• （1）光刻胶为晶圆制造核心材料，受益于 AI 浪潮需求景气向上。光刻胶是一类对光或其他辐射敏感的高分子材料， 经曝光、显影和蚀刻等工序将掩膜版上的图形转移到薄膜上，形成与掩膜版完全对应的几何图形。按光源波长，半导 体光刻胶可分为 g 线（436nm）、i 线（365nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm）及 EUV（13.5nm），价值量与技术壁垒依次 提升：g/i 线主要用于功率器件、模拟芯片、MCU 等成熟制程；KrF 覆盖 0.11μm 至 90nm 节点；ArF 覆盖 90nm 至 7nm 节点，是先进逻辑和存储芯片量产的主力光刻胶；EUV 用于 7nm 及以下先进制程。根据彤程新材招股说明书（援引弗 若斯特沙利文数据），2024 年我国半导体光刻胶市场规模约 56 亿元，预计 2026 年达 81 亿元、2029 年增至 115 亿元， 2024-2029 年 CAGR 约 15.5%，增量主要来自 ArF 与 KrF 胶。
• （2）全球供给格局高度集中，日本厂商占据主导，国内高端产品依赖进口。2025 年前六大半导体光刻胶生产商合计 占据全球约 83.91%的市场份额，核心玩家包括东京应化 TOK、JSR、信越化学、富士胶片、住友化学等。需求端，我国 是全球最大的光刻胶消费市场，2025 年占 35.14%的份额；供给端，日本占全球 53.87%的生产份额。2025M1-M9 我国 半导体光刻胶 CR10 收入为 54.6 亿元，其中日本厂商占比达 76%，进口依赖度高企。
• （3）日本出口管制持续趋严，供应不确定性上升，国产替代势在必行。2025 年 11 月，日本修订《出口贸易管理令》， 将 ArF 和 EUV 光刻胶纳入出口管制清单，实施“逐案审批”制度，审批周期从 30 天延长至 90 天，约 110 家中国半导 体企业被列入重点核查清单；2025 年 12 月 30 日，东京应化等日企又主动将 i 线和 KrF 光刻胶的审批周期延长至最 长 90 天。我们认为，日本对华光刻胶出口持续趋紧，供应存在不确定性，国产替代紧迫性显著提升。
• （4）国产光刻胶已突破 g/i 线，高端品类进入验证放量期，关注原料自研与验证领先的标的。当前 g/i 线光刻胶国 产化率已超 30%，KrF 大致处在 1%-8%，ArF 不足 1%，EUV 基本空白。国产替代的核心难点在于原材料、配方与客户验 证：1）树脂与光引发剂高度依赖进口，半导体光刻胶中树脂成本占比达 40%-75%，ArF 树脂合成工艺壁垒极高；2） 配方需从数十种可选单体、上百种专利型光酸及多种功能性助剂中系统性筛选组合，难以逆向还原；3）下游客户导 入需经过 2-3 年验证，海外龙头先发优势明显。
• （5）我们从半导体光刻胶、显示与面板光刻胶、PCB 光刻胶及上游材料四条线索梳理 A 股相关标的，重点关注具备核 心原料自研能力、验证进展领先、产能释放节奏明确的企业。

晶圆厂验证不及预期；高端原料与设备受限；下游景气及开工率波动；行业竞争加剧与价格下降；技术路线变化。

内容目录

• 1、光刻胶是什么？.............................................................................. 3
• 2、光刻胶的构成？.............................................................................. 3
• 3、光刻胶的分类？.............................................................................. 4
• 4、光刻胶的市场空间如何？...................................................................... 5
• 5、光刻胶的竞争格局？.......................................................................... 6
• 6、光刻胶的国产替代进展？...................................................................... 6
• 7、核心标的梳理................................................................................ 7

