万统计，全球SoC测试机/存储测试机市场规模在2025年分别达69/21亿美元，预计2026年将分别提升至91/24.5亿美元，总市场规模在2023-2026E期间CAGR高达 38%，测试机市场随AI需求带动规模不断扩张。

图3：全球 SoC测试机和存储测试机市场规模自2023年后回暖，总市场规模2023-2026E年均复合增速高达 38%


数据来源：爱德万年报，东吴证券研究所

SoC测试机和存储测试机占据了测试机市场的半壁江山；随着AI技术的兴起，SoC测试机的市场占有率逐渐增加。根据SEMI的数据，2025年全球半导体测试机市场中， SoC测试机的市占率约为 63% ，相较于2018年的 23%显著提升了40pct；存储测试机的市占率约为 16% ，模拟混合测试机约为 14% ，而射频模拟测试机的占比最小，约为 1%。我们认为随着AI芯片需求持续放量，SoC测试机、存储测试机市场占比进一步提高。

图4：2018年SoC测试机市占率仅 23%


数据来源：SEMI，东吴证券研究所

图5：2025年SoC测试机市占率提升至 63.14%


数据来源：SEMI，东吴证券研究所


具体细分看SoC测试机市场的下游，国内外有比较大的差距，国外下游以AI芯片测试为主，而国内由于AI芯片发展较慢，仍以手机芯片测试为主。2025年，全球市场 AI/HPC芯片已占SoC测试机需求的 35%-40%，而中国市场仅为 17%；中国市场手机 SoC占比约 40%，远高于全球的 30%-35%。

我们认为未来随着国产算力快速发展，中国市场AI芯片测试需求占比有望提升至 25%-30%。

图6：2025年海外的SoC测试机市场下游应用以AI芯片为主，占比 40%


数据来源：SEMI，东吴证券研究所

图7：2025年国内的SoC测试机市场下游应用以手机芯片为主，占比 40%


数据来源：SEMI，东吴证券研究所

图8：2025年中国大陆SoC测试系统市场在全球占比约 25%


数据来源：爱德万，华峰测控，东吴证券研究所

受生成式人工智能需求强力驱动，中国加速服务器市场正迎来爆发式增长。据IDC统计，2024年市场规模达221亿美元，同比大增 134.0%；2025年上半年市场规模达160亿美元，全年出货量预计同比增长 56.3%至98.5万台。据IDC预测，2029年中国加速服务器出货量预计将达272万台，市场规模超1400亿美元，长期增长空间广阔。


国产先进逻辑加速芯片正迎来关键放量期，国产算力芯片出货量持续攀升。华为昇腾出货量由2022年的10.9万张增长至2025年的81.2万张；寒武纪自2023年国内流片以来整体保持增长态势，2025年出货量达11.7万张；海光信息2025年出货量约8.25万张。我们认为国产算力芯片出货量持续攀升标志着国产先进逻辑加速放量进入新阶段，将带动国内算力芯片产业持续放量。

图9：据IDC预测，我国加速服务器2029年出货量预计增长至272万台，规模持续增长


数据来源：IDC，各公司官网，东吴证券研究所

图10：国产GPU出货量自2023年以来持续增长，国产先进逻辑加速放量


数据来源：IDC，各公司官网，东吴证券研究所

国产算力芯片企业积极布局CPU、GPU。国产算力领域的主要玩家包括海光信息、华为、摩尔线程、沐曦股份与寒武纪。其中，海光信息布局CPU、DCU产品，华为聚焦 CPU，摩尔线程、沐曦股份聚焦 GPU，寒武纪主攻人工智能通用芯片。以上厂商均采用 Fabless形式运营，将晶圆流片、加工、封测等业务交由下游对应厂商代工。

下游应用场景和客户覆盖广泛。国产算力芯片厂商下游应用领域覆盖广，包含通用服务器、云计算、科研政务等基础算力场景，也延伸至AI训练推理、大模型支撑、智能制造、低空经济、金融风控等领域；下游客户涵盖服务器厂商、云服务商、运营商、教科研机构及政府部门等。

图11：国内算力芯片厂商积极布局CPU、GPU，下游应用覆盖广泛

公司

产品矩阵

下游应用

下游客户

海光信息

CPU、DCU(海光协处理器)

复杂逻辑计算等通用处理器应用场景，广泛应用于高端通用服务器和日常中低端服务器

国内头部服务器厂商、银行、互联网厂商、政府部门等

华为

CPU

通用计算、AI计算，覆盖智算中心、智能制造、智能交通、医疗影像、金融风控等领域，支撑大模型训练与行业智能化升级

国内头部服务器厂商、云计算厂商、电信运营商等，如四川长虹、清华同方等

摩尔线程

GPU

云计算、科研、政务、低空经济、互联网、游戏等核心计算加速场景

科创平台、云服务厂商和运营商、互联网企业及个人消费者等


沐曦股份

GPU

人工智能训练和推理、通用计算(包括科学计算)与图形渲染领域

教科研、金融、大文娱等六大领域；具身智能、低空经济；国家人工智能公共算力平台等算力基础设施场景

寒武纪

人工智能通用芯片

多模态人工智能任务，兼顾智能制造、智能教育、智慧金融、智能家居、智慧医疗、智慧互联网等“智能+”产业。

大模型算法公司、服务器厂商、人工智能应用公司

数据来源：各公司公告，东吴证券研究所

AI/HPC芯片的高集成度、高稳定性要求以及先进制程特性，导致测试量与测试时间显著增加，从而推动了对SoC测试机的需求增加：（1）AI/HPC芯片步入先进制程：更低的制程（如4nm）使得芯片能够在相同面积上集成更多被测晶体管，例如英伟达最新的BlackwellGPU（4nm工艺）集成了超过2080亿个晶体管；（2）结构复杂性提升：从FinFET转向更复杂的GAA结构，并在2nm制程下即将采用的CFET技术引入了新的失效节点；（3）Chiplet设计：现代HPC/AI芯片广泛采用Chiplet架构，即将多个小芯片集成在一起。这不仅需要在封装前单独测试每个Chiplet的性能（DieLevelTest），还需要验证其在封装后的协同工作能力；（4）先进封装：2.5D-3D芯片中包含的裸片数量增多、晶体管数量伴随增加，并可能引入新的故障模型，因此需要在封装前对每一个单独裸片进行测试；（5）AI/HPC芯片对良率更高：算力中心对芯片良率要求更高，由于一个卡组故障就会导致算力损失。

