证 券 研 究 报 告

|行业周报|

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华虹宏力与中芯国际Q2业绩高增，国产

晶圆代工景气攀升

半导体行业周报

推荐 维持 2026年08月18日

投资评级： （ ） 报告日期：

|◼ 分析师：庄宇

◼ SAC编号：S1050525120003

◼ 联系人：石俊烨

◼ SAC编号：S1050125060011

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投 资 要 点

|中芯国际Q2营收首破30亿美元大关，同比增长36.1%

8月13日，中芯国际发布2026年二季度财报，整体营收首次突破30亿美元，创历史新高。二季度实现销售收入30.06亿美元，同比增长36.1%，

环比增长20.0%；毛利润7.61亿美元，同比增长69.1%，环比增长51.0%；毛利率为25.3%，同比增长5.2个百分点，环比增长4.9个百分点；公 司拥有人应占期内利润为4.79亿美元，同比增长261.7%，环比增长142.7%。 中芯国际表示，二季度销售收入上升主要由于当季晶圆销量增加、平均售价上升及产品组合变动所致。二季度月产能由第一季的1,078,250片折 合8英寸标准逻辑晶圆增加至1,096,500片折合8英寸标准逻辑晶圆。公司预计第三季度收入环比增长2%至4%，毛利率介于26%至28%的范围。 展望下半年，中芯国际指出，人工智能产生的产业推动与溢出效应还将持续，为集成电路制造带来广泛的需求，公司灵活调配已有产能，快速验

证新增产能，帮助缓解产业链紧缺局面，对行业走向和公司发展保持乐观看法。

华虹宏力Q2营收和净利双增，产能利用率达到102.8%

8月13日，国产晶圆代工大厂华虹宏力公布2026年第二季度业绩，销售收入达7.175亿美元，同比增长26.8%，环比增长8.6%，创历史新高；毛 利率16.5%，同比上升5.6个百分点，环比上升3.5个百分点；母公司拥有人应占利润3860万美元，同比上升385.9%，环比上升84.6%。二季度

付运晶圆153.8万片（折合8英寸），同比增长17.9%，产能利用率为102.8%。

按应用来源划分，消费电子贡献收入4.813亿美元，同比增长34.7%，占总收入67.1%；工业及汽车收入1.621亿美元，同比增长25.5%。按技术 平台划分，独立式非易失性存储器收入6880万美元，同比增长149.3%；嵌入式非易失性存储器收入2.001亿美元，同比增长41.8%。按工艺节 点划分，65纳米及以下收入2.051亿美元，同比增长63.4%，主要得益于闪存及其他电源管理产品需求增加。公司董事长兼总裁白鹏表示，AI需 求从存储芯片逐步扩展至逻辑和模拟芯片，公司作为特色工艺代工企业已明显受益。公司已获中国证监会就华力微收购事项的注册批复，资产整 合后将进一步强化技术组合与规模效应。预计第三季度销售收入约7.7亿至7.8亿美元，毛利率约16%至18%

建议关注：中芯国际、华虹宏力、长鑫科技。|

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风 险 提 示

|半导体出口管制及制裁加码风险

晶圆厂扩产进度不及预期风险

核心技术研发进展不及预期风险

地缘政治环境不稳定风险

重点覆盖公司业绩不及预期风险|

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重 点 关 注 公 司 及 盈 利 预 测

资料来源：Wind，华鑫证券研究（注：“未评级”盈利预测取自万得一致预期）

• 1. 半导体板块周度行情分析
• 2. 行业高频数据

目 录

CONTENTS 3. 行业动态

4. 公司公告

01 半导体板块周度行情分

析

1.1、周涨幅排行

8月10日-8月14日当周，海外龙头总体呈震荡分化态势。其中，环球晶圆领涨，涨幅为15.83%，博通领跌，跌幅

为8.13%。

图表2：海外半导体龙头估值水平及周涨幅（%）

证券代码 证券简称 国家/地区 市值（亿元） PE(LYR) PB(MRQ) 周涨跌幅（%）

INTC.O 英特尔(INTEL) 美国 5170.10 -1936.37 5.91 0.84 QCOM.O 高通(QUALCOMM) 美国 1740.80 31.42 6.29 -1.23

AMD.O 超威半导体(AMD) 美国 8397.29 193.71 12.49 6.42

NVDA.O 英伟达(NVIDIA) 美国 54488.72 45.38 27.88 0.54

MU.O 美光科技(MICRON TECHNOLOGY) 美国 10973.86 128.51 10.89 10.72 TXN.O 德州仪器(TEXAS INSTRUMENTS) 美国 2553.26 51.34 14.18 -2.27

