公司代码：600460 公司简称：士兰微

杭州士兰微电子股份有限公司

2026 年半年度报告

重要提示

一、 本公司董事会及董事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存 在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。

二、 公司全体董事出席董事会会议。

三、 本半年度报告未经审计。

四、 公司负责人陈向东、主管会计工作负责人陈越及会计机构负责人（会计主管人员）马蔚声明： 保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。

五、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无

六、 前瞻性陈述的风险声明 √适用 □不适用

本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性描述不构成公司对投资者的实质承诺，敬请 投资者注意投资风险。

七、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况 否

八、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况 否 九、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否 十、 重大风险提示

报告期内，公司不存在对生产经营有实质性影响的重大风险。公司已在本报告中详细描述可 能存在的风险因素，请查阅“第三节 管理层讨论与分析”之“五、其他披露事项”之“（一）可 能面对的风险”。

十一、 其他

□适用 √不适用

目录

第一节 释义 .................................................................... 4 第二节 公司简介和主要财务指标 .................................................. 5 第三节 管理层讨论与分析 ........................................................ 8 第四节 公司治理、环境和社会 ................................................... 35 第五节 重要事项 ............................................................... 36 第六节 股份变动及股东情况 ..................................................... 46 第七节 债券相关情况 ........................................................... 49 第八节 财务报告 ............................................................... 50

第一节 释义

在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：

第二节 公司简介和主要财务指标

一、 公司信息

二、 联系人和联系方式

三、 基本情况变更简介

四、 信息披露及备置地点变更情况简介

五、 公司股票简况

六、 其他有关资料

□适用 √不适用

七、 公司主要会计数据和财务指标 （一） 主要会计数据

单位：元 币种：人民币

（二） 主要财务指标

公司主要会计数据和财务指标的说明

• □适用 √不适用

八、 境内外会计准则下会计数据差异

• □适用 √不适用

九、 非经常性损益项目和金额 √适用 □不适用

单位：元 币种：人民币

对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1 号——非经常性损益》未列举的项目认 定为非经常性损益项目且金额重大的，以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1 号 ——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因。

• □适用 √不适用

十、 存在股权激励、员工持股计划的公司可选择披露扣除股份支付影响后的净利润

• □适用 √不适用

十一、 其他

• □适用 √不适用

第三节 管理层讨论与分析

一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明

经过近三十年的发展，公司已成为国内主要的采用设计与制造一体化（IDM）模式运行的综合 型半导体企业。公司属于半导体行业，专注于硅半导体以及化合物半导体产品的设计、制造和封 装，向客户提供高质量的硅基集成电路、分立器件和化合物半导体器件（LED 芯片和成品，SiC、 GaN 功率器件）产品。公司建立了完整的 IDM 模式，打通了“芯片设计、芯片制造、芯片封装” 全产业链，实现了芯片生产线从“5 吋、6 吋”到“8 吋、12 吋”的跨越，在功率半导体、MEMS 传 感器、光电器件和第三代化合物半导体等领域构筑了核心竞争力。

2026 年上半年，全球经济增长动能较弱，主要经济体经济增速出现分化。地缘冲突和经贸摩 擦多发频发，全球经济发展面临较多的不确定性。中国经济继续表现韧性，经济运行在合理区间， 新动能快速成长。

在持续的产品创新、人工智能数据中心、下一代高性能计算（HPC）应用、汽车电气化和智能 化、人形机器人、新能源（包括风光储充）等对半导体需求不断增长的带动下，全球半导体行业 在 2026 年上半年继续保持较快的增长态势。

在国家积极“扩内需、促消费、稳增长”，大力发展新质生产力，加强科技自主创新，“强 链延链补链”、加快数字中国建设、持续推进“人工智能+”行动，反“内卷”、实现高质量发展 等一系列政策的推动下，国产芯片进口替代的进程明显加快。公司上下紧紧围绕董事会提出的“持 续提升综合能力，发挥 IDM 模式的优势，聚焦高端客户和高门槛市场；重点瞄准当前电动汽车、 新能源、算力和通讯、人形机器人等产业快速发展的契机，抓住国内高门槛行业和客户积极导入 国产芯片的时间窗口，利用我们有多条不同尺寸硅芯片产线和化合物产线的特点拓展工艺技术与 产品平台”这一指导方针，继续在特色工艺平台建设、新技术新产品开发、与战略级大客户合作 等方面加大投入，产品结构调整的步伐进一步加快。

2026 年上半年，公司营业总收入为 726,193 万元，比 2025 年同期增长 14.62%；公司营业利 润为 42,711 万元，比 2025 年同期增长 161.03%；公司利润总额为 42,667 万元，比 2025 年同期 增长 159.85%；公司实现归属于母公司股东的净利润 51,592 万元，比 2025 年同期增长 94.84%； 公司实现归属于母公司所有者的扣除非经常性损益后的净利润 27,074 万元，比 2025 年同期增长 0.67%。

报告期内公司新增重要非主营业务的说明

□适用 √不适用

二、经营情况的讨论与分析 （一）经营情况的讨论与分析

2026 年上半年，公司营业总收入为 726,193 万元，比 2025 年同期增长 14.62%；公司营业利 润为 42,711 万元，比 2025 年同期增长 161.03%；公司利润总额为 42,667 万元，比 2025 年同期

增长 159.85%；公司实现归属于母公司股东的净利润 51,592 万元，比 2025 年同期增长 94.84%； 公司实现归属于母公司所有者的扣除非经常性损益后的净利润 27,074 万元，比 2025 年同期增长 0.67%。报告期内，公司业绩增长的主要原因如下：

• 1、报告期内，公司深入实施“一体化”战略。公司通过保持高强度的研发投入，持续推出富

有竞争力的产品，持续加大对大型白电、汽车、新能源、工业、通讯和算力等高门槛市场的拓展 力度，公司总体营收保持了较快的增长势头。同时，公司通过加快产品结构调整、积极扩大各生 产线产出，采取各项降本增效举措以应对原材料、人工、固定资产折旧等成本费用上升的压力， 使得公司产品综合毛利率较 2025 年平均值保持了基本稳定。

• 2、报告期内，公司持有的以公允价值计量的其他非流动金融资产之公允价值发生较大变动，

主要是由于公司持有的安路科技、昱能科技股票价格变化以及公司参与战略配售获得的尚处于限 售期的联讯仪器股票的估值变化，产生税后净收益合计约 19,414.03 万元。

公司三大类产品（集成电路、分立器件产品和发光二极管产品）营收情况、主要子公司、重

要参股公司的经营情况： 1、集成电路营收情况 2026 年上半年，公司集成电路的营业收入为 29.76 亿元，较去年同期增长约 16%。公司集成

电路营业收入增加的主要原因是：公司 IPM 模块、MEMS 传感器产品、32 位 MCU 电路、ACDC 电路、 DCDC 电路、快充电路、车规级模拟电路、LED 驱动电路、ASIC 电路、SoC 电路等产品的出货量增 长较多。

2026 年上半年，公司在汽车、大型白电、服务器、人形机器人、高端消费电子等领域，持续 推出一批电源管理芯片，应用于服务器的 DrMOS 电路、Efuse 电路、多项控制器电路，汽车上带 功能安全的电源管理电路、汽车低压预驱电路、创新的高性能快充电路都已在客户端测试或已导 入量产。

2026 年上半年，公司 32 位 MCU 电路产品继续保持较快的增长态势，其营业收入较去年同期 增长约 36%。公司推出了基于 M0 内核的更大容量 Flash、更多管脚的通用高性能控制器产品，以 满足智能家电、伺服变频、工业自动化、人形机器人、光伏逆变等多领域高性能控制的需求。经 过多年持续发展与积累，公司电控类及主控类产品已形成系列化，与公司丰富的功率器件、IPM 模 块一起为白电及工业客户提供一站式服务。创新的全士兰方案的变频空调（包含室内外 MCU、电 源管理、IPM 模块、功率器件等）已在快速上量。

2026 年上半年，公司 IPM 模块的营业收入达到 20.33 亿元，较去年同期增长约 9%。目前，公 司 IPM 模块已广泛应用到下游家电、工业和汽车客户的变频产品上，包括空调、冰箱、洗衣机、 油烟机、吊扇、家用风扇、工业风扇、水泵、电梯门机、缝纫机、电动工具、工业变频器、新能 源汽车等。公司各个功率等级的 IPM 模块已有近 10 年的整机应用质量统计数据，长期运行的失效 率 PPM 统计处于非常好的水平，是国内外客户大量选用士兰产品的基础。近几年，公司持续通过

提高功率密度和采用更先进的工艺制程，向客户提供更高性价比的产品，市场份额持续提升。2026 年上半年，国内多家主流的白电整机厂商在变频空调等白电整机上使用了超过 1.5 亿颗士兰 IPM 模块，比去年同期增加 20%以上。公司已提高 12 英寸模拟集成电路芯片和 IGBT 芯片生产能力。 公司 6 英寸 SiC 功率器件芯片生产线快速上量、已近满载，8 英寸 SiC 功率器件芯片生产线也在 快速上量。公司 IPM 功率模块封装测试生产线的生产能力已提高到 4,000 万只/月。预计今后士兰 IPM 模块的出货量还将保持较快增长。持续优化器件性能、提高功率密度、降低成本，高压 1200V 的 IPM 模块、SiC 器件和 GaN 器件的应用、拓展汽车市场是士兰 IPM 模块今后发展的主要方向。

2026 年上半年，公司 MEMS 传感器产品的营业收入达到 2.1 亿元，较去年同期增加约 60%。目 前，国内大多数手机品牌厂商已在大批量使用公司加速度传感器，公司加速度传感器的国内市场 占有率保持在 20%-30%。公司六轴惯性传感器（IMU）已接获多家国内智能手机厂商批量订单，2026 年上半年 IMU 出货量增加了约 3 倍。公司已在士兰集昕 8 吋线上持续加大 MEMS 传感器芯片制造 能力的投入，预计下半年公司惯性传感器产品的营收将保持较快增长。公司 MEMS 传感器产品除在 智能手机、可穿戴设备等消费领域继续加大供应外，还在持续拓展工艺平台，研发更高精度的惯 性传感器产品，产品即将拓展至汽车、工业等市场。