• 7.1、半导体光刻胶.......................................................................... 8
• 7.2、显示与面板光刻胶...................................................................... 9
• 7.3、PCB 光刻胶与上游材料 .................................................................. 9

风险提示...................................................................................... 10

图表目录

• 图表 1： 光刻胶使用流程 ........................................................................ 3
• 图表 2： PCB 光刻胶成本占比..................................................................... 4
• 图表 3： 半导体光刻胶成本占比 .................................................................. 4
• 图表 4： 正性/负性光刻胶示意 ................................................................... 4
• 图表 5： 光刻胶分类与用途 ...................................................................... 5
• 图表 6： 全球半导体材料市场规模 ................................................................ 5
• 图表 7： 中国半导体光刻胶市场规模及结构 ........................................................ 5
• 图表 8： 全球与境内主要参与者 .................................................................. 6
• 图表 9： 2025 年光刻胶全球消费结构（分地区） .................................................... 7
• 图表 10： 2025 年光刻胶全球供给结构（分地区）................................................... 7
• 图表 11： A 股光刻胶相关标的进展................................................................ 7
• 图表 12： 彤程新材光刻胶业务布局与最新进展 ..................................................... 8

光刻胶是光刻工艺中的重要材料。光刻胶是一类对光或其他辐射敏感的高分子材料，经曝光、显影和蚀刻等工序将掩 膜版上的图形转移到薄膜上，形成与掩膜版完全对应的几何图形。光刻胶材料的性能指标对光刻的效果影响较大，具 体来看，分辨率决定最小图形能力，灵敏度影响曝光产能，线边粗糙度影响器件电学一致性，抗刻蚀性决定图形能否 完整转移，缺陷率则直接影响晶圆良率。光刻胶在先进光刻中具体应用流程包括：

•  1）涂胶：将需要被刻蚀的晶圆面朝上放置于图片，涂抹上光刻胶，通过高速旋转将光刻胶均匀涂抹于晶圆表面。 曝光+显影：紫外光通过光罩照射至光刻胶表面，被照射的地方化学性质发生改变，进而在显影液的作用下被清 除，从而暴露出下层需要被刻蚀的材料。
•  2）刻蚀：将处理好的晶圆片放置刻蚀液中，刻蚀液通常是可以和被刻蚀材料反映且不和光刻胶反映的液体。
•  3）清洗：利用相似相溶的原理去除多余的光刻胶。 图表1：光刻胶使用流程

来源：上海新泊地先进材料事业部微信公众号，国金证券研究所

光刻胶的核心成分为树脂与感光剂。光刻胶主要由树脂、感光剂、溶剂及添加剂组成。从成分占比来看，根据《中国 石油和化工》期刊的数据，光刻胶含量成分占比分别为溶剂 50-90%、树脂 10%-40%、感光剂 1%-8%、添加剂 1%。从成 本来看，半导体光刻胶的树脂成本占比高于 PCB。1）对于 PCB 而言，树脂成本占比 30%-40%，单体成本占比 15%-25%， 感光剂成本占比 10%-20%，溶剂+助剂成本占比 10%-15%。2）半导体光刻胶中，树脂成本占比 40%-75%，感光剂成本占 比 20%-30%，溶剂+助剂成本占比 10%-15%。对于高端半导体光刻胶而言，以 KrF 光刻胶为例，树脂成本占比高达约 75%，感光剂约为 23%，溶剂约为 2%。

 树脂是光刻胶原材料的最核心成分，属于骨架材料。树脂的结构设计涉及单体（树脂主要合成材料）的种类和比 例，会直接决定光刻胶在特定波长下可以达到的线宽，也会影响 ADR（碱溶解速率）的特性，从而决定 EOP（曝 光能量）、EL（能量窗口），LWR（线宽边缘粗糙度）等。