ADI.O 亚德诺(ANALOG) 美国 1896.67 83.65 5.62 -0.14

AVGO.O 博通(BROADCOM) 美国 18696.81 80.85 21.32 -8.13 NXPI.O 恩智浦半导体(NXP SEMICONDUCTORS) 荷兰 591.85 29.29 5.19 -2.09 SWKS.O 思佳讯(SKYWORKS) 美国 104.76 21.96 1.83 -1.42 QRVO.O QORVO 美国 86.55 25.53 2.49 -0.98

STM.N 意法半导体 荷兰 484.56 291.91 2.75 -3.23 ON.O 安森美半导体(ON SEMICONDUCTOR) 美国 321.81 265.95 4.46 1.84 IFX.DF 英飞凌科技 德国 806.15 79.42 4.47 -0.56

3008.TW 大立光 中国台湾 6029.80 28.34 3.15 5.13 AMAT.O 应用材料(APPLIED MATERIAL) 美国 4026.80 57.54 15.71 -5.93 LRCX.O 拉姆研究(LAM RESEARCH) 美国 4158.89 57.24 33.35 6.75 KLAC.O 科天半导体(KLA) 美国 2661.70 55.10 41.92 2.83 ASML.O 阿斯麦 荷兰 7262.55 64.50 29.30 5.92 6488.TWO 环球晶圆 中国台湾 4828.95 66.04 4.99 15.83 2330.TW 台积电 中国台湾 714744.47 36.59 9.66 1.05

GFS.O 格芯(GLOBALFOUNDRIES) 开曼群岛 299.51 33.84 2.53 1.21 3105.TWO 稳懋 中国台湾 1602.49 94.61 3.66 3.28

ASX.N 日月光投资 中国台湾 880.52 68.23 7.22 5.75

ARW.N 艾睿电子(ARROW ELECTRONICS) 美国 108.93 19.07 1.56 5.15 AVT.O 安富利(AVNET) 美国 78.51 23.48 1.56 -0.85

1.2、申万一级行业估值水平

8月10日-8月14日当周，申万半导体指数整体呈现震荡态势。8月14日，申万半导体指数为10207.52，周涨幅 为0.20%。

图表3：近5年申万半导体指数

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资料来源：wind，华鑫证券研究 注：按申万行业二级分类

1.3、半导体细分板块周度行情梳理

半导体细分板块比较，8月10日-8月14日当周，半导体细分板块部分上涨。其中，分立器件板块涨幅最大，达 到6.84%；数字芯片设计板块跌幅最大，达到1.62%。估值方面，半导体材料、模拟芯片设计、分立器件板块

估值水平位列前三。

图表4：8月10日-8月14日半导体主要指数周涨跌幅比较（%） 图表5：8月14日半导体主要指数市盈率（TTM）比较

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|213.16

173.80 169.93

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102.70

90.59

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200.00

250.00

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1.4、申万二级行业板块资金流向

上周申万行业资金流向情况： 其他电子Ⅱ板块主力净流入14.04亿元，主力净流入率为1.42%，在9个二级子行业中排第1名；计算机设备板

块主力净流出32.90亿元，主力净流入率为-2.07%，在9个子行业中排第9名。

图表6：8月10日-8月14日申万行业资金流向情况

资料来源：wind，华鑫证券研究

诚信、专业、稳健、高效 请阅读最后一页重要免责声明

10

1.5、半导体板块公司周涨幅前十股票

8月10日-8月14日当周，半导体板块公司周涨幅前十个股：中石科技，炬光科技，杰普特，思泉新材，天孚通

信，源杰科技，纳芯微，聚辰股份，科翔股份，菲沃泰，周涨幅分别为：30.29%，22.66%，17.94%，

16.88%，16.05%，12.06%，11.98%，11.72%，10.47%，10.22%。

图表7：半导体板块公司周涨幅前十股票

证券简称 市值（亿元）

EPS PE

2025 2026E 2027E 2025 2026E 2027E

PB 周涨跌幅（%）

02 行 业 高 频 数 据

2.1、半导体：费城半导体指数

海外方面，8月10日-8月14日当周，费城半导体指数总体呈现震荡态势，2026年8月14日回调至12417.05。更

长时间维度上来看，2023年年底开始持续上涨。2024年上半年整体处于上升态势，7月出现大幅回调，8月处 于震荡下行行情，9月出现探底回升，四季度总体处于震荡的态势。2025年一季度呈现先涨后跌的走势，4月 后逐渐回升，二季度三季度均呈现震荡上行的态势。2026年以来，指数于6月达到阶段高点后持续回落，7月 下旬触底后，开启新一轮反弹。

