公司代码：688072 公司简称：拓荆科技

拓荆科技股份有限公司 2026 年半年度报告

重要提示

一、本公司董事会及董事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存 在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。

二、重大风险提示

报告期内，不存在对公司生产经营产生实质性影响的重大风险。公司已在报告中详细描述可 能存在的相关风险，敬请查阅“第三节 管理层讨论与分析”之“四、风险因素”部分内容。

三、公司全体董事出席董事会会议。

四、本半年度报告未经审计。

五、公司负责人刘静、主管会计工作负责人杨小强及会计机构负责人（会计主管人员）刘薇声明： 保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。

六、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案

公司拟以实施权益分派股权登记日的总股本扣除回购专用证券账户中股份数量后的股本数为 基数进行利润分配，向全体股东每10股派发现金红利3.50元（含税）。截至本报告披露日，公司总 股本为290,678,984股，扣除公司回购专用证券账户中的1,267,894股后公司股本数为289,411,090股， 以此计算合计拟派发现金红利101,293,881.50元（含税），占报告期归属于上市公司股东的净利润 的比例为7.54%。不进行资本公积转增股本，不送红股。

如在实施权益分派的股权登记日前，公司总股本或回购专用证券账户中的股份数量发生变动， 公司拟维持每股分派比例不变，相应调整分派总额，并将另行公告具体调整情况。

公司第二届董事会第二十九次会议审议通过了《关于公司2026年半年度利润分配方案的议 案》，并同意将上述议案提交至公司股东会审议，经公司股东会审议通过后方可实施。

七、是否存在公司治理特殊安排等重要事项

□适用 √不适用

八、前瞻性陈述的风险声明

√适用 □不适用

本报告所涉及的公司未来计划、发展战略等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质承诺， 请投资者注意投资风险。

九、是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况

否

十、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况

否

十一、是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性

否

十二、其他

□适用 √不适用

目录

第一节 释义.......................................................................................................................................... 5 第二节 公司简介和主要财务指标....................................................................................................13 第三节 管理层讨论与分析................................................................................................................19 第四节 公司治理、环境和社会........................................................................................................69 第五节 重要事项................................................................................................................................ 71 第六节 股份变动及股东情况..........................................................................................................101 第七节 债券相关情况......................................................................................................................107 第八节 财务报告.............................................................................................................................. 108

第一节 释义

在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：

注：本报告中若出现总计数尾数与所列数值总和尾数不符的情况，均为四舍五入所致。

第二节 公司简介和主要财务指标

一、 公司基本情况

二、 联系人和联系方式

三、 信息披露及备置地点变更情况简介

四、 公司股票/存托凭证简况 (一) 公司股票简况 √适用 □不适用

(二) 公司存托凭证简况

• □适用 √不适用 五、 其他有关资料
• □适用 √不适用 六、 公司主要会计数据和财务指标

(一) 主要会计数据

单位：元 币种：人民币

(二) 主要财务指标

公司主要会计数据和财务指标的说明 √适用 □不适用

1、报告期内，公司实现营业收入 29.13 亿元，同比增长约 49.06%，主要原因如下：

公司始终坚持自主创新，并持续加大力度推进先进制程领域的新产品、新工艺的拓展与量产 应用，报告期内，公司先进产品凭借高质量、高性能的优异表现，批量通过了客户验证，致公司 业务规模和收入快速增长。

其中，公司 PECVD 系列设备产品以良好的稳定性、高产能及优异的薄膜工艺指标等特点持 续保持竞争优势，不断扩大量产规模，尤其是应用于先进存储、先进逻辑等领域的 PECVD Stack （ONO 叠层）、ACHM 系列工艺等产品已进入规模化量产阶段，批量通过客户验证，同时， OPN、SiB 及 PECVD Bianca 等产品不断扩大量产规模，并实现收入转化；公司 ALD 系列设备

产品在先进存储领域量产规模快速攀升，多台 PE-ALD SiO2、SiCO 等工艺设备在客户端完成重 复订单验证，并实现收入转化。

• 2、报告期内，公司实现归属于上市公司股东的净利润 13.43 亿元，同比增长 1,324.10%，主

要系：1）营业收入实现大幅增长，较上年同期增加约 9.59 亿元，同比增长 49.06%。营业成本随 营业收入同步增长，较上年同期增加约 3.89 亿元，同比增长 29.24%，增幅低于营业收入，主要系 公司生产规模效应逐步释放，叠加新产品、新工艺设备已实现量产应用，有效降低了产品单位生 产成本。受上述因素影响，公司毛利较上年同期增加约 5.70 亿元，毛利率同比提升约 9 个百分点，

整体产品盈利能力显著增强；2）业务规模化带动整体期间费用率同比有所下降，规模效应持续释 放利润空间；3）公司交易性金融资产产生的公允价值变动收益较上年同期增加约 9.60 亿元。

• 3、报告期内，公司实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润 3.67 亿元。公司

业务规模与营业收入快速增长，毛利率同比增加，产品盈利水平得到提升，进而推动公司归属于 上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润同比增长 861.92%。

• 4、报告期内，公司经营现金流稳定，经营活动产生的现金流量净额为 1.15 亿元，同比减少

92.63%，主要系 1）因公司与客户约定的付款条件及履行情况不同，致销售回款阶段性降低； 2）公司业务增长带来的采购付款及支付的各项税费增加；3）公司人员增长导致支付的职工薪酬 增加。 七、 境内外会计准则下会计数据差异

□适用 √不适用 八、 非经常性损益项目和金额 √适用 □不适用

单位：元 币种：人民币

对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1 号——非经常性损益》未列举的项目认 定为非经常性损益项目且金额重大的，以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1 号 ——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因

□适用 √不适用 九、 存在股权激励、员工持股计划的公司可选择披露扣除股份支付影响后的净利润

√适用 □不适用

单位：元 币种：人民币

十、 非企业会计准则业绩指标说明 √适用 □不适用

• 1、剔除股份支付费用后的归属于上市公司股东的净利润 单位：元 币种：人民币

• 2、剔除股份支付费用后的归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润 单位：元 币种：人民币

选取该非企业会计准则财务指标的原因 1、股份支付费用虽然按照企业会计准则的要求需在授予期内进行分期确认，但该股份支付费用 并不直接影响公司的现金流状况； 2、还原企业真实经营业绩，有利于各公司间财务数据对比。剔除股份支付费用可消除各公司股 权激励政策存在的差异影响，更客观地反映公司的实际经营成果，使各公司的财务数据更具横向 可比性。 选取的非企业会计准则财务指标或调整项目较上一年度发生变化的说明

□适用 √不适用

该非企业会计准则财务指标本期增减变化的原因

报告期内，公司剔除股份支付费用后的归属于上市公司股东的净利润、剔除股份支付费用后 的归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润均同比大幅增长，主要系：1）营业收入实 现大幅增长，较上年同期增加约 9.59 亿元，同比增长 49.06%。营业成本随营业收入同步增长， 较上年同期增加约 3.89 亿元，同比增长 29.24%，增幅低于营业收入，主要系公司生产规模效应 逐步释放，叠加新产品、新工艺设备已实现量产应用，有效降低了产品单位生产成本。受上述因 素影响，公司毛利较上年同期增加约 5.70 亿元，毛利率同比提升约 9 个百分点，整体产品盈利

能力显著增强；2）业务规模化带动整体期间费用率同比有所下降，规模效应持续释放利润空 间；3）公司交易性金融资产产生的公允价值变动收益较上年同期增加约 9.60 亿元。

第三节 管理层讨论与分析

一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明

(一) 公司所属行业情况 1、半导体设备行业 半导体设备行业是半导体产业链的核心基石，是支撑集成电路产业高质量发展、驱动技术迭 代升级的关键基础与核心动力，直接决定了芯片的制程精度、生产良率与产能规模，其发展水平 直接决定了整个半导体产业的技术高度与持续创新能力，是电子工业乃至数字经济发展的战略性 基础产业。随着半导体技术持续迭代、工艺制程不断提升，半导体元器件加速向精密化、微小化 方向发展，芯片结构也逐步向三维集成方向转型，这对芯片制造工艺技术提出了更高要求，因 此，对半导体设备的精密控制、集成度与稳定性要求更为严苛，同时，设备的细分种类与技术壁 垒也在持续攀升。

半导体行业作为数字经济的核心底座，是人工智能、高性能计算、智能驾驶、新一代通信网 等战略性新兴产业的发展基石。随着 AI 大模型驱动算力需求爆发式增长、存储芯片向 3D 堆叠 架构演进、先进封装技术成为延续摩尔定律的关键路径，全球半导体设备市场正经历由技术创新 与产能扩张双轮驱动的发展快车道。根据 SEMI 统计，2025 年全球半导体制造设备总销售额达

• 1,347 亿美元，同比增长 15%，创历史新高，2026 年至 2028 年有望继续攀升至 1,659 亿美元、
• 2,012 亿美元和 2,295 亿美元。

数据来源：SEMI

中国大陆作为全球最大的半导体芯片的需求市场，也为半导体设备带来了广阔的市场空间。 随着人工智能（AI）高速发展对先进芯片的需求巨增，国产晶圆制造商快速提升产品性能和产能 规模，不断推进产品的市场份额提升，对中国大陆先进半导体设备的需求呈现持续增长的态势。

根据 SEMI 统计，2025 年中国大陆半导体设备销售额约 493 亿美元，占当年全球半导体制造设 备销售额约 37%，自 2020 年起连续稳居全球半导体设备最大市场，预计 2028 年前继续维持领 先地位。

近年来，面对复杂严峻的国际形势，在国家产业政策的大力引导下，中国大陆半导体产业链 上下游协同攻关，实现了从技术迭代创新到产业生态构建的系统性突破。当前，我国半导体产业 整体技术水平快速跃升，产业链系统性、独立性显著增强，加速在先进制程与关键设备领域布 局，为本土高端半导体设备厂商开辟了广阔的发展空间与战略机遇期。