2、功率半导体和分立器件产品营收情况 2026 年上半年，公司功率半导体和分立器件产品的营业收入达到 34.44 亿元，较去年同期增

长约 15%。其中，公司应用于汽车、光伏的 IGBT 和 SiC（模块、器件）的营业收入达到 15.96 亿 元，较去年同期增长约 11%。

基于公司自主研发的 V 代 IGBT 和 FRD 芯片的电动汽车主电机驱动模块，已在国内外多家客 户实现批量供货；公司用于汽车的 IGBT 器件（单管）也已实现大批量出货，公司用于光伏的 IGBT 器件（成品）、逆变控制模块、SiC MOS 器件也实现批量出货。同时，公司应用于汽车主驱的 IGBT 和 FRD 芯片已在国内外多家模块封装厂批量销售，并在进一步拓展客户和持续放量过程中。

公司已完成 V 代 IGBT 和 FRD 芯片的技术升级，性能明显提升，应用于新一代的降本模块和高 性能模块，已通过客户评测。公司还完成了多个电压平台的 RC-IGBT（逆导型 IGBT）产品的研发， 该类产品性能指标先进，已开始在汽车主驱、储能、风电、IPM 模块等领域中持续推广使用，其中 1700V 的 RC-IGBT 在风电开始批量应用。

2026 年上半年，基于公司自主研发的Ⅱ代和Ⅳ代 SiC-MOSFET 芯片生产的电动汽车主电机驱 动模块出货量持续增加，客户数量已持续增加，预计下半年出货量将大幅增长。公司的Ⅱ代 SiCMOSFET 已通过国内顶级大厂的严苛认证，应用于 AI 算力中心电源上，实现大批量出货，同时配 套销售的还有高性能中低压的 MOSFET。公司还推出了新一代 250kW 组串储能-混合 SiC 解决方案。

2026 年上半年，公司继续推进“士兰明镓 6 英寸 SiC 功率器件芯片生产线”项目的建设。截 至目前，士兰明镓已形成月产 10,000 片 6 吋 SiC-MOSFET 芯片的生产能力，目前已接近满载。公 司已经开发了多种规格的 SiC 芯片，可以满足汽车、新能源、工业、家电等多样性的需求。

2026 年上半年，公司加快推进“士兰集宏 8 英寸 SiC 功率器件芯片生产线”项目的建设。截 至目前，士兰集宏已形成月产 5,000 片 8 吋 SiC 功率器件芯片的生产能力，并已投入批量生产， 已在实施将产能拓展至 10,000 片/月。

2026 年上半年，公司其他分立器件产品的营业收入约为 18.48 亿元，较去年同期增加约 17%。

其他的分立器件产品包括超级结 MOSFET、高性能中低压分离栅 MOSFET、快恢复二极管、TVS/ESD 保护器件、稳压管、开关管、肖特基二极管等。在该等品类的产品中，超级结 MOSFET、高性能中 低压分离栅 MOSFET 技术性能持续在提升，产品性能达到业内领先的水平，已开始加快进入电动汽 车、新能源、算力和通讯等市场。2026 年上半年，应用于汽车领域的中低压 MOSFET、超结 MOSFET 的营收较去年同期增长 50%以上。公司已安排技改资金，进一步提高中低压 MOSFET 的产量。预期 今后公司分立器件产品的营收将继续较快成长。

3、发光二极管产品营收情况 2026 年上半年，公司发光二极管产品的营业收入为 3.77 亿元，较去年同期增长约 9%。 2026 年上半年，公司子公司士兰明镓 LED 芯片生产线已接近满产，经营活动持续改善。但受 材料成本、人工成本上升的影响，总体毛利率依然为负。2026 年下半年，士兰明镓将进一步优化 产品结构，持续推动植物照明、安防监控、mini 显示屏芯片等上量，努力实现产能满载，并进一 步加强成本控制，提高投入产出效率，积极争取减少经营性亏损。

2026 年上半年，美卡乐积极调整产品结构，加快倒装产品的市场推广，减少了低毛利的正装 产品出货，实现扭亏为盈。2026 年下半年，美卡乐将进一步发挥倒装产品的优势，扩大市场份额， 提高盈利水平。

4、主要制造工厂经营情况 （1）士兰集科 2026年上半年，公司重要参股公司士兰集科公司产能处于满载水平，总计产出12吋芯片39.45

万片，较去年增长约 32%，实现营业收入 18.86 亿元，较去年增加约 27%。2026 年下半年，随着 功率器件和模拟电路芯片产能的进一步释放，士兰集科芯片产出能力还将进一步提升。

（2）士兰集昕 2026 年上半年，公司子公司士兰集昕公司产能接近满载水平，总计产出 8 吋、12 吋芯片 35.08

万片，较去年同期减少约 10%，实现营业收入 7.21 亿元，较去年同期持平，实现扭亏为盈。2026 年下半年，士兰集昕将进一步扩充 MEMS 传感器芯片的制造能力，并优化功率器件芯片产能结构。

（3）士兰集成 2026 年上半年，公司子公司士兰集成芯片生产线的产能处于满载水平，总计产出 5、6 吋芯

片 143.45 万片，比去年同期增长约 6%。士兰集成通过加快产品结构调整，加强成本控制，取得 了较好的经济效益。

（4）成都士兰

2026 年上半年，公司子公司成都士兰公司 PIM 模块封装生产线的产出均较去年同期有较快的 增长，其营业收入较去年同期增长约 18%。2026 年下半年，成都士兰公司将加快汽车半导体封装 二期厂房建设，进一步扩大新型汽车级功率器件和功率模块的封装能力。

（5）成都集佳 2026 年上半年，公司子公司成都集佳公司保持稳定生产，其营业收入较去年同期增长约 11%，

但由于受下游白电市场需求增速放缓、材料成本大幅上升的影响，其获利能力较去年同期有所降 低。成都集佳公司已实施多个 IPM 模块封装扩产项目，已将年生产能力提高到约 4.8 亿颗。

（6）士兰明镓 2026 年上半年，士兰明镓实现主营业务收入 4.64 亿元，较去年同期增加约 38%。2026 年下 半年，士兰明镓公司将继续加大在 Mini 显示、植物照明、安防监控、红外光耦、车用 LED 等中高 端应用领域的拓展力度，进一步推出高附加值的产品，同时加快实现 SiC 功率器件芯片生产线产 量爬升，改善盈利水平。

5、2026 年上半年公司主要获奖情况 2026 年 3 月 31 日，“2026 年度中国 IC 设计成就奖”颁奖典礼在上海举行，士兰微电子再次

获评“十大中国 IC 设计公司”。 2026 年 5 月 20 日，第十三届汽车电子创新大会暨 2026 车规半导体技术应用展（AEIF 2026）

在上海开幕。本届大会以“软件定义汽车，智算重构生态”为主题，汇聚了来自全国各地的汽车 电子领域专家、企业高管及产业链决策者。会上，士兰微电子 B7 功率模块产品荣获“2026 国产 车规芯片新品十强”及金芯奖“卓越产品奖”殊荣。

经过近三十年的发展，公司已成为目前国内领先的 IDM 公司。作为 IDM 公司，公司带有资产 相对偏重的特征，在外部经济周期变化的压力下，也会在一定程度上承受经营利润波动的压力。 但是相对于轻资产型的 Fabless 设计公司，公司在特色工艺和产品的研发上具有更突出的竞争优 势：实现了特色工艺技术与产品研发的紧密互动，以及集成电路、功率器件、功率模块、MEMS 传 感器、光电器件和第三代化合物半导体芯片的协同发展；公司依托 IDM 模式形成的设计与工艺相 结合的综合实力，加快提升产品品质、加强成本控制，向客户提供高质量、高性价比的产品与服 务，可满足下游整机（整车）用户多样化需求，具有较强的市场竞争能力。2026 年上半年，公司 集成电路和器件成品的销售收入中，已有将近 85%的收入来自大型白电、通讯、算力、工业、新能 源、汽车等高门槛市场。当前，在国家政策持续支持，以及下游电动汽车、新能源、算力和通讯、 人形机器人等行业快速发展、芯片国产替代进程明显加快的大背景下，士兰微电子迎来了较快发 展的新阶段。士兰微电子将加快实施“一体化”战略，持续推动满足车规级和工业级要求的器件 和电路在各生产线上量，持续推动士兰微整体营收的较快成长和经营效益的提升。

“君行吾为发浩歌，鲲鹏击浪从兹始。洞庭湘水涨连天，艨艟巨舰直东指。”2003 年 3 月 11 日，士兰微在上海证券交易所主板上市，是第一家在中国境内上市的民营集成电路芯片设计企业。

近三十年来，我们经受了多轮行业周期变化所带来的压力和挑战。我们知道：“路虽远，行则将 至；事虽难，做则必成。只要有愚公移山的志气、滴水穿石的毅力，脚踏实地，埋头苦干，积跬 步以至千里，就一定能够把宏伟目标变为美好现实。”当前，中国 A 股上市公司的数量已达到 5,500 余家，中国资本市场的不断发展为实体经济带来了资本活水，也为“强国建设、民族复兴”的新 征程注入新动能。

“征程万里风正劲，重任千钧再奋蹄。”2025 年 10 月 18 日，厦门市人民政府、厦门市海沧 区人民政府、杭州士兰微电子股份有限公司在厦门共同签署了《战略合作协议》：各方合作在厦 门市海沧区投资建设一条对标国际领先水平、以 IDM 模式运营、拥有完全自主知识产权的 12 英寸 高端模拟集成电路芯片生产线。该项目规划总投资 200 亿元人民币，计划分两期建设：一期投资 规模 100 亿元人民币，二期投资规模约 100 亿元人民币。两期建设完成后，将形成年产 54 万片 12 英寸高端模拟集成电路芯片的生产能力。本次合作是士兰微电子积极响应国家战略，加快发展 汽车、工业、大型服务器、机器人、通讯等产业领域关键芯片的重大举措。2025 年四季度，士兰 微电子 8 英寸碳化硅（SiC）功率器件芯片制造生产线项目（厦门士兰集宏一期，规划投资额 70 亿元人民币）顺利实现通线，2026 年 7 月份已实现正式投产。

