2026 年 10 月 27 日

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半导体 - 湾芯展 2026 论坛交流总 结

半导体

湾芯展 2026 论坛交流总结

湾芯展 2026 于 10 月 14 日至 16 日在深圳举办。我们梳理了参与的十个论坛近 70 场演讲，聚焦六个产业方向。我们观察到：1）产业关注点正从 AI 算力单芯 片性能转向系统级效率，Token 成本与响应时延成为客户采购的核心指标；2） 800V 高压直流供电已获产业链一致支持，散热与翘曲成为先进封装可靠性的主 要难题；3）超节点、混合键合与 8 英寸 SiC 已进入产业导入阶段；4）CPO 与 玻璃基板的量产节奏仍存在不确定性，与会产业方预计 CPO 于 2027-28 年前 后量产。我们认为，高压直流供电与散热、存储新方向（分层存储与内存扩 展）、混合键合与玻璃基板、CPO 光互连以及设备与零部件国产替代是未来一 至两年值得重点关注的方向。

 AI 算力与大模型：响应时延、超节点方案、AI 辅助算子迁移。产业方将集 群级单位 Token 成本与响应时延列为客户采购的核心指标，数据搬运与算 力利用率是当前瓶颈。我们认为，超节点将在未来一至两年加速导入，AI 有望加快国产算力的迁移适配。新增算力仍以云端集中为主，边端侧放量 取决于端侧应用落地速度。

 光互连与硅光：多路线长期并存，最终路线尚未收敛。可插拔、NPO、 CPO 与芯片级光 I/O 将按场景长期共存。与会的某产业方预计全球光模块 年需求从 2026 年约 8,000 万只升至 2029 年约 1.2 亿只。与会产业方表示 CPO 尚未大规模量产，有望在 2027-28 年前后实现；我们建议关注硅光晶 圆级测试与光芯片加工设备。

 先进封装与 Chiplet：重点关注良率与可靠性。散热与翘曲是目前先进封装 可靠性的主要难题。混合键合间距持续微缩，已用于 3D NAND、CIS、AI 与 HPC 芯片及 HBM。玻璃基板量产时点存在分歧，但发展趋势明确。受 TGV 工艺制约，海外头部厂商高密度玻璃基板良率仅 40-60%；我们倾向 于台积电（TSM US，未评级）路线图给出的 2028-29 年导入节奏。

 GaN 与 SiC：8 英寸 SiC 进入规模化导入，AIDC 对可靠性要求更高。8 英 寸外延器件良率已追平 6 英寸，国内厂商认为现阶段竞争核心在于稳定的 规模化供货能力。超结是中高压 SiC 器件降本的主要路径；GaN 高压化仍 处样机阶段。AIDC 拉动 SiC 需求，器件厂商预计固态变压器未来 5 年将形 成百亿级增量市场；我们认为，更高的可靠性要求短期利好头部厂商。

 EDA 与 IP：Agentic AI 已开始导入，目前以验证调试等单点场景为主。验 证调试等单点场景可实现数量级提效，复杂场景提效仍然有限。企业设计 数据多为私有，我们认为短期数据治理的重要性将进一步凸显。

 设备与核心零部件：先进产能驱动需求，规格门槛抬升。本轮需求增量始

• 于 2025 年下半年，先进逻辑、HBM 与先进封装扩产推高零部件规格门 槛，并同步提升单机价值量。按 SEMI 设备市场数据测算，2027 年中国大 陆半导体零部件市场规模约 312-343 亿美元。

中国半导体行业

周志敏

(852) 3850 5268 zhouzhimin@cmbi.com.hk

张元圣

(852) 3761 8727 kevinzhang@cmbi.com.hk

郭远宁

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AI 算力与大模型：响应时延、超节点方案、AI 辅助算子迁移

