1SK海力士375层3D NAND完成“钼代钨”量产验证并计划年内量产，标志该技术从实验室走向商业化。
2钼在电阻率、粘附性及ALD工艺适配性上优于钨，解决高层数NAND物理瓶颈。
3传统端油气军工需求高增叠加供给刚性约束，预计全球钼供需缺口将从2026年0.68万金属吨扩至2028年2.10万金属吨。
4新兴半导体应用与传统缺口共振，钼或成下一个被重估的战略金属，利好金钼股份等相关标的。
SK海力士375层NAND量产验证“钼代钨”，钼金属迎供需与技术双驱动
摘要
文本
SK海力士开启“钼代钨”，钼会是下一个被重估的战略金属吗？
金属钼市场正处于“传统供需缺口扩大”与“新兴半导体材料突破”的双重驱动阶段。传统端，油气、造船、军工等领域需求高增，叠加全球供给端2028年前刚性约束，测算供需缺口将从2026年的0.68万金属吨扩大至2028年的2.10万金属吨。新兴端，SK海力士375层3D NAND以钼替代钨进入量产验证阶段，标志着“钼代钨”从实验室走向商业化，为钼需求打开长期增长空间。
一、发生了什么？——“钼代钨”，从实验室到量产
- “钼代钨”是怎么发生的？——钨在高层数3D NAND中的物理瓶颈
随着3D NAND堆叠层数突破300层以上，传统钨作为字线（Word Line）金属栅极材料正面临三大物理瓶颈：
电阻率随线宽缩小而攀升，造成信号延迟和过热；
钨与介电材料粘附性差，需要额外沉积粘结层，挤占了本就有限的导电空间；
钨依赖CVD工艺，在极高深宽比的通孔中容易产生填充空洞，影响良率和可靠性。
上述瓶颈在400层以上架构中将更加突出，材料替代是产业发展的必然需求。
2、钼的优势——为什么是钼？
钼作为替代材料，在理论上具备三大优势：
在相同线宽条件下电阻率更低，可提升信号传输速度及读写擦除性能；
与介电材料的粘附性更好，部分工艺方案中可省略粘结层，有助于实现更高密度的堆叠结构；
与原子层沉积（ALD）工艺更加适配，在高深宽比通孔中的台阶覆盖率和填充均匀性优势显著。
3、时间线：从概念探索到商业化量产（2018-2026年）
“钼代钨”的产业进程经历了四个阶段：
2018-2020年为概念探索期，学术界开始研究钼薄膜与ALD工艺的兼容性；
2021-2023年为小范围试验期，三星、SK海力士在200层以上NAND研发中测试可行性；
2024-2025年为部分导入期，三星部分高层数工艺中有限度使用钼；
2026年5-6月进入商业化验证阶段——5月韩国战略材料会议将钼确立为AI时代半导体材料核心议题，6月SK海力士完成375层3D NAND量产验证，计划年内量产，在部分字线中以钼替代钨。
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金钼股份
写的很好，下次请继续
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