华为发布韬定律存储景气延续


电子行业研究周报

投资摘要：

每周一谈：华为发布韬定律存储景气延续

华为发布韬定律，将时间常数 $ \tau $作为半导体性能优化的主要度量标准。根据芯智讯援引华为技术论文，华为提出摩尔定律的几何缩放带来的回报已趋于平缓，可以在堆栈的每一层（晶体管、电路、芯片、系统）定义一个特征时间常数 $ \tau $，并将其缩减作为统一的优化目标和半导体演进的指导原则。 $ \tau=f(\tau $晶体管， $ \tau $电路， $ \tau $芯片， $ \tau $系统），在每一层都有不同的机制可用于缩减 $ \tau $：在晶体管层面通过迁移率增强、应变工程、高k金属栅极、GAA架构以及局部互连寄生R和C的减小来应对本征开关延迟，在电路层通过更低电阻率的导体、低k电介质，以及通过垂直集成缩短线长来应对信号路径上的RC传播延迟，在芯片层通过架构选择、流水线深度、内存层次结构和片上互连架构来应对计算和内存访问延迟，在系统层通过互连拓扑、协议栈和互连架构设计来应对端到端的消息传递和同步时间。LogicFolding将数字、模拟和存储电路分区到垂直堆叠的有源层中，关键路径上的门被分布到两个及更多垂直堆叠的有源层中，通过混合键合连接，逻辑折叠设计区别于传统2D、chiplet和3D堆叠。在麒麟2026上晶体管密度单代步进式地从155MT/mm²提高到238MT/mm²。区别于单个芯片的智能手机领域，AI系统集成多达几百颗芯片，其芯片 $ \tau $缩放系统互连架构（统一总线）、近封装光学引擎（Hi-ONE）以及封装本身的拓扑重组（3D Folding）三个协同层实现。

根据华尔街见闻，华为表示到2031年基于这一路线设计的高端芯片，晶体管密度将达到1.4纳米工艺的同等水平，公司后续在先进封装、混合键合、3D设计工具、存储与逻辑协同、系统互连等验证和扩张成为定律落地效果的关键信号。我们认为，华为韬定律在摩尔定律几何缩放回报趋缓情况下，将现有先进封装和混合键合、光互联等工艺与架构、材料等创新结合，为半导体性能提升提供了新的路线。华为的创新和实践或将利好国产晶圆代工厂、先进封装测试、键合等半导体设备、EDA和光通信等环节。

存储景气延续，Q2一般性DRAM合约价预计环比增长 58-63%，Q1全球前五大 NAND Flash营收环比增长 83.7%。根据TrendForce，2026Q1一般型DRAM合约价加速上涨、季度环比增长 93-98%，带动行业营收环比增长 81%至970亿美元。 2026Q2预计整体Conventional DRAM出货位元增幅有限，价格表现预计乐观、 Conventional DRAM合约价季度环比有望增长 58-63%。

2026Q1 E-SSD需求呈几何倍数成长，此外，传统HDD持续出现结构性缺货，促使订单转向QLC E-SSD。NAND Flash原厂平均销售单价（ASP）普遍优于预期，带动Q1五大品牌商合计营收季度环比增长 83.7%、突破389亿美元。Q2原厂普遍预期NAND Flash出货量将继续增长，议价机制也将持续支撑ASP表现。

投资策略：我们认为，国内存储厂商有望在先进存储产能扩充、国产替代机遇下持续受益。建议关注佰维存储、德明利、江波龙等存储模组公司，建议关注存储扩产对国内半导体前道和键合设备的拉动，以及HBM对混合键合等封装技术和高端产能的带动，建议关注北方华创、拓荆科技、精测电子、中科飞测、中微公司、通富微电、长电科技、华海诚科等。

风险提示：贸易摩擦加剧，需求复苏不及预期，产能扩张不及预期，竞争加剧

评级 增持（维持）

2026年06月03日

王伟 分析师

SAC执业证书编号：S1660524100001

行业基本资料

股票家数

481

行业平均市盈率

83.2

市场平均市盈率

14.7

行业表现走势图


资料来源：申港证券研究所

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2、《电子行业研究周报：国产代工季报景气受益涨价效应和订单外溢》

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3、《电子行业研究周报：成熟制程代工涨价预期提高财报兑现存储景气》 2026-05-13


1. 市场回顾

上周（5.25-5.29）申万电子行业指数下跌 0.35%，在申万31个行业中排名第7，跑输沪深300指数 1.32%。本月至今（5.1-5.29）申万电子行业指数上涨 17.88%，在申万31个行业中排名第2，跑赢沪深300指数 16.12%。