图12：推动HPC/AI测试量增长的结构性因素

推动HPC/AI测试量增长的结构性因素


数据来源：爱德万，东吴证券研究所

AI时代测试重要性显著提升，设备需求加速放量。 $ \textcircled{1} $芯片需求放量：下游芯片在数据中心、物联网、车规等多领域加速渗透，应用场景拓展带动芯片生产规模持续放量。


$ \textcircled{2} $芯片复杂度提升：制程微缩与先进封装技术推动晶体管数量、集成度大幅提升，叠加芯片向更高速度、更低功耗演进，共同带来测试量增长与测试环节增多。 $ \textcircled{3} $芯片稳定性要求提升：算力&IOT等高可靠应用场景对芯片可靠性与质量的要求持续升级，带动测试需求进一步增加。

图13：复杂芯片加速放量，带动测试量显著提升


数据来源：爱德万，东吴证券研究所

2010s的测试流程相对简单，测试量较少。由于此时集成电路的复杂度相对较低，晶体管的数量和种类较少，所以测试的需求和复杂性都相对较低。同时由于测试技术的限制和简单的芯片设计，所以前道和后道的测试量大致相当。

这一时期芯片仅需进行三种类型测试：（1）晶圆端测试的扫描测试；（2）最终测试的扫描测试；（3）系统级测试中的任务模式测试。

图14：2010s的测试流程相对简单


数据来源：爱德万，东吴证券研究所


2020年以来，随着芯片复杂性与性能要求提高，ATE测试量不断增加，带动SoC测试机需求激增：（1）晶圆端：由于晶体管数量的增加以及新的故障模型的出现，晶圆端在原有扫描测试基础上新增了额外的晶体管与故障模型测试；（2）裸片测试：为了确保切片处理后，没有给芯片引入新的缺陷或影响其性能，因此新增了裸片测试；（3）终测：随着2.5D-3D芯片中裸片数量的增加、晶体管数量的上升以及新故障模型的引入，新增了针对多裸片、故障模型及晶体管的测试。

图15：2020s测试流程更加复杂（标红处为2020年代新增ATE测试）


数据来源：爱德万，东吴证券研究所

长川科技作为国内领先的SoC测试设备厂商，正积极布局高端算力芯片测试市场。公司D9000系列数字测试机采用平台化架构设计，可支持超过2000个数字通道、最高 1.6Gbps测试速率，具备覆盖高端SoC及计算类芯片测试需求的能力，并持续推进国内高端芯片客户验证与导入。随着国产算力芯片出货规模快速增长，AI芯片高PinCount、复杂封装及长测试时长等特征将显著提升测试设备需求和单机价值量，高端SoC测试机市场有望持续扩容，公司作为国内少数具备高端SoC测试机研发能力的厂商，有望受益于行业景气提升及国产替代趋势。

2. 逻辑二：外部环境不确定性提升，国产设备替代进程有望加快

外部不确定性阶段性上升背景下，半导体测试机国产替代有望进一步加速。前期日本政治周期变化带来一定外部环境波动，叠加近期中国驻外机构对赴日安全风险的提示，相关因素或阶段性提升产业链跨境合作的不确定性。在此背景下，半导体设备领域的供应链安全与自主可控需求进一步凸显，国产设备在关键环节的导入节奏有望加快。日本半导体设备龙头主要集中于测试机（爱德万）、涂胶显影设备（东京电子TEL）、切磨


抛设备（DISCO）、清洗设备（DNS）等，我们认为利好相对应的国产设备商如测试机龙头长川、华峰，涂胶显影设备龙头芯源微，切磨抛设备龙头迈为，清洗设备龙头盛美等。

国产替代空间来看，测试机与涂胶显影弹性最大。按照2025年国内市场空间测算，在2025年日系厂商国内市占率假设下，测试机、涂胶显影、清洗、切磨抛及量检测等日本企业优势环节去日化市场空间合计约380亿元，其中，涂胶显影设备替代空间最大，约124亿元；测试机替代空间约108亿元，为第二大替代方向。

图16：半导体设备去日化标的梳理

设备种类

日本公司

2025年日本公司国内市占率

国内对标公司

2025年国内市场规模(亿元)

去日化市场空间(亿元)

测试机(ATE)

Advantest

60%

长川科技、华峰测控、联动科技、精智达、联讯仪器

180

108

涂胶显影设备(Track)

Tokyo Electron(TEL)、SCREEN

95%

芯源微

130

124

量检测设备(Metrology/Inspection)

Lasertec、Hitachi

25%

中科飞测、精测电子、新凯来、天准科技

330

83

清洗设备(Wetclean)

SCREEN、TEL

30%

盛美上海(ACM)、北方华创、芯源微、至纯科技

200

60

切磨抛设备(Dicing/Grind/Polish)

DISCO

50%

迈为股份、光力科技、华海清科

45

23

分选机

Advantest

20%

长川科技、金海通

90

18

数据来源：爱德万，东吴证券研究所

长川科技是半导体测试设备国产化的核心受益者。全球SoC测试机和存储测试机市场长期由爱德万（2025年市占率 65%）和泰瑞达垄断。在美国"零美国技术容忍"管制及中日供应链风险上升背景下，头部客户已加速测试设备国产化替代。长川科技是国内少数具备高端SoC测试机量产能力的企业，有望持续替代爱德万份额。

3. 逻辑三：国内主流封测厂积极扩产，测试机占比最高

盛合晶微在2023年之前，没有任何规模化的2.5D/3D先进封装量产产能，仅有的是实验室研发线、小批量试产线，无法承接大客户的大规模量产订单。公司所有能用于算力芯片量产的高端封装产能，100%都来自本次IPO的这两个募投项目。根据公司


招股说明书，公司预计26年底将达成2万片/月产能的规划，已经预留了后续进一步扩产的规划空间，以匹配未来持续爆发的AI芯片封装需求。

图17：盛合晶微原有产线+此次募投项目产线

产线

项目名称

投资强度

投资内容

已建产线

12英寸晶圆凸块制造(Bumping)及晶圆测试(CP)

约3.3亿美元(公司设立注册资本)

中国大陆首条12英寸高端芯片凸块制造及晶圆测试产线，具备月产2万片12英寸晶圆凸块加工及配套CP测试能力，覆盖28nm、14nm等先进制程节点

12英寸中段硅片制造和三维多芯片集成封装(J2B项目)

