证券研究报告

SST专题：乘AI需求之东风，展先进供电技术之翼

证券分析师：曾朵红、司鑫尧 执业证书编号：S0600516080001、S0600524120002 联系邮箱：zengdh@dwzq.com.cn 联系电话：021-60199798 2026年10月15日

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摘要

 数十年技术与项目积淀、AI推动SST迎来大规模应用期。固态变压器（SST）是基于功率半导体、高频磁性元器件的高功率密度、 高效率的新一代电力电子电源系统，自1970年GE提出，历经数十年的沉淀+AI对高功率密度直流配电需求的拉动，SST产业有 望迎来商业化的拐点期，叠加电动汽车、新能源发电技术的快速发展，SST有望迎来其发展的黄金期。

 核心零部件尚需迭代、整机技术壁垒较高。SST主要由硬件和控制系统组成，硬件部分价值量占比较高的主要为高频功率器件、 高频隔离变、电容等，BOM占比分别约15%/25%/12%。在核心硬件中，SiC MOS最适配SST需求、目前正朝着3.3kV甚至 10kV高耐压发展，我们认为该环节海外公司优势仍较大；高频隔离变是目前SST硬件部分技术卡脖子的环节，其决定了SST可靠 性和运行寿命。当前高频隔离变在磁芯工艺、绝缘、散热等方面仍存在改进空间，国内产业链项目经验丰富+人才红利，有望成 为具有国际竞争力的产品；铝电解电容是当前SST的电容主力，薄膜电容随着单模块功率及频率提升，渗透率有望提升并成为前 级DC-link的主流方案。系统集成设计和控制系统将是主机厂的核心竞争力，其决定了未来SST规模化应用后可靠性、经济性和 性能，也是龙头公司在竞争时的胜负手，需重点关注。

 国内厂商百花齐放、有望快速抢占千亿蓝海市场。SST行业进入快速发展阶段，国内产业化步伐较为领先，海外台达、伊顿较为

领先，其他厂商多以初创企业为主、可能存在供应链和客户优势但缺乏工程应用经验；国内厂家受益于电网侧超前的项目培育， 四方、西电、为光等拥有较多项目工程经验，阳光依托电力电子研发和人才优势推出样机并取得订单，国内百花齐放，有望在 AIDC、超充、新能源、电网等多领域快速放量，我们测算到30年全球SST市场有望超2700亿元，未来龙头成长空间较大。

 从逆变器发展看SST未来：从特种装备走向多场景规模放量。复盘逆变器的产业发展历程，我们认为对SST行业的发展有相同但 也有不同：格局层面，我们认为借鉴整个电力电子行业发展规律，未来其市场格局预计将从分散走向高度集中，其中龙头的马太 效应尤其显著。但由于SST对研发、客户渠道、品控要求极高，因此我们认为行业竞争恶化的风险相对较低。从节奏上，我们判 断现在正处于示范探索期，27-29年有望迎来工程推广期，29年后正式进入规模放量阶段。

 投资建议： SST整机重点推荐【阳光电源】【四方股份】【金盘科技】【中国西电】【伊戈尔】，建议关注：【特锐德】【新 风光】；高频隔离变为SST核心零部件，建议关注【可立克】【京泉华】【新特电气】；电容在SST价值量较大，有望进一步打 开市场空间，建议关注【法拉电子】【江海股份】。

 风险提示：终端客户招标不及预期，AIDC建设进度不及预期，关税政策不及预期，竞争加剧等。

目录

数十年技术与项目积淀，AI推动SST迎来大规模应用期

核心零部件尚需迭代，整机技术壁垒较高

国内厂商百花齐放，有望快速抢占千亿蓝海市场

从逆变器发展看SST未来：从特种装备走向多场景规模放量

投资建议与风险提示

数十年技术与项目积淀，AI推动SST迎来大规模应用期

固态变压器（SST）：从变压到变换+控制

第四代供电系统【固态变压器SST】

 定义：固态变压器使用了大量固态功率半导体器件，由交流启动柜、功率模块柜、直流配电柜组成，内部主 要由电力电子电路与高频变压器等部件构成，可将中压交流电转换为高/低压直流电，其中高频功率变流部分 替代了传统的工频变压器、低压配电柜、变流器。

 目前SST主流方案采用前级多模块串联和后级并联DAB的两级拓扑架构，串联型输入，输出并联架构。前级

输入侧AC/DC一般采用多H桥模块级联，实现中压接入和整流；后级是带隔离的DC/DC，各模块输出并联，

为负载提供直流电力。通过使用高压SiC MOSFET可以提升AC/DC的开关频率，进一步减少网侧电流谐波含 量；DC/DC级采用双有源桥或者谐振拓扑结构，功率器件同样选用SiC MOSFET，由逆变器、谐振电容、谐 振电感、高频变压器和整流器组成，通过谐振变换实现功率传输，变压器实现隔离作用。

表：SST与传统工频变压器的区别 图：SST整体架构图

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数据来源： 《电力电子变压器技术研究综述》 ，东吴证券研究所绘制

SST经过数十年的技术沉淀，受AI推动迎来产业化加速期

AI供电需求加速SST走向产业化。

 SST并非近期新兴技术，而是经历了漫长的技术演进，受益于AI负载功率暴增，英伟达将其列为AIDC供电终

极方案，加速了SST从实验室向商业化场景落地的进程。

图：SST研究演进历程

2010 - 2024年·工程化探索期

1970 – 1980年· 理论萌芽期

核心特征 ：宽禁带器件驱动落地

核心特征 ：理论雏形诞生

• • 技术： SiC/GaN成熟， 功率密度大幅提升；
• • 进展： 国网启动示范，完成中压工程验证；
• • 瓶颈： 成本高、可靠性待验证。

• • 1970年：GE提出高频链路AC-AC变换构想；
• • 1980年：美国海军提出首个PET方案；
• • 1982年： 申请专利明确SST核心定义。

1980 – 2010年·实验室验证期

2025年 - 至今·商业化拐点期

核心特征 ：从理论走向原型

核心特征 ：开启规模化商用

• • 1991年： DAB拓扑专利授权， 确立经典架构；
• • 1995年： EPRI启动专项， 验证配网可行性；
• • 2008年： FREEDM列为智能电网十大核心技术。

• • 催化： 英伟达将SST列为AI数据中心 供电终极方案；
• • 2026年：主流厂商陆续发布AIDC SST产品

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数据来源：Boulder，东吴证券研究所

下游直流负载渗透提升，SST具备多场景应用需求

与传统数据中心负荷相比 ，AI算力负荷通过高速运算完成训练任务和推理任务，具有大容量、 强波动的特征。

 电动汽车、新能源并网、工商业直流并网渗透率逐渐上升，SST可完美适配多应用场景。下游直流用电负载主 要包括电动汽车充放电、光伏、海风等新能源并网、工商业智能楼宇等，渗透率都在逐渐上升，用传统的交 流配电方案环节冗余、效率低、成本高，而SST可直接连通电网交流侧和负载直流侧，完美适配于直流负载的 应用场景，且能够更加灵活地接入光储充等新能源设施，是未来配电系统中重要的发展方向。