我们将秉承“诚信、忍耐、探索、热情”的企业精神，全面贯彻“新发展理念”，积极培育 “新质生产力”，推动企业实现高质量发展。我们将以国际上先进的 IDM 大厂为学习标杆，努力 向“成为具有自主品牌、具有世界一流竞争力的综合性半导体产品公司”这一长期发展目标迈进， 为国家集成电路产业发展以及中国资本市场稳健繁荣做出贡献。 （二）行业发展趋势以及公司面临的发展战略机遇期

1、行业发展趋势 2026 年上半年，全球经济增长动能较弱，主要经济体经济增速出现分化。地缘冲突和经贸摩

擦多发频发，供给冲击和输入型通胀压力对各国经济活动持续产生影响，全球通胀压力上升，主 要经济体央行货币政策趋向调整。全球经济发展面临较多的不确定性。

中国经济继续表现韧性，经济运行在合理区间，新动能快速成长。数据显示，2026 年上半年 中国国内生产总值(GDP)达 69.57 万亿元，按不变价格计算，同比增长 4.7%。工业生产较快增长， 装备制造业和高技术制造业增势良好。上半年，全国规模以上工业增加值同比增长 5.4%。装备制 造业增加值同比增长 9.3%，高技术制造业增加值增长 13.3%，分别快于全部规模以上工业增加值 3.9 和 7.9 个百分点。消费市场继续扩容，服务零售较快增长。上半年，社会消费商品和服务零 售总额同比增长 2.7%，其中服务零售额增长 5.3%，商品零售额增长 1.1%。在服务零售额中，通 讯信息服务类、旅游咨询租赁服务类、文体休闲服务类零售额较快增长。货物进出口快速增长， 贸易结构继续优化。上半年，货物进出口总额 25.47 万亿元，同比增长 16.9%。其中，出口 14.73 万亿元，增长 13.4%；进口 10.74 万亿元，增长 22.1%。机电产品出口增长 20.1%，占出口总额的 比重为 63.5%。

人工智能浪潮奔涌，云算力基础设施加速铺展，多重驱动力持续释放，全球集成电路产业步 入结构性复苏与高景气增长的上行通道。世界半导体贸易统计组织 6 月 2 日发布预测报告称，受 人工智能需求的快速扩大，2026 年全球半导体市场规模预计同比增加近九成，市场规模将突破 1.5 万亿美元（约合人民币 10.2 万亿元）。报告称，鉴于数据中心的普及速度超出预期，世界半导体 贸易统计组织大幅上调了预测，2026 年增幅也将创下历史新高。

从产品分类来看，报告预测存储芯片今年同比增幅将达到惊人的 249.5%，规模突破 8,000 亿 美元大关，一举超越 2025 年半导体整体市场规模。逻辑芯片预计增长 37.3%，规模达 4,100 亿美 元。此外，报告还预测，2027 年全球所有主要地区的半导体市场都将延续增长势头，其中美洲和 亚太地区是引领增长的两大核心引擎。

根据国家工业和信息化部披露的数据：2026 年上半年，我国电子信息制造业生产继续加快， 出口稳定向好，效益保持增势，投资平稳增长，行业整体发展态势良好。上半年，规模以上电子 信息制造业增加值同比增长 14.8%，增速分别比同期工业、高技术制造业高 9.4 个和高 1.5 个百 分点。6 月份，规模以上电子信息制造业增加值同比增长 15.7%。主要产品中，工业机器人产量 53.8 万套，同比增长 28.0%；新能源汽车产量 739.9 万辆，同比增长 6.0%；集成电路产量 2,798 亿块，同比增长 23.1%。上半年，规模以上电子信息制造业累计实现出口交货值同比增长 7.8%， 较 1—5 月份提高 1.7 个百分点。6 月份，规模以上电子信息制造业实现出口交货值同比增长 12.9%。 据海关统计，上半年，我国出口电视机 5,023 万台，同比增长 3.1%；出口手机 3.25 亿台，同比 下降 4.3%；出口集成电路 1,794 亿个，同比增长 7%。上半年，规模以上电子信息制造业实现营业 收入 9.41 万亿元，同比增长 18.5%；营业成本 7.98 万亿元，同比增长 15.4%；实现利润总额 5,777 亿元，同比增长 96.9%。6 月份，规模以上电子信息制造业营业收入 1.89 万亿元，同比增长 24.7%。

另外，根据国家工业和信息化部发布的“2026 年上半年软件业运行情况报告”：2026 年上半 年，我国软件业务收入 77,182 亿元，同比增长 9.5%。软件业利润总额 8,999 亿元，同比增长 1.0%。 软件业务出口 337.9 亿美元，同比增长 11.4%。报告还显示，信息技术服务收入保持两位数增长。 上半年，信息技术服务收入 52,907 亿元，同比增长 10.4%，占全行业收入的 68.5%。其中，云计 算、大数据服务共实现收入 8,877 亿元，同比增长 12.1%，占信息技术服务收入的 16.8%；集成电 路设计收入 2,365 亿元，同比增长 20.1%；电子商务平台技术服务收入 6,221 亿元，同比增长 5.5%。

2、行业竞争格局 半导体行业是继石油之后，全球贸易额第二大的行业（中国已是全球最大的半导体消费市场，

芯片年进口额已超过 3 万亿元人民币）。据海关总署公布的 2025 年进出口主要商品数据，我国货 物贸易进口总值达 26.99 万亿人民币。其中，集成电路进口总金额为 3.03 万亿人民币，占比达 11.25%，持续成为我国第一大进口商品。

半导体行业高度依赖全球供应链，没有一个国家可以完全让芯片供应链自主化。半导体行业 的发展与人类社会息息相关，无论是能源、交通、医疗等传统行业，还是 AI、无线网络、量子技

术等新兴行业，都高度依靠半导体的发展。目前一些西方国家政府推行“单边主义”贸易政策， 对半导体需求和供应稳定产生了不利影响。如果半导体供应链长期处于不稳定的状态，其他行业 的发展也将受到很大影响。因此各国政府应减少对芯片技术出口的限制，加大对基础研究等投入， 以推动全球半导体行业的持续创新。

十余年来，在国家政策的大力扶持下，中国集成电路产业保持快速增长态势。根据中国半导 体行业协会数据及公开资料，2014-2025 年，我国集成电路产业（包括设计、制造、封测）销售额 由 3,015 亿元增至 17,331 亿元，复合增长率达 17.23%。

根据中国半导体行业协会集成电路设计分会理事长魏少军教授统计，2025 年我国芯片设计行 业销售额预计为 8,357.3 亿元，比 2024 年增长 29.4%。2025 年，国内芯片设计企业的数量已达到 3,901 家，企业数量增长了 7.6%，预计有 831 家企业的销售额超过 1 亿元人民币，这 831 家销售 额超 1 亿元企业的销售总和达到 7,034 亿元，约占全行业销售额 84%。其余 3,070 家企业平均销 售额为 4,310.4 万元。目前，国内芯片设计企业的主要市场还集中在通信和消费类电子，这两类 芯片的销售额占到全部销售额的 67%，而计算机芯片的份额只有 7.7%左右，与国际上计算机芯片 占市场 25%的比例差距明显，由此可以看出我国芯片产品的总体水平还处于中低端。

由此可见，尽管近些年设计企业数量增长较快，但国内芯片设计企业经营规模总体较小，同 质化竞争较为严重。中国芯片设计企业正面对国内外市场的双重挑战。

与国外先进企业相比，中国本土芯片制造企业（不包括外资企业）产出规模也相对较小，其 工艺水平也相对落后，而且生产用的关键原辅材料、工艺设备等依赖进口，竞争力较弱。

因此，国内芯片企业要积极发挥国内政策、资金、市场规模等优势，持续加大对技术、产品 的研发投入，加强生产能力和产品品牌的建设，不断提升芯片产出规模和水平，逐步缩小与国际 先进企业差距。

3、公司面临的发展战略机遇期 随着半导体信息技术在绿色家电、智能制造、物联网、大数据、云计算、人工智能、新能源、

电动汽车等领域的广泛应用，半导体行业面临更为广阔的市场空间。为鼓励和支持我国集成电路 产业的发展，国家和相关部门出台了多项具体政策及措施。

2011 年年初国务院下发了《关于进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展若干政策的通知》 (国发〔2011〕4 号，以下简称“国发 4 号文”)；2014 年 6 月，国务院下发了《国家集成电路产 业发展推进纲要》（以下简称《纲要》)。《纲要》明确提出：“集成电路产业是信息技术产业的核 心，是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业，当前和今后一段时期 是我国集成电路产业发展的重要战略机遇期和攻坚期”，“应充分发挥市场优势，营造良好发展 环境，激发企业活力和创造力，带动产业链协同可持续发展，加快追赶和超越的步伐，努力实现 集成电路产业跨越式发展”，“为经济发展方式转变、国家安全保障、综合国力提升提供有力支撑。” 《纲要》还提出要“设立国家产业投资基金。重点支持集成电路等产业发展，促进工业转型升级。”

• 2020 年 8 月，国务院印发了《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展若干政策》国

发〔2020〕8 号（以下简称《新时期政策》），《新时期政策》共 40 条，涉及财税政策、投融资政 策、研究开发政策、进出口政策、人才政策、知识产权政策、市场应用政策、国际合作政策等八 个方面，对进一步优化集成电路产业和软件产业发展环境，深化产业国际合作，提升产业创新能 力和发展质量提供了保障。

• 2021 年 7 月，工信部、科技部、财政部、商务部、国资委、证监会联合发布《关于加快培育

发展制造业优质企业的指导意见》）（简称《指导意见》），《指导意见》提出：制造业优质企业聚焦 实业、做精主业，创新能力强、质量效益高、产业带动作用大，在制造强国建设中发挥领头雁、 排头兵作用。加快培育发展制造业优质企业，是激发市场主体活力、推动制造业高质量发展的必 然要求，是防范化解风险隐患、提升产业链供应链自主可控能力的迫切需要。