16亿美元

建设12英寸中段硅片加工及三维多芯片集成封装产线，2023年7月厂房启用并转入生产运营，产能逐步爬坡中

本次募投项目

三维多芯片集成封装

84亿元

新建一条晶圆级封测生产线，设计产能为凸块工艺加工8万片/月，三维多芯片集成封装1.6万片/月

超高密度互联三维多芯片集成封装

30亿元

新增月产4000片12英寸超高密度互联三维多芯片集成封装产品的生产能力

数据来源：公司公告，东吴证券研究所

2025年1-6月盛合晶微采购的前五大设备为测试机（53%）、固晶机（14%）、检测机（5%）、研磨机（4%）、清洗机（3%）。测试机台平均采购价格为290-460万元/台之间，整体呈上升趋势，主要系伴随公司测试业务持续发展，配套采购更为高端的测试机台。其余关键设备采购价格：固晶机平均采购价格为450-1000万元/台之间；检测机平均采购价格为530万元/台-600万元/台之间；研磨机平均采购价格为450-1000万元/台之间；清洗机平均采购价格为330-390万元/台。

图18：2025年1-6月盛合晶微采购设备中占比最高的是测试机

采购设备类型

采购金额(亿元)

占比

1

测试机

7.78

53.54%

2

固晶机

2.06

14.15%

3

检测机

0.74

5.13%

4

研磨机

0.60

4.12%

5

清洗机

0.43

2.96%

数据来源：公司公告，东吴证券研究所

图19：2024年盛合晶微采购设备中占比最高的是测试机

采购设备类型

采购金额(亿元)

占比

1

测试机

8.17

28.53%

2

检测机

1.48

5.18%

3

光刻机

1.41

4.92%

4

清洗机

1.10

3.83%

5

显微镜

1.02

3.58%

数据来源：公司公告，东吴证券研究所


图20：2023年盛合晶微采购设备中占比最高的是测试机

采购设备类型

采购金额(亿元)

占比

1

测试机

7.10

21.31%

2

检测机

3.49

10.46%

3

电镀机

2.72

8.14%

4

金属溅射机

0.98

2.94%

5

清洗机

0.93

2.75%

数据来源：公司公告，东吴证券研究所

图21：2022年盛合晶微采购设备中占比最高的是测试机

采购设备类型

采购金额(亿元)

占比

1

测试机

3.32

19.94%

2

电镀机

1.48

8.87%

3

检测机

1.22

7.30%

4

切割机

0.82

4.92%

5

清洗机

0.72

4.30%

数据来源：公司公告，东吴证券研究所

通富微电积极募资扩产，伟测科技12.7亿元募投项目中测试机投入占比超 80%。

(1) 通富微电：于2026年4月1日发布定向增发募资公告，总募资额约42.2亿元，主要用于存储芯片、车载芯片、晶圆级封测和高性能计算及通信领域封测产能提升项目，其中，用于设备购置的投资额达31.8亿元；

图22：2026年通富微电定向增发项目投入明细，其中绝大多数募集资金用于设备购置

项目

项目投资总额(亿元)

拟使用募集资金投入(亿元)

设备购置费用(亿元)

设备费用占比(%)

存储芯片封测产能提升项目

8.88

8

8.02

90%

汽车等新兴应用领域封测产能提升项目

11

10.55

10.55

96%

晶圆级封测产能提升项目

7.43

6.95

6.99

94%

高性能计算及通信领域封测产能提升项目

7.24

6.2

6.24

86%

合计

34.55

31.7

31.8

92%

数据来源：爱德万，东吴证券研究所

(2) 伟测科技：于2026年5月8日发布公告向不特定对象发行可转债募集资金，募资总额约11.75亿元，主要服务于无锡集成电路测试基地、集成电路芯片晶圆级及成品测试基地项目建设。其中，两项目的预计设备购置费用合计约12.7亿元，测试机购置费用约10.2亿元，占比超 80%。


图23：伟测科技2026年可转债募资设备投资明细，其中测试机投入占比超 80%

合计

数量(台)

金额(亿元)

占比(%)

测试机

190

10.2

80%

探针台

100

0.9

7%

分选机

90

1.1

9%

其他设备

30

0.5

4%

合计

410

12.7

100%

数据来源：爱德万，东吴证券研究所

国内长电、通富、华天三大封测龙头同样加速布局先进封装产能，长电科技投入力度最为突出。（1）长电科技：于2025年9月宣布投资50.8亿元建设高密度三维系统集成电路高端制造项目，计划年新增产能110亿颗，建立覆盖Chiplet、HBM、2.5D/3D集成及Fan-Out的全技术平台，其子公司长电微已实现高端先进封装量产，处于产能爬坡期，未来将继续在先进封装领域加大投入，覆盖主流技术路线；（2）通富微电：于2026年1月正式公告项目建设计划，将在存储芯片封测项目拟投入超8亿元，年新增封测产能84.96万片，在先进封装领域投资总额超34亿元。子公司通富超威苏州新基地已批量生产高端先进封测产品，公司还大力开发扇出、圆片级、倒装、Chiplet等先进封装技术；

(3) 华天科技：于2025年4月起宣布投入超30亿元建设存储、射频及车规级芯片等一系列先进封装建设项目，公司还设立注册资本20亿元的南京华天先进封装有限公司，以2.5D/3D封装为主营方向。

图24：国内头部封测厂商先进封装布局与项目投入情况

公司

技术覆盖

事项名称

投资金额

投资总额

新增产能

项目建设期

长电科技

Chiplet、HBM、2.5D/3D集成及Fan-Out全技术平台

高密度三维系统集成电路高端制造项目

50.8亿元

50.8亿元

年产高密度三维系统级集成电路110亿颗

6年

通富微电

扇出、圆片级、倒装、Chiplet等先进封装技术

存储芯片封测产能提升项目

88837.47万元

34.56亿元

年新增存储芯片封测产能84.96万片

3年

汽车等新型应用领域封测产能提升项目

109955.80万元

年新增汽车等新型应用领域封测产能50400万块

3年

晶圆级封测产能提升项目

74330.26万元

年新增晶圆级封测产能31.20万片

3年


高性能计算及通信领域封测产能提升项目

72430.77万元

年新增相关封测产能48000万块

3年

华天科技

2.5D/3D封装；FOPLP（盘古半导体）

存储及射频类集成电路封测产业化扩产项目

130000万元

30.45亿元

年新增存储及射频类集成电路10亿只

3年

车规级芯片先进封测技术攻关及生产线升级改造项目

100000万元

新增车规级芯片年封装测试约11.88亿颗

未披露

高速光通信信号处理芯片封装测试技术改造

74506万元

年新增SIP封装测试能力2.5亿只

未披露

数据来源：各公司公告，东吴证券研究所

长川科技深度绑定国内头部封测厂，充分受益于扩产红利。公司是国内封测厂测试设备的核心供应商，产品已进入长电科技、通富微电、华天科技等龙头企业的供应链体系。盛合晶微2025年1-6月设备采购中测试机占比达 53.54%（7.78亿元），为占比最高的设备类型，且测试机台单价呈上升趋势，反映其向更高端测试机台的升级需求。公司D9000系列数字测试机最高支持超过2000个数字通道，可满足Chiplet架构高pincount的测试需求，有望受益于盛合晶微等客户先进封装产线的扩产。