 感光剂（光敏剂、光引发剂）也是影响光刻胶性能的重要原料，不同品类的光刻胶用感光剂价差达数十倍，举例 来看， KrF 光刻胶用 PAG 的价格在 0.5-1.5 万元/KG，而 ArF 光刻胶用 PAG 的价格在 1.5 万元/KG 以上，最高端 型号可达 30 万元/KG，是 KrF 用 PAG 的 20-60 倍。

图表2：PCB光刻胶成本占比 图表3：半导体光刻胶成本占比

树脂 单体 感光剂 溶剂+助剂

12.50%

35%

15%

20%

树脂 感光剂 溶剂+助剂

12.50%

25%

58%

来源：深企投产业研究，国金证券研究所 来源：深企投产业研究，国金证券研究所

光刻胶可根据显影与用途进行分类。根据显影后的图形关系，光刻胶分为正性胶与负性胶，正性胶曝光区溶解，便于 获得高分辨率图形；负性胶曝光区交联保留，通常具有较好机械强度与厚膜能力。

图表4：正性/负性光刻胶示意

来源：深企投产业研究院，艾森股份招股说明书，国金证券研究所

根据应用领域，光刻胶可分为 PCB 光刻胶、显示面板光刻胶和半导体电路光刻胶（可细分为晶圆制造、先进封装）， 其技术壁垒依次提升。

 PCB 光刻胶：主要分为干膜光刻胶（感光干膜）、湿膜光刻胶（也称液态感光成像抗蚀剂、线路油墨）、光成像阻 焊油墨等，是目前电子化学品中国产替代进度最快的细分赛道之一。

 显示面板光刻胶：应用于 LCD 液晶面板的彩色滤光片（CF）和 TFT 阵列两大制程，按功能可分为以下核心品类： 彩色滤光片用光刻胶，包括红/绿/蓝（R/G/B）彩色光刻胶、黑色矩阵（BM）光刻胶，以及用于表面平坦化的保 护层（OC）光刻胶；TFT 阵列用光刻胶，主要用于栅极、源漏极等配线图形化，以 g/i 线正性光刻胶为主；柱状 隔离子光刻胶，用于控制液晶盒厚。

 半导体光刻胶：根据光源波长可分为 g 线（436nm）、i 线（365nm）、KrF（248nm）、ArF 干式/浸没式（193nm）及 EUV（13.5nm）。其中，G/I 线主要用于功率器件、模拟芯片、MCU 及显示驱动芯片等成熟制程；KrF 覆盖 0.11μm 至 90nm 节点，广泛应用于逻辑芯片非关键层、存储芯片及 CIS 等领域；ArF 分为干式和浸没式，可覆盖 90nm 至 7nm 节点，是先进逻辑和存储芯片量产的主力光刻胶；EUV 则用于 7nm 及以下先进制程，是推动芯片制程进一步 微缩的核心材料。

图表5：光刻胶分类与用途 分类 主要品类 主要用途

g 线光刻胶（436nm） 6 寸晶圆 i 线光刻胶（365nm） 6 寸晶圆、8 寸晶圆 KrF 线光刻胶（248nm） 8 寸晶圆 ArF 线光刻胶（193nm） 12 寸晶圆 EUV 线光刻胶（13.5nm） 12 寸晶圆