 Token 成本与响应时延成为客户采购的核心指标

芯片、存储、算力平台与 CPU 厂商均将集群级单位 Token 成本与响应时延列为客户采购 的核心指标，不再单看单芯片峰值规格。同一任务下，3 秒响应与 3 分钟响应的 Token 调 用售价相差数倍。我们认为，芯片厂商的竞争重心正从单芯片峰值规格转向系统级调优能 力，这一能力的差异有望拉开公司间的盈利能力与估值差距。

 算力瓶颈在数据搬运与算力利用率，分层存储等方案加快推进

算力芯片、存储软件、光互连与封装环节的厂商指出：1）数据搬运能耗占大规模 AI 计算 系统总能耗的 60%以上；2）某国际先进算力芯片峰值算力约 2,000TOPS，访存带宽仅约

4TB/s；3）数据中心算力综合利用率普遍低于 30%，有厂商称其调度方案盘活碎片资源后， 试验中 GPU 使用率可提升至 50-60%。产业方正在推进 KV Cache 卸载与分层存储、HBM、 基于 CXL 的内存扩展、存算协同及优化调度软件等解决方案。

 超节点成为突破单卡性能瓶颈的主要发展方向

智算与通算厂商均采用超节点方案弥补单卡性能不足，但技术路径不同。智算方面，某与 会产业方披露已建成 14,000P 全国产全栈集群，一期于 2025 年 5 月商用，二期 11,000P

• 于 2026 年 3 月底商用；其调度平台已纳管 151 个资源池、合计 41,000P 算力。通算方面， 华为鲲鹏通算超节点现为满柜 8 节点电互连，基于灵衢总线实现内存统一编址，按计划将
• 于 2027 年三季度前后推出最大支持 4,000 节点并引入光互连的版本。我们认为，超节点将 在未来一至两年加速导入，值得投资者重点关注。

 国产算力短板在软件适配与工程化，AI 有望加快迁移适配

芯片应用、算力平台与开发工具厂商均认为，国产算力的短板已从硬件规模转向软件适配 与工程化，开发重点转向推理框架与编译层。开发者对国产算力的接受度仍有待提升，部 分政府及央国企客户仍未完成国产化迁移。AI 正在降低适配门槛：某与会产业方表示，借 助 AI，算子迁移耗时可从以月计压缩至 3 分钟以内。推理侧 7B 模型 MFU 可调优至 75% 以上。全参数大模型后训练 MFU 最高达 34.22%，可稳定运行超过 1,500 步。我们认为， AI 辅助适配有望降低 CUDA 生态的迁移门槛，加快国产算力导入。

 算力部署分化：云端向大型数据中心集中，边端加速下沉 产业方对新增算力的部署路线看法不一：1）从事云端集中业务的厂商认为，算力性能提升 已难以带来同等幅度的成本下降，算力将进一步向大型数据中心集中；2）从事边端下沉业 务的厂商认为，行业生产力主要在边端侧（边缘计算与终端设备），市场规模可达万亿级， 已有厂商表示其过去一年多以边端侧部署为主。我们认为，云端集中仍是短期算力增量的 主要来源，边端侧放量则取决于端侧应用落地速度。

光互连与硅光：多路线长期并存，最终路线尚未收敛

 可插拔、NPO、CPO 与光 I/O 按场景并行演进，光模块需求持续增长

与会产业方普遍认为，光互连不会由单一架构逐代替代，可插拔、NPO、CPO 与芯片级光 I/O 将按应用场景长期共存，可插拔方案本身仍在提升带宽密度。需求方面，某与会产业方 预计全球光模块年需求从 2026 年约 8,000 万只升至 2029 年约 1.2 亿只，2030 年全球 PIC 需求为 2026 年的 7-8 倍。

 CPO 尚未大规模量产，建议关注客户量产导入进展

目前 CPO 尚未实现大规模量产。据封测厂介绍，相关项目仍处于客户方案制定、材料及验 证推进阶段；某与会产业方表示 CPO 尚未大规模量产，有望在 2027-28 年前后实现。我们 建议跟踪 CPO 项目的客户量产导入进展。

