头豹市场研究| 2026/06

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2026年中国硅光光模块行业概览： CAGR超40%，全球硅光模块开启百亿 美元远期市场空间

China Silicon Photonics Optical Module Industry

Overview

シリコンフォトニクス光モジュール市場研究報告 （精华版）

报告标签：硅光光模块、核心器件、材料、市场规模、产业链

撰写人：于利蓉

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报告要点速览

|（1）高集成度：以硅光技术为核心，将波导、调制器、探测器等集成在单一硅光芯片上， 实现芯片级的光子集成，是迈向光电融合的基础。（2）低成本：硅是地壳中储量第二丰富 的元素，硅材料丰富且廉价；全球超过90%的集成电路基于硅CMOS工艺制造，其兼容CMOS 工艺，可实现大规模、低成本制造。（3）低功耗：高度集成架构减少分立器件之间互连损 耗，部分应用场景可省去激光器TEC温控器件，进一步降低整机功耗。（4）高带宽密度：因 其结构简单，组件数量大幅减少，相比传统光模块体积缩小约30%，更小的尺寸意味着在同 等面板面积上可部署更多端口，支持更高带宽。

硅光光模块是基于硅光技术制造的新一代光通信模块，高集成度、低成本、低功耗、高带宽 密度是其优势。

其中，激光器以外置CW激光器为主，具备低噪声、输出功率高、波长一致性好等优势，异 质键合和异质外延以实现激光器片上集成是未来的主流发展趋势。硅基调制器具备低成本及 高集成度的优势，MZM是现阶段主流方案，未来薄膜铌酸锂与硅基集成调制器有潜力成为制 造高性能集成光子器件的理想平台。锗硅光电探测器（Ge/Si PD）在性能、工艺兼容性和成 本等方面具有显著优势，是目前主流方案，波导耦合型Ge/Si PD晶体质量、结构完整性和集 成度更好，应用前景广阔。与此同时，端面耦合带宽大损耗低，是目前的主流方案。氮化硅 波导方案具有宽透明窗口、高折射率对比度、低光学损耗和CMOS兼容性等优势，PECVD将 氮化硅波导层沉积到SOI晶圆上可实现低波导损耗。为进一步提升整体带宽承载能力，硅光 模块依托复用技术成倍扩充单通道传输容量，由复用 / 解复用（MUX/DeMUX）器件完成多 路并行光信号调度处理，波分复用架构是目前产业化应用的主流方案。

硅光模块通过“硅基无源集成+有源异质集成+电芯片协同”的技术路线，实现光源、调制、探 测、传输及信号处理功能的深度融合，通过融合硅、氮化硅、Ⅲ-Ⅴ族半导体材料及铌酸锂等 光子集成材料，兼顾性能提升与成本管控。

数据中心Spine-Leaf（叶脊）架构已成为主流组网模式，内部互联速率向800G、1.6T甚至 3.2T演进，推动硅光模块渗透率提升。此外，硅光模块演进至光电共封装领域，以及数据中 心全光交换网络中的硅基平台光开关/光交换芯片，进一步拓展硅光光模块的市场空间；电 信市场，硅光光模块主要应用于长距离相干传输和基站前传，随着全光网络逐渐确立在算力 集群互联中的核心地位，硅光技术向WSS等光交换器件渗透，市场空间进一步提升。预计 2030年全球硅光光模块市场规模将达145.6亿美元。全球数据中心用硅光光模块市场规模将 达77.6亿美元，占比53.3%；全球电信领域用硅光光模块市场规模将达62.9亿美元，占比43.2%。

数据中心和电信市场是硅光光模块主要下游应用市场，预计2030年全球硅光光模块市场规模 达145.6亿美元。

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◼ 硅光光模块的定义

硅光光模块是基于硅光技术制造的新一代光通信模块，以其材料特性及CMOS工艺的先天优势，具有高集 成度、低成本和低功耗潜力、高带宽密度等优势，能够更好适配数据中心需求

硅光光模块的定义

硅光技术

❑ 硅光技术，也称硅光子学，是一种利用成熟的硅基半导体工艺（CMOS）在硅芯片上制造、集成光电子器件， 实现光信号传输、处理和运算的技术。硅光技术的目标是在硅片上“雕刻”出光路系统，用光来代替或辅助电 进行信息传输。