2、公司所聚焦的薄膜沉积设备行业

数据来源：SEMI

在半导体设备产业中，薄膜沉积设备是前道芯片制造的三大核心装备之一，是实现集成电路 先进逻辑及 3D NAND、3D DRAM、高带宽存储器（HBM）等先进存储芯片技术突破的核心支 撑。薄膜沉积设备所沉积的薄膜是芯片结构内的功能材料层，在芯片制造过程中需求量巨大，且 直接影响芯片的性能。当前，在人工智能技术快速发展的驱动下，先进逻辑芯片与高端架构存储 的市场需求持续释放，推动全球晶圆制造产能扩张与技术迭代加速。芯片结构复杂化导致薄膜层 数显著增加，芯片制程微缩化对沉积工艺精度要求不断提升，高端薄膜沉积设备将迎来规模扩张 与价值量提升的双重驱动，薄膜设备市场需求将保持长期增长，具备明确的发展空间与较高的增 长确定性。

根据 SEMI 统计，2025 年全球半导体芯片制造设备销售额约 1,169 亿美元，同比增长约 12%，占全球半导体设备销售额的比例约 86%。2026 年至 2028 年预计继续保持增长趋势，将达 到约 1,439 亿美元、1,753 亿美元和 2,000 亿美元。而根据历史年度统计，薄膜沉积设备市场规模

约占芯片制造设备市场的 22%，由此推算，2026 年全球薄膜沉积设备市场规模约为 317 亿美 元。

全球半导体设备及晶圆制造设备占比情况

数据来源：SEMI、同行业公司定期报告

薄膜沉积设备细分领域中，不同的设备技术原理不同，所沉积的薄膜种类和性能不同，适用于芯片 内不同的应用工序，其中公司所聚焦的 PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD 及 Flowable CVD 设备 为化学气相沉积和原子层沉积细分领域产品，其主要应用及薄膜材料如图示：

在逻辑芯片中的主要应用图示

在 3D NAND 存储芯片中的主要应用图示

在 DRAM 存储芯片中的主要应用图示

3、公司所聚焦的三维集成设备行业

随着“后摩尔时代”的来临，芯片制程持续接近物理极限，仅依赖平面工艺微缩已无法实现 芯片性能的持续提升迭代，技术路径逐步转向三维架构设计及芯片堆叠方式，三维集成技术是实 现芯片高密度互连、三维堆叠及系统级集成的关键工艺，已成为推动半导体行业发展的重要趋 势。

先进键合设备凭借其突破性技术优势成为三维集成技术领域的核心设备，为三维集成领域提 供全面的技术解决方案，并带来了新的市场空间和机遇。据 Yole 统计，全球先进封装市场中 2.5D 封装和 3D 封装市场规模预计从 2023 年的 43 亿美元快速增至 2029 年的 280 亿美元，年复合增长 率达 37%。

在三维集成设备行业方面，面向新的技术趋势和市场需求，公司积极布局，成功研发并推出 了应用于三维集成领域的先进键合设备（包括混合键合、熔融键合设备）及配套使用的量检测设 备。先进键合技术在三维集成领域的主要应用如图示：

先进键合技术在三维集成领域的主要应用图示

近年来，国家出台一系列鼓励扶持政策，促进了国内半导体行业的高质量发展。技术创新 上，行业内上下游产学研用深度融合，创新成果转化效率持续提升；市场生态上，本土芯片制造 厂扩产为设备厂商提供了丰富的验证场景与市场空间，形成“需求牵引-技术迭代-规模应用”的 良性循环；产业氛围上，业内人才储备持续增多，为行业发展注入源源不断的活力。国内半导体 行业整体呈现出结构优化、创新集聚、良性循环的发展态势，为高端半导体设备行业营造了更优 质的创新土壤与发展环境。

(二) 公司主营业务情况

1、主要业务情况

公司主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务。自成立以来，公司始终 坚持自主研发、自主创新，一直在高端半导体专用设备领域持续深耕、拓展，重点聚焦薄膜沉积

设备和应用于三维集成领域的先进键合设备及配套量检测设备（以下统称“三维集成设备”）的 研发与产业化。

报告期内，公司积极把握半导体技术迭代升级、芯片需求扩张与国产替代的发展机遇，依托 深厚的技术储备及前瞻性的产业格局，积极拓展应用于集成电路先进存储、先进逻辑、先进封装 等领域的新产品、新工艺，目前已构建了较为完善的薄膜沉积设备、三维集成设备的产品矩阵。

2、主要产品情况

公司目前已形成 PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、Flowable CVD 等薄膜沉积设备产品， 以及晶圆对晶圆混合键合、晶圆对晶圆熔融键合、芯片对晶圆混合键合、芯片对晶圆熔融键合等 三维集成设备产品，已广泛应用于先进存储、先进/成熟逻辑、先进封装、功率器件、Micro-OLED、 硅光技术、图像传感器（CIS）等领域。公司主要产品如下：

报告期内，公司在薄膜沉积设备和三维集成设备方面的核心竞争力持续提升，在先进制程领 域的新产品拓展与量产应用方面取得了突出成果，业务规模快速增长，设备性能和产能达到国际 同类设备先进水平。具体产品情况如下：

（1）PECVD 系列产品

PECVD 设备作为公司核心产品，是芯片制造的核心设备之一，其主要功能是将硅片控制到预 定温度后，使用射频电磁波作为能量源在硅片上方形成低温等离子体，通入适当的化学气体，在

等离子体的激活下，经一系列化学反应在硅片表面形成固态薄膜。相比传统的 CVD 设备，PECVD 设备在相对较低的反应温度下形成高致密度、高性能薄膜，不破坏已有薄膜和已形成的底层电路， 实现更快的薄膜沉积速度，是芯片制造薄膜沉积工艺中运用最广泛的设备种类。

公司自成立就开始研制 PECVD 设备，在 PECVD 设备技术领域具有十余年的研发和产业化 经验，并形成了覆盖全系列 PECVD 薄膜材料的设备，主要包括 PECVD 产品和薄膜后处理相关 的 UV Cure 产品。公司的 PECVD 产品满足包括先进存储、先进/成熟逻辑、先进封装、功率器 件、Micro-OLED、硅光技术等领域芯片制造所需求的各类型钝化层、介电层、覆盖层、刻蚀阻 挡层、扩散阻挡层、应力记忆层、抗反射层、硬掩膜在内的 100 余种工艺机型，可以提供 PECVD 全套解决方案，以整套产品和前瞻式技术研发相结合的方式匹配并满足客户的前沿技术 需求。

1 PECVD 产品

公司 PECVD 系列产品具体情况如下：

2 UV Cure 产品

UV Cure 设备主要用于薄膜紫外线固化处理，该工序通过对薄膜进行后处理，有效改善薄膜 性能，提升薄膜应力、硬度等关键性能指标。公司 UV Cure 产品具体情况如下：

（2）ALD 系列产品

ALD 设备是一种可以将反应材料以单原子膜形式通过循环反应逐层沉积在硅片表面，形成对 复杂形貌的基底表面全覆盖成膜的专用设备。由于 ALD 设备可以实现高深宽比、极窄沟槽开口的 优异台阶覆盖率及精确薄膜厚度控制，在结构复杂、薄膜厚度要求精准的先进逻辑芯片、存储芯 片制造中，ALD 是必不可少的核心设备之一。

公司 ALD 系列产品包括 PE-ALD（等离子体增强原子层沉积）产品、Thermal-ALD（热处理 原子层沉积）产品。

1 PE-ALD 产品

PE-ALD 是利用等离子体增强反应活性，提高反应速率，具有相对较快的薄膜沉积速度、较 低的沉积温度等特点，适用于沉积硅基介质薄膜材料。公司 PE-ALD 产品具体情况如下：

2 Thermal-ALD 产品

Thermal-ALD 是利用热能使反应物分子吸附在基底表面，再进行化学反应，生成薄膜，具有 相对较高的反应温度、优越的台阶覆盖率、高薄膜质量等特点，适用于金属、金属氧化物、金属 氮化物等薄膜沉积。公司 Thermal-ALD 产品具体情况如下：

（3）SACVD 系列产品

SACVD 设备主要应用于深宽比小于 7:1 的沟槽填充工艺，是集成电路制造的重要设备之一。 SACVD 反应腔环境具有特有的高温（400℃-550℃）、高压（30-600Torr）环境，具有快速优越的 填孔能力。公司 SACVD 产品具体情况如下：

（4）HDPCVD 系列产品

HDPCVD 设备主要应用于深宽比小于 5:1 的沟槽填充工艺，是集成电路制造的重要设备之 一。HDPCVD 设备可以同时进行薄膜沉积和溅射，所沉积的薄膜致密度更高，杂质含量更低。 公司 HDPCVD 产品具体情况如下：

（5）Flowable CVD 系列产品

Flowable CVD 设备主要应用于深宽比大于 7:1 的沟槽填充工艺，是集成电路制造的重要设 备之一。该设备可以在晶圆表面沉积高品质的介电薄膜材料，经过固化及氧化等处理工艺后，可 达到完全填充间隙而不会留下孔洞和缝隙的效果。公司 Flowable CVD 产品具体情况如下：

（6）三维集成领域系列产品

三维集成是实现芯片高密度互连、三维堆叠及系统级集成的关键制造环节，正在成为半导体 行业发展的重要趋势。先进键合设备主要应用于芯片或晶圆堆叠，通过对芯片或晶圆进行等离子 活化、清洗、对准、键合、量测等一系列工艺处理和精准控制，实现芯片或晶圆的垂直堆叠架构， 可有效提升芯片间的通信带宽及芯片系统性能，键合精度可达百纳米级，是三维集成领域中最重 要的设备之一。