4. 逻辑四：存储测试机国产化率低，HBM带来设备难度提升&CP测试大幅增长

存储测试机与SoC测试机的差异本质源于被测对象架构不同。存储芯片（DRAM、 NAND）以重复存储单元阵列为主，结构标准化，测试重点集中于读写功能、时序窗口、数据保持及坏点筛查；而SoC芯片集成数字、模拟及高速接口等多类异构模块，测试需覆盖更复杂的系统级功能验证。因此，存储测试机主要服务标准化海量产品，更强调高并行、高吞吐和成本效率；SoC测试机则更强调测试覆盖能力和资源灵活性。

图25：相比 SoC测试机，存储测试机更强调高 UPH和低成本

对比维度

存储测试机

SoC测试机

被测对象

标准化存储阵列(DRAM/NAND)

异构复杂逻辑系统

核心目标

高UPH、低Cost of Test

高覆盖率、高精度

架构特点

高并行site

灵活资源配置

技术难点

高并发下稳定性、一致性

高精度与复杂协同

通道数(Channel)

数千至上万通道(通常2,000~16,000+)

数百至数千通道(通常128~2,048)


引线针脚数量(Pin Count)

单颗芯片针脚较少，一般几十至数百Pin

单颗芯片针脚多，可达数百至数千Pin

测试速度(Test Time)

极短，通常毫秒级~数秒级，追求高UPH

较长，通常数十秒至数分钟

数据来源：爱德万，东吴证券研究所

存储测试机的核心指标在于UPH和Cost of Test。由于存储芯片出货量大、单颗价值量低，设备需通过大规模并行site提升吞吐、摊薄测试成本。相较SoC测试机更关注复杂功能覆盖，存储测试机的核心挑战在于高并行条件下保持稳定性与一致性，包括保障各site测试结果一致、降低误测漏测，并支撑长时间连续运行以维持高稼动率。整体来看，其技术壁垒主要体现在极致效率要求下的高稳定性控制。

图26：以爱德万T5830系列为例，并行测试能力高达2304site（晶圆测试）/768site（成品测试）


指标

参数（T5830/T5830ES存储测试机）

目标器件

NOR Flash、NAND Flash

并行测试能力

晶圆测试：2,304 site（4-pin）；

成品测试：768 site

测试速率

最高800Mbps

数据来源：爱德万，东吴证券研究所整理

SoC测试机的CP与FT差异小，同一平台可灵活切换。SoC芯片的CP与FT均聚焦于逻辑功能正确性的筛选，测试目的高度一致，差异主要体现在测试深度（CP做基础连接与DC参数扫描，FT做全面功能验证），而非测试逻辑本身。因此，SoC测试机一般可在同一平台架构下，通过更换探针卡/负载板及测试程序，简单切换CP与FT模式，硬件配置差异较小。

存储测试机的CP与FT差异大，通常配置专用机型。由于存储阵列标准化、单颗价值量低，CP阶段不仅承担坏块筛选，更需完成冗余修复（MRA）的前置分析，且以极高并行度摊薄成本；FT阶段则转向高速性能验证与可靠性终检。CP与FT在并行度、测试速率、功能模块上的差异显著，因此存储测试机通常在同一平台系列下配置为CP专用或FT专用机型，形成"CP筛选+Repair修复+FT验证"的专用测试链。


图27：相比SoC测试机，存储测试机CP环节与FT环节差异大

SoC(系统级芯片)

存储芯片(DRAM/NAND Flash)

CP测试核心目的

筛选(Screening):1)监控前道工艺良率;2)筛除明显不合格裸片,避免浪费封装成本;3)基础DC参数与功能扫描(常温、低功率、放宽limit)

筛选+修复(Screening+Repair):1)全测+冗余分析(MRA),生成RepairAddress;2)激光修复(Laser Repair)的前置步骤;3)基本连接与低速数字测试;4)超高并行测试

FT测试核心目的

终检(Final Inspection):1)全面功能、性能与可靠性验证(高低温、老化、AC时序);2)检测封装过程引入的新失效

终检(Final Inspection):1)检测封装引入的新失效;2)高速性能验证(速度显著高于CP);3)全面功能与可靠性终检;4)坏片直接报废(无法修复)

CP与FT的本质关系

1)两者都是"筛选",职能高度重叠;2)差异仅为测试深度(初步筛查vs严格终检);3)无修复机制,测试向量类型一致

两者职能本质不同1)CP是修复中心(决定芯片能否救回),FT是终检中心(仅判定Pass/Fail);2)速度差异显著(CP低速vsFT高速)

数据来源：semiengineering，东吴证券研究所

存储测试机整体可分为晶圆测试（CP）与成品测试（FT）两大环节，测试复杂度主要取决于器件架构及性能要求。相较SoC测试主要关注逻辑功能正确性，存储测试更聚焦阵列一致性、坏块筛选、冗余修复以及长期可靠性验证，因此形成了“CP筛选+Repair修复+FT验证”的专用测试链。其中DRAM由于对高速时序精度和稳定性要求极高，通常采用多轮CP及分段式FT；而NAND依赖片上自测试及ECC纠错机制，测试流程相对简化，设备要求和单价均显著低于DRAM。

DRAM与NAND测试差异主要体现在：（1）CP阶段：DRAM通常需经历CP1、 Repair及CP2多轮测试，对ATE精度和并发能力要求较高；NAND更多依赖片上BIST （Built-In Self-Test，自测试电路）完成检测，外部测试复杂度较低。（2）FT阶段：DRAM一般拆分为高速、低速及老化三道工序，而NAND通常单一综合FT即可完成。此外， DRAM为实时高速访问型存储，对bit error漂移及温漂敏感，因此需额外强化老化和稳定性验证；NAND具备ECC纠错及坏块管理机制，系统层容错能力更强，对测试设备精度依赖相对较弱。

