长鑫科技：拟241亿元和108亿元分别投建技术研发项目和存储器晶圆后道测试基地二期项目

长鑫科技公告，公司拟使用超募资金130亿元投资新建技术研发项目，项目投资总额241亿元，主要用于技术研发；同时拟通过增资和借款方式向全资子公司长鑫存储产品（合肥）有限公司提供超募资金50亿元，由其投资建设长鑫存储产品（合肥）有限公司存储器晶圆后道测试基地二期项目，项目投资总额108亿元，计划建设一座测试工厂，为DRAM存储芯片提供测试以及模组组装。