 建议关注硅光测试与光芯片加工设备

CPO 要求封测环节同时处理高速电互连、供电、光路、散热、装配与测试。光计算也受制 于光电接口开销与外围电路，系统级仿真与工程化能力和光器件同等重要。设备方面，硅 光 PIC 晶圆级测试的耦合耗时已缩短至 1 秒以内，重复性达 0.1dB，光芯片隐形切割等专 用设备也已推出。我们建议关注硅光晶圆级测试、光芯片加工设备与系统仿真环节标的。

 微环与 MicroLED 路线成熟度尚待验证

微环硅光方面，部分厂商已布局无掩膜可编程加工与微环修调，展示了多通道光引擎及高 温工作能力，并提出静态修调加动态控制的方案。另有产业方指出，微环产业化需要器件 设计、后加工修调、控制电路与封装热管理协同推进。从实验眼图、单通道验证、多通道 样机到规模量产，仍需跨越多个阶段。误码、温区与长期漂移等量产关键指标仍待产业链 验证。MicroLED 光互连目前仍处于短距离互连的工艺探索阶段。我们认为，光源与调制路 线尚未收敛（EML、CW 光源加硅光、微环、MicroLED）。

先进封装与 Chiplet：重点关注良率与可靠性

 散热与翘曲是封装可靠性的主要难题 设计工具厂商、封测厂与学术机构均将良率与可靠性置于理论峰值性能之前，产业化评价 更看重良率、稳定性、成本与测试节奏。翘曲方面，芯片在开关机与高低温循环中产生翘 曲，封装可靠性工作约 95%用于解决翘曲。散热方面，95%以上的芯片热量需从顶部散出， 底部散热不足 5%，热界面材料、有源散热盖等方案受到重视。此外，客户也关注检测误判 漏检与产线切换的适配成本。封测与测试厂商提出可靠性设计前置与测试左移，即在设计 与产品导入阶段开展可靠性验证与测试。

 混合键合间距持续微缩，应用范围持续扩大

混合键合是目前互连密度最高的工艺，也是本次论坛关注度最高的话题之一。某与会产业 方预计 2026-28 年重构 3D 逻辑以硅-硅混合键合为主，键合间距（Pitch）约 1.5 微米，长 期缩至 1 微米以下；异构集成当前约 4.5 微米，长期缩至 3 微米以下。量产方面，北方华 创（002371 CH）称 3D NAND 的量产 Pitch 约 1.2 微米，CIS 约 3 微米。D2W 混合键合 已在 AI 与 HPC 产品中应用，HBM 堆叠层数达十余层。据某与会设备厂商介绍，混合键合 可使走线电阻降低 70-80%，2025-30 年相关设备市场年复合增长率有望达 20-30%以上。

 玻璃基板发展趋势明确，目前主要受 TGV 工艺成熟度制约 各与会产业方对玻璃基板发展趋势的认同度较高，分歧主要在量产时点，TGV（玻璃通孔） 工艺是主要瓶颈。乐观派认为玻璃基板将于 2026 年从概念走向产业化，2027 年正式落地； 保守派则指出海外头部厂商普遍仍处于中试阶段，预计 2028-30 年量产，台积电公开路线 图的导入时间为 2028-29 年。良率方面，受 TGV 工艺不成熟影响，海外头部厂商高密度玻 璃基板良率目前仅 40-60%；TGV 相关良率损失中，60%以上来自通孔金属化，约 30%来 自制孔。我们倾向于台积电路线图给出的 2028-29 年导入节奏，短期内应用场景将集中于 高价值、高带宽、大尺寸或光电共封产品。