图28：DRAM的测试难度大于NAND

阶段

DRAM流程

NAND流程

差异原因解释

Wafer Sort(CP1)

基础电性测试、坏块筛查

基础电性测试、坏块筛查

两者都做初筛，但DRAM对速度/时序敏感，测试覆盖要求更高

Repair/RedundancyAnalysis

必须进行冗余修复分析

也有坏块管理，但更多依赖控制器ECC/Bad BlockManagement

DRAM需直接物理修复阵列缺陷；NAND容错机制更多由系统层承担

CP2(RepairVerify)

修复后二次验证，确认替换单元有效

通常简化甚至可省略独立环节

DRAM修复精度要求高；NAND可通过后续内部集成BIST容错


FT（Final Test）

高速FT+低速FT+老化Burn-in

单一综合FT

DRAM需验证高速时序、信号完整性、长期稳定性；NAND接口速率要求低、时序复杂度小

数据来源：爱德万，东吴证券研究所整理

训练卡对存储带宽需求极高，当前主流方案采用HBM作为核心存储器。以英伟达 H100为例，1颗H100由1颗GPU+6颗HBM通过CoWoS技术封装集成，其中5颗是active HBM2E，每颗HBM2E由8层2GB DRAM Die堆叠组成。HBM也是AI芯片中成本占比最高的部分。英伟达H100成本接近3000美元，其中占比最高的即SK海力士的HBM，约2000美元。

HBM工艺进步极大提升AI算力芯片性能。H200作为H100的升级款，依然采用 Hopper架构（1GPU+6HBM）和台积电4纳米工艺，GPU芯片、核心数、频率都没有变化，性能进步完全来自于首次搭载的HBM3E显存，使H200拥有141GB内存和4.8TB/s带宽，超过H100的80GB和3.35TB/s。在HBM3E加持下，H200让Llama-70B推理性能几乎翻倍，运行GPT3-175B也能提高 60%，HBM工艺进步极大提升了芯片性能。

图29：HBM市场有望以远超DRAM市场的速度扩张 （单位：亿美元）


注：2024年开始为预测数据

数据来源：ADVANTEST官网，Status of the Memory Industry 2024（Yole Group），东吴证券研究所

图30：HBM预计将在存储芯片复苏进程中不断提升占有率


注：上图为各类存储芯片在存储芯片总市场中的占比数据来源：ADVANTEST官网，Status of the Memory Industry 2024（Yole Group），东吴证券研究所

HBM采用多层DRAM堆叠结构及2.5D封装。与DRAM芯片不同，HBM采用多层“已知良好堆叠芯片”（KGSD）设计，将4层或更多层的DRAM芯片堆叠在逻辑芯片上，每层KGSD采用了大量的TSV和微凸块。且最终的HBM产品不是封装级成品而是以KGSD的形式提供，这对HBM产品的测试提出了重要挑战。


图31：HBM内部堆叠及封装结构


数据来源：《高带宽存储器的技术演进和测试挑战》（陈煜海等），东吴证券研究所整理

HBM测试包括晶圆级测试和KGSD测试，晶圆级测试增加了逻辑芯片测试， KGSD测试替代了常规的封装级测试。晶圆级测试针对DRAM芯片和逻辑芯片，其中 DRAM晶圆测试与常规DRAM测试相同，而逻辑晶圆需要进行逻辑测试。对测试合格的HBM晶圆进行切片和多层堆叠工艺处理，即可形成KGSD产品。HBMKGSD测试包括老化应力测试、高低温条件下的功能、电性能、电参数测试等。

图32：HBM与传统DRAM测试流程区别


数据来源：《高带宽存储器的技术演进和测试挑战》（陈煜海等），东吴证券研究所整理

HBM高集成度、内嵌式I/O及裸片堆叠封装的技术特征，大幅提升了存储测试工艺的复杂度和难度。HBMKGSD测试主要采用ATE测试机台、晶圆探针台和专门制作


的测试探针卡，通过DA接口进行基础逻辑芯片测试和DRAM核心芯片测试。HBM KGSD的动态老化应力测试、大量内部TSV结构的可靠性测试、高速性能测试、数量超过1000的PHYI/O测试、2.5D SiP测试等是HBM芯片测试和质量保证的难点。

图33：HBM存储测试工艺复杂度和难度大幅提升


数据来源：《高带宽存储器的技术演进和测试挑战》（陈煜海等），东吴证券研究所

HBM除增加测试环节外，也对测试设备的电流承载能力、测试精度、高并行处理能力、EDA算法等都提出了更高要求。

(1) 由于HBM采用先进制程，单一元器件电压比较小（不到1v），但元器件高度集成导致整体功耗较大，最终要求测试电流达到1000-2000A之间，对测试机的电源板卡和DPS芯片要求较高；

(2) 由于HBM内部为高速DRAM存储片，对于测试的数据速率要求很高，由此催生对于测试设备内部TG芯片和主控芯片的要求上升。TG芯片主要用于生成高精度时序生成，控制总体计时精度，目前业内最先进的存储测试设备已经可以将总体计时精度控制在 $ \pm 45 $皮秒。主控芯片则直接决定测试速率，目前最先进的T5801已经可以达到36GbpsPAM3和18GbpsNRZ速率；

(3) HBM3总线位宽可能达1024位，测试过程需要大量数据管脚和对应通道数。但受限于封装技术，物理管脚数量可能无法等比增加，需为测试设备引入多通道时分复用（TDM）技术、动态通道分配技术、高速串行接口和宽总线架构等特殊设计以实现单个物理管脚支持多个逻辑通道，进而实现高密度并行测试处理。

存储产品换代周期大幅缩短，需要大容量、高速率、多通道测试能力，采用数字信号测试设备兼测存储器的模式面临严峻挑战，存储测试设备专用化将是大势所趋，由此催生对于新存储测试设备需求。目前爱德万推出的专门针对HBM测试进行优化的


T5503HS2，拥有约16256个通道，实现了业界最高的并行测试能力。同时测试速度可达 9Gbps、总体计时精度在 $ \pm 4 5 $皮秒和高稳定度可编程的电源，实现了高精度高速测试。

长川科技正积极布局存储测试设备，拓展第二成长曲线。公司在存储领域的布局目前以探针台为切入点，研发的CP12-Memory探针台定位于存储器芯片测试，截至 2025H1处于样机测试阶段，2025年底已处于客户端认证及小批量推广阶段。公司将继续推进该产品的研发及产业化。此外，公司定增募投项目中的"探针台研发及产业化项目 "明确涵盖CP12-Memory等存储芯片测试设备，为后续量产奠定基础。作为国内SoC测试机龙头，公司在数字测试、高精度时序控制、高并行处理等方面已形成深厚的技术积累。考虑到存储测试与SoC测试在底层技术（如高精度电源、高速数字通道）上存在共通性，公司有望凭借在SoC测试领域的技术积淀和客户资源，逐步向存储测试设备领域延伸，把握国内存储厂扩产及HBM需求增长带来的国产化机遇。