公司持续拓展三维集成设备产品，主要产品如下：

1 晶圆对晶圆混合键合产品

晶圆对晶圆键合产品可以在常温下实现复杂的 12 英寸晶圆对晶圆多材料表面的键合工艺， 公司晶圆对晶圆键合产品具体情况如下：

2 晶圆对晶圆熔融键合产品

晶圆级熔融键合设备可高效完成晶圆间非电气连接的一体化键合，实现两片高平整晶圆的永 久性贴合。该工艺先对晶圆进行清洗与亲水活化处理，使两片晶圆预先在室温下完成预贴合，再 通过高温退火工艺强化界面结合力，最终实现稳定可靠的晶圆熔融键合。公司晶圆对晶圆熔融键 合产品情况如下：

3 芯片对晶圆键合前表面预处理产品

芯片对晶圆的键合工艺分为预处理和键合两道工序，芯片对晶圆键合表面预处理产品可以实 现芯片对晶圆键合前表面预处理工序。公司芯片对晶圆键合前表面预处理产品情况如下：

4 芯片对晶圆混合键合产品

芯片对晶圆混合键合相较晶圆对晶圆键合具有更高的芯片集成度和灵活性，该设备的关键技 术是在满足超高产能的同时，还需实现芯片对晶圆的高精度对准和放置技术，主要应用于高带宽 存储器（HBM）、芯片三维集成领域。公司芯片对晶圆混合键合产品情况如下：

5 芯片对晶圆熔融键合产品

芯片对晶圆熔融键合技术主要可以支撑先进封装领域的高端应用。与传统键合方法不同，该 技术无需键合介质或粘合剂，而是在室温下直接键合。同时，该设备可以筛选已知合格芯片 （Known Good Die），从而大幅提升良率。公司芯片对晶圆熔融键合产品情况如下：

6 键合套准精度量测产品

键合套准精度量测产品是混合键合技术领域重要的键合精度量测设备。该设备主要采用红外 光学技术原理实现量测功能。公司键合套准精度量测产品情况如下：

7 键合强度检测产品

键合强度检测设备主要应用于晶圆对晶圆键合强度检测。公司键合强度检测产品情况如下：

8 永久键合后晶圆激光剥离产品

永久键合后晶圆激光剥离产品主要应用于需要进行特定层转移场景或薄晶圆背面加工的场 景，例如垂直架构 DRAM 和先进逻辑芯片中，实现永久键合后晶圆剥离。晶圆激光剥离技术能

有效克服临时键合技术中有机胶残留和耐温性差的问题，帮助客户有效优化工艺成本和前道兼容 性。公司永久键合后晶圆激光剥离产品情况如下：

9 键合界面空洞修复产品

键合界面空洞修复产品可实现晶圆对晶圆、芯片对晶圆键合工艺中产生的界面空洞缺陷修 复。公司自主研发了高精度键合界面空洞修复产品，具体情况如下：

报告期内，公司主营业务未发生重大变化。

(三) 主要经营模式

（1）盈利模式

公司主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售及技术服务。公司通过向下游客户销 售设备并提供备品备件和技术服务来实现收入和利润。报告期内，公司主营业务收入来源于半导 体设备的销售，其他业务收入主要来源于设备有关的备品备件销售。

（2）研发模式

公司主要采用自主研发的模式。公司建成了一支国际化、专业化的研发技术团队，团队结构 合理，分工明确，专业知识储备深厚，产线验证经验丰富，是公司自主研发能力的重要支撑。公 司根据客户需求，并以半导体专用设备技术发展动态为导向，研发设计新产品、新工艺，研制机 台在通过公司测试之后，送至客户实际生产环境中进行产业化验证，通过验证后产品正式定型。 此外，公司会根据客户不同的工艺应用需求，持续丰富、完善量产产品性能。

（3）采购模式

公司采购主要分为标准件采购和非标件采购。对于标准件采购，公司面向行业内优质供应商 进行直接采购。非标件主要为公司研发生产中，根据特定技术需求，自行设计的零部件。对于非 标件采购，公司主要通过向供应商提供设计图纸、技术指标与工艺要求，由供应商自行采购原材 料进行加工并完成定制。为保证公司产品的质量和性能，公司制定了严格的供应商准入审核标 准，对供应商技术实力、生产能力、品控体系、交付能力、运营能力等多维度进行评估，并邀请 供应商定期/不定期进行新产品、新材料或加工技术交流，持续提升供应商技术能力水平，以保 证公司产品的技术先进性。公司依据研发项目需求、生产需求和物料库存情况，通过订单方式向 供应商下发采购需求，并按照需求时间安排供应商排产，经验证合格后入库。

（4）生产模式

公司的产品主要根据客户的差异化需求和采购意向，进行定制化设计及生产制造。公司主要 采用库存式生产和订单式生产相结合的生产模式。

库存式生产，指公司尚未获取正式订单便开始生产，包括根据 Demo 订单或较明确的客户采 购意向启动的生产活动，适用于公司的 Demo 机台和部分销售机台。订单式生产，指公司与客户 签署正式订单后进行生产，适用于公司大部分的销售机台。

（5）销售和服务模式

报告期内，公司销售模式以直销为主，通过与潜在客户商务谈判、公开招投标、合作开发等 方式获取客户订单。经过多年沉淀，公司已与国内半导体芯片制造厂商建立了长期可持续的深度 战略合作关系。

公司标准化销售流程一般包括市场调查与技术推介、获取客户工艺需求、公司内部工艺方案 研讨、定制化报价、招投标全流程管理（如需）、商务谈判、合同评审、销售订单（或 Demo 订 单）的签订、设备生产与交付、客户端产品安装与调试、分阶段工艺测试、客户验收、合同回款 等步骤。

通常，公司设备在客户端完成安装与调试后，需配合客户在其生产线上完成多轮工艺匹配与 稳定性验证。客户完成设备相关测试并出具验收文件后，公司据此确认该设备的销售收入。此 外，公司提供覆盖产品全生命周期的售后服务。

报告期内，公司主要经营模式未发生重大变化。

二、 经营情况的讨论与分析

报告期内，公司积极把握半导体技术迭代升级、下游应用需求扩张与国产替代的发展机遇， 充分发挥公司在产品方面的技术创新迭代快、性能优异、覆盖面广、量产规模大等竞争优势，以 及在研发团队、技术储备、客户资源及售后服务等方面的深厚积淀，坚持自主创新，构建了较为 完善的薄膜沉积设备、三维集成设备的产品矩阵，并快速提升公司产品在先进存储、先进逻辑芯 片制造领域的覆盖面及量产规模。同时，持续强化公司运营管理，促进公司高质量、稳健、快速 的发展，在经营业绩、产品研发、市场销售等诸多方面取得了优异成果，进一步促进公司综合实 力的提升。

1、 主要经营情况

报告期内，随着公司 PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、Flowable CVD 等薄膜沉积设备及 三维集成设备产品的持续性技术突破与规模化量产应用，公司在先进制程领域的产品核心竞争力 显著提升，业务规模实现大幅增长。报告期内，公司实现营业收入 291,286.43万元，同比增长49.06%； 实现归属于上市公司股东的净利润 134,275.40 万元，同比增长 1,324.10%；实现归属于上市公司股 东的扣除非经常性损益的净利润 36,733.50 万元，同比增长 861.92%。

截至 2026 年 6 月 30 日，公司总资产 2,531,214.98 万元，较 2025 年年末增长 27.69%；归属 于上市公司股东的净资产 1,271,569.96 万元，较 2025 年年末增长 92.37%。公司资产质量良好，财 务状况稳健。

2、 公司产品研发及产业化进展情况

报告期内，公司持续加大力度推进先进制程领域的新产品、新工艺的拓展与量产应用，通过 持续自主创新和高强度研发投入，保持薄膜沉积设备和三维集成设备的技术领先优势，薄膜沉积 设备和三维集成设备已广泛应用于先进存储、先进/成熟逻辑、先进封装、功率器件、Micro-OLED、 硅光技术、图像传感器（CIS）等领域。公司报告期内的研发投入金额达到 42,280.92 万元，同比 增长 21.09%。公司先进产品凭借高质量、高性能的优异表现，批量通过了客户验证，致公司业务 规模和收入快速增长。

在薄膜沉积设备方面，公司仍持续围绕以 PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD 以及 Flowable CVD 为主的薄膜沉积技术深耕拓展和迭代升级，定制化开发不同类型的高产能平台和 反应腔，精准满足先进制程领域对多种先进薄膜工艺的高要求。报告期内，公司已出货不同工艺 的 PECVD 设备产品至海外客户端；基于反应腔 pX 和 Supra-D 研发的 PECVD Stack（ONO 叠 层）、ACHM 系列工艺、OPN、SiB 等多款先进工艺设备以及 PECVD Bianca 工艺设备持续扩大 量产规模，且基于 pX 反应腔开发的α-Si 工艺设备已通过先进逻辑客户的验证；公司基于原有已 规模量产的 PF-300M 高产能平台开发了 PF-300L 平台，并设计了 nX、kX 等反应腔，以满足先 进制程芯片对低介电常数材料的高性能指标需求，该系列产品已出货至客户端验证；公司目前已 实现对 PECVD ACHM 系列工艺（包括 ACHM-I、ACHM-II、ACHM-III 等适配不同沉积温度的 薄膜工艺）、α-Si、SiB、高温 SiN 等多款硬掩膜工艺的覆盖，且这些工艺在先进制程中应用广 泛，公司是国内集成电路领域硬掩膜工艺覆盖最全面的设备厂商。公司多台 PE-ALD SiO2、 SiCO 等工艺设备通过客户验证，在先进存储客户量产规模快速攀升，同时获得了客户批量订 单，且 SiO2、SiN、SiCO、TiO 等工艺设备持续出货至客户端；Thermal-ALD 在持续拓展新工 艺，多台产品出货至客户端，包括 AlN、Al2O3、LaO、TiON 等先进工艺。截至报告期末，公司 多台 ALD 设备在客户端完成重复订单验收，量产规模持续增长。公司沟槽填充系列产品持续获 得客户批量订单、出货，进一步扩大量产应用规模，其中，SACVD PESAF 薄膜工艺设备已多台 通过不同客户验证。截至报告期末，公司推出的 PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD 及 Flowable CVD 等薄膜设备可以支撑先进存储、先进逻辑等领域中所需的约 100 多种工艺应用。