 AIDC向直流供电演进，英伟达明确SST为AIDC供电最终方案。由于终端机柜功率持续跃升，传统应用UPS

的交流配电方式已不再适配AIDC，AIDC供电正向800V直流供电演进，SST为转换效率最高、环节最少的供 电架构，而英伟达25年发布白皮书同步指出SST为AIDC供电的最终方案，SST有望在AIDC率先大规模放量。

图：低压直流配电系统架构示意图 图：从415伏交流（上方）到800伏直流配电（下方）的转变

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数据来源：NVIDIA官网，《新一代低压直流供用电系统在“新基建”中的应用技术分析及发展展望》，东吴证券研究所，

SST较传统UPS省电省面积，经济性大幅提升

相比传统的交流方案，SST可大幅提升AIDC经济性

 SST可大幅节约用电、铜排，并缩减占地面积提升功率密度。相较于传统UPS方案，SST全链路效率可提升 3%以上，对应2.5MW每年可节约59万度电，同时SST直流输出可较交流方案节约一根铜线，输出电压更高所 需铜线截面更小，用铜量仅为UPS方案下的1/3。更少的转换环节，使得SST占地面积不到传统UPS的50%， 可大幅提升功率密度，综合看经济性明显提升。

表：UPS、SST供电方案对比

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数据来源： 《数据中心800V直流供电技术白皮书1.0》，东吴证券研究所

核心零部件尚需迭代，整机技术壁垒较高

SST硬件部分由高频功率器件、高频隔离变等组成

高频功率器件、高频隔离变、电容三大器件价值量最高

 SST硬件部分价值量占比较高的主要是高频功率器件、高频隔离变和电容。SST通过高频功率器件将电网

侧输出的中压AC转化为中压DC，后由高频隔离变实现电气隔离并降压为800VDC，同时需配套大量电容

以平缓高频状态下电压的剧烈波动，我们预计高频功率器件/高频隔离变/电容在SST的BOM成本占比分别 约为15%/25%/12%。

表：SST的核心零部件 图：SST的成本构成

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|高频功率器 件, 15%

高频隔离变, 25%

电容 , 12%

散热器和风 扇, 12%

控制板, 8%

IPM 和驱动, 7%

柜体、开 关、铜排, 10%

滤波电感, 5%

传感器, 4%

辅助电源, 2%|

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数据来源：《Solid-State Transformers: Fundamentals, Topologies, Applications, and Future Challenges》，东吴证券研究所

高频功率器件：SiC MOSFET为主流方向，仍需向高耐压突破

SiC MOSFET最适配SST整流

 SiC MOSFET开关频率远高于硅基功率器件，为SST整流的核心器件。相较于传统的硅基功率器件, SiC

MOSFET开关频率最高超100kHz（传统硅基器件仅几十-几百Hz），温度范围广、体积小，同时与GaN

HEMT相比，耐压性能明显突出，为最适配SST整流的功率器件。

 产业端持续向高耐压突破，以更好的解决SST整机可靠性问题。以10kV中压接入为例，使用主流的1700V SiC MOSFET，一路电至少需串联8个模块以承受10kV电压，三相电整流需24个模块，单模块出现故障将 影响整机运行，而如果使用3300V SiC MOSFET，则一路只需串联4个模块，可靠性大幅提升，Enphase 发布的基于GaN功率器件的SST则使用了342个模块，因此， SiC MOSFET向耐高压演进为必然趋势。

表：功率器件对比 图：SiC MOSFET更适配于SST整流

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数据来源：macnica，Freedom官网，东吴证券研究所

高频功率器件：高压SiC MOS由海外主导，国产替代进行中

高压SiC MOSFET海外厂商进度大幅领先

 全球SiC功率器件市场由海外厂商主导，高压端进展大幅领先。根据TrendForce，2023年意法半导体、安

森美半导体等CR5占全球SiC功率器件市场约90%以上份额，市场由外资厂商主导，同时海外厂商在高压端

进展显著，Wolfspeed已推出应用于SST的10kV SiC裸片，英飞凌、Microchip、Navitas均推出3.3kV的 SiC模块，国内仅时代电气等少数厂商具备3.3kV耐压级别产品的研发和制造能力，目前尚需技术突破。  SiC的高压化有助于提升SST可靠性，大幅减少AC/DC侧串联的模块数量，我们预计随着更高耐压的SiC研

发并成熟，有助于促进高压大容量SST产业化落地的进程。

图：全球SiC 功率器件竞争格局 表：国内外SiC MOSFET主要供应商进展

|32.60%

23.60%

16.50%

11.10%

8.00%

8.10%

意法半导体 安森美半导体 英飞凌

Wolfspeed ROHM 其他

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厂商 SiC MOSFET电压等级 产品应用场景 高压SiC相关进展

Wolfspeed

650V / 900V / 1200V / 1700V / 3.3kV / 10kV

新能源车、光伏、储能、工 业电源、中压UPS、智能电 网、AI数据中心

已推出3.3kV SiC模块，并率先 推出应用于SST的10kV SiC裸片

400V / 650V / 750V / 1200V / 1700V / 2000V /

新能源车、光伏、储能、工 业驱动、轨交、电网电力电

已推出3.3kV CoolSiC模块，高 压模块能力强，适合SST及中压

Infineon

2300V / 3.3kV

子

电力电子应用。

航空航天、工业电源、轨交 辅助电源、中压电机、AI数 据中心

已推出定位AI数据中心SST和 MVDC配电的1.7kV和3.3kV mSiC模块

700V / 1200V / 1700V / 3.3kV

Microchip

工业电源、光伏、储能、充 电桩、轨交、电网、高压电 源

高压离散器件覆盖至6.5kV，具 备SST适配潜力

Navitas 650V–6500V

6.5kV Full-SiC模块进展突出， 适合轨交、电网及中压SST等高 压场景。

1200V / 1700V / 3.3kV / 6.5kV模块

轨交牵引、电网、大功率工 业变换、电力系统

Mitsubishi Electric

新能源车、UPS、风电、光

国内高压SiC重点厂商，产品包

750V/1200V/1700V/330

时代电气

伏逆变器、铁路运输、工业、

括3300V高压平面栅SiC

0V

智能电网

MOSFET

国内厂商在高压SiC MOSFET还 需更进一步突破，当前进度落后 于海外厂商

三安半导体、瞻芯电子等国 内主流厂商

新能源车、光伏、充电桩、 OBC、工业电源

650V-1700V

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数据来源： TrendForce ，各公司官网，东吴证券研究所