半导体光刻胶

面板光刻胶

彩色光刻胶、黑色光刻胶 用于制备彩色滤光片 触摸屏用光刻胶 用于在玻璃基板上沉积 ITO 制作触摸电极 TFT-LCD 正性光刻胶 用于微细图形加工

干膜光刻胶 用于微细图形加工 湿膜光刻胶（又称抗蚀剂/线路油墨） 用于微细图形加工 光成像阻焊油墨 用于微细图形加工

PCB 光刻胶

来源：观研天下，国金证券研究所

晶圆产能扩张是光刻胶需求增长的核心引擎。光刻胶为晶圆制造过程中的消耗性材料，需求量与晶圆投片量及光刻步 骤数直接相关。根据 SEMI《300mm 晶圆厂展望报告》，全球 300mm 晶圆厂产能预计自 2024 年底以 7%的 CAGR 增长至 2028 年的 1110 万片/月、创历史新高，其中先进制程（7nm 及以下）产能由 85 万片/月增至 140 万片/月、增幅约 69%； 设备支出端，SEMI 预计 2026 年全球 300mm 晶圆厂设备支出增长 18%至 1330 亿美元，2027 年将首次突破 1500 亿美元。 中国大陆是本轮扩产的最主要力量：2026-2028 年中国大陆 300mm 晶圆厂设备投资预计达 940 亿美元、居全球第一； 中芯国际、华虹、晶合集成、长鑫存储等本土厂商持续扩产，根据 SEMI，2025 年中国大陆晶圆总产能同比增长 15%至 1010 万片/月（约当 8 英寸）、占全球约三分之一，至 2028 年中国大陆在 22-40nm 主流节点产能中的份额有望达 42%。 本土晶圆产能持续放量，将直接扩大光刻胶尤其是 KrF/ArF 光刻胶的需求基本盘。 根据中国电子材料行业协会（CEMIA）统计，2024 年全球光刻胶市场规模达 64.28 亿美元、同比增长 10.18%，其中半 导体光刻胶占比约 60%、为最大品类。

图表6：全球半导体材料市场规模 图表7：中国半导体光刻胶市场规模及结构

市场总规模（十亿美元） 市场整体同比

74

20%

72

15%

70

10%

68

66

5%

64

0%

62

-5%

60

58

-10%

2021 2022 2023 2024 2025

G线及其他（亿元） KrF（亿元） ArF（亿元）

120

100

80

60

40

20

0

2020 2021 2022 2023 2024 2025E2026E2027E2028E

来源：SEMI，国金证券研究所 来源：彤程新材招股说明书（H 股），QYResearch，国金证券研究所

根据弗若斯特沙利文，2024 年我国半导体光刻胶市场规模约 56 亿元，预计 2026 年达 81 亿元、2029 年增至 115 亿 元，2024-2029 年 CAGR 约 15.5%。从需求结构看：ArF 市场规模预计由 2024 年的 26 亿元增至 2029 年的 64 亿元、CAGR 为 19.7%，占比由 46.4%提升至 55.7%；KrF 预计由 21 亿元增至 40 亿元、CAGR 为 13.8%。其中，KrF 需求增长主要来 自 MCU、电源管理芯片、CIS、汽车电子等成熟制程扩产及先进芯片非关键层用量增加；ArF 需求主要受益于国产先进 逻辑、DRAM 及高端存储制程升级，浸没式光刻和多重曝光进一步提升单片晶圆的光刻胶使用强度；EUV 光刻胶受制于 国内 EUV 设备供应，短期仍以研发验证为主，尚未形成规模化商业需求。

5

全球供给格局较为集中，日本厂商占据主导。1）半导体光刻胶方面，目前核心企业包括东京应化 TOK、JSR、信越化 学 Shin-Etsu、Qnity、富士胶片 Fujifilm、住友化学和韩国东进世美肯等。2025 年前六大半导体光刻胶生产商占有 全球大约 83.91%的市场份额。国内本土厂商有彤程新材（子公司北京科华微电子）、晶瑞电材、恒坤新材、容大感光、 鼎龙股份、上海新阳等；2）显示光刻胶方面，目前核心厂商富士胶片 Fujifilm、住友化学、Merck KGaA (AZ)、JSR、 新日铁化学、DNP Fine Chemicals，2025 年全球前七大厂商占有大约 71.73%的市场份额，国内厂商主要有彤程新材、 雅克科技等；3）PCB 光刻胶方面，核心厂商主要有旭化成、長興材料 Eternal、Resonac、长春、Kolon Industries、 Mitsubishi Paper Mills Limited、Qnity 等，2025 年前三大厂商占有 72%的市场份额。