5. 逻辑五：从英伟达&爱德万看测试设备龙头成长路径

爱德万（Advantest）是日本的半导体检测设备供应商，1954年成立于东京，主要从事大规模集成电路自动测试设备及电子测量仪器的研发、制造、销售和服务。业务涵盖SoC测试系统、存储器测试系统、分选机等领域以及其他新兴业务与服务领域。

图34：爱德万主要产品，覆盖存储/非存储测试机和分选机


数据来源：公司官网，东吴证券研究所整理

图35：爱德万成长路径


数据来源：公司官网，东吴证券研究所


爱德万客户涵盖半导体研发制造全链条，业务覆盖晶圆和封装测试系统。爱德万测试的客户群体包括IDM、Fabless（设计）、Foundry（代工）及OSAT（封测）厂商。从介入节点来看，爱德万的产品覆盖（1）晶圆测试阶段：提供测试系统与器件接口；（2）封装测试阶段：提供测试系统、器件接口及老化测试设备和测试分选机。具体测试类型涵盖开路/短路检测、电气特性检测、功能测试、老化测试、结构测试及速度测试等。

图36：爱德万测试系统产品主要涵盖晶圆测试和封装测试环节，下游客户覆盖半导体研发制造全流程


数据来源：《高带宽存储器的技术演进和测试挑战》（陈煜海等），东吴证券研究所

爱德万在全球半导体测试设备领域的地位持续强化，市占率已达 65%。整体市占率从2023-2024年的 58%跃升至2025年的 65%，同比提升7个百分点。细分领域看，SoC测试设备市场份额从2023年的 59%升至2025年的 66%，对应市场规模从33亿美元扩张至69亿美元；存储测试设备市占率在2024年达到 63%的峰值后，2025年维持在 61%，对应市场规模，从2023年的11亿美元扩至2025年的21亿美元。

SoC测试系统扩产节奏明确，释放出对市场积极预期。此前爱德万每年5000套测试系统的产能目标已超额完成，公司现将年产能目标提升至10000套，公司官方预计于 2028财年末，最晚2029财年完成部署，充分彰显对半导体测试市场长期高速增长的信心。


图37：爱德万在SoC/存储测试领域市占率逐年增长，2025年整体市占率已提升至 65%


数据来源：公司官网，东吴证券研究所整理

爱德万切入英伟达业务较早，与英伟达已形成深度绑定。爱德万与英伟达的合作可追溯至2006年，彼时英伟达首次采购爱德万T2000SoC测试系统用于封装芯片的测试，随后于2008年追加批量订单用于高管脚数GPU的并行量产测试，爱德万由此在研发阶段即深度嵌入英伟达的芯片验证流程。由于ATE行业的测试程序研发投入耗时长，通常耗时6-18个月，且与芯片设计流程深度耦合、贯穿芯片全生命周期的每一片晶圆，一旦晶圆厂和封测厂认证了某一测试平台，更换的风险几乎为零。这种从研发到量产的全链条锁定，构成了爱德万对英伟达绑定关系的根基。

图38：爱德万的产品迭代&与英伟达的合作

时间

事件

2006年

英伟达首次采购爱德万T2000SoC测试系统，用于封装芯片的测试

2008年

英伟达向爱德万下达T2000多台批量采购订单，用于高管脚数前沿GPU的并行量产测试

2011年

爱德万收购Verigy，将V93000纳入产品线，与自有T2000形成SoC测试双平台布局

2020年

爱德万发布V93000EXA Scale新一代平台，明确面向AI/HPC芯片测试需求

2021年

爱德万发布V93000Link Scale系列通道卡，明确GPU和AI加速器为目标应用

2025年

爱德万宣布将NVIDIAAI推理集成至ACSRTDI云端数据平台；英伟达选择ACSRTDI用于Blackwell及下一代芯片的量产测试

数据来源：爱德万，东吴证券研究所整理

从产品结构来看，爱德万以SoC检测收入为主，占总营业收入比重为 68%左右：公司三大业务板块半导体测试、服务支持和机电一体化系统中，半导体检测多年占比均维持在 70%左右，25财年半导体检测业务占比超 83%。自2019财年披露半导体检测的


细分领域 SoC检测和存储检测以来，SoC检测占总营业收入比重稳步增加，2025财年占比达 68%，存储检测占总营业收入比重分别为 15%。

从地区结构来看，公司收入来源主要为中国台湾、中国大陆、韩国，三地合计占比达 85%：25财年公司收入 50%来自中国台湾，19%来自中国大陆，16%来自韩国，三者合计占比近 85%。爱德万预计2026年总销量5000+台，2025年全球销量约4000+台，其中中国台湾约2000台，中国大陆约600-700台。

图39：2025财年SoC检测占总营业收入 68%（单位：亿美元）


数据来源：Bloomberg，东吴证券研究所

图40：2025财年中国大陆、中国台湾、韩国三地合计占比达 85% （单位：亿美元）


数据来源：Bloomberg，东吴证券研究所

爱德万业绩波动与下游半导体行业需求波动密切相关。2025财年公司半导体测试业务营收占总营收比超 83%，受下游半导体行业需求影响较大。公司营业收入和净利润波动较大，但自2017年以来受益于下游景气周期拉长，业绩稳步提升，2025财年公司实现营收72.04亿美元，同比+44.93%；实现净利润23.96亿美元，同比+64.74%。

2025年公司盈利能力显著增长：受主力机型V93K热销拉动及规模效应释放，25财年公司利润增速（+64.74%）远超营收增速（+44.93%），毛利率为 64.34%，净利率达 33.26%。

图41：2025财年实现营收72.04亿美元，同比+44.93%


数据来源：Bloomberg，东吴证券研究所

图42：2025财年实现净利润23.96亿美元，同比 +64.74%


数据来源：Bloomberg，东吴证券研究所


图43：2025财年毛利率为 64.34%，净利率为 33.26%


数据来源：Bloomberg，东吴证券研究所

泰瑞达和爱德万通过长期发展积累的经验丰富，具备极强的技术实力，形成了如今垄断局面：泰瑞达和爱德万自上世纪60、70年代便进入半导体测试领域，经过几十年长期的历史经验积累，SoC检测等技术实力强，其设备硬件及软件技术稳定性高、精度优良；