高频变压器：较传统工频变压器在效率、体积等方面优势明显

高频变压器定义及与传统变压器的对比

 定义：高频变压器是工作频率超过中频（通常≥10kHz）的电源变压器，核心由磁芯、线圈构成，常应用

于高频开关电源、逆变电源等场景，通过优化的磁性材料与结构设计适配高频工况，是电力电子系统中实

现电压变换、电气隔离与能量传输的关键元件。在SST中，高频变压器为实现电气隔离与变压的关键部件 ， 由于设计难度高、作用关键，是SST中最核心的零部件。

 高频变压器具备更强功能，且在效率、体积等方面优势显著：1）功率密度上，变压器体积与工作频率成 反比，高频变压器的体积和重量可缩减至同功率工频变压器的1/5至1/10；2）效率上，工频变压器因铁损 和铜损较大，效率通常在95%以下；高频变压器效率一般超过95%，配合SiC等宽禁带器件后，峰值效率 可达98.5%以上。

表：高频变压器与传统工频变压器的区别

图：高频变压器与体积明显优于传统工频变压器

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数据来源：YICA，《Innovative Matrix-Type AC-AC Solid-State Transformer Eliminating Ripple Power with Double-Grid Frequency》，东吴证券研究所

高频变压器：具备四大设计难点，尚未有定型设计方案

高频变压器研发涉及四大关键技术

 磁芯材料：磁芯材料普遍有性能矛盾，铁氧体工艺成熟、高频损耗低但饱和磁密有限，非晶合金/纳米晶饱

和磁密高，但高频性能较差、工艺不成熟。随着工艺进一步成熟，磁芯向非晶合金/纳米晶演进为必然趋势。

 绕组与磁芯结构：高频下磁芯损耗与绕组损耗显著增加，需协同优化材料与绕组结构才能平衡损耗。同时 漏感与分布电容的寄生参数存在矛盾，减小漏感会增大分布电容，需要精准权衡以满足电路参数要求。  散热设计：高频变压器体积较小、散热面积小，而高频下损耗分布不均易形成热点，需结合电、磁、热多

物理场仿真设计冷却方案，否则局部过热会降低可靠性，限制功率密度提升。

 绝缘设计：需满足隔离型 DC-DC 变换器的高电压隔离要求，高频下电场分布不均易引发局部击穿风险， 且绝缘结构设计需兼顾损耗、散热需求，避免因绝缘过度导致体积增大或性能折损。

 综合来看现有的高频变压器设计，对磁芯材料、结构设计、散热设计、绝缘设计的优化是分别进行的，各

方面缺乏整体协调，难以实现全局最优方案，为制约SST产业化的关键瓶颈。

表：3种软磁材料对比

图：三种绕组排布方式

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数据来源：《高频变压器技术研究综述》，《高压大容量电力电子变压器中高频变压器研究现状和发展趋势》，东吴证券研究所

高频变压器：玩家皆处于起步期，核心看工艺定型与配套进度

国内外玩家各具特点，行业均处于起步阶段

 由于高频变压器工艺尚未定型，国内外玩家不具备代差，技术路线各具特点。受制于高频变压器磁芯、绕

组、散热和绝缘设计等方案均未定型，各厂商技术路线差异较大，在选材和设计上各具特点。

 当前竞争差异性体现在项目经验、技术积累与客户渠道上，国内公司在产业链配套和试点项目经验方面优 势较大。国内宁夏银利长期供应国网高频变，具备显著项目优势； 可立克/京泉华长期供应台达/伊顿磁性 器件，客户端具备较大优势，未来产业端需关注各厂商与客户合作设计定型并配套的进展；伊戈尔兼具高 频电感+变压器专业融合优势，具有主机整装测试能力。

图：全球高频变压器行业代表企业

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数据来源：各公司官网、公告及公众号，东吴证券研究所

SST电容：应用差异聚焦于前级DC-link环节

SST需使用前级整流吸收电容、前级DC-link电容和后级稳压电容

 铝电解与薄膜电容各具优势，当前阶段以铝电解电容为主。应用于SST的主要有铝电解和薄膜两种电容，

铝电解成本低、容值密度高，但耐压及高频性能较差；薄膜电容耐压和高频性能高度适配于SST，但成本

高，容值密度低，当前应用较少。目前铝电解在前级DC-link电容和后级稳压电容使用更广，吸收电容由 于耐压及高频问题需使用小型薄膜电容。

 随着单模块功率及频率的提升，薄膜电容有望成为前级DC-link电容主流。前级AC/DC电路中SiC MOSFET的应用将提升模块等效频率和输出电压，对电容的高频和耐压要求将会进一步提升，随着薄膜电 容价格下降&容值密度提升，薄膜电容有望成为DC-link电容的主流方案。

表：不同种类电容优缺点对比 图：SST中电容应用环节

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数据来源：胜业电气招股说明书，东吴证券研究所绘制

整机核心技术壁垒：控制架构、绝缘与运维的设计可靠性

可靠性为SST设计的第一要求

图：四方股份数智1.0 SST控制架构设计

 由于前级多模块级联拓扑与后级隔离变压需同时运行，SST整

体架构明显更复杂，对可靠性设计提出极高的要求。

• ➢ 1）控制架构：SST的控制系统需同时控制模块的均流和均压、 系统故障的排查、电容的电压平衡，如果出现故障将会导致整 个机柜的瘫痪，控制系统必须保持高可靠性；
• ➢ 2）绝缘：SST多模块紧密相连，如绝缘失效，将导致相间短路、 模块击穿甚至柜内电弧故障；
• ➢ 3）运维：在单模块出现故障后，需快速替换故障模块，对厂商 运维设计要求较高。

图：四方股份数智1.0 SST模块绝缘设计 图：四方股份数智1.0 SST模块化设计

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数据来源：四方股份数智1.0 SST线下发布会，东吴证券研究所

整机核心技术壁垒：控制策略与系统集成技术

SST控制算法技术难度较大

 SST采用分层控制架构，综合控制算法难度大。SST上层主控制器负责总DC电容电压、无功功率和二次侧

输出电压控制，下层则由各 PEBB 模块的子控制器负责本地 PWM 调制、DAB 控制和门极驱动，算法设

计需兼顾模块化单元的动态均压与均功控制，同时需保持毫秒级暂态响应与电网黑启动（Black Start）控 制能力，综合来看控制算法难度大，具备电网运行经验的厂商有较大竞争优势。

 轻载下效率低下为核心问题，台达等头部厂商已较好解决。在轻载状态下，由于多模块级联设计，SST等 效率优势将不复存在，相关企业需综合系统集成与控制策略以解决该难点，如台达在轻载状态下通过轮换 模块休眠模式，实现效率大幅提升。

图：台达SST控制方案（下图）轻载效率显著高于传统方案 （上图）

图：SST分为两级控制架构

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数据来源：《Hierarchical Control for dc-Link Voltage and Power Sharing of CHB-based Solid State Transformer》，台达官网，东吴证券研究所绘制