图表8：全球与境内主要参与者

来源：公司公告，国金证券研究所

我国是光刻胶消费大国，但供给依赖日本进口。根据 Qy Research，1）消费层面来看，我国是全球最大的光刻胶消费 市场，2025 年占有 35.14%的市场份额，之后是中国台湾地区和韩国，分别占有 20.39%和 19.49%。2）生产端来看， 日本、北美、中国台湾、韩国和中国大陆地区，是主要的光刻胶生产地区，2025 年分别占有 53.87%、8.59%、10.92%、 9.45%和 9.72%的市场份额。国内半导体光刻胶大部分由日本厂商供应。根据彤程新材招股说明书，我国 2025M1-M9 半 导体光刻胶 CR10 收入为 54.6 亿元，其中日本厂商占比达 76%。

图表9：2025年光刻胶全球消费结构（分地区） 图表10：2025年光刻胶全球供给结构（分地区）

中国大陆 中国台湾 韩国 其他 日本 北美 中国台湾 韩国 中国大陆 其他

来源：Qyresearch，国金证券研究所 来源：Qyresearch，国金证券研究所

日本光刻胶出口趋严，未来供应存在不确定性。我们认为光刻胶作为光刻工艺的重要材料，目前高度依赖日本进口， 供应存在不确定性。举例来看，2025 年 11 月，日本修订《出口贸易管理令》，将ArF 和 EUV 光刻胶纳入出口管制清 单，实施“逐案审批”制度，审批周期从 30 天延长至 90 天。与此同时，约 110 家中国半导体企业被列入重点核查清 单，需提交最终用途追溯报告。2025 年 12 月 30 日，东京应化等日企，又主动把 i 线和 KrF 光刻胶的审批周期，延长 到最长 90 天。由此可见，日本对于光刻胶的出口是在持续趋紧的，因此光刻胶的国产替代是势在必行的。

国产光刻胶已突破 G/I 线，KrF、Arf 及 EUV 仍待突破。

 g/i 线光刻胶：对应微米级制程，多用于功率器件、面板驱动芯片属于基本自主可控的成熟赛道。

 KrF（248nm）光刻胶：覆盖 90nm-28nm 成熟制程，是车规芯片、模拟芯片、特色存储与先进封装的核心耗材， 国产化区间大致处在 1%‑8%。日系厂商依旧把控绝大多数市场份额；头部本土企业已经具备批量供货实力

 ArF（193nm）光刻胶：覆盖 28nm-14nm 先进制程，分为干法与浸没式，是逻辑芯片、高端存储的刚需材料，技 术壁垒跃升一个数量级。国内 ArF 光刻胶整体国产化率不足 1%

 EUV（13.5nm）光刻胶：适配 7nm 及以下顶尖制程，是高端 AI 芯片、先进存储的核心材料，全球仅有 JSR、东京

应化 TOK、信越化学三家日系企业具备稳定量产能力。 国产替代难度在于解决原材料、配方以及客户验证。

 原材料：我国光刻胶树脂及光敏剂高度依赖进口。1）以树脂为例，在 ArF 光刻胶中树脂的合成工艺壁垒极高， 全球范围内光刻胶原料大厂主要来自日本，一类是自产树脂的光刻胶厂商，如信越化学、杜邦；另一类是专门生 产光刻胶树脂厂商，如东洋合成、住友电木、三菱化学等。目前国内厂商如彤程新材、艾森股份等在树脂自研上 取得了一定进展，圣泉集团、强力新材等。2）光引发剂同样依赖海外进口，主要包括 PAC 和 PAG，海外主导厂商 包括巴斯夫、黑金化成、台湾优禘等，国内的强力新材、苏州威迈芯材等进展较快。3）超净高纯试剂的国产化 率同样较低，国内精细化工水平与海外差距较大。