图表8：费城半导体指数近两年走势

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6,000.00

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2.2、半导体：台湾半导体行业

此外，我们选取台湾半导体行业指数来观察行业整体景气。近两周来看，8月3日-8月14日两周，台

湾半导体行业指数呈现震荡上行态势。近两年来看，2024年二季度台湾半导体指数呈现上涨的态势，

随后进入震荡行情。2025年一季度台湾半导体指数进入下跌的行情，随后进入上行的趋势。2026 年以来，指数于6月达到阶段高点后持续回落，于七月底触底，开启新一轮反弹。

图表9：台湾半导体行业指数近两年走势 图表10：台湾半导体行业指数近两周走势

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2.3、半导体：中国台湾IC产值同比增速

我们可以通过中国台湾IC产值同比增速，将电子各板块合在一起观察： 中国台湾IC各板块产值同比增速自2021年以来持续下降，从2023年Q2开始陆续有所反弹，各板块产值降幅

均有所收窄。IC板块整体表现不佳，主要因为消费电子需求差，导致IC设计下滑，加之2021年缺货、涨价导

致的2022年库存水位上升。但随着AI、5G、汽车智能化等应用领域的推动，2024年需求开始逐步回升。

• 2025年，中国台湾IC设计、IC制造以及晶圆代工产值同比增速小幅下滑；中国台湾IC封装、测试业产值同比 增速为维持平稳的增速；中国台湾存储器制造业进入下半年来，产值同比大幅提升。2026年二季度，中国台 湾IC各板块产值同比增速全面上行。其中，存储器IC制造产值同比增长显著。

图表11：中国台湾IC各板块产值当季同比变化（%）

|-100.00

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250.00

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中国台湾:产值:IC设计业:当季同比 中国台湾:产值:IC制造业:当季同比 中国台湾:产值:IC制造业:晶圆代工:当季同比

中国台湾:产值:IC制造业:存储器制造:当季同比 中国台湾:产值:IC封装业:当季同比 中国台湾:产值:IC测试业:当季同比

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2.4、半导体：全球半导体销售额

全球半导体销售额自2024年年底出现小幅下降。2025年4月以来，全球半导体销售额呈现逐月攀升的态势， 半导体行业景气度提升显著，2025年6月增速开始放缓，7-10月增速开始回升。2026年6月，全球半导体当

月销售额为1344.5亿美元，同比增长123.60%。其中，中国销售额为361.10亿美元，环比增长10.39%，占

比达26.86%。

图表12：全球半导体销售额（单位：十亿美元）

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60.00

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140.00

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20.00

40.00

60.00

80.00

100.00

120.00

140.00

160.00

全球:销售额:半导体:当月值 全球:销售额:半导体:当月同比

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图表13：全球半导体销售额按地区划分（单位：十亿美元）

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60.00

50.00

40.00

30.00

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10.00

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美洲:销售额:半导体:当月值 欧洲:销售额:半导体:当月值 日本:销售额:半导体:当月值

中国:销售额:半导体:当月值 亚太:销售额:半导体:当月值

2.5、半导体：全球主要地区的半导体设备当季销售额

2005年以来，全球主要地区的半导体设备当季销售额呈现上升的趋势。2008~2009年，受全球金融危机等因 素影响，各地区半导体设备销售额大多出现下滑。2020~2025年，随着5G、人工智能等技术发展带来的半导

体需求增加，全球半导体整体呈现增长态势，中国大陆和中国台湾增长较为显著。

• 2026年一季度，中国大陆半导体设备销售额达到109.9亿美元，同比增长7.12%，环比下降16.30%，占全球 主要地区比重达34.56%。 图表14：全球半导体设备销售额（十亿美元）

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2025/04

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2025/12

中国大陆:销售额:半导体设备:当季值 欧洲:销售额:半导体设备:当季值 日本:销售额:半导体设备:当季值 中国台湾:销售额:半导体设备:当季值 韩国:销售额:半导体设备:当季值

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2.6、半导体：中国进口半导体设备数量

从中国进口半导体设备数量的维度来看，2023年以来，中国的半导体设备进口数量整体呈现平稳的态势。 2026年1-2月进口数量阶段性回落，3月起持续回升，6月达7583台，4-5月连续两月维持在较高水平，显示

国内晶圆厂扩产需求旺盛。

图表15：中国半导体设备及制造半导体器件或集成电路用装置进口数量（台）

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2,000.00

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中国:进口数量:制造半导体器件或集成电路用的机器及装置:当月值 中国:进口数量:半导体制造设备:当月值

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2.7、半导体：海外市场半导体设备出口额

从海外市场半导体设备出口额的维度来看，2019年以来，韩国和中国台湾的半导体设备出口金额整体维持平

稳的态势，日本半导体设备出口额整体呈现上升趋势。2026年以来，日本半导体设备出口额持续攀升并创阶

段新高；韩国出口额近期大幅回升，中国台湾出口额高位有所回落。

图表16：海外市场半导体设备出口金额（百万美元）

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2,500.00

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韩国:出口金额:半导体制造设备:当月值 日本:出货额:半导体制造设备:当月值（百万美元） 中国台湾:出口金额:半导体设备（百万美元）