整机核心技术壁垒：成本与性能的平衡能力

SST大规模商用需兼顾性能与经济性

 SST前级级联拓扑结构设计的不同，将直接影响模块数量以产生成本和可靠性的差异。当前SST的前级级

联架构主要有级联H桥、级联三电平和MMC三种方案，其中级联H桥控制难度较低，但单模块输出电平较

少，级联三电平则能输出更多电平但控制难度相对更高，如四方数智1.0 SST采用级联三电平方案前级需 要24个模块，而新风光多端口能量路由器采用级联H桥则需42个模块，模块的减少能同步实现降本和可靠 性的提升，为厂商能力的核心表现。

 前期持续的研发投入能力将成为各厂商的核心差异。由于SST技术方案尚未定型，正处于从0-1的阶段， 厂商前期需进行大量的路径探索，具备平台化研发能力与高研发投入能力的厂商将抢占先机。

表：SST前级级联拓扑结构对比 图：各厂商研发费用率对比

数据来源：《Power Balancing in Cascaded H-Bridge and Modular Multilevel Converters Under Unbalanced Operation: A Review》，《A Review of NeutralPoint Voltage Balancing and Common-Mode Voltage Suppression Methods in Three-Level Converters》，wind，东吴证券研究所

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国内厂商百花齐放，有望快速抢占千亿蓝海市场

海外SST台达领衔，综合进度未与国内形成代差

海外SST主要玩家及产业进展

 海外台达为进展最快厂商，综合看主流厂商同处于发展初期。台达作为全球电力电子技术领先者，长期供

应海外头部CSP，25年11月即对外发布SST产品，SST在头部客户机房里已测试超一年，伊顿26年6月发布 第二代SST，其余海外主流厂商同样处于产品研发初期，技术路线尚未定型，未与国内形成代差。

表：海外主要玩家进展及优势

国内SST百花齐放，产业化进程加速

国内SST主要玩家产品细节对比

 横向对比国内部分厂家产品，当前尚未到技术收敛阶段，各有特色。其中，阳光全球品牌力和综合技术实 力最为领先，四方股份产品工程化能力强、结合前期运行经验控制和结构设计更优；为光能源分别针对 AIDC和超充场景开发定制化产品、应用场景覆盖更全面。

表：国内部分厂家SST产品技术对比

国内SST产业具备本土供应链、电力电子人才和项目经验优势

国内产业链的优势

 国内已形成较完整的SST配套供应链，功率半导体、电容电感及中高频隔离变压器等关键环节均具备本土供 给基础。国内碳化硅产业已覆盖衬底、外延、器件及封装环节，电容器产业也形成材料、设备与器件协同 配套；叠加成熟的磁性材料和电感元件产业，可为SST降本、快速迭代及规模交付提供支撑。

 国内具备从高校培养、科研训练到企业吸纳和工程应用的电力电子人才链条，为SST研发与产业化提供持续 支撑。高校端具备完整的高层次人才培养体系，企业端也形成了规模较大的研发队伍，如阳光电源2025年 末研发人员达7,625人，占员工总数40.12%，其中博士126人。

 国内SST已覆盖电网、数据中心、超充及轨道交通等多元应用场景，工程实践经验丰富。近年来，相关示范 工程与实际应用项目陆续落地，SST技术正加快由研发验证向工程化应用转化。

表：国内SST应用案例

 SST正成为满足下一代AIDC 800VDC供电刚需的重要设施级方案。随着单机架功率向兆瓦级提升，传统低压

供电在电流、铜耗、空间占用及多级变换方面逐渐触及瓶颈，英伟达已将800VDC确定为下一代AI工厂的关键

基础架构，并将SST列为设施侧核心技术路径之一。云厂商扩建高密度算力中心也将持续释放SST需求，如谷 歌正推动支持1MW机架的±400V直流配电架构，微软则明确将SST作为数据中心供电体系的下一步升级方向。

 除AIDC外，超充、舰船、直流微电网及新能源有望为SST打开更广阔的需求空间。1）超充场景中，SST可直 接接入中压电网并输出直流，减少传统“变压器降压+充电模块整流”的多级转换，如为光能源采用SST直挂 方案，集成变压、储能和充电功能，降低场站配电设备与占地需求。2）中压直流船舶需在推进负载、储能及 多电压等级直流母线之间实现高功率、双向且隔离的电能变换，SST凭借高频隔离和模块化DC/DC能力，可提 升船舶电力系统的功率密度并减少设备体积。3）新能源方面，光伏与储能系统对高效并网、电压变换及直流 耦合的需求持续提升，如阳光电源已开发35kV、6MW级SST光伏逆变器，以高频变压器替代传统低频变压器， 整机最高效率达98.5%。

图：AIDC高压直流供电由侧柜方案向设施级SST演进 图：为光能源中石油江苏昆山SST超快混合充电站

 考虑到SST在AIDC、超充、储能及配电网（仅考虑中国市场）渗透率的快速提升，我们测算：到30年，全球

SST市场有望超2700亿元，其中中国市场有望超470亿元，海外市场有望超2200亿元，潜在发展空间较大。

表：国内SST市场空间测算（左）和海外SST市场空间测算（右）

英伟达800V白皮书2.0明确SST终极应用方案，但大规模放量尚需时日

 MW级机柜普及需要配置设施级直流配电，英伟达指明终极方案有望为SST。根据英伟达800V DC白皮书2.0，

下一代机柜功率预计将接近MW级，为了提高数据中心空间利用率、降低用铜量以及更高的供电效率，集中式

的直流电源更具竞争力。

 节奏上基于变压器+整流器的设施级电源有望配合预制式方案快速落地，更适配美国超大型算力中心的SST预

计有望在29年放量。由于基于变压器+整流单元的方案更加成熟且对现有基础设施方案的兼容性较强，我们预

计27-28年有望快速落地，且有望以预制舱式架构推广。而SST被视为未来AI数据中心供电的潜在技术路线， 但现有商业化产品主要适配15kV电压等级，尚需解决34.5kV应用场景下的绝缘配合、保护、散热及电网接入