 配方壁垒：配方依赖长期研发，且从成品中完整逆向还原出原始配方及其关键工艺。厂商需从庞大的化学组分库 中（包括数十种可选单体、上百种专利型光酸及多种功能性助剂）进行系统性筛选与组合，并通过大量实验反复 测试。

 客户验证角度：下游客户端导入需经过 2-3 年验证（PCB 光刻胶一般在 1-2 年），海外龙头受益于先发优势，与 台积电、三星及英特尔等 FAB 厂协同较深，将配方嵌入工艺节点，因此对海外 FAB 客户来说更换难度较高。

我们从半导体光刻胶、显示与面板光刻胶、PCB 光刻胶及上游材料四条线索梳理 A 股相关标的，重点关注具备核心原 料自研能力、验证进展领先、产能释放节奏明确的企业。

图表11：A股光刻胶相关标的进展

来源：各公司年报及公告，国金证券研究所

• 7.1、半导体光刻胶

• 1）彤程新材（603650.SH）：国产半导体光刻胶龙头

公司以特种橡胶助剂为基本盘、电子材料为增长极，连续多年为中国最大的橡胶用酚醛树脂、补强树脂、粘合树脂生 产商，主业稳定现金流支撑光刻胶长周期投入。2025 年实现营业收入 34.29 亿元、同比增长 4.85%，归母净利润 5.63 亿元、同比增长 8.86%，扣非归母净利润 5.39 亿元、同比增长 29.58%，其中电子材料业务收入 9.86 亿元、同比增长 32.39%，占营收比重提升至 28.76%。

半导体光刻胶销售额居本土第一，"成品胶+自产树脂+配套试剂"一体化构筑差异化壁垒。据公司 2025 年年报，公司 在国内半导体光刻胶市场销售额位列本土供应商第一，半导体光刻胶主体为控股子公司北京科华（持股 96.33%）、系 国内 KrF 光刻胶先行者、国内 8-12 英寸集成电路产线主要本土材料供应商之一。2026 年上半年公司实现营业收入 21.36 亿元、同比增长 29.1%，归母净利润 3.89 亿元、同比增长 10.86%；电子化学品业务收入 6.91 亿元、同比增长 约 56.89%，占营收比重提升至 32.44%，销量 1.28 万吨、均价同比提升 2.87%，光刻胶等电子化学品延续放量态势。 显示光刻胶同样稳居本土第一，光刻胶平台价值有望持续兑现。我们认为，公司一体化布局在本土厂商中具备稀缺性， KrF 基本盘份额扩大、ArF 放量接力叠加配套材料协同上量，电子材料板块有望保持高速增长。

图表12：彤程新材光刻胶业务布局与最新进展

来源：公司年报及公告，深企投产业研究院，国金证券研究所

• 2）鼎龙股份（300054.SZ）：CMP 材料平台优势外溢，高端光刻胶进入批量交付元年

公司以 CMP 抛光垫为核心构建半导体材料平台，业务覆盖 CMP 抛光垫、抛光液/清洗液、半导体显示材料、先进封装 材料及高端晶圆光刻胶，按 2025 年收入计为中国第一大 CMP 抛光垫国产供应商、市场份额 38.5%。

国内首条全流程高端晶圆光刻胶产线投产，批量订单快速上量。公司定位浸没式 ArF、高端 KrF 等国内相对空白的高 难度品类，潜江二期年产 300 吨 KrF/ArF 光刻胶产业化项目于 2026 年 3 月建成投产，为国内首条覆盖"有机合成-高 分子合成-精制纯化-光刻胶混配"全流程的高端晶圆光刻胶量产线，已建成超 30 条成品产线并预留同等规模扩展空 间，叠加一期 30 吨中试线合计年产能 330 吨，核心树脂、特殊单体、光致产酸剂等关键原材料实现自主供应。订单 端，公司已向两家头部晶圆厂客户交付数百加仑浸没式 ArF 及 KrF 光刻胶并在客户量产产线顺利应用，2026 年上半 年合计约获得 1000 加仑采购订单、批量交付规模持续提升；已有 8 款高端晶圆光刻胶取得多家国内主流晶圆厂批量 订单，ArF 与 KrF 各 4 款，累计布局 40 余款产品，近 30 款送样验证、超 10 款进入加仑样测试阶段，产品矩阵纵深持 续加厚。