• 2022 年 6 月 28 日，中共中央总书记、国家主席、中央军委主席习近平在湖北省武汉市考察

时强调，科技自立自强是国家强盛之基、安全之要。我们必须完整、准确、全面贯彻新发展理念， 深入实施创新驱动发展战略，把科技的命脉牢牢掌握在自己手中，在科技自立自强上取得更大进 展，不断提升我国发展独立性、自主性、安全性，催生更多新技术新产业，开辟经济发展的新领 域新赛道，形成国际竞争新优势。

• 2023 年 2 月 27 日，中共中央、国务院印发了《数字中国建设整体布局规划》(以下简称《规

划》)。《规划》指出，建设数字中国是数字时代推进中国式现代化的重要引擎，是构筑国家竞争 新优势的有力支撑。加快数字中国建设，对全面建设社会主义现代化国家、全面推进中华民族伟 大复兴具有重要意义和深远影响。《规划》提出，到 2035 年，数字化发展水平进入世界前列，数 字中国建设取得重大成就。数字中国建设体系化布局更加科学完备，经济、政治、文化、社会、 生态文明建设各领域数字化发展更加协调充分，有力支撑全面建设社会主义现代化国家。

• 2023 年 9 月 8 日，习近平总书记在听取黑龙江省委和省政府工作汇报时强调，整合科技创新

资源，引领发展战略性新兴产业和未来产业，加快形成新质生产力。产业是生产力变革的具体表 现形式。新质生产力是以新产业为主导的生产力，特点是创新，关键在质优，本质是先进生产力。 战略性新兴产业与未来产业是形成新质生产力的主阵地，战略性新兴产业对新旧动能转换发挥着 引领性作用，未来产业代表着科技创新和产业发展的新方向，二者都是向“新”而行、向“实” 发力的先进生产力质态。我们要围绕发展新质生产力布局产业链，及时将科技创新成果应用到具 体产业和产业链上，加快传统制造业数字化、网络化、智能化改造，培育壮大战略性新兴产业， 布局建设未来产业，推动产业链向上下游延伸，形成完善的现代化产业体系，为高质量发展持续 注入澎湃动能。

• 2024 年 3 月 5 日，国务院总理李强在第十四届全国人民代表大会第二次会议上做《政府工作

报告》，提出“大力推进现代化产业体系建设，加快发展新质生产力。充分发挥创新主导作用，以 科技创新推动产业创新，加快推进新型工业化，提高全要素生产率，不断塑造发展新动能新优势， 促进社会生产力实现新的跃升”；“深入实施科教兴国战略，强化高质量发展的基础支撑。坚持

教育强国、科技强国、人才强国建设一体统筹推进，创新链产业链资金链人才链一体部署实施， 深化教育科技人才综合改革，为现代化建设提供强大动力”，“加快推动高水平科技自立自强。 充分发挥新型举国体制优势，全面提升自主创新能力。强化基础研究系统布局，长期稳定支持一 批创新基地、优势团队和重点方向，增强原始创新能力。瞄准国家重大战略需求和产业发展需要， 部署实施一批重大科技项目”。

2024 年 7 月 18 日，中国共产党第二十届中央委员会第三次全体会议通过了《中共中央关于 进一步全面深化改革 推进中国式现代化的决定》（以下简称《决定》），《决定》提出：“健全因地 制宜发展新质生产力体制机制。推动技术革命性突破、生产要素创新性配置、产业深度转型升级， 推动劳动者、劳动资料、劳动对象优化组合和更新跃升，催生新产业、新模式、新动能，发展以 高技术、高效能、高质量为特征的生产力。加强关键共性技术、前沿引领技术、现代工程技术、 颠覆性技术创新，加强新领域新赛道制度供给，建立未来产业投入增长机制，完善推动新一代信 息技术、人工智能、航空航天、新能源、新材料、高端装备、生物医药、量子科技等战略性产业 发展政策和治理体系，引导新兴产业健康有序发展”；“健全提升产业链供应链韧性和安全水平制 度。抓紧打造自主可控的产业链供应链，健全强化集成电路、工业母机、医疗装备、仪器仪表、 基础软件、工业软件、先进材料等重点产业链发展体制机制，全链条推进技术攻关、成果应用。 建立产业链供应链安全风险评估和应对机制”，“强化企业科技创新主体地位，建立培育壮大科技 领军企业机制，加强企业主导的产学研深度融合，建立企业研发准备金制度，支持企业主动牵头 或参与国家科技攻关任务。”

• 2024 年 10 月，中共中央总书记、国家主席、中央军委主席习近平在福建考察时指出，要在

推动科技创新和产业创新深度融合上闯出新路。加快构建支持全面创新体制机制，统筹推进教育 科技人才体制机制一体改革，加强高能级科创平台建设，实施科技重大攻关行动，强化企业科技 创新主体地位，完善金融支持科技创新的政策和机制，营造更加完善的创新环境、更有吸引力的 人才环境。牢牢守住实体经济，巩固传统产业优势，大力推动转型升级，培育壮大战略性新兴产 业，前瞻布局未来产业，因地制宜发展新质生产力，塑造产业发展新优势。

• 2025 年 6 月 13 日，国家发展改革委办公厅等四部门发布关于促进大功率充电设施科学规划

建设的通知。其中提出，推动大功率充电技术创新应用。充电运营企业要加强充电装备技术升级， 提高大功率充电设施的运行效率和使用寿命。鼓励对分体式设备采用大功率充电优先的功率分配 策略。加快高压碳化硅模块、主控芯片等核心器件国产化替代，推动涵盖零部件、系统集成、运 营服务的充电产业链整体升级。面向电动重卡、电动船舶、电动飞机等大容量、高倍率动力电池 应用场景，开展单枪兆瓦级充电技术研究与试点应用。应用电力智能管理、无人机巡检、充电安 全预警、智慧消防等技术，加强大功率充电站智能化安全管理，提升充电设施智能运维水平。

• 2026 年 3 月 12 日，第十四届全国人民代表大会第四次会议批准了“国民经济和社会发展第

十五个五年规划纲要”（以下简称“十五五”规划纲要）等报告。“十五五”规划纲要提出：“加 快新一代信息技术、新能源、新材料、智能网联新能源汽车、机器人、生物医药、高端装备、航

空航天等战略性新兴产业发展”，“瞄准引领未来发展重点领域，构建未来产业全链条培育体系， 推动量子科技、生物制造、氢能和核聚变能、脑机接口、具身智能、第六代移动通信等成为新的 经济增长点”，“聚焦战略必争领域和产业链供应链薄弱环节，采取超常规措施，全链条推动集 成电路、工业母机、高端仪器、基础软件、先进材料、生物制造等重点领域关键核心技术攻关取 得决定性突破。”

• 2026 年 5 月 8 日，国家能源局会同国家发展改革委、工业和信息化部、国家数据局对外发布

了《关于促进人工智能与能源双向赋能的行动方案》（以下简称《行动方案》）。《行动方案》以能 源支撑人工智能发展、人工智能赋能能源转型为主线，聚焦保障算力设施安全可靠的能源供给、 推动算力设施绿色低碳转型、促进算力电力高效经济协同、开放能源领域人工智能高价值应用场 景、挖掘能源领域数据价值、强化能源领域人工智能模型创新等方面部署了 29 项重点任务，着力 促进能源、算力、场景、数据、模型等人工智能发展各要素高效协同。《行动方案》提出，力争到 2030 年，人工智能算力设施的清洁能源供给保障能力和能源领域人工智能应用水平大幅提升，构 建人工智能与能源双向赋能、深度融合的发展新格局。

• 2026 年 6 月 1 日出版的第 11 期《求是》杂志发表了中共中央总书记、国家主席、中央军委

主席习近平的重要文章《前瞻布局和发展未来产业》。文章强调，培育发展未来产业，对于我们抢 占科技和产业制高点、牢牢把握发展主动权，对于发展新质生产力、建设现代化产业体系，对于 提高人民生活品质、促进人的全面发展和社会全面进步，都具有重要意义。近年来，党中央高度 重视未来产业发展，加强战略谋划，强化政策支持，推动未来产业发展呈现良好势头。新征程上， 我们要站在推进强国建设、民族复兴伟业的战略高度，立足客观条件，发挥比较优势，坚持稳中 求进、梯度培育，推动我国未来产业发展不断取得新突破。

今后，随着《国家集成电路产业发展推进纲要》《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量 发展若干政策》《数字中国建设整体布局规划》等的落实、国家“大力推进现代化产业体系建设， 加快发展新质生产力”、“深入实施科教兴国战略，强化高质量发展的基础支撑”的推进,国家 “十五五”规划的部署，以及 5G-6G 网络、智能网联新能源汽车、人工智能、新能源、新材料等 行业发展进度加快,预计中国集成电路产业将继续保持较快的增长态势。

近三十年来，士兰微电子坚持走“设计制造一体化”（IDM）发展道路，打通了“芯片设计、 芯片制造、芯片封装”全产业链，实现了“从 5 吋到 12 吋”的跨越，在功率半导体、MEMS 传感 器、光电器件和第三代化合物半导体等领域构筑了核心竞争力，已成为目前国内领先的 IDM 公司。 根据集微咨询分析师团队发布的《中国半导体企业 100 强（2024）》排行榜，士兰微电子荣列“中 国半导体企业 100 强（2024）”第八位。

士兰微电子将抓住当前国家坚定不移推进中国式现代化，完整、准确、全面贯彻新发展理念， 加快构建新发展格局，推动高质量发展的有利时机，在《新时期促进集成电路产业和软件产业高 质量发展若干政策》、国家“十五五”发展规划等政策的指引下，坚定不移走“设计制造一体化”

（IDM）发展道路，持续加大对模拟电路、功率半导体、MEMS 传感器、第三代化合物半导体等方面 的投入，大力推进系统创新和技术整合，积极拓展汽车、新能源、工业、算力和通讯、人形机器 人、大型白电、电力电子等中高端市场，不断提升产品附加值和产品品牌力，努力为国家集成电 路产业发展做出贡献。