在应用于三维集成设备方面，报告期内，公司持续拓展新产品，包括芯片对晶圆熔融键合、 键合界面空洞修复等产品，同时，公司拓展了多个新客户。目前公司三维集成设备产品已覆盖先 进存储、先进逻辑、图像传感器等多个领域应用，公司致力于为三维集成领域提供全面的技术解 决方案。

随着芯片技术的迭代升级，公司先进产品量产规模不断攀升，截至本报告期末，公司累计出 货超过 3,800 个反应腔（包括超过 480 个新型反应腔 pX 和 Supra-D），进入约 100 条生产线。

公司薄膜沉积设备在客户端产线生产运行稳定性表现优异，平均机台稳定运行时间（Uptime） 超过 90%（达到国际同类设备水平）。公司薄膜沉积设备系列产品在晶圆制造产线的量产应用规 模快速扩大，截至本报告期末，公司薄膜沉积设备在客户端产线生产产品的累计流片量约 6 亿片。

公司薄膜沉积设备累计流片量

（1）PECVD 系列产品研发及产业化进展情况

公司自成立就开始研制 PECVD 设备，在 PECVD 设备技术领域具有十余年的研发和产业化 经验，并形成了覆盖全系列 PECVD 薄膜材料的设备，主要包括 PECVD 产品和 UV Cure 产品：

1 PECVD 产品

PECVD 设备作为公司的主打产品，已实现全系列 PECVD 介质薄膜材料的覆盖，包括通用介 质薄膜材料（包括 SiO2、SiN、TEOS、SiON、SiOC、FSG、BPSG、PSG 等）、先进介质薄膜材 料（包括 LoK-Ⅰ、LoK-Ⅱ、LoK-III、ADC-Ⅰ、ADC-Ⅱ、ADC-III、Stack（ONO 叠层）、OPN 等）

及先进硬掩膜材料（包括 ACHM-I、ACHM-II、ACHM-III、HTN、α-Si、SiB 等）均广泛应用于国 内集成电路制造产线。报告期内，公司 PECVD 设备以良好的稳定性、高产能及优异的薄膜工艺 指标等特点持续保持竞争优势，获得客户复购和批量订单，不断扩大量产规模。

报告期内，公司面向先进存储等领域自主研发的基于反应腔 pX 和 Supra-D 的 PECVD Stack （ONO 叠层）、ACHM 系列工艺、OPN、SiB 等多款关键工艺设备以及 PECVD Bianca 先进工艺 设备持续扩大量产规模，并持续获得客户批量复购订单；在先进逻辑领域，公司多台 PECVD 通 过客户验证，包括基于 pX 反应腔开发的 PECVD α-Si 先进工艺设备。上述工艺产品满足先进制程 对高产能及更严格的薄膜性能指标的需求。截至本报告期末，基于反应腔 pX 和 Supra-D 开发的 系列工艺设备已累计出货超过 480 个反应腔，PECVD Bianca 先进工艺产品累计出货超过 90 个反 应腔，该等关键工艺设备均在快速扩大应用规模，为客户提供先进薄膜工艺技术的全套解决方案， 同时有效降低客户成本。

公司基于原有已规模量产的 PF-300M 高产能平台开发了 PF-300L 平台，并设计了 nX、kX 等 反应腔，以满足先进制程芯片对低介电常数材料高性能指标需求，该系列产品已出货至客户端验 证，为客户提供先进薄膜工艺技术的解决方案。

此外，公司紧跟先进存储、先进逻辑、三维集成等领域芯片技术迭代需求，不断前瞻式深耕 拓展新工艺、新产品，其中，公司开发的更高产能的 NF-300M Supra-H 设备已进行工艺优化及多 重验证。该设备可以沉积多层 Stack（ONO 叠层）介质材料薄膜，实现更优异的均匀性和更高累 计 ONO 叠层工艺，满足先进存储芯片制造领域最先进的研发和生产需求。

2 UV Cure 产品

UV Cure 设备作为公司薄膜后处理相关产品，与 PECVD 设备成套使用，为 PECVD HTN、 LoK-Ⅱ等薄膜沉积进行紫外线固化处理。公司 UV Cure（HTN、LoK-Ⅱ工艺）均已实现产业化应 用，报告期内持续获得客户的订单、出货，扩大应用规模。

（2）ALD 系列产品研发及产业化进展情况

公司 ALD 系列产品主要类型如下：

1 PE-ALD 产品

报告期内，公司多台 PE-ALD SiO2、SiCO 等工艺设备通过客户验证，在先进存储领域的量产 规模进一步攀升。同时，公司 PE-ALD 获得了客户批量订单，SiO2、SiN、SiCO、TiO 等工艺设备 持续出货至客户端。

截至报告期末，公司 PE-ALD 高温、低温、高质量 SiO2、SiN、SiCO、TiO 等介质薄膜工艺 设备已应用至存储芯片、逻辑芯片制造等领域，覆盖芯片填孔(Gap-fill)、侧墙（Spacer）、衬垫层 （Liner）等工艺需求。

2 Thermal-ALD 产品

公司 Thermal-ALD 设备已实现产业化应用，可以沉积 Al2O3、AlN、TiN、TiON、LaO 等金属 及金属化合物等先进薄膜材料，可应用于先进存储、先进逻辑、先进封装等领域，覆盖 High-K 栅 极、电极层、金属互联等工艺需求。

报告期内，公司 Thermal-ALD 在持续拓展新工艺，多台产品出货至客户端验证，包括 AlN、 Al2O3、LaO、TiON 等先进工艺。此外，公司将持续稳步拓展 Thermal-ALD 其他薄膜工艺，前瞻 性开发前沿技术所需的薄膜工艺材料。

截至报告期末，公司 ALD 设备量产规模持续增长，是集成电路领域量产型 ALD 设备的领军 企业。

（3）SACVD 系列产品研发及产业化进展情况

公司 SACVD 系列产品主要类型如下：

报告期内，公司 SACVD 系列产品持续保持产品竞争优势，获得客户批量订单、批量出货及 通过客户验证。公司推出的 PESAF 薄膜工艺设备已多台通过不同客户验证，进一步扩大量产应用 规模，并获得客户的复购批量订单，满足先进存储领域应用需求。

（4）HDPCVD 系列产品研发及产业化进展情况

公司 HDPCVD 系列产品主要类型如下：

报告期内，公司 HDPCVD 持续获得客户批量订单、出货及通过客户验证。截至报告期末，公 司 HDPCVD USG、FSG 薄膜工艺设备均已实现产业化，并持续扩大量产规模。

（5）Flowable CVD 系列产品研发及产业化进展情况

公司 Flowable CVD 系列产品主要类型如下：

截至报告期末，公司自主研发的 Flowable CVD 产品已有多台通过客户验证，在先进逻辑领域 实现了产业化应用。报告期内，公司持续获得订单并出货。

（6）三维集成领域系列产品研发及产业化进展情况

报告期内，公司持续拓展应用于三维集成设备，包括先进键合产品及配套的量检测产品，主 要产品如下：

1 晶圆对晶圆混合键合产品

公司晶圆对晶圆混合键合产品是公司最早推出的混合键合产品，已实现产业化，可实现百纳 米级晶圆混合键合，其关键技术指标、产能指标与设备开机率均达到国际同类产品量产水平。报 告期内，公司持续拓展晶圆对晶圆混合键合产品的应用领域，获得客户订单并出货。

报告期内，公司研发的新一代高速高精度晶圆对晶圆混合键合产品 Dione 300 eX 在客户端 验证进展顺利。该产品采用更先进的对准技术，拥有更高的对准精度、键合精度和设备产能，可 达到国际同类产品最先进水平。

2 晶圆对晶圆熔融键合产品

公司研制的晶圆对晶圆熔融键合产品 Dione 300F eX，可实现载片晶圆和器件晶圆低应力熔 融键合，具备优异的产能表现。截至报告期末，该产品已出货至不同客户验证。

3 芯片对晶圆键合前表面预处理产品

公司推出的芯片对晶圆键合前表面预处理产品 Propus 已实现产业化，可以在芯片对晶圆混 合键合前实现晶圆及切割好的芯片的表面活化和清洗，具备高产能的特点。报告期内，该产品持 续获得不同客户订单并出货。

4 芯片对晶圆混合键合产品

公司研制的芯片对晶圆混合键合产品 Pleione，可以实现芯片顺序拾取并精准键合到晶圆 上，精度可达百纳米级，具有高精度、高产能、低污染的特点。截至本报告期末，该产品正在客 户端进行验证，公司同时进一步提升其量产性能指标。

5 芯片对晶圆熔融键合产品

芯片对晶圆熔融键合技术可以支撑先进封装的前沿应用。与传统键合方法不同，该技术无需

键合介质或粘合剂，而是在室温下直接键合；同时，还能筛选已知合格芯片（Known Good Die），从而大幅提升良率。报告期内，公司已完成该产品的研制，并获得不同客户订单。