多年持续高研发投入巩固技术优势，研发投入占比随规模效应释放逐步下降：泰瑞达和爱德万的研发投入自2009财年以来均维持在2-4亿美金，占营收比重一度达 15%- 35%，2025年泰瑞达和爱德万的研发投入约在5亿美元，即便是在半导体行业低谷时期二者也未放弃高研发投入，进一步巩固了技术优势；同时，随规模效应显现，爱德万的研发投入占比正逐年下降，2025年已降至 6.92%，进一步释放利润空间。

图44：2009-2025财年泰瑞达和爱德万研发投入及占比


数据来源：Bloomberg，东吴证券研究所整理

泰瑞达和爱德万的检测系统具备可扩展性：泰瑞达和爱德万提供的系统和软件均可进行升级，带来了统一平台化优势，垄断了客户应用端的习惯并形成了大量用户群，减轻了测试开发周期和选择应用方案给客户带来的压力。

以V93000可扩展平台为例：如今SoC集成了越来越多的功能，汽车芯片、工业芯片、移动设备的电源管理芯片等往往都集成了高速数字电路、高压电路、模拟电路、混


合信号电路中的两种或三种。大多数自动化测试系统无法测试这些单颗 SoC 中的所有功能。V93000提供了一系列兼容测试，用户可以用V93000这一个平台来完成全部测试任务。随着测试需求的变化，系统设计可以很容易地用新模块和工具扩展配置。

图45：V93000可扩展平台


数据来源：公司官网，东吴证券研究所

图46：V93000可扩展构建块


数据来源：公司官网，东吴证券研究所

长川科技正积极推进高端测试机平台建设。公司D9000系列测试机采用平台化、模块化设计理念，可通过不同测试资源配置满足数字、模拟等多类型芯片测试需求。测试机一旦完成客户导入并形成测试程序积累，通常具有较高切换成本，有利于增强客户粘性。参考爱德万的发展经验，高端测试机厂商往往通过平台化架构持续拓展客户和应用场景，并在头部客户放量过程中实现市场份额提升。随着公司产品成熟度提高及客户验证持续推进，其在国产高端测试机领域的竞争力有望进一步增强。


6. 盈利预测与投资建议

看好公司后续盈利能力持续提升： $ \textcircled{1} $ 2025年公司研发投入占比约 20%，2025研发费用增长有限，后续研发费用率下降； $ \textcircled{2} $ 产品结构改善：单项产品毛利率不变，但是测试机占比提升，导致公司整体毛利率提升。2025年，公司SOC测试机毛利率为 70%，存储测试机因结构复杂毛利率稍低，CIS测试机毛利率 60%出头。

图47：长川主要产品

设备分类

产品分类

具体产品

分选机

三温平移式分选机

C6800T、C6800TS、C6800T-G、C6100TS

常高温平移式分选机

C6系列、CF系列、C6160H-G、C6800C

三温SLT分选机

CS800T SLT

常高温SLT分选机

CS160系列、CS800C

重力式分选机

C1IPM系列、C5系列、C8HIPM系列、C8HT系列

转塔式分选机

EXIS250/300、EXIS400、EXIS5501700

测试机

数模混合测试机

CTA8280F、CTA8290DPIus

功率测试机

CTT3280F、CTT3700、P2000、P3000

数字测试机

D9000SoC

老化测试机

D9000SoC

探针台

超高温探针台

S1000、S2000-A

三温探针台

S2000-T

数据来源：长川科技官网，东吴证券研究所

(1) 分选机：属公司核心业务，受益于半导体设备行业需求持续放量，我们预计 2026-2028年该业务营收增速分别为 60%、25%、20%，毛利率分别为 40%、40%、40%。

(2) 测试机：属本轮半导体设备行业高景气的最大受益方向，随测试机国产化率不断提升，我们预计2026-2028年该业务营收增速分别为 70%、35%、25%，毛利率分别为 64%、64%、65%。

我们预计2026-2028年营业总收入分别为86.6/113.3/139.6亿元，同比 +64%/+31%/+23%，综合毛利率分别为 56%、56%、57%。


图48：公司分业务收入预测（百万元）

单位：百万元

2022

2023

2024

2025A

2026E

2027E

2028E

分选机

营业收入

1255.11

819.71

1190.40

1568.47

2509.55

3136.94

3764.33

yoy

34%

-35%

45%

32%

60%

25%

20%

毛利率

45%

41%

36%

41%

40%

40%

40%

测试机

营业收入

1116.24

675.97

2062.59

3202.97

5445.05

7350.82

9188.52

yoy

128%

-39%

205%

55%

70%

35%

25%

毛利率

69%

70%

67%

62%

64%

64%

65%

其他业务

营业收入

205.18

279.37

388.53

520.10

702.14

842.56

1011.07

yoy

140%

36%

39%

34%

35%

20%

20%

毛利率

65%

72%

49%

52%

50%

50%

50%

合计

营业收入

2576.53

1775.05

3641.52

5291.54

8656.74

11330.32

13963.92

yoy

70%

-31%

105%

45%

64%

31%

23%

毛利率

57%

57%

55%

55%

56%

56%

57%

数据来源：Wind，东吴证券研究所

长川科技主要涉及半导体测试设备业务，因此我们选取华峰测控、精智达、联讯仪器、联动科技作为可比公司，因联讯仪器市盈率过高，我们在计算行业市盈率均值时已将其剔除。我们基本维持公司2026-2028年归母净利润分别为21.5/30.4/41.5（原值 22.8/31.2/42.3）亿元，2026-2028年当前股价对应动态PE分别为66/47/34倍；公司的SoC测试设备和存储测试设备技术国内领先，未来将受益于半导体测试领域国产化进程的不断推进，综合来看成长性较为突出，维持“买入”评级。

图49：可比公司估值表（截至2026/6/12）

2026/6/12

收盘价(元)

市值

归母净利润(亿元)

PE

代码

公司

(亿元)