硅光模块

❑ 硅光光模块，是基于硅光技术制造的新一代光通信模块，以硅光技术为核心，将波导、调制器、探测器等集 成在单一硅光芯片上，再与DSP/TIA/DRIVER等电芯片组成硅光模块。是硅光技术最典型、最成熟的产品形态 和应用。

❑ 传统光模块中各器件分立，需要连接与封装。硅光技术以其材料特性以及CMOS工艺的先天优势，能够很好 的满足数据中心对更低成本、更高集成、更低功耗、更高互联密度等要求，重要性愈加凸显。Photonics-SOI （Photonics Silicon-On-Insulator）绝缘体上硅材料平台可以让标准CMOS晶圆厂实现高速光发射器和接收器 芯片的大批量生产晶圆，为数据中心内链路提供高数据速率和高性价比的收发器解决方案。

硅光光模块与传统光模块的区别 硅光模块的优势

|对比 维度 传统光模块 硅光模块|

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|核心 材料

磷化铟、砷化镓等 硅

集成 方式

分立器件封装：将激 光器、调制器、探测 器等独立的芯片在 PCB板上组装

单片集成：将波导、调制器、 探测器等集成在单一硅光芯 片上

光源

直接使用集成的激光

器（如DFB、EML）

外置CW激光器：一个激光

器通过分束器为多个通道提

供光源

结构

复杂，需要大量的透 镜、对准组件和封装 材料

简单，芯片上通过波导进行 光路连接，组件数量大幅减 少

体积 与功 耗

较大、较高

更小（体积缩小约30%）、 更低（潜在功耗）

成本 潜力

材料（如InP）和封装 成本高，下降空间有 限

利用廉价硅材料和CMOS 工艺，规模化后成本优势 显著|

实现芯片级的光子集成，是迈向光 电融合的基础

高集成度

低成本潜 力

硅材料丰富且廉价，兼容CMOS工艺 可实现大规模、低成本制造

低功耗潜 力

高集成度减少了器件间互连的能耗， 且无需TEC等温控器件

高带宽密 度

更小的尺寸意味着在同等面板面积 上可部署更多端口，支持更高带宽

来源：易天·光通信官网、奥创普科技官网、头豹研究院

◼ 硅光光模块的封装构造

从封装构造看，硅光光模块采用成熟的CMOS半导体工艺（如光刻、刻蚀、沉积等），在硅基材料上集成 调制器、波导、分光器等光学器件，集成度明显高于传统光模块

硅光光模块的封装构造

❑ 硅光模块基于成熟的CMOS制造工艺（如光刻、刻蚀、沉积等），在硅基 材料上集成调制器等有源光器件以及波导、分光器等无源光学器件，集成 度明显高于传统光模块。

❑ 激光器通常采用CW激光器芯片作为外置光源，具有相干性好、可靠性高、

波长可调谐、使用寿命长等优势。调制器应用最广的是等离子色散效应， 常见的等离子色散效应的调制器方案包括马赫-曾德尔调制器和微环谐振 腔调制器。硅光模块的波导传输损耗极低，可将光波导宽度和弯曲半径分 别缩减至约0.4微米和2微米。光信息的耦合需要将插损控制在1dB以下，必 须采用高精度的自动耦合封装设备，确保封装精度、良率和效率。

❑ 相比传统分立器件架构光模块，硅光方案将多类光学元件集成于单颗硅光 子芯片，依靠硅波导传输光信号，并通过高精度片上耦合器完成与光纤的 光耦合，能够显著提升芯片集成度，同时降低整机功耗、物料成本与封装 工艺复杂度，是800G、1.6T及以上超高速算力光互连场景的关键支撑技术。

来源： 36Kr欧洲总站、头豹研究院

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400-072-5588

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◼ 硅光光模块的行业政策

国家持续加大对硅光光模块行业发展的政策支持力度。“十五五”规划强化顶层布局，行业政策推动光模块从 800G向1.6T/3.2T代际升级，并驱动高端光电芯片和器件的自主研发进程