等技术难题，英伟达预计SST将在29年前后放量。

图：英伟达白皮书2.0中阶段C将采用SST作为800V DC架构的终极方案 表：阶段C的两种不同的技术路线对比

为什么是34.5kV SST？

 对于百兆瓦级的超大型AI算力中心来说，其中压主母线基本以34.5kV为主。根据英伟达DGX基础设施参考设

计，超大型AI算力中心从电网高压（138kV及以上）接入后，降压至34.5kV构成园区中压母线系统，再经由

34.5kV/13.8kV或者34.5kV/480V降压变进一步降压至机房配电系统。因此，未来34.5kV SST对AIDC来说适 配度会更高。

图：美国超大型AI算力中心配电架构-34.5kV是中压的标准方案

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数据来源：东吴证券研究所绘制

从逆变器发展看SST未来：从特种装备走向多场景规模放量

逆变器行业发展：政策起量、国产替代、路线分化

行业发展：从政策驱动到平价驱动，产品路线分化

 欧洲补贴启动，海外厂商主导：早期光伏需求高度受欧洲FiT补贴政策拉动，10年IEA PVPS国家新增装机约 14.2GW，其中德国和意大利合计占69%；西班牙亦曾在08年前后受高FiT刺激出现阶段性爆发。受下游欧 洲并网市场率先起量影响，逆变器市场早期同样以欧洲为核心，10年欧洲占全球逆变器出货及收入均超 80%，SMA、Kaco等欧系品牌位居全球前列。其中SMA10年逆变器销量7.8GW，全球份额达到40%。

 国内装机起量，国产替代开启：11年后，中国光伏内需快速增长，新增装机由10年的约0.5GW提升至11年 的2.5GW、12年的3.5GW，并在13年跃升至13.0GW。国内市场起量为本土逆变器企业提供了规模化验证 场景，阳光电源等企业率先从国内大型地面电站切入，10年阳光电源国内光伏逆变器市占率已达42.8%； 华为则于13年前后切入组串式逆变器，并在15年成为全球出货量第一。

 平价上网推进，产品路线分化：16年后，系统成本快速下降，集中式电站系统价格由15年的约7-8元/W降 至19年的4.5-5.0元/W，行业从补贴驱动逐步转向平价驱动。逆变器竞争重点从基础并网能力，升级为转换

效率、单位成本、可靠性、智能运维等综合能力。产品路线也开始分化：大型地面电站仍以集中式/集散式

方案为重要选择，分布式、工商业和户用场景则推动组串式逆变器加速渗透；至2022年，中国光伏逆变器 市场中组串式占比已提升至约78.3%，集中式占比约20%。

图：18-25中国不同类型逆变器市场占比

表：集中式、组串式逆变器对比

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其他 集中式逆变器 组串式逆变器

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数据来源：CPIA，固德威招股书，东吴证券研究所

逆变器市场格局：从分散走向高度集中

平台化研发、全球渠道与规模制造推动头部份额持续提升

 早期参与者众多，市场格局分散：凭借欧洲本土需求和先发技术积累，SMA、Power-One、Fronius等 海外厂商较早进入全球市场；随着中国光伏装机在2011年后快速起量，阳光电源、华为以及锦浪科技、 固德威、古瑞瓦特、上能电气等国内企业相继切入。由于不同地区电网标准、项目类型、功率等级和逆 变器路线并存，早期市场呈现海外品牌领先、国内厂商追赶、多技术路线并行的竞争状态。

 需求波动与持续降价推动行业集中： 2016年后，光伏进入补贴退坡与平价上网并行阶段，随着主流厂 商转换效率逐步接近，产品差异从单一性能转向控制算法、可靠性验证、平台化研发、供应链降本和全 球交付能力。头部企业依靠产品系列化、全球渠道和规模制造优势不断扩大份额。2017-2022年，华为 与阳光电源合计份额由约41%提升至52%，市场由早期分散竞争逐步走向双龙头主导。2023年全球光 伏逆变器出货量进一步提升至536GW，华为与阳光电源仍合计占据超过50%的市场份额；2024年全球 出货量增至589GWac，二者合计份额进一步提升至55% 。

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图：2019-2021全球逆变器厂商出货量情况（单位：MW）

图：全球逆变器厂商历年出货占比

2019 2020 2021

华为 阳光电源 古瑞瓦特 锦浪科技 固德威 SMA Power Electronics

上能电气 SolarEdge TMEIC

前二出货占比 前十出货占比 其他

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数据来源：Wood Mackenzie，东吴证券研究所

逆变器龙头壁垒：研发、品控、成本与全球渠道构成正向循环

高研发投入支撑产品迭代，全场景平台、可靠性与全球渠道共同放大龙头优势

 高研发投入支撑产品持续迭代：头部企业通常具备长期电力电子技术积累，并围绕功率半导体、拓扑结 构、控制算法、散热和并网适应性持续投入。以阳光电源为例，2025年研发投入41.75亿元，研发人员 7625人，占员工总数40.12%，支撑其产品从光伏逆变器延展至储能、充电、AIDC等新场景。

 全场景产品平台兼顾迭代速度与成本优势：以阳光电源为例，公司逆变器功率覆盖0.45-9600kW，形成 微型、户用、组串式、集中式和模块化完整产品线,最大转换效率全线达到99%。全品类共享技术平台和 供应链体系,在缩短产品开发周期的同时形成规模采购与制造降本能力,单位生产成本约0.05-0.15元/W。

 可靠性和品控能力决定客户长期选择：逆变器故障率直接影响电站收益，品牌信用、运行记录和融资认 可度是龙头壁垒。阳光电源在BNEF《2025年逆变器可融资性调查》中获得100%支持率，第六次位列 全球第一。

 全球渠道将产品优势转化为市场份额：头部企业通过全球服务网络形成渠道优势，并将产品能力转化为 市场份额。以阳光电源为例，截至2025年末，阳光电源拥有超过2000名海外员工，20家海外分支机构、 520家海外服务网点和五大全球服务区域。海外收入达到539.9亿元，占营业收入60.5%，贡献公司 76.8%的毛利。

图：2025年BNEF可融资性评级

图：阳光电源研发人数及占比变化 图：2025年逆变器公司技术人数对比

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研发投入（亿元）|

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可融资 不可融资 未知

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数据来源：Wind，公司公告，BNEF，东吴证券研究所

逆变器与SST共性：同属电力电子变换设备，底层能力可迁移

功率半导体、模块化拓扑与控制算法构成共同技术底座

 均属电力电子变换设备，高度依赖功率半导体供应链：逆变器以DC/AC变换为主, SST则进一步集成 AC/DC、隔离DC/DC与DC/AC多级拓扑，二者均通过功率半导体开关的高频通断,重构电压、电流与频 率。二者均依赖功率半导体器件实现电能变换。逆变器通过有规律地控制IGBT、MOSFET等功率半导体

器件高频开关，将直流输入转换为交流输出；SST则在整流、逆变及DC/DC高频变换等环节大量使用固

态功率半导体器件，用于实现交流/直流变换、频率变换和电压变换，其中高频功率器件为其核心元器 件。

 模块化拓扑与控制算法协同：逆变器与SST均通过标准化功率模块、控制单元、散热系统和磁性器件组 合，实现不同功率等级覆盖。逆变器需通过算法控制功率器件开关，实现主动启停、MPPT、并网同步、