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2.8、半导体：晶圆制造

晶圆制造方面， 2018年至2025年9月，国产晶圆代工厂商中芯国际8英寸晶圆月产能从约45万片稳步提升至约102.3万片， 实现翻倍以上增长，并历经稳步爬升、加速扩张及快速扩产三个阶段，尤其在行业调整期间中芯仍坚持逆周期布局，为后续

复苏储备了充足产能。

产能利用率清晰地映射行业周期，从2020 -2022年高景气期多次超过100%，到2023年下行期下滑至68.1%，随后自2023 年第三季度起强劲反弹，至2025年第三季度已恢复至95.8%的高位，接近满产状态。在产能大幅扩张与利用率快速回升的 共同推动下，季度出货量规模显著跃升，2025年第三季度达到近250万片，创历史新高，即便利用率未及上轮峰值，实际产 出总量已远超以往。2026年二季度8英寸晶圆出货量达到约286.9万片，维持历史高位。 整体来看，国产晶圆代工厂通过逆周期扩产把握了复苏机遇，出货规模的突破体现规模效应增强，也印证了汽车电子、工业 控制、物联网等领域对成熟制程芯片需求的持续性与增长潜力。

图表17：国产晶圆代工厂产能、出货量、产能利用率数据（单位：片）

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6,000,000.00

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中芯国际:产能:8英寸晶圆:当月值 中芯国际:出货量:8英寸晶圆:当季值 中芯国际:利用率:8英寸晶圆

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存储芯片方面，由于AI存力需求提升以及海外大厂产能切换HBM等缘故，导致传统DRAM以及NAND类存储

芯片价格大幅攀升。NAND方面：Wafer:512GbTLC现货平均价从2024年3月底进入小幅回升，10月出现小 幅下跌后变化趋于平缓，2025年3月以来小幅上涨，4月后价格略有下滑，7月后价格进入加速上涨阶段。 2026年8月3日价格为20.13美元。 DRAM方面：DDR5(16Gb,4800/5600Mbps)现货平均价自2025年以来呈现大幅上涨态势，2026年3月初约

39.67 美 元 ， 此 后 延 续 上 涨 ， 截 至 8 月 14 日 价 格 已 达 52.73 美 元 。 DDR4 各 规 格 产 品 分 化 运 行 ，

16Gb(2Gx8)3200Mbps 现 货 价 由 6 月 18 日 的 69.13 美 元 进 一 步 升 至 8 月 14 日 的 88.21 美 元 ， 16Gb(1Gx16)3200Mbps现货价由6月18日的66.00美元回落至8月14日的61.50美元。整体来看，在AI需求 拉动及供给端产能转向HBM的背景下，DRAM价格整体延续分化上涨态势，主流规格持续走高，部分规格高 位震荡回调。 图表18：DRAM价格（单位：美元）

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现货平均价:DRAM:DDR5(16Gb(2Gx8),4800/5600Mbps) 现货平均价:DRAM:DDR4(16Gb(1Gx16),3200Mbps) 现货平均价:DRAM:DDR4(16Gb(2Gx8),3200Mbps)

现货平均价:DRAM:DDR4(8Gb(1Gx8),3200Mbps) 现货平均价:DRAM:DDR4(8Gb(512Mx16),3200Mbps)

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图表19：NAND价格（单位：美元）

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2025/08/11 2025/09/11 2025/10/11 2025/11/11 2025/12/11 2026/01/11 2026/02/11 2026/03/11 2026/04/11 2026/05/11 2026/06/11 2026/07/11

现货平均价:Wafer(256Gb TLC) 现货平均价:Wafer(512Gb TLC) 现货平均价:Wafer(128Gb TLC)

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03行 业 动 态

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英伟达：公司持有SpaceX近1.23亿股股份，双方AI算力合作进一步加深

英伟达近日披露，截至6月底，公司持有SpaceX近1.23亿股股份，价值接近210亿美元。由于SpaceX自6 月IPO以来股价明显回落，按当前价格计算，英伟达所持股份价值约170亿美元。 这笔持股主要来自英伟达今年1月对xAI的投资。当时马斯克尚未将xAI并入SpaceX，随着两家公司随后完

成整合，英伟达此前对xAI的投资也转化为对SpaceX的持股。

与此同时，SpaceX与英伟达之间的业务合作也在加深。马斯克上周在SpaceX上市后的首次财报电话会上 表示，公司已经决定数据中心独家采用英伟达，主要原因是看好其Vera Rubin架构。 马斯克表示：“我们决定完全基于英伟达进行建设，因为我们认为Vera Rubin是最好的架构。我们认为这 是目前最好的AI计算平台，也非常重视与英伟达在多个层面的密切合作。”

