SK海力士斥资128.5亿美元建先进封装厂，量产英伟达新一代内存

①SK海力士计划在韩国投资19万亿韩元（约合128.5亿美元）建设新的先进封装制造工厂，预计本月开始动工； ②该工厂将专门用于先进封装工艺，以满足全球对人工智能存储器的需求； ③本周，SK海力士已开始大规模生产专为英伟达下一代人工智能芯片设计的下一代内存模块SOCAMM2。

财联社4月22日讯（编辑 周子意）韩国存储芯片制造商SK海力士公司周三（4月22日）表示，计划在韩国投资19万亿韩元（约合128.5亿美元），用于建设一座新的先进封装制造工厂，以满足全球对人工智能存储器不断增长的需求。

SK海力士在一份声明中写道，新的芯片制造厂将专门用于先进封装工艺，这一工艺对于制造诸如高带宽存储器（HBM）芯片等人工智能存储产品至关重要。据悉，该工厂将于本月开始动工建设。

作为英伟达的主要供应商，SK海力士一直在扩大生产规模，以满足对人工智能数据中心强劲需求的局面。

今年早些时候，SK海力士就曾指出，公司已加快产能扩张步伐，包括提前启用韩国的一家新存储芯片工厂，以满足不断增长的需求。

本周一（4月20日）的时候，该公司还发布声明称，已开始大规模生产专为英伟达下一代Vera Rubin人工智能芯片设计的下一代内存模块SOCAMM2。

该公司称，这些新产品将“从根本上解决在大型语言模型的训练和推理过程中遇到的内存瓶颈问题。”它还强调，SOCAMM2产品与传统的RDIMM2相比，带宽提高了一倍以上，能效提高了75%以上，为高性能人工智能操作提供了优化的解决方案。

截止发稿，SK海力士股价微跌0.082%至每股1,223,000韩元。此前一日（21日），该公司股价首次突破120万韩元大关，创下新高。

此外，SK海力士即将于周四（4月23日）发布一季度财报。据韩国KB证券预测，SK海力士第一季度营业利润将达到40万亿韩元，预计会创下历史新高。