GaN 与 SiC：8 英寸 SiC 进入规模化导入，AIDC 对可靠性要求 更高

 8 英寸 SiC 产品进入规模化导入阶段，12 英寸仍处于小批量验证

SiC 方面，8 英寸产品已进入规模化导入阶段，国内厂商普遍认为现阶段竞争核心在于稳定 的规模化供货能力，即在放量的同时保证产品质量与成本。良率方面，8 英寸衬底外延器 件良率已追平 6 英寸，甚至高出 7-10%；8 英寸 3,300V 外延良率超 97%。产能方面，与 会产业方给出统计：2025 年国内 SiC 外延片总产能 80 万片，其中 6 英寸 48 万片、8 英寸 32 万片，尚无 12 英寸产能。12 英寸目前仅有小批量出货，部分海外客户已提前采购样片，

甚至跳过 8 英寸直接导入 12 英寸。

 超结是中高压 SiC 器件降本的主要路径，万伏级路线仍存分歧

器件设计、器件量产与外延工艺环节的产业方均将超结视为中高压 SiC 器件降本的主要路 径：1）超结可将导通电阻与阻断电压的关系从 2.3 次方压缩至 1.2 次方；2）超结沟槽填 充速率已从每小时 3-5 微米提升至 7-8 微米。目前尚无厂商披露超结器件的量产出货数据，

3,300V 全超结器件计划于 2026 年内推出。

万伏级以上的技术路线存在分歧。MOSFET 方向持续优化平面栅器件，同步布局沟槽栅与 超结 SiC MOSFET，并将 AIDC 最优电压上限定在 6,500V。双极型方向则认为超结在万伏 级以上效果有限，6,500V 以上 SiC MOSFET 导通损耗过大，万伏至两万伏级器件需采用 双极型技术，并已开发 N 型衬底 SiC IGBT（载流子寿命从 1 微秒提升至 4.5 微秒，1 万伏 器件比导通电阻低至 15mΩ·cm²）。第三方工艺数据显示，深宽比大于 10 的沟槽易出现空 洞，超结在高压段受深宽比与电荷平衡约束。双极型万伏级器件仍处研制阶段。我们建议 跟踪 SiC IGBT 能否进入工程化验证。

6,500V 级器件的进展可归纳为：1）应用场景：部分产业方认为 2,000-6,500V 适配三电平 拓扑、2,300-6,500V 适配两电平架构，并预计未来 3-5 年 6,500V 以上器件的良率与生产 效率将逐步提升；2）工程化进展：有产业方称 6,500V/100A 芯片及 400A 模块已进入工程 化验证，开关损耗约为硅基 IGBT 的五分之一；3）外延良率：6,500V 厚外延（约 66 微米） 良率约 96%，低于 8 英寸 3,300V 的 97%以上，电压越高良率越低。

 GaN 高压化仍处样机阶段，接触层工艺路线尚未明确

GaN 方面，单炉可产 6 片 8 英寸外延片，8 英寸 GaN-on-SiC 全流程平台已搭建。器件厂 商普遍认为 GaN 主攻中低压、SiC 主攻高压，但产业方对 GaN 高压化节奏的判断存在分 歧。乐观派认为 GaN 在低压与 3,300V 以上高压场景均有应用机会，依托蓝宝石衬底水平 结构可实现 3-10kV 级耐压，10kV 级多沟道双向 GaN 器件的细节将于 2026 年 12 月 IEDM 公开。保守派则认为 GaN、SiC IGBT 及第四代半导体器件仍处实验室样机或小批量测试阶 段，SiC MOSFET 是当前高压场景唯一可批量落地的主力器件。

设备层面，GaN 二次生长接触层存在 MOCVD 与 PVD 两条路线。MOCVD 是目前最常用 的方案，相关厂商的外延方案覆盖 LED 至 HEMT，截至 2025 年底已累计装机 600 个反应 腔。PVD 厂商声称，PVD 路线在最高载流子浓度方面可大幅超越 MOCVD 方案，并已于 2026 年出货首台适配 12 英寸衬底的机型。