孤岛保护、低电压穿越、功率因数调节和谐波抑制；SST通过前级CHB/多H桥串联接入中压、后级

DAB/LLC模块并联输出建立直流母线。二者核心壁垒均在模块化硬件拓扑与控制算法协同。

图：典型光伏逆变器系统拓扑图

图：典型SST系统拓扑图

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数据来源：锦浪科技向特定对象发行A股股票募集说明书，《数据中心800V直流供电技术白皮书》，东吴证券研究所

逆变器与SST差异：SST从电源接口升级为供电枢纽

中/高压直挂、高频磁隔离与系统级保护带来复杂度跃迁

 电压与拓扑复杂度全面升级，控制维度呈几何级增长：逆变器主要服务光伏、储能等电源并网，核心是

高效DC/AC变流；SST则面向AIDC中/高压直挂，需要将10kV/35kV交流直接变换为800V直流。工程

方案通常采用CHB级联输入+DAB/LLC高频隔离输出，控制对象从单机变流扩展为多模块级联系统，需 要处理模块均压、均流、旁路和直流母线稳定等问题。

 高频磁隔离环节，带来磁、电、热多物理场耦合难题： SST依靠高频变压器完成高低压隔离与电压变换。 频率提升有助于缩小磁性器件体积、提升功率密度，但同时放大了磁芯损耗与绕组损耗（后者含趋肤、 邻近效应），单位体积发热随之上升；中高压PWM波形和的快速电压变化，则进一步加剧绝缘应力、 局部放电与电磁干扰，对磁芯材料、绝缘设计与热管理都提出了更高要求。

 可靠性和保护要求更严苛：逆变器主要位于电源侧，核心任务是并网变流和设备级保护；SST则嵌入 AIDC中压供配电链路，承担中压接入、隔离变换、PFC整流、直流母线建立和多端口功率管理，定位从 “电源接口”升级为“供电枢纽”。SST不仅要求单机高可靠，还需要模块冗余、在线旁路、微秒级同 步切换、直流侧快速保护及与上级电网保护协同，系统级可靠性要求显著提高。

图：SST框架拓扑图 图：趋肤、邻近效应示意图

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数据来源：《Sequential Operating Simulation of Solid State Transformer-Driven Next-Generation 800 VDC Data Center》，《Encyclopedia Magnetica》，东吴证券研究所

SST产业化路径：从特种装备走向规模化应用

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数据来源：东吴证券研究所绘制

投资建议与风险提示

阳光电源：全球光储龙头，布局AIDC开拓第三增长曲线

 全球老牌光储厂家切入AIDC市场、打造第三增长曲线。公司在电源端和电力电子转换技术沉淀深厚，与 AIDC电源技术协同性好。公司已布局AIDC相关事业群，依托电力电子转换、储能系统和全球客户资源积累， 重点瞄准海外数据中心电源市场，产品方向覆盖800VHVDC、SST及柜内电源，有望成为AIDC电源领域核 心供应商之一。

 AIDC电源业务进入产品落地阶段，SST产品发布即可售。公司于26年7月发布首款全自研EnerNeo固态变

压器，功率覆盖1.5-4.5MW，实现99.999%可用性、98.5%系统效率。公司AIDC事业部将重点投入中压直

连、高密度模块化电源和直流配电等方向，未来产品有望覆盖AIDC多类供电场景，目前已与部分国际头部 云服务厂家及国内头部互联网企业开展产品架构定义，目标26年实现产品落地和小规模交付，27年批量。

 盈利预测：我们预计公司26-28年归母净利润为131/181/236亿元，同比-3%/+38%/+30%，维持“买入” 评级。

 风险提示：AIDC及SST商业化进展不及预期，行业竞争加剧等。

图： 2021-2025年公司收入拆分（单位：亿元） 图：阳光电源基于SST技术的6MW/35kV中压直挂光伏并网逆变器系统

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其他主营业务（含其他业务） 光伏电站发电

新能源投资开发 风电变流器

储能系统 光伏逆变器等电力电子转换设备

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数据来源： Wind ，阳光电源官网，东吴证券研究所

四方股份：高压直流输电控保行业领先，SST技术持续迭代

 公司拥有高压直流输电控制保护的技术积累和行业领先经验。公司自成立以来即专注电力系统自动化和继 电保护，产品线覆盖1000kV特高压到10kV全系保护与自动化设备，包括继电保护、变电站自动化、直流 输电控保等，为国内二次设备头部厂商。

 SST项目经验丰富，已推出AIDC SST产品进度领先。公司自2018年以来，在多个国家级直流配网示范项目 中交付了20余台与SST技术同源的多端口能量路由器等产品，为国内SST项目经验最丰富的厂商。26年4月

正式推出数智1.0 SST，面向AIDC场景，我们认为公司发布产品后，有望快速触达海外头部客户，取得较高

的市占率。

 盈利预测：我们预计公司26-28年归母净利润分别为9.7/11.3/15.0亿元，同比+17%/17%/33%，维持“买 入”评级。

 风险提示：SST产品市场推广不及预期，竞争加剧等。

图： 公司的部分SST示范项目 图：四方股份数智SST1.0产品发布

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数据来源： 四方股份公告、公众号 、SST线下发布会，东吴证券研究所

金盘科技：干式变压器领先者，SST技术进展领先

 全球干式变压器领先企业，数据中心业务迎来快速增长。公司战略聚焦新能源、高端装备及AIDC算力基础 设施，打造中低压变压器、开关柜、箱变及AIDC模块化电源装备等全系列产品矩阵。公司2025年实现营收 73亿元，同比+6%；实现归母净利6.6亿元，同比+15%。2025年面对AI蓬勃发展，公司紧抓AIDC建设机 遇，25年在AIDC领域实现收入13.4亿元，同比+197%，已成功完成包括百度、阿里巴巴、中国移动、中 国电信、中国联通等约 400个数据中心项目，广泛服务于国内外客户数据中心项目

 SST产品技术进展领先，同步开发HVDC供电架构。公司26年1月发布元神ONE系列SST产品，为国内率先

发布AIDC SST的厂商之一，产品效率达98%以上，在容量达2.4MW的同时占地面积比传统方案节省60% 以上，SST产品取得技术领先。公司同步开发HVDC供电架构，自研 HVDC 产品成功点亮金盘科技 AI Factory 智慧工厂。

 盈利预测：我们预计公司26-28年归母净利润8.9/12.6/17.1亿元，同比+35%/+41%/+36%，给予“买入 ”评级。

 风险提示：海外订单交付不及预期，AIDC建设不及预期等。

图： 金盘科技的干式变压器 图： 金盘科技的元神ONE系列SST

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数据来源： 金盘科技官网、公众号，东吴证券研究所

中国西电：SST项目经验丰富，率先斩获海外数据中心订单

 公司具备输配电装备全产业链制造能力。公司是我国产品种类最全、成套能力最强的高压、超高压、特高压

交直流输变电产品研发生产制造基地。2025年公司实现营收238.1亿元，同比+6.9% ，归母净利润12.7亿元， 同比+20.5%。公司设备技术性能指标处于世界先进水平，产品电压等级覆盖交流10千伏到1000千伏，直流 ±50kV到±1100kV，服务电力“发输变配用”全过程。