6 键合套准精度量测产品

公司自主研发的键合套准精度量测产品可以实现混合键合后的键合精度量测，具有超高精

度、超高产能和无盲区量测三大特点，并有效兼容晶圆对晶圆和芯片对晶圆混合键合量测场景。 该产品已通过客户验证，实现产业化应用。报告期内，公司持续拓展该产品的应用，获得新客户 订单。

7 键合强度检测产品

公司研制的键合强度检测产品可以实现晶圆键合后的强度检测。截至报告期末，该产品已通 过客户验证，实现产业化应用。

8 永久键合后晶圆激光剥离产品

报告期内，公司已完成晶圆级永久键合后晶圆激光剥离产品的研制，并获得客户订单。晶圆 激光剥离技术能有效克服临时键合技术中有机胶残留和耐温性差的问题，帮助客户有效优化工艺 成本和前道兼容性。

9 键合界面空洞修复产品

公司自主研发的高精度键合界面空洞修复设备可实现晶圆对晶圆、芯片对晶圆键合工艺中产 生的界面空洞缺陷修复。报告期内，该产品开发进展顺利。

3、 供应链保障方面

在供应链建设方面，公司建立了完善的供应链管理体系，吸纳积累全球半导体行业内的优质 供应链资源，关键零部件采用“多源采购”模式，并与核心供应商建立长期战略合作关系，确保 关键部件的及时稳定供应。在此基础上，公司与供应商构建了协同创新机制，在开展新产品、新

技术开发过程中保持与供应商的深度协作，确保部件产品性能达到公司先进技术需求，形成稳定 的、互信的、共赢的供应链生态。这一体系为公司产品研发、量产交付与持续创新提供了可靠保 障。

报告期内，公司上游供应链总体保持稳定，有效保障设备生产并及时交付。

4、 市场销售情况

报告期内，公司持续深耕中国大陆高端半导体设备市场并积极开拓海外市场，依托自主可控 的创新技术、客户资源的积累布局、高效售后服务体系等多方面的核心竞争优势，持续提升产品 综合竞争力，成功导入多家新客户、获得海外客户订单并出口至海外市场。截至报告期末，公司 在手订单饱满，可为全年交付与业绩增长提供坚实支撑。

公司持续拓展薄膜沉积及三维集成设备新工艺、新机型，同时持续与下游芯片客户开展前瞻 性联合研发，紧密跟进前沿工艺迭代需求，根据客户差异化制程目标，提供高度定制化、对标国 际一线性能标准的成套设备解决方案，并配套 7×24 小时驻场调试、工艺迭代升级、备件快速响 应、年度设备维保等全方位高质量的技术服务。公司以客户的应用需求为导向，驱动技术创新， 不断完善先进产品矩阵，保持市场份额的稳步提升，进一步巩固公司市场地位，为长期业务发展 筑牢根基。

5、 人才队伍建设情况

报告期内，公司结合战略规划与业务发展目标，持续加强人才梯队建设，致力于打造一支高 素质、富有创新精神和协作能力的人才队伍。截至 2026 年 6 月 30 日，公司员工总数 2,049 人， 其中研发人员 856 人，占公司员工总数的 41.78%。

公司构建完善的人才引育留用体系。在人才引进方面，通过校企合作、校园招聘、科学家进 校园活动、赛事合作等方式吸纳优秀毕业生，借助行业活动、内部引才汇聚资深的高层次人才。 在人才培养方面，搭建分层分类培训体系，覆盖技术、管理等多方面，支持员工学历与能力提升， 依托博士后基地深化产学研合作，培育复合型人才，为企业持续发展提供坚实人才支撑。

同时，公司定期开展员工关怀、评优表彰活动，在报告期内组织以“聚势向新，以质行远” 为主题的企业年会、第一季度员工大会、三八节活动等，提升员工归属感与凝聚力。

截至本报告期末，公司已实施 2022 年限制性股票激励计划和股票增值权激励计划、2023 年 限制性股票激励计划（含首次授予和预留授予）以及 2025 年限制性股票激励计划，上述股权激励 计划的实施将进一步促进公司人才队伍的建设和稳定，将公司发展和员工利益结合在一起，让员 工共享发展成果，强化激励，助力公司长远发展。

6、 营运管理方面

报告期内，公司开发的智能化软硬件系统（Smart Machine）围绕提升用户使用体验、强化系 统核心能力等方面，持续开展针对性优化升级，并积极推进商业化应用落地。在技术与功能层面， 公司结合先进的算法优化深入探索系统模型，并引入 AI 技术辅助分析设备运行数据，实现对设备 性能的预测，形成完整的分析流程与结果呈现机制。在用户体验方面，通过优化交互逻辑与系统 性能，实现了用户体验与运行效率的双重提升。2026 年，公司积极推动 Smart Machine 系统在客 户端的逐步落地推广，以进一步验证系统技术能力，赋能客户业务发展，提升公司的综合服务能 力与市场竞争力。

公司不断提升产品生产制造水平，优化物料运营管理。公司智能化 MES 系统（生产管理系 统）在保障原有操作可记录、追溯功能的基础上，结合现场生产实际痛点与一线员工业务需求持 续迭代优化，已累计提出多项系统改善项目，充分发挥 MES 系统生产支撑、作业指引作用。公司 使用配套数据传输系统，实现装配工序扭矩数据自动直传，有效保障装配作业精度。

公司持续优化质量管理体系，打通研发、供应链、制造及服务全链条，对全流程数据进行动 态监测分析，进一步强化质量管控、提升生产效率与敏捷性，保障生产经营有序开展。公司持续 深化 EHS（环境、健康、安全）体系建设，完善绿色环保、职业健康、安全生产及应急管理管控 举措，常态化落实风险防控要求，夯实合规运营基础，保障各项生产经营活动安全有序开展。同 时，公司积极推进信息安全管理，持续规范信息资产管理、数据使用管理等流程，夯实数据安全 与客户隐私保护的治理基础。

此外，公司内网部署了 GPU 服务器资源，自主搭建智能 AI 办公系统，开发了智能对话与智 能体工作流，实现文档生成、智能问答等工具，使用智能化工具链深度赋能日常业务，有效提升 办公效率。

7、 募投项目建设进展情况

“高端半导体设备产业化基地建设项目”（以下简称“沈阳二厂”）是公司在辽宁省沈阳市 浑南区新建产业化基地，规划总建筑面积超 15 万平方米，规划建设内容包括高标准生产洁净 间、智能化立体仓储库房、先进测试实验室等，并配套引入先进的生产管理系统及软硬件设施， 致力于打造集规模化、智能化、数字化于一体的高端半导体设备产业化基地。

沈阳二厂建成后，将大幅提升公司高端半导体设备产能，支撑公司 PECVD、SACVD、 HDPCVD 等薄膜沉积设备系列产品的产业化能力。同时，通过智能化生产系统的部署，将有效

提升生产运营效率，以充分满足下游市场需求。本项目的实施将有力支撑公司业务规模的持续扩 大，进一步巩固在高端半导体设备领域的竞争优势，为提升市场份额和行业地位奠定坚实基础。

报告期内，沈阳二厂主要开展产业化基地主要楼体主体的建设工作。截至本报告披露日，沈 阳二厂已完成主体结构封顶，目前整体项目实施进展顺利，后续将按照既定计划稳步推进，预计 于 2028 年完成建设并投入使用。

注：上图为规划效果图

8、 对外投资情况

报告期内，公司结合发展战略规划，进一步完善业务发展布局，提升公司的综合竞争力。

（1）向全资子公司增资

报告期内，公司使用首次公开发行股票超募资金向拓荆上海增资人民币 10,000.00 万元，用于 支付首次公开发行股票超募资金投资项目“半导体先进工艺装备研发与产业化项目”尾款。本次 增资后，拓荆上海的注册资本由人民币 143,253.79 万元增加至人民币 153,253.79 万元，公司仍持 有拓荆上海 100%的股权。拓荆上海在报告期内尚未办理公司注册资本的工商变更登记。

（2）积极开展产业投资

报告期内，公司开展了对物元半导体、托伦斯及长鑫科技的股权投资，该等投资有助于公司 业务的深度拓展，进一步提升公司整体的市场竞争力及上下游产业链的协同效应，符合公司主营 业务及战略发展方向。

此外，公司与沈阳市人民政府国有资产监督管理委员会及其他产业合作方共同发起设立聚芯 智能创新中心，该主体主要围绕应用于先进制程领域的高端集成电路装备新产品、新技术的需求， 开展关键零部件的核心技术开发、验证与应用，并搭建设备及零部件研发、测试平台，孵化相关 技术实现产业化聚芯智能创新中心的设立，将有效强化产业链协同创新机制，促进设备厂商、零 部件供应商及应用端的深度融合，助力国家集成电路装备及零部件产业实现高质量发展。

截至本报告期末，公司及子公司已直接/间接累计投资 23 家企业，覆盖多个半导体设备产业 链领域，强化产业链协同效应，提升整体业务竞争力。

9、 公司治理情况

报告期内，公司共召开股东会 2 次、董事会 4 次、董事会审计委员会 2 次、董事会薪酬与考 核委员会 1 次、董事会提名委员会 1 次、董事会战略规划委员会 1 次及独立董事专门会议 2 次， 所有审议议案均 100%获得通过。公司董事会职责清晰，全体董事能够认真、负责地履行职责。

公司严格遵循《公司法》《证券法》《上市公司治理准则》以及有关法律法规的要求，结合 公司发展情况及时修订《拓荆科技股份有限公司薪酬管理制度》；公司建立由股东会、董事会 （含各专门委员会）和公司管理层组成的健全的公司治理架构，持续完善公司制度建设，不断提 升公司治理水平。