过去两年，英伟达已承诺向AI相关企业投资超过1000亿美元，投资对象包括云计算公司CoreWeave，以及

Thinking Machines、Safe Superintelligence等AI企业。英伟达还投资了代码编辑工具公司Cursor，后者 本周被SpaceX以600亿美元收购。 此外，英伟达本周还披露，计划联合Apollo Global、Blackstone、BlackRock、Brookfield Asset Management、高盛和KKR等投资机构筹集超过5000亿美元，为客户建设AI基础设施提供融资支持。英伟

达计划对部分以其芯片价值作为担保的贷款提供一定担保。

SpaceX目前也在快速扩充AI算力。马斯克表示，公司计划将计算能力从今年年底的2GW提升至2027年底 更接近10GW的水平。 除英伟达外，谷歌也是SpaceX的重要股东。FactSet数据显示，谷歌目前持有SpaceX约7%的股份，其 2015年最初投资约9亿美元，今年7月披露的持股估值约为940亿美元。

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时擎智能科技正式发布全国产化USB千兆网卡芯片PT153S

8月13日，时擎智能科技正式发布全国产化USB千兆网卡芯片PT153S。该芯片依托自研RISC-V处理器打造，

是国产高速接口芯片的重要突破，自上市以来仅三个月，出货量已突破百万片，产业化速度亮眼。

时擎科技深耕RISC-V处理器研发多年，全新PT153S芯片实现内核、关键IP、生产制造全流程国产可控，以 自研RISC-V处理器为核心，承担USB协议枚举、以太网链路管理、低功耗管控、固件迭代四大核心功能，填 补了国产高端USB千兆网卡芯片领域的短板。 性能层面，PT153S对标国际主流竞品，达到行业顶尖水准。芯片搭载USB 3.2 Gen1高速接口，速率可达

5Gbps，兼容全速率模式，支持多系统免驱直连；千兆网口支持自适应速率、硬件校验卸载、VLAN及节能

以太网等主流功能。同时具备高集成、高抗干扰特性，内置多种电源模块与闪存，防雷、防静电性能优异， 功耗与温升表现比肩深耕行业十余年的海外头部产品。 依托RISC-V架构开放免授权、指令集可扩展、生态成熟的优势，时擎科技针对网卡业务定制专属指令扩展， 大幅优化芯片功耗、性能、面积表现。产品采用引脚兼容主流竞品的设计，大幅降低客户替换成本，适配轻

薄本、扩展坞、工控主板等多元场景，全面兼容Windows、macOS、Linux、安卓、鸿蒙等主流系统，游戏

机适配版本也将于3-6个月推出。 目前PT153S已完成大规模量产与全项可靠性测试，配套评估板、Demo方案齐全。相较于公司端侧AI芯片漫 长的起量周期，这款“小而美”的接口芯片快速实现商业化落地，印证了国产RISC-V芯片在通用高速接口赛 道的强劲竞争力，为国产芯片替代海外同类产品提供了优质方案。

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英伟达CPO硅光交换机全面量产，AI集群通信瓶颈迎来破局

当地时间8月14日凌晨，英伟达正式宣布，其Spectrum-X以太网硅光交换机已进入全面量产阶段。该产品采 用共封装光学（CPO）技术，英伟达将其定义为“全球首款进入量产的200G/lane CPO以太网交换机系统”。

此次量产的核心产品将CPO技术与交换芯片深度集成，从根本上改变了传统可插拔光模块的信号转换方式。

CPO方案将光引擎与交换芯片封装在同一基板上，大幅缩短光电信号转换路径，从而在功耗、可靠性和传输 效率上实现跨越式提升——据英伟达披露，相比传统方案，该交换机可实现5倍网络功耗效率提升、5倍AI应 用不间断运行时长提升，以及10倍平均故障间隔时间（MTBF）延长。

在产业链协作方面，该交换机系统由多家行业头部企业共同打造：鸿海负责交换机系统组装，Lumentum提

供激光芯片制造，矽品承担晶圆级与芯片级封装及测试，天孚通信负责激光器模块子组件组装，台积电则提 供先进硅光子工艺制造支持。这一分工体系覆盖了从光子芯片制造、封装测试到系统集成的完整环节，彰显 了CPO技术走向规模化落地所依赖的深厚产业链协同能力。