• 3）上海新阳（300236.SZ）：湿电子化学品高增兑现，光刻胶从投入期走向订单期

湿电子化学品国产标杆，半导体主业驱动业绩高增。公司主营集成电路用电镀液及添加剂、清洗液等湿电子化学品， 同步布局光刻胶及配套材料，另有工业涂料业务。

光刻胶全品类平台建成，收入从百万级迈向规模化。公司已建成包括 I 线、KrF、ArF 干法、ArF 浸没式各类光刻胶在 内的完整的研发合成、配制生产、质量管控、分析测试平台，本部 100 吨/年光刻胶产能已建成投产，原规划 500 吨/ 年高分辨率光刻胶产线调整至上海化学工业区基地实施。收入端持续爬坡：2023 年光刻胶收入 400 余万元，2024 年 同比增长超 100%，2025 年多款产品批量化销售、销售规模同比增长 30%以上，据此测算 2025 年光刻胶销售规模已超 1040 万元；KrF 光刻胶已有多款产品实现批量化销售，ArF 浸没式光刻胶已取得销售订单、项目持续开发验证中。研 发端， 2024 年公司变更部分募集资金新增投入 1.65 亿元用于 ArF 浸没式光刻胶研发项目。我们认为，主业的利润贡 献与产线 Baseline 地位为光刻胶导入提供了现成的晶圆厂渠道与信任基础，光刻胶正处于从"研发投入期"向"订单兑 现期"切换的阶段，后续 KrF 放量节奏与 ArF 浸没式验证进展是核心跟踪变量。

• 4）南大光电（300346.SZ）：聚焦先进前驱体、电子特气、光刻胶及配套材料三大板块。公司重点突破 ArF 光刻胶，已 有 6 款产品通过客户验证，2025 年新增 3 款通过验证并取得订单，光刻胶及配套材料全年销售收入突破 2000 万元， 配套稀释剂收入实现翻倍。验证通过后更大的考验是实现稳定生产，品质出现微小变动都可能导致芯片良率下降。与 公司成熟的前驱体、电子特气业务相比，光刻胶收入占比仍低，当前主要价值在于先进产品验证和平台协同。
• 5）晶瑞电材（300655.SZ）：产品包括超净高纯试剂、光刻胶及配套材料、锂电材料等，年营业收入2025 16.10 亿元、 归母净利润 1.49 亿元。旗下瑞红苏州拥有紫外宽谱、g 线、i 线、KrF、ArF 产品与测试平台，2025 年光刻胶收入 2.23 亿元、同比增长 12.67%，其中 i 线销量和销售额均增长超过 30%，KrF 均增长超过 70%，ArF 已向多家客户批量供应。 成熟胶已形成收入基础，高端胶处于加速爬坡期。

• 7.2、显示与面板光刻胶

• 1）雅克科技（002409.SZ）：业务电子材料与 LNG 保温绝热板材两大主业，电子材料覆盖前驱体、光刻胶及配套试剂、 电子粉体、特气等。光刻胶方面，公司通过韩国业务布局彩色显示光刻胶等产品，2025 年光刻胶及配套试剂收入 19.60 亿元、同比增长 27.65%。 半导体及先进光刻胶布局方面，半导体光刻胶及封装光刻胶正在客户验证测试中、已通过 产品的产线正在建设，同时公司也在改造部分 TFT 产能生产先进封装光刻胶。
• 2）飞凯材料（300398.SZ）：业务涵盖屏幕显示材料、半导体材料、紫外固化材料和有机合成材料，其中，面板正性光 刻胶已规模化生产，半导体材料板块还包括湿制程化学品、高纯溶剂等，年产 3 万吨半导体专用材料项目的产品矩阵 包含光刻胶。半导体光刻胶方面，公司 i-line 光刻胶已量产、处客户推广阶段，KrF 光刻胶抗反射层材料已量产，ArF 光刻胶抗反射层已在部分客户量产。