 子公司西电电力电子持续深耕电力电子变压器，率先斩获海外数据中心订单。公司早在2018年就研制出

10kV/3MVA四端口电力电子变压器，并应用于苏州同里综合服务能源中心，之后持续深耕SST领域。2023年，

进一步推出10kV/2.4MVA数据中心用固态变压器，26年6月西电电力电子成为首个斩获海外数据中心专用固 态变压器订单的中国企业，项目共签约4台13.8kVAC/800VDC固态变压器。

 盈利预测：我们预计公司26-28年归母净利润15.3/18.5/22.4亿元，同比+20%/+21%/+21%，维持“买入” 评级。

 风险提示：电网投资及项目交付不及预期，竞争加剧等。

图：中国西电自主研发10千伏/2兆伏安/750伏固态变压器 图：中国西电SST发展历程

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数据来源：中国西电官方公众号，东吴证券研究所

伊戈尔：兼具变压器与电力电子技术，已发布SST

 国内新能源变压器龙头，积极布局海外市场取得突破。伊戈尔为国内新能源变压器行业龙头。公司战略聚 焦能源+信息行业，打造光储升压变、箱变、配电变压器、数据中心变压器等全系列产品矩阵。公司积极布 局海外市场，在泰国、美国、墨西哥建设变压器工厂，且泰国一期、美国工厂已投产，为国内首家在美建 设工厂的变压器厂商。25年公司在新能源、配电和数据中心领域取得海外客户重要突破，海外直销收入有 望快速放量。

 全球少有的兼具变压器制造经验与电力电子技术的厂商，已正式发布SST产品。公司长期供应光伏逆变器中

的高频电感与巴拿马电源的移相变压器，二者积累的能力高度适配SST的研发制造，公司26年4月正式发布 2.5MW 君诺系列SST，效率达98.4%，我们认为公司凭借此前的技术积累与全球布局，在SST整机和高频 变压器上均有望取得较高的竞争地位。

 盈利预测：我们预计公司26-28年归母净利润分别为3.0/4.9/7.4亿元，同比+50%/+64%/+50%，维持“ 买入”评级。

 风险提示：海外订单交付不及预期，产能利用率提升不及预期，竞争加剧等

图：伊戈尔的全球布局 图： 伊戈尔的君诺系列SST

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数据来源： 伊戈尔官网、公众号，东吴证券研究所

新风光：SVG与SST技术同源，推动公司SST产品迅速落地

 深耕大功率电力电子控制技术。公司是专业从事大功率电力电子控制技术及相关产品研发、生产、销售和服

务的高新技术企业。公司高压动态无功补偿装置（SVG）获得2024年国家级制造业单项冠军，高压变频器产 品、轨道交通能量回馈装置市场份额均在国内排名前列。

 高压SVG与SST技术同源，公司迅速推出SST产品。公司掌握10kHz-1MHz全频段电磁转换核心技术，帮助 公司攻克 “高频隔离变换”问题，35kV高压SVG产品研发中积累的高压级联技术可以有效迁移到SST中，同

时公司掌握LLC技术和成熟的DAB方案。公司完美融合高压级联拓扑与高频隔离技术，推动SST产品迅速落地。

 风险提示： SST产品可靠性验证及客户导入不及预期，市场竞争加剧等。

图：新风光10kV级联型防爆SVG 图：新风光SST固态变压器

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数据来源：新风光官方公众号，东吴证券研究所

特锐德：数据中心供电产品进展顺利，推出算电岛供电模式

 深耕高压电力装备与电力电子技术，借助预制舱模式布局AIDC供电系统。公司深耕高压电力装备与电力电子

两大领域，具备从传统变配电向AIDC新型供电架构迁移的基础。 公司主业覆盖高中压预制舱变电站、变配电 核心设备及充电网业务，2025年实现营业收入157.9亿元，同比+2.7%，实现归母净利润12.4亿元，同比

+35.6%。传统电力设备业务仍为收入主体，同步发展数据中心业务，收获字节跳动火山云项目订单，入围阿 里巴巴电力方舱品牌名单，与京东、快手、百度等头部平台建立稳定合作通道，数据中心领域合同额超4亿元。

 推出算电岛，颠覆传统IDC供电模式，重构智算电力底层架构及建设模式。2026年6月，公司发布“算电岛”

方案，将高压电网接入、SST、储能、绿电直连与算电协同平台进行集成；自研高压SST预计2027年内完成挂 网示范运行，可实现220kV高压直入、800V直流输出；依托碳化硅高频拓扑技术，体积缩减60%、毫秒级极 速响应、效率≥98.5%。

 风险提示：高压SST产品研发及挂网示范进度不及预期，算电岛项目落地及商业化推广不及预期等。

图：特锐德算电岛 图：特锐德的干式变压器

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数据来源：特锐德公司公告，东吴证券研究所

可立克：磁性元件头部企业，定增加码SST高频变压器

 国内磁性元件头部企业，高频磁性元件能力向SST核心部件延伸。可立克的主营业务聚焦于电子变压器、电

感等磁性元件，以及电源适配器、充电器和定制电源等开关电源产品。受益于新能源、数据中心等下游需

求增长，2025年公司实现营业收入55.32亿元，同比增长17.87%；归母净利润3.00亿元，同比增长 30.18%。公司产品已覆盖AI服务器、数据中心电源、充电桩及储能等领域，并正将大功率高频磁性元件技 术进一步延伸至SST高频变压器等新兴应用。

 定增加码SST高频变压器，持续推进产品研发。公司已开发10kV电网用SST中高频变压器，开关频率20-

100kHz，覆盖15-30kW和40-120kW两大功率系列，并与多家下游客户开展产品打样及送样验证；同时研

发35kV样机，开关频率30-60kHz，覆盖30-60kW和100-200kW两大系列。2026年，公司拟通过定增加 码SST高频变压器项目，重点突破磁芯材料、绝缘结构、电磁及热仿真等环节。依托现有客户基础，公司有 望切入台达SST高频变压器供应链，并受益于台达SST商业化放量。

 风险提示：SST高频变压器研发及客户验证进度不及预期，下游客户需求释放不及预期等。

图：可立克2026年定增募集资金用途拆分（亿元） 图：可立克高功率密度变压器

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AI算力电源核心磁性元件智造项目

应用于SST的高频变压器研发项目

补充流动资金|

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数据来源： 可立克官网、公告，东吴证券研究所

京泉华：SST中频隔离变压器多电压等级布局

 深耕磁性元器件与电源业务，SST中频隔离变压器打开新应用空间。京泉华主营磁性元器件和电源类产品， 广泛应用于新能源发电及储能、充电桩、工业自动化、算力中心、通信和消费电子等领域。2025年，公司 实现营业收入33.47亿元，同比增长11.14%；归母净利润8421.19万元，同比增长120.34%。依托中高频 变压器及磁集成技术积累，公司进一步布局SST用中频隔离变压器（MFT），有望受益于AI数据中心及新