年初至今（1.1-5.29）申万电子行业指数上涨 45.84%，在申万31个行业中排名第 2，跑赢沪深300指数 40.18%。

图1：申万一级行业上周涨跌幅


资料来源：wind，申港证券研究所

图2：申万一级行业本月至今涨跌幅


资料来源：wind，申港证券研究所

图3：申万一级行业年初至今涨跌幅


资料来源：wind，申港证券研究所


上周（5.25-5.29）申万电子行业三级子行业中被动元件、集成电路封测、分立器件、印制电路板指数涨跌表现相对靠前，相对沪深300指数涨跌幅分别是 13.78%、 7.80%、6.70%、4.26%。

图4：电子子行业上周涨跌幅


资料来源：wind，申港证券研究所

图5：电子子行业本月至今涨跌幅


图6：电子子行业年初至今涨跌幅

资料来源：wind，申港证券研究所


资料来源：wind，申港证券研究所

上周（5.25-5.29）万得半导体概念指数中第三代半导体指数、先进封装指数、半导体材料指数、中芯国际产业链指数、长江存储指数、半导体设备指数、光刻机指数涨跌幅分别为-1.00%、-1.65%、-3.27%、-4.26%、-5.43%、-6.60%、-7.50%。

图7：万得半导体概念指数上周涨跌幅

图8：万得半导体概念指数年初至今涨跌幅



资料来源：wind，申港证券研究所


资料来源：wind，申港证券研究所

截至2026年5月29日，费城半导体指数收于12829.38点、周上涨 5.14%。台湾半导体指数收于1530.59点、周上涨 5.99%。

图9：费城半导体指数


资料来源：wind，申港证券研究所

图10：台湾半导体指数


资料来源：wind，申港证券研究所

2. 行业数据跟踪

图11：中国智能手机出货量及累计同比


资料来源：wind，申港证券研究所

图12：全球智能手机出货量及当季同比


图13：中国进口半导体制造设备金额及同环比情况

资料来源：wind，申港证券研究所

图14：全球及中国大陆半导体设备销售额及同比



资料来源：wind，海关总署，申港证券研究所


资料来源：ifind，日本半导体制造装置协会，申港证券研究所

图15：主要地区半导体设备销售额


资料来源：ifind，日本半导体制造装置协会，申港证券研究所

图16：全球半导体销售额及同环比情况


图17：DRAM现货平均价

资料来源：ifind，世界半导体贸易统计组织，申港证券研究所


资料来源：ifind，全球半导体观察（DRAMexchange），申港证券研究所

图18：NAND Flash现货平均价


资料来源：ifind，全球半导体观察（DRAMexchange），申港证券研究所

3. 每周一谈：华为发布韬定律存储景气延续

华为发布韬定律，将时间常数 $ \tau $作为半导体性能优化的主要度量标准。根据芯智讯援引华为技术论文，华为提出摩尔定律的几何缩放带来的回报已趋于平缓，可以


在堆栈的每一层（晶体管、电路、芯片、系统）定义一个特征时间常数 $ \tau $ ，并将其缩减作为统一的优化目标和半导体演进的指导原则。 $ \tau=f(\tau $晶体管， $ \tau $电路， $ \tau $芯片， $ \tau $系统)，在每一层都有不同的机制可用于缩减 $ \tau $：在晶体管层面通过迁移率增强、应变工程、高k金属栅极、GAA架构以及局部互连寄生R和C的减小来应对本征开关延迟，在电路层通过更低电阻率的导体、低k电介质，以及通过垂直集成缩短线长来应对信号路径上的RC传播延迟，在芯片层通过架构选择、流水线深度、内存层次结构和片上互连架构来应对计算和内存访问延迟，在系统层通过互连拓扑、协议栈和互连架构设计来应对端到端的消息传递和同步时间。LogicFolding将数字、模拟和存储电路分区到垂直堆叠的有源层中，关键路径上的门被分布到两个及更多垂直堆叠的有源层中，通过混合键合连接，逻辑折叠设计区别于传统2D、chiplet和3D堆叠。在麒麟2026上晶体管密度单代步进式地从155MT/mm $ ^{2} $提高到238MT/mm $ ^{2} $。区别于单个芯片的智能手机领域，AI系统集成多达几百颗芯片，其芯片 $ \tau $缩放系统互连架构（统一总线）、近封装光学引擎（Hi-ONE）以及封装本身的拓扑重组（3DFolding）三个协同层实现。

