长鑫科技第五代DRAM技术平台量产，晶圆产出提升超50%

①9月20日2026世界制造业大会上，长鑫科技宣布第五代技术平台正式量产。 ②该平台内存阵列有源区半间距为11.95纳米，同等条件下每张晶圆产出较上一代提升50%以上。 ③基于该平台打造的24GB LPDDR5X产品已进入正式量产，全面进入国产主流旗舰手机。

9月20日，在2026世界制造业大会上，长鑫科技宣布第五代技术平台正式量产。

据介绍，长鑫科技将内存阵列有源区半间距做到11.95纳米，存储器电容深宽比45:1，核心动能区高度降至6762纳米，同时，第五代工艺平台的存储密度有了大幅提升，同等条件下，每张晶圆的产出，与上一代平台相比提升了50%以上。基于该平台打造的24GB LPDDR5X产品已经进入正式量产，全面进入国产主流旗舰手机。