能源等场景需求增长。

 MFT产品多电压等级布局，SST客户验证持续推进。公司10kV和13.8kV系统SST用MFT已进入产品小试阶 段，35kV系统SST用MFT已进入二次试验样品阶段。公司MFT具备高隔离耐压、高功率密度及液冷散热等 特征，是SST中频隔离和能量传输环节的关键部件。依托技术与客户基础，公司有望进入伊顿MFT供应链。 随着客户合作深化及样品验证推进，产品正逐步向批量导入阶段推进。

 风险提示：SST用中频隔离变压器客户验证及批量导入不及预期，SST下游市场需求释放不及预期等。

图：2021-2025京泉华营业收入拆分（亿元） 图：京泉华MFT隔离变压器

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其他业务 电源 磁性元器件 特种变压器

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数据来源：Wind，京泉华公众号，东吴证券研究所

新特电气：中压高频变压器实现突破，校企协同推进SST研发

 聚焦特种变压器研发制造，拓展SST相关产品布局。新特电气主营变频用变压器、电抗器等特种变压器及相

关电力电子产品，主要服务于工业变频、新能源、电力系统及数据中心等领域。2025年，公司实现营业收 入4.21亿元，同比增长11.70%；归母净利润4302.08万元，实现扭亏为盈，经营业绩明显改善。依托特种

变压器设计制造能力，公司正积极拓展至SST用中压高频变压器。

 中压高频变压器实现核心技术突破，SST校企联合研发平台正式落地。公司已攻克中压高频变压器的高绝缘、 低局放和高功率密度等关键技术。在100kVA同容量条件下，搭载公司产品的SST体积和重量较传统变压器 缩减90%；高频化与高功率密度设计相结合，可使SST全负载效率稳定在99%以上，同时提升系统对电压跌 落及谐波干扰的快速响应能力。2026年5月，清华大学（电力国重）-新特电气固态变压器联合研究中心正

式揭牌，双方将围绕数据中心高频SST等方向开展技术攻关和样机研制，并推进SST系统及成套方案研发。

 风险提示：中压高频变压器技术验证及产业化进度不及预期，SST客户导入不及预期等。

图：新特电气中压高频变压器 图：清华大学（电力国重）-新特电气固态变压器联合研究中心揭牌

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数据来源： 新特电气公众号，东吴证券研究所

法拉电子：薄膜电容龙头，SST批量应用落地

 薄膜电容产品与研发制造能力构筑竞争壁垒，把握SST核心器件机遇。公司产品覆盖PCB用、电力电子及交

流电动机薄膜电容器等系列，并布局金属化膜等上游材料产品；依托新能源、数据中心及智能电网等领域 的客户和产品基础，可为SST直流支撑、滤波及能量缓冲环节提供高可靠薄膜电容配套。2025年，公司实 现营业收入53.27亿元，同比增长11.64%；归母净利润11.92亿元，同比增长14.72%。

 SST薄膜电容由产品适配进入批量应用，数据中心电源成为新兴拓展方向。公司薄膜电容产品已批量应用于

SST，并持续推进固态变压器等数据中心电源场景的产品开发与市场导入，相关业务已由技术适配逐步迈向 商业化应用。

 风险提示：电网投资及项目交付不及预期，竞争加剧等。

图：法拉电子电力电子电容器 图：2022-26Q1法拉电子收入及利润表现

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营业总收入（亿元） 归母净利润（亿元）

营收同比 净利同比

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数据来源： Wind ，法拉电子官网，东吴证券研究所

重点标的

投资建议：SST为AIDC供电的最终方案，产业化进程加速推进，国内主流厂商陆续推出产品，27年起有望 放量，SST整机重点推荐【阳光电源】【四方股份】【金盘科技】【中国西电】【伊戈尔】，建议关注：【特 锐德】【新风光】；高频隔离变为SST核心零部件，建议关注【可立克】【京泉华】【新特电气】；电容在 SST价值量较大，有望进一步打开市场空间，建议关注【法拉电子】【江海股份】。

图：核心公司估值表（截至2026年10月14日）

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数据来源：Wind，东吴证券研究所，注：Wind一致预期取自2026年10月14日

风险提示

 终端客户招标不及预期。受下游各大CSP及大型AIDC运营商资本开支周期波动影响，若终端客户在柜外 电源设备方面的年度/季度招标节奏放缓或规模缩减，将可能导致订单确认节奏不及预期，从而对相关公

司的收入增长产生不利影响。

 AIDC建设不及预期。若因算力芯片供给受限、园区规划审批延缓、电力接入不足等因素导致国内外 AIDC新建/扩建项目进度放缓，则相关配套电源系统的交付需求可能推迟，进而对相关公司的业绩释放 节奏造成负面影响。

 关税政策不及预期。HVDC产品在海外市场的销售对关税环境较为敏感，若海外国家针对国内HVDC出口

商采取新的关税政策，或提高现有关税税率，将可能抬升相关公司产品进入海外市场的成本，削弱价格 竞争力，影响海外订单获取及整体盈利水平。

 竞争加剧。AIDC电气设备大多为电力电子设备，国内竞争较为激烈，若竞争加剧陷入价格战，对相关公 司的盈利能力会产生负面影响。

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东吴证券投资评级标准

投资评级基于分析师对报告发布日后6至12个月内行业或公司回报潜力相对基准表现的预期（A 股市场基准为沪深 300 指数，香港市场基准为恒生指数，美国市场基准为标普

500 指数，新三板基准指数为三板成指（针对协议转让标的）或三板做市指数（针对做市转让标的），北交所基准指数为北证50指数），具体如下： 公司投资评级： 买入：预期未来6个月个股涨跌幅相对基准在15%以上； 增持：预期未来6个月个股涨跌幅相对基准介于5%与15%之间； 中性：预期未来 6个月个股涨跌幅相对基准介于-5%与5%之间； 减持：预期未来 6个月个股涨跌幅相对基准介于-15%与-5%之间； 卖出：预期未来 6个月个股涨跌幅相对基准在-15%以下。 行业投资评级： 增持： 预期未来6个月内，行业指数相对强于基准5%以上； 中性： 预期未来6个月内，行业指数相对基准-5%与5%； 减持： 预期未来6个月内，行业指数相对弱于基准5%以上。

我们在此提醒您，不同证券研究机构采用不同的评级术语及评级标准。我们采用的是相对评级体系，表示投资的相对比重建议。投资者买入或者卖出证券的决定应当充分考虑 自身特定状况，如具体投资目的、财务状况以及特定需求等，并完整理解和使用本报告内容，不应视本报告为做出投资决策的唯一因素。

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