根据华尔街见闻，华为表示到2031年基于这一路线设计的高端芯片，晶体管密度将达到1.4纳米工艺的同等水平，公司后续在先进封装、混合键合、3D设计工具、存储与逻辑协同、系统互连等验证和扩张成为定律落地效果的关键信号。我们认为，华为韬定律在摩尔定律几何缩放回报趋缓情况下，将现有先进封装和混合键合、光互联等工艺与架构、材料等创新结合，为半导体性能提升提供了新的路线。华为的创新和实践或将利好国产晶圆代工厂、先进封装测试、键合等半导体设备、EDA和光通信等环节。

图19：逻辑折叠设计区别于传统2D、chiplet和3D堆叠


资料来源：财经杂志，华为半导体，申港证券研究所

存储景气延续，Q2一般性DRAM合约价预计环比增长 58-63%，Q1全球前五大NAND Flash营收环比增长 83.7%。根据TrendForce，2026Q1一般型DRAM合约价加速上涨、季度环比增长 93-98%，带动行业营收环比增长 81%至970亿美元。2026Q2预计整体Conventional DRAM出货位元增幅有限，价格表现预计乐观、Conventional DRAM合约价季度环比有望增长 58-63%。


2026Q1 E-SSD需求呈几何倍数成长，此外，传统HDD持续出现结构性缺货，促使订单转向QLC E-SSD。NAND Flash原厂平均销售单价（ASP）普遍优于预期，带动Q1五大品牌商合计营收季度环比增长 83.7%、突破389亿美元。Q2原厂普遍预期NAND Flash出货量将继续增长，议价机制也将持续支撑ASP表现。

我们认为，国内存储厂商有望在先进存储产能扩充、国产替代机遇下持续受益。建议关注佰维存储、德明利、江波龙等存储模组公司，建议关注存储扩产对国内半导体前道和键合设备的拉动，以及HBM对混合键合等封装技术和高端产能的带动，建议关注北方华创、拓荆科技、精测电子、中科飞测、中微公司、通富微电、长电科技、华海诚科等。

4. 重要公告

格科微：5月26日发布关于高像素图像传感器产品出货情况的自愿性公告。今年以来，公司5,000万像素图像传感器出货量持续提升，推动公司高像素产品收入持续增长，在手机CIS业务营收占比进一步提升。截至公告发布日，公司5,000万像素图像传感器产品已累计实现出货超1亿颗，产品包含0.61微米、0.64微米、0.7微米、0.8微米、1.0微米等多个规格，被广泛应用于多个品牌客户机型的前后主摄。公司5,000万像素图像传感器产品出货量的持续提升，充分验证了公司FabLite模式的高效性。后续公司将基于该技术平台加快2亿像素等规格产品的研发。

西安奕材：5月29日发布关于对外投资暨关联交易的公告。为进一步拓宽公司业务布局，强化客户、产品协同，公司拟参与珠海奕源 Pre-A+轮融资。公司拟使用自有资金与其他市场化投资机构参与珠海奕源本轮融资，公司拟投资金额不高于 4,000万元人民币，剩余部分金额由其他市场化投资机构认购。珠海奕源主营业务为电子专用材料及半导体关键部件的研发、生产与销售，主要产品包括半导体合成石英刻蚀环、掩模版石英基板、空白掩模版和碳化硅功率模组载板，致力于为半导体行业提供高纯度、高可靠性的上游关键材料及部件解决方案。

华海诚科：5月25日发布股东减持股份计划公告。占公司总股本的 2.40%的股东天水华天科技股份有限公司，因自身资金需求，拟通过集中竞价交易和大宗交易方式减持其所持有的全部公司股份数量3,400,265股，其中，拟通过集中竞价交易方式减持其持有的公司股份数量不超过1,419,683股，占公司总股本的比例不超过 1.00%，且在任意连续90个自然日内，减持的股份总数不超过公司股份总数的 1.00%。

5. 行业动态

英特尔拟打造全球首座玻璃基板量产基地

据媒体报道，英特尔正加速推进玻璃基板的商业化进程，计划改造其位于新墨西哥州的里奥兰乔（Rio Rancho）工厂，将其打造为全球首个玻璃基板量产基地。

今年1月，英特尔展出首款EMIB+玻璃芯基板整合样品，采用“10-2-10”堆叠结构，封装尺寸达 78×77毫米，实现无微裂纹突破。根据最新进展，英特尔已在亚利桑那州钱德勒（Chandler）园区建立了玻璃基板试验线，但真正的规模化量产将落在


里奥兰乔。（来源：SEMI）

消息称三星电子构建全球首个900层超高堆叠3D NAND闪存原型

据韩媒报道，近日，三星电子利用单元多层键合（CMB）技术连接两片450层3D NAND突破传统单次堆叠极限，构建了全球首个900层超高堆叠3D NAND闪存原型，这一样品的存储单元工作特性已得到验证。

