长鑫科技拟斥资349亿元投建研发及测试基地二期项目

①长鑫科技宣布新的研发及扩产项目投资，技术研发项目的规划总投资金额达241亿元，后道测试基地二期项目的规划总投资额为108亿元； ②长鑫科技表示，为了保障测试产能不成为公司产能制约瓶颈并保障供应链安全，公司急需增加自建测试产能的投入。

《科创板日报》9月28日讯（记者 郭辉）长鑫科技宣布新的研发及扩产项目投资。

长鑫科技9月28日晚间发布公告，拟使用超募资金人民币130亿元，投资新建技术研发项目；同时该公司拟通过增资和借款方式，向全资子公司长鑫存储产品（合肥）有限公司（下称“长鑫产品合肥”）提供超募资金人民币50亿元，由长鑫产品合肥投资新建“长鑫存储产品（合肥）有限公司存储器晶圆后道测试基地二期项目”。

其中，技术研发项目的规划总投资金额达241亿元，建设周期30个月；后道测试基地二期项目的规划总投资额为108亿元，计划建设一座测试工厂，为DRAM存储芯片提供测试以及模组组装。

长鑫科技表示，构筑并维持核心竞争力与长远发展的根本，在于坚定不移地推进产品与制程工艺的迭代升级。面对如此复杂的产业格局和技术路径，公司必须依托持续的研发投入，驱动工艺技术的代际演进，确保新产品在存储密度、功耗控制及读写性能上不断实现质的飞跃。

因此，该公司拟通过实施超募项目，开展技术研发工作，在保持公司技术领先性的同时，有利于公司更快的推出满足市场需求、性能更好、竞争力更强的产品，以增强公司的核心竞争力及抗风险能力。

测试作为DRAM生产中不可或缺的关键环节，因其测试的专用设备特性，随着公司产能不断提升、产品种类增多，可能面临外部封测厂测试产能不足和新增投资配套不足的问题。

长鑫科技表示，为了保障测试产能不成为公司产能制约瓶颈并保障供应链安全，公司急需增加自建测试产能的投入。同时，通过自建存储器晶圆后道测试和模组项目，能够更灵活协调测试产能利用，降低公司DRAM芯片测试成本，提升公司运营效率和测试技术，有利于公司进一步完善 IDM 模式、增强公司的整体竞争力。

据了解，长鑫科技科创板IPO募集资金净额为人民币663亿元。公司上市前拟募资金额为295亿元，用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM存储器技术升级项目、动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目等项目。

长鑫科技通过跳代研发加快技术创新，完成了从第一代工艺技术平台到第五代工艺技术平台的量产，以及从 DDR4、LPDDR4X 到DDR5、LPDDR5/5X、LPDDR6的产品覆盖和代际演进。

目前长鑫科技核心产品及工艺技术已达到国际先进水平。

其中长鑫科技第五代工艺技术平台在今年9月宣布正式实现量产。据了解，通过四重曝光技术，长鑫科技把内存阵列的有源区半间距微缩至11.95纳米，接近全球最顶尖的内存量产平台制程。通过变革工艺流程、采用新材料，存储电容深宽比达45:1；开发适配DRAM工艺的高介电常数金属栅（HKMG）工艺，成功将G5平台核心功能区高度缩小到6762纳米。

长鑫科技LPDDR6研发及导入进展同样取得了突破。

今年8月，长鑫科技宣布自主研发的最新一代低功耗内存LPDDR6实现量产，并将首批搭载于小米18 Fold折叠旗舰手机。长鑫LPDDR6芯片性能较上一代 LPDDR5X实现全面跃升，通过架构创新及数据传输优化技术，充分释放数据传输潜力，峰值速率达12800Mbps，芯片最高容量16GB。这也是全球LPDDR6产品首次落地商用。

经过多年发展，长鑫科技已在DRAM产品设计、制造工艺、封装测试、模组设计与应用等各业务环节构建了完善的核心技术体系，形成了全面的自主知识产权积累，并在技术快速迭代和产业化方面积累了丰富的经验。

长鑫科技表示，通过此前的产业链深化合作，增强了供应链的安全保障能力，将为本次超募项目的顺利实施提供了充分保障，并为公司产能持续扩充和技术工艺升级提供了有力支撑。