10、 公司规范运作与信息披露、投资者关系管理及防范内幕交易情况

公司高度重视上市公司规范运作与信息披露管理工作，严格依照股东会、董事会、信息披露 和投资者管理等相关制度规则合规运作。公司认真履行信息披露义务，确保信息披露及时、真实、 准确和完整。公司连续三年获得上交所年度信息披露工作评价“A 级”评级。

公司高度重视投资者关系管理相关工作，不断提升投资者关系管理水平，建立了多元化的信 息传递渠道，通过投资者邮箱、投资者电话专线、“上证 e 互动”平台、业绩说明会、接待投资 者现场调研等多种形式加强与投资者的交流与沟通，促进公司与投资者之间建立长期、稳定的共 赢关系，实现公司价值和投资者利益的最大化。公司已召开 2025 年年度暨 2026 年第一季度业绩 暨现金分红说明会，通过视频直播和文字互动的形式，针对广大投资者普遍关心的问题进行了充 分交流。

公司高度重视内幕交易防范工作，持续做好内幕信息知情人登记管理和防范内幕交易工作。 公司对董事、高级管理人员及相关员工作出禁止内幕交易的提示，敦促董事、高级管理人员及相 关知情人员严格履行保密义务并严格遵守股票减持等相关规定，维护公司及投资者合法权益。 非企业会计准则财务指标变动情况分析及展望

• □适用√不适用 报告期内公司经营情况的重大变化，以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未 来会有重大影响的事项
• □适用√不适用

新增重要非主营业务情况

• □适用 √不适用

三、 报告期内核心竞争力分析 (一) 核心竞争力分析 √适用 □不适用

公司长期专注于高端半导体专用设备的研发与产业化，始终坚持自主创新，持续为半导体行 业和客户提供具有竞争力的产品。公司在战略布局、研发能力、技术水平、产品覆盖、客户资源、 人才队伍建设、供应链稳定等方面形成竞争优势，具体体现为：

1、 战略定位明确，围绕自身发展战略稳步推进产业布局

公司自设立时便确定了聚焦高端半导体薄膜沉积设备领域这一战略定位，并持续围绕国家战 略方向、市场前沿技术、行业发展趋势及客户应用需求等方向进行前瞻性布局，在巩固薄膜沉积 设备优势的基础上，面向后摩尔时代技术迭代方向，公司于 2018 年即开始布局三维集成设备产品 并取得了显著成果，形成“薄膜沉积+三维集成”的产品格局。公司目前已形成 PECVD、ALD、

SACVD、HDPCVD、Flowable CVD 等薄膜沉积设备产品，以及晶圆对晶圆混合键合、晶圆对晶 圆熔融键合、芯片对晶圆混合键合、芯片对晶圆熔融键合等三维集成设备产品，已广泛应用于先 进存储、先进/成熟逻辑、先进封装、功率器件、Micro-OLED、硅光技术、图像传感器（CIS）等 领域。

公司以“建立世界领先的半导体设备公司”为愿景，通过在薄膜沉积设备领域、三维集成领 域的技术积累和快速发展，已经成为国内半导体设备行业的领军企业。同时，公司遵循战略方向 稳步扩张，持续深耕现有核心赛道，推动在薄膜沉积设备和三维集成设备领域的纵深发展，并前 瞻性布局前沿技术赛道，提前抢占行业未来发展制高点，稳步推进横向发展，适时进行产业链整 合与业务延伸，不断提升综合竞争力与行业影响力。

2、 自主研发能力突出，支撑产业链协同创新 公司始终坚持自主创新研发，以国家战略方向、前沿技术趋势及客户应用需求为导向开展研 发工作，实现薄膜沉积设备和三维集成设备的全研发环节覆盖，在硬件设计、工艺开发和系统集 成等多方面，实现了核心技术自主可控。凭借深厚的整机装备自主研发经验和技术积累，公司保 证了较高的研发自主性和灵活性，面向客户先进制程工艺需求，能够快速实现先进产品技术研发， 并高效完成研发阶段向生产阶段的快速转化，及时响应下游的供货需求。

公司的研发战略为“紧跟产业趋势、产品提前布局”，围绕先进制程和后摩尔时代带来的技 术迭代需求，进行超前于当前制造节点技术代际的前瞻性基础研究与工艺开发，提前构筑技术壁 垒。在此基础上，公司基于自身技术优势，与芯片制造厂在设备选型阶段即与客户开展协同式研 发，精准适配客户特定工艺材料、特定制造工序的薄膜性能要求，实现常态化互动与协同创新。 公司可以结合客户特定需求，提供定制化、适配度高的解决方案，既满足了下游芯片制造厂快速 扩充产能的需求，也通过持续的技术迭代，配合客户实现技术升级。此外，公司先后承担多项国 家重大专项/课题，整合产业资源参与技术攻坚，形成了覆盖研发、生产、供应各环节的协同创新 体系，支撑产业链整体技术水平提升。

3、 核心技术领先，工艺应用覆盖全面

公司自成立以来，持续深耕高端半导体设备领域，形成了一系列具有自主知识产权的核心技 术，并达到国际先进水平。公司的核心技术广泛应用于主营业务产品中，在薄膜沉积设备领域， 涵盖了先进薄膜工艺设备设计技术、反应模块架构布局技术、半导体制造系统高产能平台技术、 等离子体稳定控制技术等，解决了半导体制造中纳米级厚度薄膜均匀一致性、薄膜表面颗粒数量 少、快速成膜、设备产能稳定高速等关键难题，在保证实现薄膜工艺性能的同时，通过设计定制 化高产能平台，提升设备的生产效率，进而提升客户产线的产能，减少客户产线的生产成本。此 外，公司面向三维集成领域应用，形成了载片与器件晶圆高速高精度对准技术、晶圆级键合实时 对准技术、芯片拾取与键合技术，实现较高的晶圆键合精度，并大幅提高设备产能。

公司通过自主研发，形成了一系列独创性的设计，构建了完善的知识产权体系并取得了多项 自主知识产权。截至 2026 年 6 月 30 日，公司累计申请专利 2,245 项（含 PCT），获得授权专利 791 项，其中发明专利 416 项。

公司依托自主核心技术体系，构建了完善的产品矩阵，在所聚焦的产品系列中实现工艺全面、 深度的覆盖，量产设备产品性能达到了国际同类设备先进水平，并持续迭代升级，快速响应客户 先进技术需求。在薄膜沉积设备领域，推出了 PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、Flowable CVD 为核心的全系列薄膜沉积设备，其中，PECVD 设备已实现薄膜材料的全面覆盖，在集成电路逻辑 芯片、存储芯片等领域广泛应用；在 ALD 设备方面，推出了等离子体增强原子层沉积（PE-ALD） 和热处理原子层沉积（Thermal-ALD）设备并实现量产，目前国内装机量及工艺覆盖均领先； HDPCVD、SACVD、Flowable CVD 设备可实现芯片内不同深浅三维结构的填充需求，已在多条 产线实现产业化应用。在三维集成设备领域，推出的混合键合设备、熔融键合设备等系列产品已 成功应用于先进存储、图像传感器等领域，可以为后摩尔时代技术发展提供支撑。

4、 国内领先的行业地位及丰富的客户资源优势 公司已构建较为完善的薄膜沉积设备、三维集成设备的产品矩阵，并实现国产化突破与规模 化应用。薄膜沉积设备方面，公司凭借优异的产品性能表现持续获得客户订单，不断扩大量产规 模。截至报告期末，公司产品已进入约 100 条芯片制造厂生产线；累计出货反应腔已超过 3,800 个，且应用于先进制程领域的高性能反应腔占比不断提高；在客户端产线生产产品的累计流片量 达到约 6 亿片；客户端设备平均稳定运行时间（Uptime）超过 90%（达到国际主流水平）。此外， 在三维集成设备方面，公司推出多款核心产品并陆续推向市场，部分已通过客户验证并进入稳步 放量阶段，是国内先进混合键合设备领域技术领先厂商。

公司产品已进入逻辑芯片、存储芯片、先进封装等领域，实现主流芯片制造厂的深度覆盖与 批量供货，适配从成熟制程到先进制程的工艺应用需求。公司与客户的合作模式已从单纯的设备 供应升级为“协同研发+定制化适配+长期服务”的深度绑定模式，合作关系呈现稳定性强、覆盖 面广、协同深入的特点，构建了可持续的客户生态体系。

5、 拥有优秀的技术研发及管理团队

公司已构建起一支兼具国际视野与产业深度的高端半导体专用设备技术研发及管理团队，通 过“外部引智+内部育能”双轮驱动，形成了稳定、高效且具备创新活力的人才梯队，为技术突破 与产品迭代提供核心支撑。

在人才梯队建设方面，公司构建了完善的人才引进和培养体系。一方面，通过长效股权激励 机制、市场化薪酬福利与清晰的职业发展路径，持续吸引行业内的资深人才，其在整机设计、工 艺开发、系统控制、软件迭代等关键领域的技术积累，有力带动研发团队实现产品创新；另一方 面，公司自成立以来始终重视本土科研团队自主培养，伴随 PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、

Flowable CVD、三维集成设备等核心产品从研发到量产的全周期历练，本土团队已成长为技术攻 坚的中坚力量。

截至 2026 年 6 月 30 日，公司研发人员规模达 856 人，占员工总数的 41.78%，形成覆盖半导 体设备研发全环节的学科布局。其中，博士研究生 84 人，占研发人员的 9.81%，硕士研究生 490 人，占研发人员的 57.24%，团队成员兼具扎实的专业知识储备与丰富的产线验证经验，在技术研 发、工艺优化等环节分工明确、协同高效，保障成熟产品稳定迭代与先进产品的前瞻性技术研发。

