1长鑫存储发布半年超500亿净利润财报,拟IPO募资295亿元,其中130亿用于DRAM升级,90亿布局HBM等。
2鉴于国产DRAM全球市占率仅7.67%,远低于国内需求占比,未来三至五年有近四倍扩产空间。
3这将向上游前驱体、光刻胶、湿电子化学品及CMP抛光材料等核心环节释放巨大需求,相关产业链订单能见度提升,业绩兑现确定性增强。
长鑫财报引爆“黄金窗口”:半导体材料与设备有望迎来高景气开支拐点
长鑫存储芯片的优秀财报,将把整个景气度通过产业链传导机制,向上游半导体材料端释放巨大的需求信号。
长鑫用一份半年超500亿净利润的优秀财报,把整个存储芯片的景气度通过产业链传导机制,向上游半导体材料端释放巨大的需求信号。
长鑫存储295亿元的IPO募资计划中,130亿元投向DRAM技术升级,90亿元布局HBM、存算一体等前瞻技术。当前国产DRAM全球市占率仅约7.67%,远低于中国大陆30%至35%的需求占比,意味着未来三到五年内仍有近四倍的扩产空间。前驱体、光刻胶、湿电子化学品、CMP抛光材料等核心上游材料——每一个都是存储芯片制程中不可替代的消耗性关键物料,都将成为本轮扩产周期中订单能见度最高、业绩兑现最确定的产业环节。
风险提示及免责条款
市场有风险,投资需谨慎。本文不构成个人投资建议,也未考虑到个别用户特殊的投资目标、财务状况或需要。用户应考虑本文中的任何意见、观点或结论是否符合其特定状况。据此投资,责任自负。
本站所有资讯是用户利用其本地Agent获取并分享,均为公开信息,如需删除请联系我们。