2025

2026E

2027E

2028E

2025

2026E

2027E

2028E

688200.SH

华峰测控

299.98

602

5.4

6.8

8.5

9.8

112

88

71

61

688627.SH

精智达

414.48

390

0.7

2.8

4.4

6.5

596

138

89

60

688808.SH

联讯仪器

2,079.00

2,134

1.7

5.3

8.5

13.0

1,229

402

251

164

301369.SZ

联动科技

177.80

182

0.3

2.0

5.0

-

542

89

37

-

平均

417

105

66

61

300604.SZ

长川科技

223.12

1,416

13.3

21.5

30.4

41.5

106

66

47

34

注：以上华峰测控盈利预测来自东吴证券研究所内部预测，其余均采用截至2026/06/12Wind一致预期。数据来源：Wind，东吴证券研究所


7. 风险提示

1. 封测设备需求不及预期：封装测试企业及晶圆厂的资本开支，决定封装设备的市场需求。2026年及后续全球半导体市场景气度复苏延续存在不确定性，可能导致封装设备需求不及预期，拖累相关公司业绩。

1. 技术研发不及预期：半导体封测设备存在较高的技术和验证壁垒，需要下游封测厂商与晶圆厂密切配合，新产品的研发进度存在不确定性；若研发验证或客户导入进度慢，可能会对相关公司的业绩造成不利影响。

1. 行业竞争加剧：有多家国内企业从事设备的研发与生产工作，若行业竞争加剧，设备的毛利率水平可能下滑，影响企业盈利能力。


长川科技三大财务预测表

资产负债表(百万元)

2025A

2026E

2027E

2028E

流动资产

8,200

11,172

14,980

19,674

货币资金及交易性金融资产

2,051

2,599

4,184

6,883

经营性应收款项

2,106

3,981

4,910

5,669

存货

3,557

4,063

5,304

6,484

合同资产

29

69

91

112

其他流动资产

458

459

490

527

非流动资产

2,717

2,759

2,790

2,807

长期股权投资

19

19

19

19

固定资产及使用权资产

1,263

1,185

1,097

1,002

在建工程

30

15

7

4

无形资产

431

486

551

626

商誉

408

408

408

408

长期待摊费用

11

12

13

14

其他非流动资产

555

635

695

735

资产总计

10,917

13,931

17,770

22,481

流动负债

4,316

5,179

5,976

6,534

短期借款及一年内到期的非流动负债

1,077

1,067

1,054

1,039

经营性应付款项

2,540

3,137

3,661

3,962

合同负债

100

57

74

90

其他流动负债

598

918

1,186

1,442

非流动负债

1,256

1,256

1,256

1,256

长期借款

1,079

1,079

1,079

1,079

应付债券

0

0

0

0

租赁负债

16

16

16

16

其他非流动负债

160

160

160

160

负债合计

5,571

6,435

7,231

7,789

归属母公司股东权益

4,734

6,885

9,927

14,081

少数股东权益

611

611

611

611

所有者权益合计

5,345

7,496

10,539

14,692

负债和股东权益

10,917

13,931

17,770

22,481

利润表(百万元)

2025A

2026E

2027E

2028E

营业总收入

5,292

8,657

11,330

13,964

营业成本(含金融类)

2,378

3,817

4,950

6,026

税金及附加

47

78

102

126

销售费用

251

433

567

628

管理费用

391

649

850

977

研发费用

936

1,731

2,153

2,514

财务费用

70

64

59

39

加:其他收益

221

433

567

698

投资净收益

61

35

45

56

公允价值变动

0

0

0

0

减值损失

(166)

(136)

(130)

(130)

资产处置收益

1

3

3

4

营业利润

1,336

2,218

3,136

4,282

营业外净收支

(5)

0

0

0

利润总额

1,331

2,218

3,136

4,282

减:所得税

(13)

67

94

128

净利润

1,344

2,151

3,042

4,154

减:少数股东损益

12

0

0

0

归属母公司净利润

1,331

2,151

3,042

4,154

每股收益-最新股本摊薄(元)

2.10

3.39

4.80

6.55

EBIT

1,360

1,948

2,710

3,693

EBITDA

1,497

2,076

2,840

3,826

毛利率(%)

55.05

55.91

56.31

56.85

归母净利率(%)

25.16

24.85

26.85

29.75

收入增长率(%)

45.31

63.60

30.88

23.24

归母净利润增长率(%)

190.42

61.56

41.43

36.54

现金流量表(百万元)

2025A

2026E

2027E

2028E

经营活动现金流

562

777

1,795

2,889

投资活动现金流

(515)

(234)

(162)

(116)

筹资活动现金流

919

(95)

(97)

(99)

现金净增加额

960

448

1,535

2,674

折旧和摊销

136

128

131

134

资本开支

(554)

(87)

(97)

(106)

营运资本变动

(1,079)

(1,686)

(1,544)

(1,553)

重要财务与估值指标

2025A

2026E

2027E

2028E

每股净资产(元)

7.46

10.85

15.65

22.20

最新发行在外股份(百万股)

634

634

634

634

ROIC(%)

21.72

22.01

23.52

24.27

ROE-摊薄(%)

28.12

31.24

30.64

29.50

资产负债率(%)

51.03

46.19

40.69

34.65

P/E(现价&最新股本摊薄)

106.32

65.81

46.53

34.08

P/B(现价)

29.90

20.56

14.26

10.05

数据来源：Wind，东吴证券研究所，全文如无特殊注明，相关数据的货币单位均为人民币，预测均为东吴证券研究所预测。


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东吴证券投资评级标准

投资评级基于分析师对报告发布日后6至12个月内行业或公司回报潜力相对基准表现的预期（A股市场基准为沪深300指数，香港市场基准为恒生指数，美国市场基准为标普 500指数，新三板基准指数为三板成指（针对协议转让标的）或三板做市指数（针对做市转让标的），北交所基准指数为北证50指数），具体如下：

公司投资评级：

买入：预期未来6个月个股涨跌幅相对基准在 15%以上；

增持：预期未来6个月个股涨跌幅相对基准介于 5%与 15%之间；

中性：预期未来6个月个股涨跌幅相对基准介于-5%与 5%之间；

减持：预期未来6个月个股涨跌幅相对基准介于-15%与-5%之间；

卖出：预期未来6个月个股涨跌幅相对基准在-15%以下。

行业投资评级：

增持：预期未来6个月内，行业指数相对强于基准 5%以上；

中性：预期未来6个月内，行业指数相对基准-5%与 5%；

减持：预期未来6个月内，行业指数相对弱于基准 5%以上。

我们在此提醒您，不同证券研究机构采用不同的评级术语及评级标准。我们采用的是相对评级体系，表示投资的相对比重建议。投资者买入或者卖出证券的决定应当充分考虑自身特定状况，如具体投资目的、财务状况以及特定需求等，并完整理解和使用本报告内容，不应视本报告为做出投资决策的唯一因素。

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