（三）公司发展战略

公司发展目标和战略：以国际上先进的 IDM 大厂为学习标杆，成为具有自主品牌，具有国际 一流竞争力的综合性的半导体产品供应商。走设计与制造一体的模式，在半导体功率器件、各类 模拟芯片、MEMS 传感器、光电产品和化合物芯片等多个技术领域持续进行生产资源、研发资源的 投入；利用公司在多个芯片设计领域的积累，提供针对性的芯片产品和系统应用解决方案；不断 提升产品质量和口碑，提升产品附加值。

具体描述如下：

 持续提升综合能力，发挥 IDM 模式的优势，聚焦高端客户和高门槛市场；重点瞄准当前 汽车、新能源、算力和通讯、人形机器人等产业快速发展的契机，抓住国内高门槛行业和客户积 极导入国产芯片的时间窗口，利用我们有多条不同尺寸硅芯片产线和化合物产线的特点拓展工艺 技术与产品平台。产品与技术领域聚焦在以下五个方面：

 先进的车规和工业级电源管理产品（芯片设计、芯片工艺制造）；

 车规和工业级功率半导体器件与模块技术（含化合物 SiC 和 GaN 的芯片设计、芯片工艺 制造、封装）；

 MEMS 传感器产品与工艺技术（芯片设计、芯片工艺制造和封装）；

 车规和工业级的信号链（接口、逻辑与开关、运放、模数/数模转换等）混合信号处理电 路（含芯片设计和芯片制造）；

 光电系列产品（发光二极管及其他光电器件的芯片制造及封装技术）。

 继续全力推动制造平台的产能拓展，匹配公司短期和中期成长目标。加快集科 12 吋三期 项目建设进度，进一步提升车规级模拟集成电路和 IGBT、MOSFET 等功率芯片产能；加快推进士兰 集华 12 英寸高端模拟集成电路芯片生产线建设；加快拓展杭州士兰集昕 8 吋集成电路芯片生产 线上 MEMS 工艺的产能；加快推进厦门士兰明镓 6 英寸 SiC 功率器件芯片生产线的产能释放，加快 推进厦门士兰集宏 8 英寸 SiC 功率器件芯片生产线 IV 代工艺 MOSFET 的产出爬坡，匹配 2026 年 车用 SiC 市场的快速成长；加快推进成都士兰汽车半导体封装二期厂房建设，并加快新型功率器 件/模块特色封装产线建设，在特色工艺领域坚持走 IDM（设计与制造一体）的模式。

 瞄准车规级模拟电路和算力服务器相关的电源电路，继续加大力度推进 12 吋模拟工艺 平台的研发与量产爬坡。公司在过去的三年里，已自主完成了主要的车规级模拟电路所需的工艺 平台的研发，2025 年已陆续推出车规级系列模拟电路产品，包括功率器件的隔离栅驱动、垂直沟 道的高边驱动和低边驱动电路、深沟槽隔离工艺的预驱电路、深沟槽隔离工艺的车用电源管理电 路（含功能安全设计）、深沟槽隔离工艺的电子液压制动驱动电路（含功能安全设计）、深沟槽隔

离工艺的车用数字音频功放电路等。2026 年将推出新一代的 BCD 工艺的电路产品。

 拓展特色工艺的平台，面向非电源类的工业级产品的应用。

 在 12 吋先进的电路工艺平台已逐步成熟的基础上，加大芯片设计资源的投入，大幅度增 加杭州本部设计所的芯片设计研发人员，同时在上海、无锡、成都、西安、北京、厦门等地的研 发中心持续扩充有经验的设计研发工程师。

 加快 SiC 新技术产品的研发，2026 年下半年将推出士兰 V 代 SiC-MOSFET（沟槽型、性能 较 IV 代提升 20%）和沟槽型 SiC-JFET。

 加快 8 吋车规级 GaN 功率器件的产品研发与技术成熟，推出车规级 GaN 功率器件产品。 结合公司当前已有一定优势的硅基、碳化硅基功率器件，以及模拟控制、驱动芯片的基础，争取 能在 SiC 和 GaN 这两个持续蓬勃增长的市场中找到更多的产品发展机会。

 全面推动公司各品类的功率器件（各电压等级的 SiC-MOSFET、GaN 器件、硅超级结 MOSFET、 中低压硅 MOSFET）和电源产品（VRM 控制器、DrMOS、EFuse、POL 电源）等产品进入 AI 算力中心 的各级供电系统。

 MEMS 惯性传感器是公司历经十多年持续投入、目前已具有国内市场领先优势的重点产品 方向之一。基于做“复杂技术”产品的经营理念以及 MEMS 传感器市场的巨量成长空间，公司将大 幅度加大 MEMS 传感器的研发与生产资源的投入，主要聚焦在惯性和压力这两个主要的产品与技 术平台。持续提升产品的性能指标，满足汽车、机器人和工业用的 MEMS 传感器的技术需求。2025 年已有多款车用 MEMS 传感器产品推出，包括辅助驾驶系统的高精度惯性传感器、安全气囊的碰撞 传感、发动机的震动监控传感器等产品。2026 年将完成车用 ADAS 系统的 IMU 产品的导入认证， 并研发其他品类的 MEMS 传感器产品，丰富产品矩阵。

 持续提升 IGBT、FRD、硅基超级结 MOSFET、硅基沟槽栅 MOSFET、SiC-MOSFET 芯片的性能， 完成沟槽栅 SiC-MOSFET 和 SiC-JFET 的研发，指标匹配国际大厂，满足新能源汽车、光伏、风电、 储能、大型白电等应用市场的需求，并加大市场的推广力度。

 关注先进的高功率密度的功率组件封装技术，投入研发资源。

 在 LED RGB 彩屏芯片、植物照明芯片、高端汽车照明芯片和其他特色芯片上继续深耕与 布局，积极拓展市场；持续推进士兰“美卡乐”高端 LED 成品品牌的建设，发挥倒装产品优势， 积极拓展海内外高端客户，持续扩充产能，拓展新的高端应用市场。推进 Micro-LED 与驱动技术 的融合，推出创新的产品。

报告期内公司经营情况的重大变化，以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未 来会有重大影响的事项

□适用 √不适用

三、报告期内核心竞争力分析 √适用 □不适用

1、半导体和集成电路产品设计与制造一体的模式

公司从集成电路芯片设计业务开始，逐步搭建了特色工艺的芯片制造平台，并已将技术和制 造平台延伸至功率器件、功率模块、MEMS 传感器、光电器件的封装领域，建立了较为完善的 IDM （设计与制造一体）经营模式。IDM 模式可有效进行产业链内部整合，公司设计研发和工艺制造 平台同时发展，形成了特色工艺技术与产品研发的紧密互动，以及集成电路、功率器件、功率模 块、MEMS 传感器、光电器件和第三代化合物半导体的协同发展。公司依托 IDM 模式形成的设计与 工艺相结合的综合能力，有效加快了产品研发进度，对于提升产品品质、加强成本控制，向客户 提供高质量、高性价比的产品与服务有明显的优势，可满足下游整机（整车）用户多样性需求， 具有较强的市场竞争能力。

2、产品群协同效应

公司从集成电路芯片设计企业完成了向综合性的半导体产品供应商的转变，在特色工艺平台 和半导体大框架下，形成了多个技术门类的半导体产品，比如多个技术门类的模拟电路、多个技 术门类的功率半导体芯片、智能功率模块（IPM）、汽车级和工业级大功率模块(PIM)、化合物半 导体器件（LED 芯片，SiC、GaN 功率器件）、MEMS 传感器、汽车级和工业级模拟电路等。这些产 品已经可以协同、成套进入整机应用系统，市场前景广阔。

3、较为完善的技术研发体系 公司已经建立了可持续发展的产品和技术研发体系。多品类的模拟电路、变频控制系统和芯

片、MEMS 传感器产品、以 IGBT、超结 MOSFET 和高密度沟槽栅 MOSFET 为代表的功率半导体产品、 第三代化合物功率半导体产品（SiC、GaN 功率器件）、智能功率模块产品（IPM）、车规级和工业 级功率模块产品（PIM）、高压集成电路、美卡乐高可靠性指标的 LED 彩屏像素管等新技术产品都 是公司长期在这个技术研发体系中依靠自身的高强度投入和积累完成的。

公司的研发工作主要可分为两个部分：芯片设计研发与工艺技术研发。在芯片设计研发方面， 公司依照产品的技术特征，将技术研发工作根据各产品线进行划分。目前主要分为 AC-DC 产品线、 DC-DC 和数控电源产品线、LED 照明驱动产品线、IPM 功率模块产品线、PIM 功率模块产品线、MEMS 传感器产品线、ASIC 产品线、快充产品线、通用 MCU 产品线、智能家电及新能源产品线、智控处 理器产品线、SoC 产品线、汽车电子产品线、光电产品线、器件成品产品线、器件芯片事业部、 LED 芯片事业部等。公司持续推动新产品开发和产业化，根据市场变化不断进行产品升级和业务 转型，保持了持续发展能力。

在工艺技术平台研发方面，公司依托于已稳定运行的 5、6、8、12 英寸硅芯片生产线和正在 加快建设的 4、6、8 英寸先进化合物芯片生产线，建立了新产品和新工艺技术研发团队，陆续完 成了国内领先的高压 BCD、多个车规级模拟电路工艺平台、超薄片槽栅 IGBT、超结高压 MOSFET、 高密度沟槽栅 MOSFET、快恢复二极管、MEMS 传感器、SiC-MOSFET 器件、GaN 功率器件等工艺的研 发，形成了比较完整的特色工艺制造平台。这一方面保证了公司产品种类的多样性，另一方面也 支撑了公司电源管理电路、信号链电路、IPM 智能功率模块、IGBT 功率模块、SiC 功率模块、SiC

功率器件、GaN 功率器件、MEMS 传感器、智能光电产品等各系列产品的研发。 4、面向全球品牌客户的品质控制 公司建立了完整的质量保障体系，依托产品研发和工艺技术的综合实力提升和保证产品品质。