 AIDC 拉动 SiC 需求，但对器件可靠性要求更高

800V 高压直流是数据中心供电架构的明确方向，器件厂商、设备厂商、系统采购方与第三 方研究机构均支持这一趋势。某与会器件厂商认为，万伏级交流转 800V 直流环节的固态 变压器未来 5 年将形成百亿级增量市场，其中功率器件的价值量约占三成。

数据中心对功率器件的可靠性要求显著提升：设计寿命要求 10 年、使用寿命约 10 万小时， 并需适配 10-150%的长期循环动态负载。我们认为，这一变化短期利好产业链头部厂商。

EDA 与 IP：Agentic AI 已开始导入，目前以验证调试等单点场 景为主

 Agentic AI 在 IC 设计的验证调试等单点场景实现大幅提效 多家厂商表示，Agentic AI 在 IC 设计中的商用落地目前集中于验证调试（失效与回归分组、 缺陷定位、覆盖率收敛）、后端任务与板级小工具；学术界认为，反馈越快的任务越容易 由 Agent 完成。单点场景可实现数量级提效：1）验证效率：某低功耗 5G 芯片 PMU 模块 的端到端形式验证效率较人工提升约 10 倍；2）工具使用效率：某客户首次使用高门槛工 具，借助智能体实现 70 倍效率提升；3）建模与求解耗时：建模耗时从约 150 秒降至约 20 毫秒，1,000 个频点的传输线求解从数百秒降至 260 毫秒。复杂场景的提效仍然有限。有 厂商披露，原理图驱动布局已完成约 80%的工作，但经过两三年投入，AI 在复杂板级布局 上的提效仍不明显，已立项场景集中在改版、结构变化与国产替代复用。

 AI 进入 EDA 须以传统求解引擎校验为前提 多家 EDA 厂商均认为，AI 落地须以传统 EDA 求解引擎（仿真、综合、时序分析与形式验 证等）为基础，具体机制包括：1）任何结论须经底层工具引擎校验；2）结果可以不一致， 但功能必须等价；3）全过程可审计追溯，缺陷责任不交给智能体。射频 EDA 厂商同样强 调 AI 须建立在高精度求解器之上。

 Agent 原生 EDA 与叠加式路线并存

对于现有 EDA 架构能否适配 Agent，产业方存在重构、叠加两种路线：1）重构路线认为 现有 EDA 状态反馈滞后、动作粒度过大、工作流固定、长任务断点恢复困难，主张走向 Agent 原生 EDA；2）叠加路线认为在现有 EDA 求解引擎之上叠加智能体已可商用。我们 认为，分歧源于任务性质不同：数字全流程与 3D IC 等长周期环节需要工具重构，验证等 短反馈环节与单点求解工具则无需推翻原有架构。

 训练数据不足制约 AI 进入芯片设计，数据治理重要性凸显 芯片设计数据多为企业私有，可用于训练 AI 的数据有限。产业方对此有两种应对思路：1） 部分厂商认为，AI 可通过与 EDA 工具反复交互、自行试错来弥补数据不足，长期有望完成 大部分 IP 设计工作；2）板级 EDA 厂商认为，应先帮助企业治理和用好自有设计数据，让 AI 读懂私有数据。我们认为，短期数据治理的重要性将进一步凸显。

设备与核心零部件：先进产能驱动需求，规格门槛抬升

 AI 驱动的先进产能是核心增量来源

设备、零部件与软件厂商（含外资厂商）普遍认为，本轮需求增量始于 2025 年下半年，至 2030 年全球增长确定性较高。新增产能中，先进逻辑、HBM、先进封装及存储的占比将持 续提升。

 先进制程推高零部件规格门槛

先进制程对零部件的规格要求全面抬升：1）工艺气体温度通常为 200-250℃，新一代气体 箱多按 250℃设计；2）阀门按 1 亿次循环验证，重复性偏差控制在 1%以内；3）高纯全 氟橡胶已从选配变为先进工艺标配；4）金属离子污染需控制在十亿分之一乃至万亿分之一 级；5）过滤精度从亚微米推进至 5 纳米、2 纳米乃至 1 纳米。我们认为，规格提升抬高了 国产替代门槛，也提升了单机价值量。