硅光光模块相关政策

政策名称 颁布时间 颁布主体 政策要点

《“人工智能+信息通信” 创新发展实施意见 （2026—2028年）》

2026年6月

工业和信息 化部

加强高端光电芯片和器件研发：加强高速光电芯片、高速转 发/交换芯片、全光交换器件、光电共封装器件等技术和产 品研发验证，开展光电混合组网技术试验，加速技术方案成 熟。加强智算超节点光电互联技术攻关，开展智算网络技术 与产品验证。

《中华人民共和国国民 经济和社会发展第十五 个五年规划纲要 （2026–2030）》

2026年3月

全国人民代 表大会

壮大数字经济核心产业，发展新一代通信技术、云计算、区 块链等产业，提升高端芯片、光电子器件、基础软件和工业 软件等产业水平，打造具有国际竞争力的数字产业集群。

《深圳市加快推进人工

智能服务器产业链高质

量发展行动计划 （2026-2028年）》

2026年3月

深圳市工业

和信息化局

推动光模块从800G向1.6T/3.2T代际升级，支持800G及以上 光模块量产项目落地；重点发展高速率、低功耗硅光模块、

CPO/LPO/NPO封装光模块，推动高端薄膜铌酸锂、高端磷

化铟等核心技术突破与规模化应用；推动全光交换技术演进 与产业化应用，提升核心材料、光芯片、光器件自主研发能 力。

《关于开展城域“毫秒 用算”专项行动的通知》

2025年10月

工业和信息 化部

到2027年实现城域中型及以上算力中心间光层单向互连时延 小于1毫秒。加快算力中心间高性能网络部署，有序推进城 域400Gbps及以上、全光交叉等高速光传输系统设备应用， 到2027年实现城域中型及以上算力中心出口400Gbps部署率 不低于50%，城域重要站点全光交叉部署率不低于50%。

《电子信息制造业2025 －2026年稳增长行动方 案》

2025年8月

工业和信息 化部、市场 监督管理总 局

规模以上计算机、通信和其他电子设备制造业增加值平均增 速在7%左右，加上锂电池、光伏及元器件制造等相关领域后 电子信息制造业年均营收增速达到 5%以上。面向光子领域

重点环节开展技术攻关，加大对高速光芯片、光电共封等领 域的研发投入力度，推动光架构与现有电架构体系生态融合。

来源：政府官网、头豹研究院

◼ 硅光光模块的发展历程

硅光模块概念萌芽于20世纪70年代，2004年Intel研制成功硅光调制器，行业技术快速发展，2013年Luxtera 推出首款商用级硅光模块，2024年至今行业在AI驱动下进入规模化发展阶段

硅光光模块的发展历程

❑ 硅光技术起源于1969年贝尔实验室提出的集成光学理念，历经概念萌芽、 技术攻关、商业化发展，至2024年迈入规模化发展阶段。早期以理论验证 和基础器件探索为主，如1985年理查德·索雷夫首次系统论证单晶硅作为光 波导材料的可行性，为硅光技术奠定理论基础。2003年后，硅光进入技术 攻关阶段，Intel相继推出1Gb/s硅光调制器、Ge-on-Si雪崩探测器，并联合 IBM实现50Gb/s和160Gb/s高速传输验证，推动关键器件成熟。2013年以来，

Luxtera、Intel、Acacia等企业陆续推出商用产品，推动硅光技术在数据中

心短距互联和相干通信领域实现商业化应用。2024年以来，随着AI算力需 求推动800G和1.6T光模块加速发展，台积电联合产业链伙伴成立SiPhIA联 盟，国内外企业持续推进高速硅光芯片研发和量产布局，硅光技术正由商 业化阶段迈向规模化应用阶段，逐渐成为下一代高速光互联的重要技术路 线。

来源：今日头条、百度百科、深圳光学光电子行业协会、头豹研究院

◼ 硅光光模块行业市场规模

预计2030年全球硅光光模块市场规模达145.6亿美元，CAGR约40.1%。其中，数据中心为硅光模块的主要应 用场景，占比53.3%，电信领域为第二大应用市场，占比43.2%

