三星Q2营业利润飙升18倍创历史新高，AI驱动存储芯片涨价潮持续

①三星电子周二发布了2026年第二季度初步业绩，显示受AI持续推高存储芯片价格带动，公司当季营收和利润双双大增； ②其中，季度营业利润同比飙升18倍，创下有史以来最高，且超出市场预期； ③这是三星连续第三个季度实现创纪录的营业利润。

财联社7月7日讯（编辑 卞纯）周二（7月7日），全球最大的内存芯片制造商三星电子发布了2026年第二季度初步业绩，显示受人工智能（AI）持续推高存储芯片价格带动，公司当季营收和利润双双大增。其中，季度营业利润创下有史以来最高，且超出市场预期。

根据初步业绩，三星电子今年4月至6月期间的营业利润为89.4万亿韩元（约合584.4亿美元），较上年同期的4.7万亿韩元飙升18倍，高于LSEG SmartEstimate预计的87.3万亿韩元。

这是三星连续第三个季度实现创纪录的营业利润。该数字超过了三星2023年至2025年三年的营业利润总和。

初步业绩还显示，三星电子第二季度营收同比增长129%，达到171万亿韩元。

这一业绩远远超过了此前一个季度的业绩，标志着三星录得又一个创纪录的季度，凸显出人工智能的蓬勃发展大幅推高了高带宽内存和其它先进芯片的价格。今年第一季度，三星营收为133.9万亿韩元，营业利润为57.2万亿韩元。

三星预计将于本月晚些时候发布完整业绩，包括其各项业务的收益明细。

由于三星劳资双方最近敲定了相当于年度业绩10.5%的特别经营绩效资金，业内人士认为，约有19万亿至20万亿韩元的激励准备金已反映在第二季度业绩中。

市场当前对三星电子2026年全年营业利润的预期约为300万亿韩元。三星电子半导体业务经营战略负责人在7月3日的相关会议上释放乐观信号，称“今年的营业利润将超过半导体事业开展40年来的累计利润”。

存储芯片涨价潮持续

本季度，随着人工智能支出从高带宽内存（HBM）扩展至传统DRAM和NAND产品，存储芯片价格持续上涨。

分析人士指出，HBM产量的快速增长导致用于智能手机、个人电脑和企业服务器的传统内存产品供应趋紧，这进一步支撑了价格。

花旗研究（Citi Research）上周表示，第二季度DRAM和NAND的平均售价环比分别上涨了44%和53%。

分析人士还表示，客户正越来越多地寻求签订长期供应协议，这进一步强化了内存价格将在较长时间内维持高位的预期，从而使三星等拥有大规模产能的制造商受益。

据业内人士3日透露，三星电子目前正在与客户进行谈判，目标是将今年第三季度DRAM的平均售价比上一季度提高20%。