目前公司已经获得了 IATF 16949 质量管理体系认证、ISO 9001 质量管理体系认证、ISO 14001 环 境管理体系认证、ISO 26262 功能安全管理体系认证、QC 080000 有害物质管理体系标准认证、索 尼 GP 认证、欧盟 RoHS 认证等诸多国际认证，产品已经得到了大型白电、汽车、工业、新能源（包 括风光储充）、算力和通讯等高门槛市场全球知名品牌客户的认可。公司设计研发、芯片制造、 测试系统的综合实力，保证了产品品质的优良和稳定，是公司参与市场竞争、开发高端市场、开 发高品质大客户的保障。

2024 年 4 月，独立第三方检测、检验和认证机构德国莱茵 TÜV 集团正式向公司颁发 ISO 26262 功能安全管理体系“ASIL D”认证证书。2026 年 8 月，德国莱茵 TÜV 集团再度向公司颁发三项重 要认证：ISO 26262 功能安全管理体系 ASIL D 实践级（ML 3）认证证书、功能安全产品 ASIL D 认 证证书、ISO/IEC 17025:2017 目击检测实验室资质认证证书。这标志着公司已具备符合 ISO 26262 最高等级 ASIL D 要求的车规产品开发流程和产品实践能力，公司可靠性试验检验中心也同步通 过莱茵目击实验室认证资质，为全品类车规级产品的开发奠定了坚实基础。

2026 年 3 月 11 日，公司正式通过 TISAX®（可信信息安全评估交换）最高评估等级——AL3 认 证（信息安全&原型保护）。这一重要成果标志着公司在信息安全管理体系建设方面已达到国际汽 车行业的严苛标准，为加速融入全球汽车供应链、深化与主流车企的合作提供了有力支撑。

5、参与国家标准建设

2026 年 7 月 15 日，工业和信息化部人形机器人与具身智能标准化技术委员会（MIIT/TC8） 2026 年度全体会议暨“标准周”活动在浙江开幕，士兰微电子作为 MIIT/TC8 成员单位受邀出席 本次会议，并获颁标委会三项工作组成员证书。今年 3 月，士兰微电子正式成为标委会工作组成 员，同步加入 WG1 总体工作组、WG2 肢体与部组件工作组、WG6 安全工作组，在标准制定、产品验 证、技术突破等多维度全面参与人形机器人与具身智能产业标准体系建设。

依托 IDM 模式与齐全的技术门类，士兰微电子在功率半导体、MCU、MEMS 传感器、模拟芯片 及驱动器件等核心产品线上均具备深厚的量产能力，产品矩阵覆盖人形机器人从感知识别到执行 落地的关键环节。作为 MIIT/TC8 三大工作组成员，公司将从人形机器人芯片与元器件视角为标准 框架提供专业参考，依托在半导体领域深厚的技术积累与制造优势，将制造实践中的技术边界与 安全要求反哺标准研制，牵头领域内的元器件级标准，开发适配标准规范的半导体产品，并为标 准规范的制定提供测试资源。

未来，士兰微电子将以标准引领创新，以安全护航产业，推动标准从“框架先行”走向“技 术扎根”，为人形机器人与具身智能产业安全、健康、高质量发展贡献士兰力量。

6、 优秀的人才队伍

公司已拥有一支超过 800 人的集成电路芯片设计研发队伍，超过 3,600 人的芯片工艺、封装 技术、测试技术研发和产品应用支持队伍。公司还建立了较为有效的技术研发管理和激励制度， 保证人才队伍的稳定，为公司在竞争激烈的半导体行业中保持持续的技术研发能力和技术优势奠 定了基础。

四、报告期内主要经营情况 （一） 主营业务分析

• 1、 财务报表相关科目变动分析表 单位：元 币种：人民币

营业收入变动原因说明：主要系本期销售规模有所扩大所致。 营业成本变动原因说明：主要系本期销售增加导致相应成本费用增加所致。 财务费用变动原因说明：主要系本期利息支出增加所致。 研发费用变动原因说明：主要系本期人员人工和直接投入增加所致。 其他收益变动原因说明：主要系本期与收益相关的政府补助增加所致。 投资收益变动原因说明：主要系权益法核算的长期股权投资收益增加所致。 公允价值变动收益变动原因说明：主要系本期其他非流动金融资产公允价值变动产生的收益增加 所致。 信用减值损失变动原因说明：主要系本期坏账损失计提增加所致。 资产减值损失变动原因说明：主要系本期计提存货跌价损失增加所致。 资产处置收益变动原因说明：主要系本期处置固定资产损失增加所致。 营业外收入变动原因说明：主要系本期罚没收入减少所致。

营业外支出变动原因说明：主要系本期非流动资产毁损报废损失增加所致。 所得税费用变动原因说明：主要系本期利润总额增加导致应纳税所得增加所致。 经营活动产生的现金流量净额变动原因说明：主要系本期收到的税费返还较上年同期减少所致。 投资活动产生的现金流量净额变动原因说明：主要系士兰集华不再纳入合并报表范围导致支付其 他与投资活动有关的现金增加所致。 筹资活动产生的现金流量净额变动原因说明：主要系士兰集华不再纳入合并报表范围导致吸收投 资收到的现金增加所致。

2、 本期公司业务类型、利润构成或利润来源发生重大变动的详细说明

□适用 √不适用

（二） 非主营业务导致利润重大变化的说明 √适用 □不适用

报告期内，公司持有的以公允价值计量的其他非流动金融资产之公允价值发生较大变动，主 要是由于公司持有的安路科技、昱能科技股票价格变化以及公司参与战略配售获得的尚处于限售 期的联讯仪器股票的估值变化，产生税后净收益合计约 19,414.03 万元。

（三） 资产、负债情况分析 √适用 □不适用

• 1、 资产及负债状况 单位：元 币种：人民币

其他说明

货币资金项目期末数较期初数减少 17.12%（金额减少 86,212.65 万元），主要系本期向士兰 集华增资所致。

应收账款项目期末数较期初数增加 18.17%（金额增加 57,769.38 万元），主要系本期销售规 模扩大、赊销金额增加所致。

预付账款项目期末数较期初数增加 69.75%（金额增加 2,020.09 万元），主要系本期预付货款 增加所致。

一年内到期的非流动资产项目期末数较期初数减少 71.43%（金额减少 1,500.00 万元），主要 系一年内到期的售后回租保证金减少所致。

长期股权投资项目期末数较期初数增加 104.49%（金额增加 180,622.59 万元），主要系本期 对士兰集华和士兰集宏等股权投资增加所致。

其他非流动金融资产项目期末数较期初数增加 62.26%（金额增加 21,269.28 万元），主要系 本期以公允价值计量且其变动计入当期损益的金融资产增加所致。

在建工程项目期末数较期初数减少 17.54%（金额减少 28,937.81 万元），主要系本期在建工 程项目转固所致。

无形资产项目期末数较期初数减少 18.39%（金额减少 7,434.99 万元），主要系本期士兰集华 不再纳入合并范围所致。

开发支出项目期末数较期初数减少 32.75%（金额减少 2,021.16 万元），主要系本期内部研究 开发项目支出转无形资产所致。

长期待摊费用项目期末数较期初数减少 14.55%（金额减少 1,101.57 万元），主要系本期长期 待摊费用结转所致。

其他非流动资产项目期末数较期初数增加 20.75%（金额增加 1,593.30 万元），主要系本期预 付设备款增加所致。

应付票据项目期末数较期初数减少 28.47%（金额减少 11,452.97 万元），主要系本期票据结 算减少所致。

合同负债项目期末数较期初数增加 51.27%（金额增加 711.80 万元），主要系本期预收货款增 加所致。

应付职工薪酬项目期末数较期初数减少 33.79%（金额减少 16,058.40 万元），主要系上期末 计提的年终奖本期发放所致。

应交税费项目期末数较期初数增加 38.75%（金额增加 3,704.14 万元），主要系本期应交增值 税增加所致。

其他应付款项目期末数较期初数增加 199.23%（金额增加 11,913.49 万元），主要系本期股东 会批准的 2025 年度利润分配方案尚未实施，相应计提应付股利所致。

长期借款项目期末数较期初数增加 14.95%（金额增加 85,608.71 万元），主要系本期长期借 款增加所致。

长期应付款项目期末数较期初数减少 52.20%（金额减少 1,722.07 万元），主要系本期应付融 资租赁款减少所致。

递延收益项目期末数较期初数增加 29.98%（金额增加 5,002.04 万元），主要系本期收到的政 府补助增加所致。

递延所得税负债项目期末数较期初数增加 160.86%（金额增加 5,303.47 万元），主要系本期 其他非流动金融资产公允价值变动收益增加所致。

• 2、 境外资产情况

□适用 √不适用

• 3、 截至报告期末主要资产受限情况

√适用 □不适用

单位：元 币种：人民币

• 4、 其他说明 √适用 □不适用 （1）收入和成本分析

• 1）主营业务分行业、分产品、分地区情况 单位：元

主营业务分行业、分产品、分地区情况的说明：

• ① 2026 年 1-6 月公司主营业务收入较 2025 年同期上升 14.75%，主要系公司 IPM 模块、PIM

模块、SiC 功率器件、低压 MOSFET、开关管、稳压管、TVS 管、快恢复管、MEMS 产品、LED 驱动电 路、ACDC 电路、DCDC 电路、快充电路、汽车级模拟电路、32 位 MCU 、ASIC 电路、SoC 电路、LED 芯片等产品的营业收入增长较快。

• ② 2026 年 1-6 月公司向前五名客户销售合计为 183,477.77 万元，占报告期营业总收入的

25.27%。

2）产销量情况分析表

产销量情况说明：

上表中的集成电路与器件 5 吋、6 吋芯片产量、销量、库存量为士兰集成的数据；集成电路 和分立器件 8 吋芯片产量、销量、库存量为士兰集昕的数据；发光二极管芯片产量、销量、库存 量，为士兰明镓的数据。