全球硅光光模块行业市场规模，2023-2030E

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❑ 预计2030年全球硅光光模块市场规模将达145.6亿美元。2023年全球硅光光模块市场规模约13.8亿美元， 预计2030年增长至145.6亿美元，2023-2030年年复合增长率为40.1%。行业高速增长核心驱动在于，硅 光技术依托CMOS成熟制造工艺，可实现光电器件单片集成，相较传统分立光模块具备高集成度、低功 耗、可规模化降本的核心优势，完美适配800G、1.6T及以上超高速光模块迭代需求；同时AI算力集群扩 容、全球算力基础设施升级、光电集成技术持续突破，叠加产业链国产化推进、良率稳步提升，推动行 业渗透率持续攀升与市场规模快速增长。

❑ 预计2030年全球数据中心用硅光光模块市场规模将达77.6亿美元，占比53.3%。2023年，全球数据中心 用硅光光模块市场规模约6.3亿美元，预计2030年增长至77.6亿美元，2023-2030年年复合增长率为 43.3%。主要增长原因在于AIGC带来的算力需求爆发推动高速光互连需求快速增长，同时CPO/OIO等先 进封装技术以及光交换架构持续演进，进一步拓展硅光技术在AI数据中心中的应用场景。

❑ 预计2030年全球电信领域用硅光光模块市场规模将达62.9亿美元，占比43.2%。2023年全球电信领域用 硅光光模块市场规模约7.5亿美元，预计2030年增长至62.9亿美元，2023-2030年年复合增长率为35.5%。 该领域增长动力主要来自全球骨干网、城域网带宽持续扩容，以及5G深度普及、6G技术前瞻布局带来 的传输网络升级需求。

来源： Yole、头豹研究院

在数通市场，硅光光模块受益于数据中心网络架构和互联速率升级，并从硅光模块演进至光电共封装领域， 以及数据中心全光交换网络中的硅基平台光开关/光交换芯片

硅光光模块下游应用

数据中心架构演变

❑ 数据中心网络架构和互联速率升级推动硅光模块 渗透率提升。传统数据中心采用三层架构，AI算

力崛起推动服务器间横向通信占比提升，三层架

构已不再适应日益增长的数据中心流量需求，叶 脊架构成为主流，叶脊架构下，光模块数量可高 达数十倍，以满足大规模AI集群对大带宽、低时 延、无损网络的需求。此外，数据中心内部互联 速率向800G、1.6T甚至3.2T演进。硅光模块凭借 高集成度和低功耗，渗透率将持续提升。

❑ 硅光模块演进至光电共封装领域。传统交换机中， 电信号从Switch ASIC出发，经过PCB走线、连接 器、端口笼（Port Cage），到达外插式光收发 器（Transceiver），由DSP芯片补偿失真后，再 驱动激光器转为光信号，路径长达数十厘米，电 损耗高达22dB。CPO主要用在交换机端口，通 过将光模块和交换芯片紧邻封装在一起，可降低 功耗、提高信号完整性、减少延迟，并缩小其体 积。2026年6月，英伟达正式宣布Spectrum-X以 太网硅光技术全面量产，通过CPO技术将硅光子 集成电路（PIC）直接封装在交换机ASIC旁边，

传统可插拔开关对比英伟达共封装硅光子技术

电信号只需经过极短的基板走线（损耗仅4dB）

就能到达光引擎，无需外插模块。

❑ 硅光技术还可应用在数据中心的全光交换网络中， 例如硅基平台光开关/光交换芯片。上图所示是 基于硅-双层氮化硅混合集成平台的32*32，该芯 片基于切换-选择（Switch&Select）型拓扑结构，

上海交通大学研制的32*32硅基光开关芯片

芯片上总共集成1,984个马赫-曾德尔光开关单元

以及超过24万个波导交叉结。采用硅-氮化硅多 层波导实现超低损耗波导交叉结，有效降低系统 插入损耗；采用8块FPGA驱动芯片实现片上所有 开关单元的独立控制。该光开关芯片平均插入损 耗（光纤到光纤）12dB，切换速度小于400μs， 芯片总功耗小于1W。该芯片有望用于数据中心 网络中实现全光交换，解决传统电交换面临的功 耗、延迟、带宽等瓶颈问题。