报告期内，公司核心技术团队稳定，为技术研发的连续性与产品创新的持续性提供了坚实保 障。

6、 建立起稳定供应链生态

公司建立了完善的供应链管理体系，吸纳积累全球半导体行业内的优质供应链资源，关键零 部件采用“多源采购”模式，并与核心供应商建立长期战略合作关系，确保关键部件的及时稳定 供应。在此基础上，公司与供应商构建了协同创新机制，在开展新产品、新技术开发过程中保持 与供应商的深度协作，确保部件产品性能达到公司先进需求，形成稳定的、互信的、共赢的供应 链生态。这一体系为公司产品研发、量产交付与持续创新提供了可靠保障。

(二) 报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施

□适用 √不适用 (三) 核心技术与研发进展

• 1、 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况

公司自成立以来，始终专注于高端半导体设备的研发，形成了一系列具有自主知识产权的核 心技术，并达到国际先进水平。公司核心技术广泛应用于主营业务产品中，解决了半导体制造中 纳米级厚度薄膜均匀一致性、薄膜表面颗粒数量少、快速成膜、设备产能稳定高速等关键难题， 在保证实现薄膜工艺性能的同时，提升客户产线的产能，减少客户产线的生产成本。此外，公司 面向三维集成领域应用形成了多项核心技术，实现较高的晶圆键合精度，并提高了设备产能。公 司核心技术及其先进性的具体表征如下：

国家科学技术奖项获奖情况

□适用 √不适用 国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况 √适用 □不适用

• 2、 报告期内获得的研发成果 公司始终在高端半导体专用设备领域深耕，并专注于薄膜沉积设备及三维集成设备的研发与

产业化。截至报告期末，公司已先后累计承担 16 项国家重大专项/课题。

公司拥有多项自主知识产权和核心技术。截至报告期末，公司累计申请专利2,245项（含PCT）、 获得授权专利 791 项；报告期内，公司新增申请专利 105 项（含 PCT）、新增获得专利 87 项。

报告期内获得的知识产权列表

• 注 1：上表“其他”指 PCT 申请数量；
• 注 2：上表“累计数量”中“申请数”包含已失效专利，“获得数”不包含已失效专利。

• 3、 研发投入情况表 单位：元

研发投入总额较上年发生重大变化的原因

• □适用 √不适用 研发投入资本化的比重大幅变动的原因及合理性说明
• □适用 √不适用

拓荆科技股份有限公司2026 年半年度报告

4、 在研项目情况

√适用 □不适用

单位：万元

情况说明 注：上述为公司主要的在研项目。

56 / 232

• 5、 研发人员情况 单位：万元 币种：人民币

• 6、 其他说明

□适用 √不适用 四、 风险因素 √适用 □不适用 (一) 核心竞争力风险

随着半导体行业技术的发展和迭代，下游客户对半导体设备种类及性能的需求也随之变化。 因此，公司需要持续保持较高的研发投入，保持产品的核心竞争力和先进水平。如果公司未来未 能准确理解下游客户的产线设备及工艺技术演进需求，或者技术创新产品不能契合客户需求，可 能导致公司设备无法满足下游产线生产制造需要，将可能对公司的经营业绩造成不利影响。

公司建立了科学的研发体系，并具备先进技术的自主研发和创新能力，且技术创新紧跟市场 需求，研发立项以客户需求为导向，始终与客户保持持续有效沟通，以避免可能的技术研发失败 给公司带来损失。 (二) 经营风险

1、产品验收周期较长风险

薄膜沉积设备所制备薄膜的技术参数是影响芯片最终性能表现的核心要素之一。在生产流程 中，晶圆厂不仅需要在薄膜成型后对厚度均匀性、光学特性、机械应力、颗粒缺陷等关键指标进 行检测，还需要在完成全流程晶圆制造与芯片封装后，对终端产品开展可靠性与全生命周期测试， 以此验证薄膜沉积设备是否满足量产技术要求，这一完整验证过程使得晶圆厂对该类设备的导入 验证周期普遍较长。同时，公司面向三维集成领域开发的先进键合设备属于高精度专用制造装备， 目前已实现百纳米级键合精度，该技术是高带宽存储器（HBM）、三维闪存芯片、3D DRAM、异 构集成芯片等先进芯片产品制造的核心支撑，当前整体仍处于产业化初期阶段。由于该设备在部 分下游应用场景中尚未完成规模化验证，若下游定制化开发需求超出预期，将可能带来技术开发 风险，导致公司研发投入超预期增长、产品验证周期延长，进而使得公司收入确认与货款回收周 期延后，加大资金周转压力，对公司财务稳健性构成潜在影响。

未来，随着公司产品在集成电路制造产线中的应用规模持续拓展，新平台、新工艺技术不断 成熟，叠加公司与下游客户已建立的高效稳定合作关系，整体产品验证周期预计将逐步呈现收敛 缩短趋势。公司也将持续对产品验证进度与货款回收情况进行跟踪管控，保障公司经营业务持续 健康发展。

2、市场竞争风险

半导体设备行业具有很高的技术壁垒和市场壁垒。目前公司的竞争对手主要为国际知名半导 体设备制造商，由于半导体产线对于设备技术水平、稳定性、设备间配合度要求极高，因此半导 体设备的验证周期与导入周期一般较长，与中国大陆半导体专用设备厂商相比，国际领先制造商 往往在客户端具备一定先发优势；此外，存在国内潜在竞争对手进入本行业参与竞争的可能性， 引起行业竞争格局的变化。尽管公司的产品工艺覆盖面与核心技术目前具备较大的领先地位与竞 争优势，但若无法有效应对市场竞争环境、维持技术创新迭代能力并保持产品竞争优势，则公司 的行业地位、市场份额、经营业绩等可能会受到一定影响。

公司将持续关注国外竞争对手的发展，通过持续精准化的研发投入推动公司产品技术性能达 到国外竞争对手同等水平，同时公司也密切关注国内竞争格局，不断扩大公司产品覆盖面，提升 产品核心竞争力；公司亦将时刻关注行业发展态势，科学合理的设定研发方向，加快研发进度， 构筑较高的行业进入壁垒；同时，公司也将与客户保持更加紧密的合作，实现与下游客户的共同 成长。

3、下游客户扩产不及预期的风险

下游客户扩产规模决定了半导体专用设备的市场空间。晶圆厂的扩产投资具有一定的周期性。 如果下游晶圆厂的投资强度降低，公司将面临市场需求下降的风险，对于公司的经营业绩会造成 不利影响。

公司将随时关注半导体行业周期的发展阶段，根据市场情况统筹公司购、产、销各个环节， 保持公司的经营活动与行业周期和客户扩产节奏的协调。同时，公司将积极拓展客户群体，实现 客户结构的多元化，避免因个别客户扩产不及预期造成重大不利影响。

4、供应链安全风险

近年来，复杂的国际形势加剧了全球供应链的不稳定性。目前，公司仍然与部分零部件的海 外供应商保持合作关系。如果国际贸易摩擦进一步加剧，可能出现上述国外供应商受相关政策影 响减少或者停止对公司部分零部件的供应，可能会影响公司产品生产能力、生产进度和交货时间， 降低公司的市场竞争力。

公司与供应商积极开展更深入、更广泛的合作，采取全球化、本地化、多货源的供应策略， 构建稳定的合作渠道，以加强自身供应链安全，降低国际产业链不稳定所带来的风险。

(三) 财务风险

报告期内公司享受高新技术企业所得税及国家关于集成电路领域的相关税收优惠政策，如果 国家上述税收优惠政策发生变化，则可能面临因税收优惠减少或取消而降低盈利的风险。

随着公司盈利能力不断增强、市场占有率扩大及产品竞争力持续提高，税收优惠政策变动对 公司经营业绩带来的影响正逐步降低。

(四) 行业风险

近年来，受下游新兴需求不断涌现、客户资本性支出增加、芯片结构及制造工艺不断迭代等 因素影响，国内半导体设备市场需求整体呈持续增长趋势。但由于半导体行业受国际经济波动、 下游产业发展进度、终端消费市场需求变化等方面影响较大，其发展往往呈现一定的周期性波动 特征。在半导体行业上行周期中，半导体芯片制造厂往往加大资本性支出，快速提升对半导体设 备的需求；若未来半导体行业处于下行周期中，半导体芯片制造厂往往会削减资本性支出，减少 对半导体设备的需求。前述宏观环境及行业波动造成的半导体设备需求波动，可能会为公司的业 务发展和经营业绩带来一定波动性风险。

公司将随时关注行业动态及景气度波动情况，提前预判并统筹公司的经营活动，合理控制现 金流，避免行业波动造成重大不利影响。

(五) 宏观环境风险

当前全球经济增长承压，叠加地缘政治冲突、关税政策变化加剧，可能影响半导体行业发展 增速、供应链安全及终端市场需求，继而影响半导体设备行业整体需求。

公司将持续密切跟踪全球经贸政策、关税规则及地缘政治动态，完善政策风险预警与应急响 应体系，动态调整市场布局；同时紧抓国内半导体产业发展机遇，并积极拓展市场布局，最大限 度降低宏观环境带来的影响。 五、 报告期内主要经营情况 具体参见本节“二、经营情况的讨论与分析”。 (一) 主营业务分析