随着GPU集群规模持续扩大，数据中心内部通信压力不断攀升，传统可插拔光模块在功耗、带宽密度和故障

率等方面的瓶颈日益凸显。光互连正成为AI算力集群突破通信墙的重要发展方向。英伟达此次将CPO交换机 推向全面量产，标志着这一技术路线从实验室验证正式进入规模化商用阶段，有望为大规模AI数据中心提供 更高能效、更稳定可靠的网络基础设施。

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三星推迟High NA EUV导入，2030年助力1nm量产

8月12日，在韩国举行的“2026下一代光刻与图案化会议”（2026 Next-Generation Lithography +

Patterning）上，三星电子技术副总裁朴昌民（ChangMin Park）表示，公司计划从1纳米（A10）制程节点

开始，引入ASML的高数值孔径（High NA）极紫外（EUV）光刻机进行量产。这一时间点预计在2030年左 右。 朴昌民透露，三星曾一度希望将High NA EUV技术用于2纳米（SF2）及1.4纳米（SF1.4）节点的量产，但经 过评估后认为，该技术在现阶段的应用仍不够成熟，因此决定推迟。三星相信，对于A10（1纳米）及更先进

的节点，High NA EUV光刻机将成为必需的工具。

High NA EUV光刻机的数值孔径（NA）为0.55NA，高于当前标准EUV光刻机的0.33NA。更高的数值孔径允 许打印更小的电路尺寸，从而实现单次图案化，避免了传统低数值孔径（Low NA）EUV光刻机为实现更小制 程而必须采用的多重图案化工艺。 虽然利用Low NA EUV光刻机通过多重曝光来制造更小的电路，会增加制造成本、工艺复杂度和缺陷率。但是，

单台High NA EUV光刻机售价高达3.5亿至4.1亿美元，几乎达到了Low NA EUV光刻的两倍。

尽管ASML的High NA EUV光刻机已于两年前开始发货，但其在先进制程中的实际应用进度已出现多次延迟。 台积电高管去年就曾表示，其后续的A14（1.4纳米级）及之前的制程的量产都不会采用High NA EUV光刻机。 直到今年7月15日，ASML宣布，英特尔Foundry正在Intel 18A工艺节点上采用ASML High NA EUV技术生 产其部分英特尔Core Ultra 3系列处理器。英特尔Foundry成为了业界首家采用High NA EUV生产大量逻辑产

品的公司。

三星则预计，搭载High NA EUV技术的1纳米芯片将在2030年左右进入大规模生产阶段。在此之前，三星将 使用现有的Low NA EUV光刻机，通过多重图案化等工艺在2029年量产1.4nm（SF1.4）制程。

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恩智浦新封测厂动工

2026年8月13日，恩智浦半导体（NXP）近日在马来西亚八打灵再也举行了新封装测试厂破土动工仪式。该

工厂是公司现有封测基地的扩建项目，将进一步强化恩智浦的全球制造布局，提升内部产能，以支持更强的

供应链韧性与灵活性。 新工厂将新增约50万平方英尺的生产空间，进一步扩大恩智浦在马来西亚的现有运营规模。恩智浦马来西亚 现有基地专注于支持恩智浦广泛产品组合的封装与测试。新工厂建成后，该基地的生产总面积将达到约90万 平方英尺。 新工厂预计于2028年第一季度开始逐步投产，全面投产后，该厂总产出预计将增加一倍以上。新增的封测产 能将为恩智浦整个制造生态系统未来的增长提供有力支撑，包括新加坡VSMC合资企业及德国德累斯顿 ESMC合资企业的预期产出。 恩智浦执行副总裁兼首席运营与制造官Andy Micallef表示：“数十年来，马来西亚凭借其强大的半导体生态

系统和优秀的人才储备，一直是恩智浦全球制造布局的重要一环。此次扩建将在此基础上提升我们的组装与

测试产能，同时通过运营多元化，为全球客户强化供应链的韧性与灵活性。” 该工厂定位为高度自动化的智能工厂，将配备自动化物料搬运系统（AMHS）和先进的质量管理技术，以优 化生产制造流程、提升效率，确保高质量生产。 扩大内部封测产能是恩智浦混合制造战略的关键组成部分，该战略旨在提供更强的灵活性、供应链控制和地

域多元化。扩建后的八打灵再也基地将与恩智浦在大中华地区和泰国等地的现有封测形成互补，有助于维持

均衡且全球多元化的制造网络。

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投资30亿美元，泛林集团扩建全球实验室网络

当地时间8月14日，美国半导体设备大厂泛林集团（Lam Research）宣布，计划在未来五年内投资超过30 亿美元，以扩展其全球研发（R&D）实验室网络。此次多场地扩建计划预计将新增基础设施和实验能力，使