来源：NexSensor公众号、芝能智芯、深圳光学光电子行业协会、头豹研究院

硅光模块在电信领域主要应用于长距离相干传输和基站前传，随着全光网络逐渐确立在算力集群互联中的 核心地位，硅光技术向WSS等光交换器件渗透，不断拓展应用空间

硅光光模块下游应用

CDC ROADM 构架 基于 LCOS 技术的全光开关光学构架

❑ 电信领域硅光模块应用于长距离相干传输。骨干网和城域网承担跨区域海量 数据传输任务，对容量、速率和可靠性要求较高。随着云计算、人工智能和 算力网络发展，运营商网络持续向400G、800G升级。相干光通信凭借长距离、 大容量及较强的色散容忍能力，已成为长距离传输的主流方案。目前，超过 1,000km的骨干网及100～1,000km的城域网已逐步采用相干光模块。硅光技 术通过集成调制器、复用器等器件，可降低功耗和成本，并推动相干模块向 高速率、小型化方向发展。

❑ 电信领域硅光模块还应用于基站前传。基站前传是移动通信网络中连接基带 处理单元（BBU/DU）与远端射频单元（RRU/AAU）的关键链路，需满足高 带宽、低时延、高可靠性和低成本等要求。硅光模块在基站侧可实现前传链 路光互联 ，降低约30%功耗并支持毫米波与光传输混合调度。华为已完成硅

光方案在5G基站前传场景的试点验证，未来6G网络将进一步依赖硅光技术实

现超高速率与低延迟传输。

❑ 全光网络升级推动硅光技术向WSS（波长选择开关）等光交换器件渗透。 2026中国光网络研讨会中国电信研究院院长张成良发布《ROADM网络发展 与挑战》报告，明确全光网在算力集群互联中的核心地位。中国电信现阶段 已建成覆盖中国31个省市、总里程达40万公里的100G ROADM网络，400G ROADM规模部署同步启动。全光网络升级浪潮下，ROADM（可重构光分插 复用系统已经成为现代光纤通信网络的核心组件，而WSS是ROADM的核心组 成部分，基于LCOS（硅基液晶）技术的WSS具有高端口数目，且支持灵活栅

格（Flex-grid）标 准，可大幅提升全光通信网络的传输容量。因此，近年来

基于LCOS技术的WSS器件成为行业主流选择，进一步拓宽硅光技术在电信网 络中的应用空间。

来源：移动通信网、杨海宁等《硅基液晶技术与可重构全光通信网络》、头豹研究院

◼ 硅光光模块行业发展趋势

硅光光模块行业的发展趋势呈现出高速率升级、多材料异质集成持续深化、应用场景由可插拔模块向 CPO/OIO延伸、产业链国产化纵深推进的特点

硅光光模块行业发展趋势

传输速率持续升级，从800G向

1.6T/3.2T迈进

AI算力需求快速增长推动数据中心网络持续 升级，硅光模块正由800G向1.6T、3.2T演进。 目前400G硅光技术已较为成熟，800G产品 进入规模出货阶段，1.6T产品开始量产爬坡， 以满足AI集群和超大规模数据中心对带宽和 能效的需求。随着单通道速率由100Gbps向 200Gbps演进，PAM4调制技术持续升级， 推动光链路线性度和系统稳定性不断提升。 未来，硅光模块有望进一步向3.2T发展，而 在长距离传输和数据中心互联（DCI）等场 景中，相干调制技术的渗透率也将逐步提升。

应用场景由可插拔模块向CPO/OIO延伸， 并持续拓展

薄膜铌酸锂等新型材料异质集成，补齐 硅基材料原生性能短板

硅材料本身属于间接带隙材料，在发光和高

速调制方面存在天然局限，多材料异质集成

将成为硅光技术的重要发展方向。目前硅光 模块仍以外置CW激光器方案为主，Intel实 现片上异质集成的商业化，未来硅光芯片将 向更高集成度发展，在硅基芯片上异质集成 InP激光器可能成为主流方案；薄膜铌酸锂 在高速调制中表现优异，与硅光异质集成可 弥补硅基调制器的带宽瓶颈，未来可能在商 业化硅光芯片中应用，据LightCounting预测， 采用TFLN调制器的销售额在2029年有望达 到7.5亿美元；硅基氮化硅混合集成的应用

