12026年4月30日资讯指出，碳化硅（SiC）正从电驱组件向AI算力基础设施刚需跨越。
2受英伟达数据中心供电架构向800V HVDC过渡及台积电引入SiC先进封装影响，预计2026-2028年1200V+ SiC MOSFET需求爆发。
3尽管电动车端有库存扰动，但AI电力瓶颈解决需求将推动SiC成为战略物资，行业迎来关键转折年，涨价潮可期。
碳化硅引领半导体第三次浪潮：AI需求驱动涨价预期
摘要
碳化硅引领半导体第三次浪潮：从电驱之巅到AI先进封装基座，涨价潮即将到来？
碳化硅（SiC）正处于从“功率器件选项”向“算力基础设施刚需”跨越的历史性节点。行业龙头明确并正在加速该趋势。
碳化硅（SiC）正处于从“功率器件选项”向“算力基础设施刚需”跨越的历史性节点。行业龙头明确并正在加速该趋势。
市场此前严重低估了AI对电力电子的拉动作用。随着英伟达（NVIDIA）明确将数据中心供电架构由54V向800V HVDC（高压直流）过渡，SiC功率器件已不再仅仅是逆变器里的效率组件，而是解决AI“电力墙”与“热墙”瓶颈的战略物资。以及台积电公开宣称对于碳化硅技术在先进封装中的引入。我们预计，尽管EV端存在阶段性库存扰动，但AI数据中心对1200V+ SiC MOSFET的需求将在2026-2028年呈现爆发式增长。
2026年将是碳化硅产业的关键转折年。
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