三星发布zHBM全新3D内存路线图,性能达HBM5八倍

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摘要

1三星电子公布全新zHBM 3D内存技术路线图,将高带宽内存垂直堆叠于AI加速器之上,性能约为下一代HBM5的8倍。
2同时推出zNAND-O和V10 BV-NAND架构,旨在提升能效与性能,力争在AI基础设施领域超越SK海力士和美光科技,强化其端到端AI解决方案提供商地位。

文本

三星电子正大力宣传其最先进内存硬件在性能和能效方面的提升,以期在竞争中超越SK海力士和美光科技。

三星在一份声明中表示,这一名为zHBM的新系统将高带宽内存垂直堆叠在AI加速器之上,其性能约为下一代HBM5的八倍。

作为成为AI时代端到端基础设施提供商努力的一部分,三星还推出了其他新技术,包括zNAND-O和V10 BV-NAND架构。

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