扩展、石墨烯等二维材料在硅光芯片的应用

正在研发推进中。

产业链国产化纵深推进，规模化降本与 自主可控同步落地

硅光高度集成的先天属性高度适配下一代光 电架构演进，应用场景由可插拔模块向 CPO/OIO延伸。一方面，硅光是CPO（共封 装光学）核心光引擎载体，可与交换机ASIC 芯片共基板封装，大幅缩短高速电互连距离， 降低系统功耗与信号时延，支撑3.2T及以上

超带宽演进；在芯片间短距互联场景中，

OIO芯片级光输入输出方案依托硅光集成优 势，成为低功耗、超高带宽互联技术重要发 展方向。除此之外，硅基光电子技术在光计 算、车载激光雷达、消费级AR/VR、医疗光 学检测等多元领域的产业化潜力正逐步释放。

来源：今日头条、深圳光学光电子行业协会、光库科技年报、头豹研究院

全球光模块制造产能已高度集中于中国，据

LightCounting2025年数据，全球前十光模块 厂商按销售额计中国占7席，硅光产业链国 产化进程加快。SOI晶圆、CW-DFB激光器、 硅光工艺设备以及光子EDA工具等关键环节 逐步实现国产突破，有效缓解供应链风险。 与此同时，硅光设计、12英寸晶圆制造和高 精度封装工艺持续成熟，良率稳步提升， CMOS规模制造优势不断释放，推动流片和 封装成本持续下降。此外，中国头部光模块 厂商积极布局800G和1.6T硅光产品，并与海

外云厂商建立长期合作关系，推动中国硅光

产业全球竞争力持续提升。

◼ 硅光光模块行业产业链

硅光光模块产业链上游为核心材料、芯片设计与专用配套零部件环节，中游为硅光光模块整机研发制造环 节，下游为终端应用环节，主要应用于数通市场和电信市场

硅光光模块行业产业链

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到“硬科技核心”，金刚石散热材料进入商业化元年》

❑ 硅光光模块产业链上游为核心材料、芯片设计与专用配套零部件环节，主

要涵盖硅光芯片设计、SOI衬底/外延片、CW-DFB 光源、硅光封装及专用

测试设备四大细分领域；中游为硅光光模块整机研发制造环节，以中际旭 创、新易盛、光迅科技、华工科技等厂商为主体，完成硅光芯片封装、整 机集成与产品出货；下游为终端市场应用环节，主要包括以全球云厂商、 网络设备商构成的数据中心数通市场，以及三大运营商主导的电信传输市 场。

❑ 从企业布局看，英特尔、博通、Coherent、Soitec、Shin-Etsu等海外企业 在上游硅光芯片设计、SOI晶圆、核心激光器和设备等关键环节仍具备先 发优势；中国企业如中际旭创、新易盛、华工科技、光迅科技等企业的优 势集中在中游硅光光模块整机制造环节，同时正持续向上游衬底、芯片设 计、封装设备延伸突破，全链条自主可控进程持续提速。

来源：头豹研究院

◼ 硅光光模块行业布局企业

硅光光模块行业布局公司主要有中际旭创、光迅科技、华工正源、新易盛、博创科技、剑桥科技、海光芯 正、铭普光磁、亨通电子、德科立、天孚通信、索尔思光电等企业

硅光光模块行业布局企业

领域 公司名称 公司产品布局

中际旭创

2025年全球TOP10光模块厂商排名第一，2024年400G/800G硅光产品系列实现大规模交付，1.6T OSFP DR8硅光模块发布，2025年OFC展会上报道了一种低插损硅光端面耦合器。

光迅科技

2025年全球TOP10光模块厂商排名第四，2022年硅光工艺平台成熟，400G DR4硅光模块批量发货，

推出800G DR8硅光模块；实现CW光源等光芯片自研；2024年，联合思科推出1.6T OSFP-XD硅光模 块；2025 OFC展会上发布3nm制程DSP芯片与硅光技术融合的1.6T OSFP224 DR8硅光模块。

华工正源

2025年全球TOP10光模块厂商排名第七，2022年发布800G硅光模块，2024年在美国OFC2024上正式 推出1.6T-200G/λ高速硅光模块方案。其母公司华工科技投资公司创立的云岭光电专注于中高端光通 信半导体光芯片，拥有完全自主知识产权，具备全流程生产能力的IDM光芯片企业。