实验容量提升超过50%。

泛林集团的研发模式结合了遍布全球的专业实验室，每个实验室均为加速创新周期中特定环节而专门建造， 并与客户开展深度合作，其中包括在客户工厂附近设立分支机构。通过这些布局，泛林的实验室作为一个全 天候7×24小时运行的集成网络协同运作，实现并行且大规模的创新。借助这项投资，泛林旨在进一步缩短从 技术探索到晶圆厂部署的整个产品开发周期，为客户加速创新进程。

泛林集团总裁兼首席执行官蒂姆·阿彻（Tim Archer）表示：“在AI时代，创新步伐永不停歇，需要采用全

新架构、不同材料以及纳米级精密工程设计的芯片。我们提升整个研发流程速度的能力已成为一项决定性优 势。我们进行这项投资，旨在保持对客户需求的超前布局，进一步强化我们的全球创新引擎，以交付下一代 半导体突破性技术。” 泛林的全球实验室网络横跨美国、亚洲和欧洲。综合研发基础设施每年支持超过一百万次实验。专门从事新

化学材料、物料和机电一体化基础研究的设施，在许多情况下能够将数周的实验工作压缩到短短几天内完成。

工艺开发实验室则将这些进展推向生产就绪阶段，工程、产品开发和制造团队在同一台设备上并肩工作。泛 林的技术中心位于客户附近，支持与客户工程团队一起进行快速认证和验证。 集成的实验室网络使得工具、数据和专业知识能够跨地域和时区共享——一个实验室的发现能迅速转化为所 有实验室都可利用的知识。在近期的客户合作中，这种模式已帮助泛林将工艺开发时间缩短了多达2.5倍。

泛林计划今年开始扩建其全球实验室网络，目标是提高创新速度。

04公 司 公 告

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华天科技:关于公司发行股份及支付现金购买资产并募集配套资金暨关联交易事项获得 深圳证券交易所并购重组审核委员会审核通过的公告

根据《天水华天科技股份有限公司关于公司发行股份及支付现金购买资产并募集配套资金暨关联交易事项

获得深圳证券交易所并购重组审核委员会审核通过的公告》。

天水华天科技股份有限公司拟通过发行股份及支付现金的方式，购买天水华天电子集团股份有限公司、西 安后羿投资管理合伙企业（有限合伙）、西安芯天钰铂企业管理合伙企业（有限合伙）等27名交易对方合 计持有的华羿微电子100%股份，并募集配套资金。深圳证券交易所并购重组审核委员会于2026年8月13 日召开2026年第12次并购重组审核委员会审议会议，对本次交易申请进行审议，最终审议结果为本次交 易符合重组条件和信息披露要求。

本次审核通过意味着华天科技上述资产收购事项取得重要阶段性进展，后续仍需取得中国证券监督管理委

员会同意注册的批复，最终能否取得注册批复及取得时间仍存在不确定性。公司表示将根据交易进展及时

履行信息披露义务，并提示投资者注意相关风险。

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江波龙:2026年半年度报告 根据《深圳市江波龙电子股份有限公司2026年半年度报告》。 江波龙2026年上半年业绩大幅增长，实现营业收入240.88亿元，同比增长136.26%；归母净利润105.77亿元， 同比增长71,528.66%；扣非归母净利润100.47亿元，同比增长31,096.33%。其中存储产品收入239.77亿元，

同比增长136.13%，毛利率59.08%，同比提升45.80个百分点，业绩增长主要受存储行业景气上行、产品价

格上涨及毛利率提升推动。与此同时，公司经营活动现金流净额为-29.22亿元，存货账面价值达257.77亿元， 占总资产60.12%，存储晶圆价格波动及存货跌价风险仍需关注。

客户拓展及产品进展方面，公司企业级产品已导入头部互联网企业供应链体系，并持续深化与多个领域知名客

户合作；车规级存储已开始直接向北美智能汽车及自动驾驶科技巨头供应，并进入全球多家知名车企供应链，

车规级UFS 4.1已进入头部汽车厂商导入验证阶段。mSSD已通过多家全球知名PC品牌认证并实现规模化量产 导入；公司同时发布AILPBGA、AIDIMM及车规级UFS 4.1等产品，其中UFS 4.1搭载自研5nm主控，顺序读 取速度达4200MB/s。

资本市场方面，公司已于2026年6月2日完成利润分配，每10股派发现金红利9.907442元（含税）；公司拟

发行H股并赴港上市，已于2026年5月29日向港交所递交申请材料。报告期后，公司获得证监会同意向特定对 象发行股票的注册批复，发行6,607,142股，发行价560元/股，实际募集资金净额36.68亿元。

龙芯中科:2026年度向特定对象发行A股股票预案（修订稿）

根据《龙芯中科技术股份有限公司2026年度向特定对象发行A股股票预案（修订稿）》。

龙芯中科（688047）发布2026年度向特定对象发行A股股票预案（修订稿），拟募资不超过23亿元，加 码CPU/GPU研发及产业化。 本次发行方案已完成董事会修订，尚需上海证券交易所审核通过并经中国证

