光芯片产能紧缺与国产替代加速:高端EML缺口超30%,2028年自给率目标45%

华尔街见闻2026-07-03 11:38

摘要

1光芯片已成为AI算力核心瓶颈,高端EML/CW激光器供需缺口超30%,订单排至2028年。
22026年全球光通信芯片组市场预计超110亿美元。
3工信部设定2028年高端200G EML光芯片自给率45%的硬指标。
4当前磷化铟衬底缺口超70%,国产化率不足5%;
5硅光技术2026年市场份额将超50%,薄膜铌酸锂进入产业化元年。
6尽管产能紧缺,但市场叙事出现松动迹象,需关注预期兑现风险。

风口浪尖的光芯片:产能仍然紧缺,叙事却为何开始松动?

光芯片正从光模块的“辅助器件”跃升为AI算力产业链的“核心瓶颈”,高端EML/CW激光器供需缺口超30%,订单排至2028年,光芯片行业正迎来量价齐升的最强景气周期。

2026年全球光通信芯片组市场预计超110亿美元,2025-2030年CAGR达17%。国产替代从“可选”变“必选”——工信部首次将高速光模块定位为“AI算力、6G核心底层硬件”,设定2028年高端200G EML光芯片自给率45%的硬指标。磷化铟衬底供需缺口超70%,全球90%以上产能被日美三家企业垄断,国产6英寸InP衬底国产化率不足5%。硅光技术2026年将首次占据光模块市场50%以上份额,薄膜铌酸锂(TFLN)进入产业化元年。

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