新易盛

2025年全球TOP10光模块厂商排名第二，2022年收购Alpine获得其硅光技术，目前已推出 400G、 800G、1.6T 系列硅光模块产品。

博创科技

基于硅光子技术的400G DR4硅光模块已实现批量出货，800G光模块提供硅光解决方案，高速硅光产 品研发稳步推进。

硅光模

块/硅光 芯片

剑桥科技

2025年全球TOP10光模块厂商排名第十，2025年完成第二代硅光800G系列产品开发验证，全系列硅 光800G产品实现海外核心客户批量发货；基于3nm DSP的1.6T产品完成开发验证并于2025年四季度 客户送样。

海光芯正

铭普光磁

2023年，搭建硅光子集成平台，聚焦800G/1.6T硅光模块研发；2024年发布1.6T硅光光模块；2025年 成立南京、苏州全资子公司，自建硅光模块生产工艺平台，在行业内率先实现硅光全链条国产化突 破。

2024年3月，公司硅光800G DR8光模块已通过行业检测标准；硅光1.6T DR8、800G 2×FR4处于开发 阶段。

亨通光电

2018 年与美国知名创立合资公司亨通洛克利，依托美国洛克利在硅光子芯片的技术开发硅光模块； 目前基于国产化硅光集成芯片的400G OSFP112 DR4产品已通过客户测试。

德科立

基于自研核心光器件，整合硅光、TFLN技术，布局长距离相干硅光模块。2025年公司800G OSFP DR8、800G OSFP 2*FR4模块（含硅光架构）已实现小批量交付，自研1.6T OSFP DR8已推出硅光路 线样品。

天孚通信

提供高性能的高速光引擎产品及方案，涵盖CW、DFB、EML芯片和硅光芯片等；与全球领先的硅基 光电子技术公司OpenLight建立合作，优化硅光链路解决方案。

• 2024年，索尔思光电和英特尔达成许可协议，允许公司使用英特尔800G硅光模块设计及硅光芯片；
• 2025年OFC展会上展示了基于与Intel联合开发的采用混合集成技术方案的1.6T硅光模块。

索尔思光电

来源：各企业官网、今日头条、头豹研究院

◼ 硅光光模块核心器件——激光器

目前硅光模块激光器以外置CW激光器为主，CW DFB光源技术路线中，BH和RWG是两种主流的波导结构，InGaAlAs和 InGaAsP是两种主流的有源区材料，目前商业化可行的技术路线为BH+InGaAsP和RWG+InGaAIAs方案；混合集成、异质 键合和异质外延是硅光模块中激光器实现高度集成的三种技术路径，目前，Intel采用异质键合技术。异质键合和异质外 延以实现激光器片上集成是未来的主流发展趋势

CW激光器的技术路线和硅光芯片集成激光器方案对比

来源：源杰科技招股书、长光华芯官网、知网、SciEngine、深圳光学光电子行业协会、头豹研究院

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◼ 硅光光模块核心器件——调制器

调制器基于材料不同可分为铌酸锂、磷化铟、硅基和聚合物电光调制器，混合集成调制器主有硅基-有机物 混合集成、硅基-LiNbO3混合集成以及硅基-III-V族混合集成调制器等；目前硅光模块中多采用硅基调制器， 具备低成本及高集成度的优势，MZM是现阶段主流方案；未来，薄膜铌酸锂与硅基集成调制器有潜力成为 制造高性能集成光子器件的理想平台

调制器基于不同材料的分类

来源：浙江大学、李金野等《宽带电光调制器的研究现状与新型硅 基混合集成调制器的发展趋势》、深圳光学光 电子行业协会、李金野等《宽带电光调制器的研究现状与新型硅 基混合集成调制器的发展趋势》 、头豹研究院

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光模块行业概览：CAGR超40%，全球硅光模块开 启百亿美元远期市场空间》

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◆ 研究院密切关注行业发展最新动向，报告内容及数据会随着行业发展、技术革新、竞争格局变化、政策法规 颁布、市场调研深入，保持不断更新与优化。

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