集成电路和分立器件 5 吋、6 吋芯片库存量增加的主要原因：随着产能利用率上升，报告期 末士兰集成在制品投入有所增加。

集成电路和分立器件 8 吋芯片库存量增加的主要原因：报告期末士兰集昕在制品投入有所增 加。

发光二极管芯片库存量较去年同期增加的主要原因是：今年上半年士兰明镓 LED 芯片产出增 加较多。

3）成本分析表 单位：元

成本分析其他情况说明：

• ①集成电路和分立器件 5、6 吋芯片制造成本构成

• ②集成电路和分立器件 8 吋芯片制造成本构成

③发光二极管芯片制造成本构成

注：制造费用包括折旧和能源费用等。 2026 年 1-6 月公司向前五名供应商采购合计为 240,122.38 万元，占报告期采购总额的 40.60%。

4）研发投入情况表 单位：元

情况说明：

作为国内半导体领域中以 IDM（设计与制造一体化）为主要模式的公司，研发支出主要分为 设计研发和制造工艺研发。公司的目标是“以国际上先进的 IDM 大厂为学习标杆，成为具有自主 品牌，具有国际一流竞争力的综合性的半导体产品供应商”。围绕这个长期的目标，报告期内， 研发项目主要围绕先进的车规和工业级电源管理产品（芯片设计、芯片工艺制造）、车规和工业 级功率半导体器件与模块技术（含化合物 SiC 和 GaN 的芯片设计、制造、封装）、MEMS 传感器产 品与工艺技术平台（芯片设计、芯片工艺制造和封装）、车规和工业级的信号链（接口、逻辑与 开关、运放、模数/数模转换等）混合信号处理电路（含芯片设计和芯片制造）、光电系列产品（发 光二极管及其他光电器件的芯片制造及封装技术）等几大方面进行。通过这些研发活动，公司不 断丰富现有的产品群，继续推出高性能、高质量的产品。

（四） 投资状况分析 1、 对外股权投资总体分析 √适用 □不适用

根据相关投资合作协议，各投资方已于 2026 年 4 月完成对士兰集华注册资本的认缴事项，公 司对士兰集华的持股比例由 100%降低至 29.55%，不再将其纳入合并报表范围。报告期内，本公司 与全资子公司厦门士兰已完成对士兰集华的全部出资义务，共累计实缴出资 15.10 亿元。截至报 告期末，本公司和厦门士兰合计持有士兰集华 29.55%股权（详见公司于 2026 年 4 月 28 日披露的 相关公告，公告编号：临 2026-019）。

报告期内，本公司已完成对士兰集宏的全部出资义务，共累计实缴出资 10.60 亿元。截至报 告期末，本公司持有士兰集宏 25.1781%股权，持股比例无变化（详见公司于 2026 年 6 月 13 日披 露的相关公告，公告编号：临 2026-027）。

报告期内，公司未发生其他重大的对外股权投资。

(1)重大的股权投资

□适用 √不适用

(2)重大的非股权投资 √适用 □不适用

• 1）募集资金项目情况详见“第五节 重要事项”之“十二、募集资金使用进展说明”。
• 2）非募集资金项目：

• ① 成都集佳智能功率模块数字化生产技术改造项目，该项目总投资为 24,552 万元，资金来

源为企业自筹。截至 2026 年 6 月末，已完成项目投资 19,324.80 万元，项目进度 78.71%。

• ② 成都集佳新型功率器件封装测试生产线技术改造项目，该项目总投资为 15,030 万元，资

金来源为企业自筹。截至 2026 年 6 月末，完成项目投资 10,254.91 万元，项目进度 68.23%。

• ③ 成都集佳新型功率器件及 IPM 功率模块封装测试生产线技术改造项目，该项目总投资为

32,000 万元，资金来源为企业自筹。截至 2026 年 6 月末，已完成项目投资 31,438.91 万元，项 目进度 98.25%。

(3)以公允价值计量的金融资产 √适用 □不适用

单位：元 币种：人民币

其他项目具体如下：

单位：元 币种：人民币

证券投资情况

• □适用 √不适用 证券投资情况的说明
• □适用 √不适用 私募基金投资情况
• □适用 √不适用 衍生品投资情况
• □适用 √不适用

（五） 重大资产和股权出售

• □适用 √不适用

（六） 主要控股参股公司分析 √适用 □不适用

主要子公司及对公司净利润影响达 10%以上的参股公司情况 √适用 □不适用

单位：万元 币种：人民币

注：上表中士港科技有限公司注册资本币种为美元。成都士兰财务数据为母公司报表口径。

报告期内取得和处置子公司的情况

• □适用 √不适用 其他说明
• □适用 √不适用

（七） 公司控制的结构化主体情况

• □适用 √不适用

五、其他披露事项 （一） 可能面对的风险 √适用 □不适用

1、地缘政治紧张引发全球供应链风险及其对策 今年以来，地缘政治紧张局势进一步加剧，对国际经贸秩序产生了较为严重的影响，导致全

球石油、天然气、贵重金属等商品价格出现大幅波动，或进一步引发全球供应链风险，冲击全球 经济复苏进程。

对此，公司将充分发挥公司技术门类积累较多、产品面较宽、生产规模国内领先的优势，继 续聚焦高端客户和高门槛市场，加快新技术和新产品开发，加大国内市场开拓力度，积极争取大 客户订单；进一步开拓供应渠道，与供应商保持积极联系，合理安排设备交付进度；加强成本控 制，加强现金流管理，做好预案，以应对市场出现波动的情况。

2、新产品开发风险及其对策

随着半导体消费终端产品市场更新频率的加快，公司产品创新的风险也在加大。如果公司的 创新不能踏准市场需求的节奏，公司将浪费较大的资源，并丧失市场机会，不能为公司的发展提 供新的动力。针对该类风险，公司将充分结合 IDM 模式（设计与制造一体化）的优势，加大对集 成电路、功率半导体、MEMS 传感器产品、光电器件和第三代化合物半导体（SiC、GaN）等新产品 的研发投入，加快推出契合市场的新产品，“持之以恒、做精做专”，深挖细分市场空间。

（二） 其他披露事项 √适用 □不适用

关于 2026 年度“提质增效重回报”行动方案的半年度评估报告

公司于 2026 年 4 月披露了《关于 2025 年度“提质增效重回报”行动方案评估报告暨 2026 年 度“提质增效重回报”行动方案的公告》。根据 2026 年度行动方案，公司积极开展和落实各项工 作，现将 2026 年上半年执行情况报告如下：

（一）聚焦做强主业，提升经营质量

2026 年上半年，公司凭借通过长期坚持 IDM（设计制造一体化）发展模式所建立的产品品类 丰富、生产链条完备、产能规模领先、品牌卓越的竞争优势，积极抢抓市场机遇，持续加大对大 型白电、电动汽车、新能源（风光储充）、通讯和算力、工业等高门槛市场的拓展力度，使公司 总体营收继续保持了较快的增长势头。报告期内，公司实现营业总收入 72.62 亿元，比上年同期 增长 14.62%；实现归属于母公司股东的净利润 5.16 亿元，比上年同期增长 94.84%；实现归属于 母公司股东的扣除非经常性损益的净利润 2.71 亿元，比上年同期增长 0.67%。

（二）持续研发创新投入，加快发展新质生产力 1、持续高强度的研发创新投入 2026 年上半年，公司继续保持高强度的产品和技术研发创新投入，持续提升专利质量与成果

转化效率，不断迭代、丰富现有产品群，持续推出高性能、高质量和富有成本竞争力的产品。 报告期内，公司研发投入为 5.68 亿元，同比增长 8.56%，研发投入占营业收入的比重为 7.82%。

截至 2026 年 6 月底，公司共拥有专利 1,340 件，较 2025 年末增加 37 件，其中：发明专利 651 件，较 2025 年末增加 24 件。公司参与的“人工智能赋能的芯片设计-制造一体化关键技术及规模 化应用”项目荣获“2024 年度浙江省科学技术进步奖一等奖”。

2、持续加大对大功率 IGBT、模拟电路、MEMS 传感器、第三代半导体芯片等产能建设的投入 2026 年上半年，公司继续推进士兰明镓“6 英寸 SiC 功率器件芯片生产线项目”、成都士兰

“汽车半导体封装项目（一期）”、士兰集科“12 英寸功率半导体芯片制造生产线三期项目”、 士兰集宏“8 英寸 SiC 功率器件芯片制造生产线项目（一期）”和士兰集华“12 英寸高端模拟集 成电路芯片生产线项目（一期）”等重要项目建设，持续加大对大功率 IGBT、模拟电路、MEMS 传 感器、第三代半导体芯片等产能建设的投入，为“十五五”期间主营业务发展夯实制造基础。

3、完善人才培养和激励机制

2026 年上半年，公司进一步完善人才培养体系和激励机制，大力推进内部讲师制度，加强人 才梯队建设。目前，公司已拥有一支超过 800 人的集成电路芯片设计研发队伍，超过 3,600 人的 芯片工艺、封装技术、测试技术研发和产品应用支持队伍。公司围绕核心技术平台和重点产业化 项目，不断强化人才配置，深化产学研合作，持续引进高端科技人才，促进设计、制造、封测和 应用支持团队高效协同，为公司发展新质生产力提供坚实人才保障。

（三）加强投资者沟通，重视投资者回报 1、持续现金分红，重视投资者回报

公司高度重视投资者回报，切实执行公司《股东分红三年（2024—2026 年）回报规划》，优 先采用现金分红方式与投资者共享经营发展成果。报告期内，公司股东会审议通过了 2025 年度利 润分配方案并于 2026 年 7 月完成实施：公司向全体股东每股派发现金红利 0.08 元（含税），共 计派发现金红利约 1.33 亿元，占 2025 年度归属于上市公司股东净利润的比例为 33.40%。最近三 个会计年度（2023 年度至 2025 年度），公司累计实施现金分红约 2.00 亿元，占最近三个会计年 度归属于上市公司股东的净利润的平均值的 102.82%。