据悉，三星电子在原型制造中以“上部卡盘”（Upper Chuck）解决了晶圆翘曲问题，并以新型套刻校正技术克服了微细对准误差，同时优化了位线（BL）与字线（WL）结构，在提升密度的同时降低芯片功耗与尺寸。（来源：SEMI）

联电：下半年启动选择性涨价，明年将全面涨价

5月27日，晶圆代工大厂联电（UMC）召开股东常会，管理层解析了一季度财报，并宣布与英特尔合作的12纳米FinFET制程将于2027年下半年在美国亚利桑那州英特尔晶圆厂量产。同时，因为成本压力上升，联电将于下半年启动选择性涨价，明年有望全面调涨报价。此外，联电正积极切入先进封装与硅光子领域，寻找晶圆代工之外的新成长动能。（来源：芯智讯）

英飞凌宣布涨价：7月1日生效

根据最新曝光的内部资料示，MCU及功率芯片大厂英飞凌于2026年5月26日向客户发出通知，宣布计划对旗下部分产品实施价格调整，调整将于2026年7月1日生效。

不过，英飞凌并未透露，此次涨价所涉及的具体产品线和涨价幅度。猜测有可能涵盖了面向数据中心的功率器件。值得注意的是，在今年2月，英飞凌就曾发出涨价通知称，由于功率开关与相关芯片供给持续吃紧，以及原材料与基础设施成本攀升，公司将自2026年4月1日起对这部分产品价格进行上调。（来源：芯智讯）

下一代AI芯片：用光连接HBM

为解决人工智能（AI）芯片所面临的“内存墙”这一长期挑战，根据韩媒zdnet报导，内存封装领域正在讨论采用新一代AI芯片设计，将图形处理单元（GPU）或ASIC计算单元和高带宽内存（HBM）拆分开来进行独立封装，然后通过“光学互联”技术来连接它们，可以将当前8颗HBM的安装数量提升到现在的数倍。具体而言，HBM可能被安置在距离GPU数厘米的位置，围绕GPU环形排列，或在电路板中央设立独立的HBM区域。由于光信号传输速度远快于电信号，物理距离的增加不会造成明显的延迟损失，却可以彻底摆脱GPU边长对HBM数量的限制。

这意味着，AI芯片厂商不需要内存厂商拼命堆高HBM层数，就可以将HBM水平铺展，在同一块基板上搭载比目前多数倍的容量，从而将整个AI加速器系统的内存容量和数据带宽推向前所未有的水平。（来源：芯智讯）

消息称字节跳动正在开发自研CPU芯片以支持AI部署

据报道援引三位知情人士的消息称，中国科技巨头字节跳动正在开发自研中央处理


器（CPU），以支持其日益增长的人工智能基础设施需求。当前芯片价格飙升和长期供应短缺正制约着该公司的扩张计划。此举凸显了行业正快速转向“推理”即部署AI模型来执行智能体任务，这对中央处理器提出了更高要求，与当前人工智能热潮中的核心硬件图形处理器协同工作。（来源：集微网）

京东方玻璃基封装载板，送样

近日，京东方A在接受机构调研时表示，玻璃基封装载板业务方面，目前已给部分国内客户送样，部分客户已通过概念认证，并进入技术测试阶段。

光互连业务方面，公司下属子公司于2023年投资建设MicroLED芯片生产线，目前已产出光互联芯片相关样品并为客户送样，该业务尚未形成销售收入。（来源：集微网）

6. 风险提示

贸易摩擦加剧，需求复苏不及预期，产能扩张不及预期，竞争加剧


分析师承诺

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投资评级说明

申港证券行业评级说明：增持、中性、减持

增持

报告日后的6个月内，相对强于市场基准指数收益率5%以上

中性

报告日后的6个月内，相对于市场基准指数收益率介于-5%~+5%之间

减持

报告日后的6个月内，相对弱于市场基准指数收益率5%以上

（基准指数说明：A股市场基准为沪深300指数；香港市场基准为恒生指数；美国市场基准为标普500指数或纳斯达克指数。）

申港证券公司评级说明：买入、增持、中性、减持

买入

报告日后的6个月内，相对强于市场基准指数收益率15%以上

增持

报告日后的6个月内，相对强于市场基准指数收益率5%~15%之间

中性

报告日后的6个月内，相对于市场基准指数收益率介于-5%~+5%之间

减持

报告日后的6个月内，相对弱于市场基准指数收益率5%以上

（基准指数说明：A股市场基准为沪深300指数；香港市场基准为恒生指数；美国市场基准为标普500指数或纳斯达克指数。）