• 7.3、PCB 光刻胶与上游材料

• 1）容大感光（300576.SZ）：是国内 PCB 感光材料主要供应商，并拓展显示、半导体及光伏感光化学品，2025 年营业 收入 10.69 亿元、归母净利润 1.18 亿元。2025 年 PCB 光刻胶收入 9.93 亿元，占总收入 92.87%，显示用及半导体光 刻胶收入 3812 万元、占比 3.57%、同比增长 14.27%。公司正加速感光干膜光刻胶布局，珠海基地一期两条产线投产、 年产能约 1.2 亿平方米，第三条高端进口生产线进入安装调试，预计年内试生产，届时总设计产能达 1.8 亿平方米。 在 AI 算力相关 PCB 光刻胶领域，高阶 HDI 及 IC 封装基板用高端感光线路油墨已在胜宏科技、深南电路、沪电股份等 头部厂商实现批量供货，供货份额约 80%。
• 2）强力新材（300429.SZ）：主要销售光引发剂、光敏树脂等电子化学品，服务 PCB、显示和半导体感光材料产业链， 2025 年营业收入 9.89 亿元、归母净利润亏损 1.27 亿元、亏损同比收窄。客户端，主要客户包括长兴化学、旭化成、 RESONAC、住友化学、JSR、DNP、三菱化学等全球知名光刻胶生产商；产品端，2025 年光引发剂合计收入 6.88 亿元， 其中半导体光刻胶光引发剂收入 6629 万元、同比增长 9.81%，销量 40.68 吨、同比增长 16.73%，光刻胶树脂收入 1.09 亿元；产能端，现有 PCB 光刻胶光引发剂产能 2100 吨/年、PCB 光刻胶树脂产能 5.66 万吨/年、半导体光刻胶光引发 剂产能 80 吨/年，其他用途光引发剂在建产能 6100 吨/年，年产 395.2 吨半导体先进封装材料项目已获批；验证端， 半导体光刻胶光酸持续推进车间建设、开发无 PFAS 新产品并已获得连续订单，PAG 系列广泛应用于 i 线、KrF 半导体 光刻胶领域，PSPI 处于客户验证阶段。

• 1、 客户验证不及预期风险。光刻胶进入晶圆厂需经历长周期验证，若境内厂商产品验证进度或放量节奏慢于预期， 将影响收入兑现。
• 2、 高端原料与设备受限风险。部分高纯原料及关键分析检测设备仍依赖进口，若供应受限可能制约国产光刻胶的质 量提升与量产能力。
• 3、 半导体周期风险。光刻胶需求与晶圆开工率高度相关，下游景气及开工率波动将直接影响材料出货量与价格。
• 4、 竞争及价格风险。日本企业在高端领域具有长期积累优势，国产替代竞争加剧可能导致价格下降、盈利承压。
• 5、 技术路线变化风险。新一代光刻技术（如 High-NA EUV、干法光刻、MOR 光刻胶等）可能改变材料需求结构，现 有技术积累存在被颠覆的风险。

行业投资评级的说明： 买入：预期未来 3－6 个月内该行业上涨幅度超过大盘在 15%以上； 增持：预期未来 3－6 个月内该行业上涨幅度超过大盘在 5%－15%； 中性：预期未来 3－6 个月内该行业变动幅度相对大盘在 -5%－5%； 减持：预期未来 3－6 个月内该行业下跌幅度超过大盘在 5%以上。

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