2、加强投资者沟通，精准传递公司价值 2026 年上半年，公司坚持以投资者需求为导向，持续提高信息披露质量，增强信息披露的有 效性和透明度，通过股东会、业绩说明会、投资者关系热线及邮箱、上证 e 互动平台、上证路演 中心、公司官网和微信公众号等渠道与投资者保持沟通和交流，及时、准确地向投资者传递生产 经营、运营模式、产品研发、发展战略、企业文化和 ESG 等公司价值信息，加强投资者对公司价 值及经营理念的认同感，提振投资者信心。报告期内，公司共发布定期报告 2 份，临时公告 28 份， 召开股东会 2 次，通过上证路演中心以视频直播结合网络互动形式召开业绩说明会 1 次，日常接 听投资者来电超百次。

（四）坚持规范运作，提升治理水平

2026 年上半年，公司持续加强两会一层规范运作，确保决策科学性和有效性，促进公司治理 水平的提升。报告期内，公司共召开了 2 次股东会、3 次董事会以及 2 次独立董事专门会议、2 次 审计委员会会议、1 次提名与薪酬委员会会议、1 次战略与投资委员会会议，审议了报告期内公司 发生的重大事项，包括定期报告、可持续发展报告、利润分配、对外担保、关联交易、募集资金 报告、制度制定、董高薪酬、提质增效行动方案等议案。公司积极组织实际控制人、董事和高级 管理人员等“关键少数”人员参加交易所、证监局和公司内部的合规培训，共计 19 人次。

（五）践行 ESG 理念，推进可持续发展 公司将 ESG 理念融入企业发展战略和日常经营管理，持续完善 ESG 治理架构，扎实推进 ESG

相关工作，积极履行环境责任、社会责任和治理责任。公司已连续 18 年发布社会责任相关报告， 并于 2023 年起发布《可持续发展报告》。2026 年 4 月，公司发布了《2025 年度可持续发展报告》， 详细披露了公司在环境、社会和治理等可持续发展方面的实践和绩效。

第四节 公司治理、环境和社会

一、公司董事、高级管理人员变动情况

• □适用 √不适用 公司董事、高级管理人员变动的情况说明
• □适用 √不适用

二、利润分配或资本公积金转增预案 半年度拟定的利润分配预案、公积金转增股本预案

三、公司股权激励计划、员工持股计划或其他员工激励措施的情况及其影响 （一） 相关股权激励事项已在临时公告披露且后续实施无进展或变化的

• □适用 √不适用

（二） 临时公告未披露或有后续进展的激励情况 股权激励情况

• □适用 √不适用 其他说明
• □适用 √不适用 员工持股计划情况

• 其他激励措施
• □适用 √不适用

四、纳入环境信息依法披露企业名单的上市公司及其主要子公司的环境信息情况 √适用 □不适用

其他说明

• □适用 √不适用

五、巩固拓展脱贫攻坚成果、乡村振兴等工作具体情况

• □适用 √不适用

第五节 重要事项

一、承诺事项履行情况 （一） 公司实际控制人、股东、关联方、收购人以及公司等承诺相关方在报告期内或持续到报告

期内的承诺事项

• □适用 √不适用

二、报告期内控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况

• □适用 √不适用

三、违规担保情况

• □适用 √不适用

四、半年报审计情况

• □适用 √不适用

五、上年年度报告非标准审计意见涉及事项的变化及处理情况

• □适用 √不适用

六、破产重整相关事项

七、重大诉讼、仲裁事项

• □本报告期公司有重大诉讼、仲裁事项 √本报告期公司无重大诉讼、仲裁事项

八、上市公司及其董事、高级管理人员、控股股东、实际控制人涉嫌违法违规、受到处罚及整 改情况

• □适用 √不适用

九、报告期内公司及其控股股东、实际控制人诚信状况的说明 √适用 □不适用

报告期内，公司及控股股东、实际控制人诚信经营，不存在未履行法院生效判决、所负数额 较大的债务到期未清偿等不良诚信状况。

十、重大关联交易 （一） 与日常经营相关的关联交易

• 1、 已在临时公告披露且后续实施无进展或变化的事项 √适用 □不适用

• 2、 已在临时公告披露，但有后续实施的进展或变化的事项

□适用 √不适用

• 3、 临时公告未披露的事项

• □适用 √不适用

（二） 资产收购或股权收购、出售发生的关联交易

• 1、 已在临时公告披露且后续实施无进展或变化的事项

□适用 √不适用

• 2、 已在临时公告披露，但有后续实施的进展或变化的事项

□适用 √不适用

• 3、 临时公告未披露的事项

□适用 √不适用

• 4、 涉及业绩约定的，应当披露报告期内的业绩实现情况

• □适用 √不适用

（三） 共同对外投资的重大关联交易

• 1、 已在临时公告披露且后续实施无进展或变化的事项

• □适用 √不适用

2、 已在临时公告披露，但有后续实施的进展或变化的事项

□适用 √不适用

3、 临时公告未披露的事项

• □适用 √不适用

（四） 关联债权债务往来

• 1、 已在临时公告披露且后续实施无进展或变化的事项

□适用 √不适用

• 2、 已在临时公告披露，但有后续实施的进展或变化的事项

□适用 √不适用

• 3、 临时公告未披露的事项

• □适用 √不适用

（五） 公司与存在关联关系的财务公司、公司控股财务公司与关联方之间的金融业务

• □适用 √不适用

（六） 其他重大关联交易 √适用 □不适用

公司为参股公司士兰集科提供担保暨关联交易的事项，截至报告期末，公司为士兰集科提供 的担保余额为 69,460.06 万元。

（七） 其他

• □适用 √不适用

十一、重大合同及其履行情况 （一） 托管、承包、租赁事项

• □适用 √不适用

（二） 报告期内履行的及尚未履行完毕的重大担保情况 √适用 □不适用

单位：万元 币种：人民币

（三） 其他重大合同

□适用 √不适用

十二、募集资金使用进展说明 √适用 □不适用 （一） 募集资金整体使用情况 √适用 □不适用

单位：万元

其他说明

□适用 √不适用

（二） 募投项目明细 √适用 □不适用

• 1、 募集资金明细使用情况 √适用 □不适用

单位：万元

2、 超募资金明细使用情况

□适用 √不适用

3、 报告期内募投项目重新论证的具体情况

□适用 √不适用

（三） 报告期内募投变更或终止情况

• □适用 √不适用

（四） 报告期内募集资金使用的其他情况

• 1、 募集资金投资项目先期投入及置换情况

□适用 √不适用

• 2、 用闲置募集资金暂时补充流动资金情况 √适用 □不适用

根据公司 2025 年 2 月 14 日召开第八届董事会第三十一次会议审议通过的《关于使用部分闲 置募集资金临时补充流动资金的议案》，同意公司使用 100,000 万元闲置募集资金临时补充流动 资金，使用期限自公司董事会审议通过之日起不超过 12 个月。上述补流期限内，公司实际用于临 时补充流动资金的闲置募集资金为 99,915.0994 万元，未超过董事会审议通过的 100,000 万元。 公司已于 2026 年 2 月 10 日将上述用于临时补充流动资金的闲置募集资金 99,915.0994 万元全部 提前归还至募集资金专项账户。截至报告期末，公司不存在使用闲置募集资金临时补充流动资金 的情况。

• 3、 对闲置募集资金进行现金管理，投资相关产品情况

□适用 √不适用

• 4、 其他 √适用 □不适用

公司 2026 年半年度募集资金存放、管理与实际使用情况详见公司于同日披露的《关于 2026 年半年度募集资金存放、管理与实际使用情况的专项报告的公告》（公告编号：临 2026-032）。

（五） 中介机构对募集资金存储与使用情况核查异常的相关情况说明

• □适用 √不适用

（六） 擅自变更募集资金用途、违规占用募集资金的后续整改情况

• □适用 √不适用

十三、其他重大事项的说明

• □适用 √不适用

第六节 股份变动及股东情况

一、股本变动情况 （一） 股份变动情况表

• 1、 股份变动情况表 报告期内，公司股份总数及股本结构未发生变化。

2、 股份变动情况说明

□适用 √不适用

3、 报告期后到半年报披露日期间发生股份变动对每股收益、每股净资产等财务指标的影响（如 有）

□适用 √不适用

4、 公司认为必要或证券监管机构要求披露的其他内容

• □适用 √不适用

（二） 限售股份变动情况

• □适用 √不适用

二、股东情况 （一） 股东总数：

（二） 截至报告期末前十名股东、前十名流通股东（或无限售条件股东）持股情况表

单位：股

持股 5%以上股东、前十名股东及前十名无限售流通股股东参与转融通业务出借股份情况

• □适用 √不适用

前十名股东及前十名无限售流通股股东因转融通出借/归还原因导致较上期发生变化

• □适用 √不适用

• 前十名有限售条件股东持股数量及限售条件
• □适用 √不适用

（三） 战略投资者或一般法人因配售新股成为前十名股东

• □适用 √不适用

三、董事和高级管理人员情况 （一） 现任及报告期内离任董事和高级管理人员持股变动情况

• □适用 √不适用 其他情况说明
• □适用 √不适用

（二） 董事、高级管理人员报告期内被授予的股权激励情况

• □适用 √不适用

（三） 其他说明

• □适用 √不适用

四、控股股东或实际控制人变更情况

• □适用 √不适用

五、优先股相关情况

• □适用 √不适用

第七节 债券相关情况

一、公司债券（含企业债券）和非金融企业债务融资工具

• □适用 √不适用

二、可转换公司债券情况

• □适用 √不适用

一、审计报告

□适用 √不适用

第八节 财务报告

二、财务报表

合并资产负债表 2026 年 6 月 30 日

编制单位：杭州士兰微电子股份有限公司

单位：元 币种：人民币

公司负责人：陈向东 主管会计工作负责人：陈越 会计机构负责人：马蔚

母公司资产负债表 2026 年 6 月 30 日

编制单位：杭州士兰微电子股份有限公司

单位：元 币种：人民币

公司负责人：陈向东 主管会计工作负责人：陈越 会计机构负责人：马蔚

合并利润表 2026 年 1—6 月

单位：元 币种：人民币

本期发生同一控制下企业合并的，被合并方在合并前实现的净利润为：0元,上期被合并方实现的 净利润为：0元。

公司负责人：陈向东 主管会计工作负责人：陈越 会计机构负责人：马蔚

母公司利润表 2026 年 1—6 月

单位：元 币种：人民币