监会同意注册后实施。本次发行对象不超过35名，采用竞价发行方式，发行价格不低于定价基准日前20个

交易日股票交易均价的80%，发行股份数量不超过发行前总股本的10%，即不超过40,100,000股。募集 资金总额不超过230,000万元，其中97,084.32万元用于基于Xnm工艺的信息化芯片研发及产业化项目， 48,528.30万元用于CPU关键核心技术研发，36,047.44万元用于通用GPU关键核心技术研发，48,339.94 万元用于补充流动资金。

本次募资重点投向自主CPU、GPU及算力生态建设，有望增强公司长期成长预期。公司计划基于新一代处 理器核微架构LA864开展面向桌面及服务器应用的新一代处理器及配套桥片研发，同时推进通用GPU研发 及软硬件生态适配。其中，Xnm工艺信息化芯片研发及产业化项目将围绕CPU、GPU及配套芯片进行性能、 功耗及成本优化升级；通用GPU项目将研发覆盖桌面图形加速、专业图形加速及AI推理场景的新一代自主 GPU产品。 公司披露，龙芯6000系列CPU已基本完成产品化，多数芯片已进入或开始进入市场，同时首 款通用GPU芯片9A1000已完成研发，未来将推动“CPU+GPU协同构建完整算力生态”。

翱捷科技:关于筹划发行H股股票并在香港联合交易所有限公司上市的提示性公告

根据《翱捷科技股份有限公司关于筹划发行H股股票并在香港联合交易所有限公司上市的提示性公告》。

翱捷科技（688220）筹划发行H股股票并在香港联合交易所上市。 2026年8月13日，公司召开第三届董事 会第三次会议，审议通过《关于公司发行H股股票并在香港联合交易所有限公司上市的议案》《关于公司发 行H股股票并在香港联合交易所有限公司上市方案的议案》等相关议案。公司拟发行境外上市外资股（H 股），并申请在香港联合交易所有限公司主板挂牌上市。本次发行上市旨在进一步提高公司的资本实力和综

合竞争力，推进公司的国际化战略。

本次发行上市相关事项尚需提交公司股东会审议，并需取得中国证券监督管理委员会、香港联合交易所和香 港证券及期货事务监察委员会等相关机构备案、批准和/或核准。目前，公司正在与相关中介机构就发行上 市相关工作进行商讨，除董事会已审议通过的相关议案外，本次发行上市的具体细节尚未最终确定。 公司

提示，本次发行上市能否通过审议、备案和审核程序并最终实施存在重大不确定性，公司将根据后续进展及

时履行信息披露义务。

05 风 险 提 示

风 险 提 示

|半导体出口管制及制裁加码风险 晶圆厂扩产进度不及预期风险 核心技术研发进展不及预期风险 地缘政治环境不稳定风险 重点覆盖公司业绩不及预期风险|

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重点

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电子通信组介绍

|庄宇：清华大学硕士，金融学&工科复合背景。10年科技行业研究经验。立足产业，做 深入且前瞻的研究，主要覆盖AI硬件领域。

何鹏程：悉尼大学金融硕士，中南大学软件工程学士，曾任职德邦证券研究所，2023

年加入华鑫证券研究所。专注于半导体、PCB行业。

张璐：早稻田大学国际政治经济学学士，香港大学经济学硕士，2023年加入华鑫证券 研究所，专注于光通信、存储等领域研究。

石俊烨：香港大学金融硕士，新南威尔士大学精算学与统计学双学位，研究方向为 PCB方向。|

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证券分析师承诺

本报告署名分析师具有中国证券业协会授予的证券投资咨询执业资格并注册为证券分析师，以勤勉的职业态度，独立、客观地出具本报告。本报

告清晰准确地反映了本人的研究观点。本人不曾因，不因，也将不会因本报告中的具体推荐意见或观点而直接或间接收到任何形式的补偿。

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华鑫证券有限责任公司（以下简称“华鑫证券”）具有中国证监会核准的证券投资咨询业务资格。本报告由华鑫证券制作，仅供华鑫证券的客户 使用。本公司不会因接收人收到本报告而视其为客户。

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证券投资评级说明

股票投资评级说明：

行业投资评级说明：

以报告日后的12个月内，预测个股或行业指数相

对于相关证券市场主要指数的涨跌幅为标准。

相关证券市场代表性指数说明：A股市场以沪深 300指数为基准；新三板市场以三板成指（针对协 议转让标的）或三板做市指数（针对做市转让标 的）为基准；香港市场以恒生指数为基准；美国 市场以道琼斯指数为基准。

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