 部分国产零部件进展

据 SEMI 数据，2027 年中国大陆半导体设备市场规模约 624 亿美元；按零部件市场约为设 备市场 50-55%的行业经验测算，对应零部件市场规模约 312-343 亿美元。2024 年国内晶 圆厂直接向零部件厂商的采购金额约 117.2 亿元，预计 2027 年增至 285.3 亿元。分与会产 业方品类看：1）密封件：据国产密封件厂商估算，2025 年密封圈与全氟密封圈国产化率 超过 30%（2020 年分别低于 10%与 1%），成熟制程晶圆厂的国产化点位覆盖率已超过 95%，两家最大的存储厂已实现大部分点位国产化，但部分核心生胶仍依赖进口；2）喷淋 头与硅电极：已实现结构件量产，规划 2025-27 年实现工艺部件量产，已向中芯国际 （688981 CH / 981 HK）等 12 英寸晶圆厂供货。我们建议跟踪国产零部件在先进制程产线 的导入进度。

投资建议

综合本次论坛交流，我们认为，未来一至两年产业技术演进的重点集中在高压直流供电与 散热、存储新方向、混合键合与玻璃基板等先进封装环节、CPO 光互连，以及设备与零部 件国产替代。我们建议投资者关注以下方向：

 高压直流供电与散热： AIDC 产业趋势明确，供电与散热等可靠性要求抬升

800V 高压直流已获器件厂商、设备厂商、系统采购方与第三方机构一致支持，推动 AIDC 对 SiC 器件的需求。散热方面，95%以上的芯片热量需从顶部散出，散热与翘曲已成为先 进封装可靠性的主要难题。器件厂商预计固态变压器未来 5 年将形成百亿级增量市场，功 率器件价值量约占三成。同时，数据中心对器件寿命与动态负载的要求显著提升，8 英寸 SiC 已进入规模化导入阶段，竞争核心在于稳定的规模化供货能力。我们认为，更高的可 靠性要求与稳定供货能力门槛短期更利好头部厂商。供电侧建议关注 SiC 与 GaN 产业链； 散热侧建议关注热界面材料、散热盖与封装级热管理。

 存储新方向：算力瓶颈转向数据搬运环节

数据搬运能耗已占大规模 AI 计算系统总能耗的 60%以上，访存带宽与算力利用率是当前主 要瓶颈。我们看好 KV Cache 卸载与分层存储、HBM、内存接口与 CXL 内存扩展、存算协 同及调度软件等方向。

 先进封装：键合设备与玻璃基板

针对先进封装在散热与大尺寸翘曲上的痛点，行业正以混合键合与玻璃基板作为关键工艺 突破口。混合键合已用于 3D NAND、CIS、AI 与 HPC 芯片、HBM，间距持续缩小。玻璃 基板受 TGV 良率短期制约，我们预计 2028-29 年导入。我们建议关注混合键合设备、玻璃 基板与 TGV 方向。

 光互连：关注 CPO 与 NPO 导入节奏 光互连多条技术路线仍在验证，CPO 与 NPO 的落地节奏存在不确定性，但长期行业趋势 明确：可插拔、NPO、CPO 、芯片级光 I/O 将按场景并存。CPO 目前仍处客户验证阶段， 某与会产业方预计 2027-28 年前后量产。我们建议关注 CPO 与 NPO 的客户导入进展，以 及上游光芯片等器件及测试设备。  设备与零部件：关注国产替代

先进逻辑、HBM 与先进封装扩产带动设备与零部件需求，零部件规格门槛抬升也带动单机 价值量提升。国产零部件在密封件等品类已实现较高的点位覆盖，喷淋头与硅电极已实现 结构件量产并向 12 英寸晶圆厂供货。我们建议关注设备与零部件板块中具备先进制程导入 能力的国产替代标的。

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