1、 财务报表相关科目变动分析表 单位：元 币种：人民币

营业收入变动原因说明：公司营业收入较上年同期增长 49.06%，主要系公司在先进制程领域的 产品拓展与量产应用方面取得了突出成果，多款先进工艺产品在客户端获得批量验收，业务规模 和收入快速增长。 营业成本变动原因说明：营业成本较上年同期增长 29.24%，主要系随营业收入增长而增加。 管理费用变动原因说明：管理费用较上年同期增长 141.80%，主要系股份支付费用、职工薪酬、 资产折旧摊销等增加。 财务费用变动原因说明：财务费用较上年同期减少 64.01%，主要系利息支出、汇兑损益减少。 研发费用变动原因说明：研发费用较上年同期增长 14.29%，主要系公司持续扩大研发人员规 模，加大研发投入；部分研究开发项目进入开发阶段后，公司对满足资本化确认条件的相关支出 予以资本化，报告期内费用化及资本化研发投入总额同比增长 21.09%。 经营活动产生的现金流量净额变动原因说明：主要系公司报告期内 1）因公司与客户约定的付款 条件及履行情况不同，致销售回款阶段性降低；2）公司业务增长带来的采购付款及支付的各项 税费增加；3）公司人员增长导致支付的职工薪酬增加。 投资活动产生的现金流量净额变动原因说明：主要系报告期内公司对外投资支付的现金增加及进 行短期现金管理支付的现金增加所致。

筹资活动产生的现金流量净额变动原因说明：主要系报告期内公司通过向特定对象发行 A 股股 票及偿还银行借款所致。

• 2、 本期公司业务类型、利润构成或利润来源发生重大变动的详细说明

□适用 √不适用 (二) 非主营业务导致利润重大变化的说明 √适用 □不适用

对外投资产生的公允价值变动收益 96,273.11 万元，详见“第三节管理层讨论与分析：五、报告 期内主要经营状况（四）投资状况分析 1、对外股权投资总体分析(3)以公允价值计量的金融资 产”。该收益不具有可持续性，公司将其计入非经常性损益。 (三) 资产、负债情况分析

√适用 □不适用

• 1、 资产及负债状况 单位：元 币种：人民币

其他说明 无

2、 境外资产情况 √适用 □不适用

• (1) 资产规模 其中：境外资产3,398,302.75（单位：元 币种：人民币），占总资产的比例为0.0134%。
• (2) 境外资产占比较高的相关说明

□适用 √不适用

其他说明

无

3、 截至报告期末主要资产受限情况 √适用 □不适用

单位：元 币种：人民币

4、 其他说明

□适用 √不适用

(四) 投资状况分析 1、 对外股权投资总体分析 √适用 □不适用

单位：元 币种：人民币

(1) 重大的股权投资

□适用 √不适用

(2) 重大的非股权投资

□适用 √不适用

(3) 以公允价值计量的金融资产 √适用 □不适用

单位：元 币种：人民币

证券投资情况 √适用 □不适用

单位：万元 币种：人民币

注 1：截至本报告期末，托伦斯未上市，于 2026 年 7 月 10 日在深圳证券交易所创业板上市。 衍生品投资情况

□适用 √不适用

(4) 私募股权投资基金投资情况 √适用 □不适用

单位：万元 币种：人民币

其他说明 无 (五) 重大资产和股权出售

□适用 √不适用 (六) 主要控股参股公司分析

√适用 □不适用 主要子公司及对公司净利润影响达 10%以上的参股公司情况 √适用 □不适用

单位：万元 币种：人民币

• 注 1：拓荆上海在报告期内尚未办理公司注册资本的工商变更登记。
• 注 2：拓荆创益及拓荆上海围绕公司主营业务开展相关研发、生产、销售等业务。报告期内，拓荆创益实现营业利润 8,890.48 万元，同比大幅增长，主 要系公司产品利润水平提高；拓荆上海实现营业收入 250,336.28 万元，营业利润 55,037.16 万元。拓荆上海营业收入和利润规模同比均大幅增长，主要 系拓荆上海先进工艺设备批量通过验证，销售收入大幅增加。 报告期内取得和处置子公司的情况

• □适用 √不适用 其他说明
• □适用 √不适用

• (七) 公司控制的结构化主体情况
• □适用 √不适用 六、其他披露事项
• □适用 √不适用

第四节 公司治理、环境和社会

一、 公司董事、高级管理人员和核心技术人员变动情况 √适用 □不适用

公司董事、高级管理人员和核心技术人员变动的情况说明 √适用 □不适用

2026 年 1 月 9 日，董事齐雷因个人工作原因辞去公司董事职务，同时辞去董事会审计委员

会、董事会战略规划委员会委员职务。同日，公司召开第二届董事会第二十二次会议，审议通过 《关于补选公司第二届董事会非独立董事并相应调整董事会专门委员会委员的议案》，选举张憬 怡女士为第二届董事会非独立董事，上述议案已经公司 2026 年第一次临时股东会审议通过。

公司核心技术人员的认定情况说明 √适用 □不适用

公司综合考虑任职情况、教育背景、工作履历、技术经验等情况认定核心技术人员，截至本 报告披露日，公司共有核心技术人员 7 人，分别为宁建平、陈新益、牛新平、孟亮、杨家岭、邓 浩、郭万里。报告期内，公司核心技术人员无变动。

二、 利润分配或资本公积金转增预案 半年度拟定的利润分配预案、公积金转增股本预案

三、 公司股权激励计划、员工持股计划或其他员工激励措施的情况及其影响 (一) 相关股权激励事项已在临时公告披露且后续实施无进展或变化的 √适用 □不适用

(二) 临时公告未披露或有后续进展的激励情况 股权激励情况

• □适用 √不适用 其他说明
• □适用 √不适用 员工持股计划情况
• □适用 √不适用 其他激励措施
• □适用 √不适用 四、 纳入环境信息依法披露企业名单的上市公司及其主要子公司的环境信息情况
• □适用 √不适用 其他说明
• □适用 √不适用 五、 巩固拓展脱贫攻坚成果、乡村振兴等工作具体情况 √适用 □不适用

为助力乡村振兴，公司提议位于沈阳的厂区食堂承包商通过采购当地农产品的方式积极履行 社会责任，以实际行动支持了当地农业产业发展，实现了爱心帮扶与消费助农的有效衔接。

第五节 重要事项

一、 承诺事项履行情况 (一) 公司实际控制人、股东、关联方、收购人以及公司等承诺相关方在报告期内或持续到报告期内的承诺事项 √适用 □不适用

注 1：姜谦、吕光泉、张孝勇关于股份锁定的承诺

• （1）自拓荆科技股票上市之日起 36 个月内，本人不转让或者委托他人管理本人直接或间接持有的拓荆科技在本次发行上市前已发行的股份（简称

“首发前股份”），也不提议由拓荆科技回购该部分股份。

• （2）在拓荆科技实现盈利前，自拓荆科技股票上市之日起 3 个完整会计年度内，不转让或者委托他人管理本人持有的首发前股份，也不提议由拓荆

科技回购该部分股份；前述 3 个完整会计年度内，在拓荆科技实现盈利后，本人可以自拓荆科技当年年度报告披露后次日与拓荆科技股票上市之日起 36 个月届满之日中较晚之日起减持本人持有的首发前股份。

• （3）拓荆科技上市后 6 个月内，如其股票连续 20 个交易日的收盘价均低于本次发行上市时拓荆科技股票的发行价（简称“发行价”，若拓荆科技

在本次发行上市后发生派息、送股、资本公积转增股本等除权除息事项的，应对发行价进行除权除息处理，下同），或者上市后 6 个月期末（如该日不 是交易日，则为该日后第一个交易日）收盘价低于发行价，本人持有的首发前股份的锁定期限将自动延长 6 个月。

• （4）在上述锁定期届满后两年内，本人减持首发前股份的，减持价格不低于发行价。
• （5）上述锁定期届满后，本人在担任拓荆科技的董事、监事或高级管理人员期间，每年转让的拓荆科技股份不超过本人持有拓荆科技股份总数的

25%；离职后半年内，本人不转让本人持有的拓荆科技股份。

• （6）上述锁定期届满之日起 4 年内，本人每年转让的首发前股份不超过拓荆科技上市时本人所持首发前股份总数的 25%，减持比例可以累积使用。
• （7）如本人违反上述承诺或法律强制性规定减持拓荆科技股份的，本人承诺违规减持拓荆科技股票所得（以下简称“违规减持所得”）归拓荆科技

所有。如本人未将违规减持所得上缴拓荆科技，则拓荆科技有权将应付本人现金分红中与违规减持所得相等的金额收归拓荆科技所有。上述股份锁定、 减持价格承诺不因本人职务变更、离职等原因而终止。

• （8）本人将遵守中国证监会《上市公司股东、董监高减持股份的若干规定》《上海证券交易所科创板股票上市规则》《上海证券交易所上市公司股

东及董事、监事、高级管理人员减持股份实施细则》的相关规定。

承诺时间：上市前，承诺期限：自公司股票上市之日起 36 个月以及锁定期届满之日起 4 年内。

注 2：国家集成电路基金关于持股意向及减持意向的承诺

（1）减持股份的条件

本公司作为拓荆科技的主要股东，严格按照公司首次公开发行股票招股说明书及本公司出具的承诺载明的各项锁定期限要求，并严格遵守相关法律、 法规、规范性文件规定及监管要求，在锁定期内不减持持有拓荆科技的股份。

（2）减持股份的方式

锁定期届满后，本公司拟减持拓荆科技股份的，应按照相关法律法规及上海证券交易所的规则要求进行减持，且不违反本公司已作出的承诺，减持 方式包括但不限于二级市场集中竞价交易、大宗交易、协议转让等方式。

• （3）减持股份的价格

本公司减持所持有的拓荆科技股份的价格参考当时的二级市场价格确定，并应符合相关法律法规及上海证券交易所规则要求。

• （4）减持股份的期限

本公司持有的拓荆科技股份的锁定期限（包括延长的锁定期）届满后，在本公司所持拓荆科技股份数量占拓荆科技股份总数的比例不低于 5%期间， 本公司减持所持拓荆科技股份时，应提前将减持意向和拟减持数量等信息以书面方式通知拓荆科技，并由拓荆科技及时予以公告，自拓荆科技公告之日 起 3 个交易日后，本公司方可减持拓荆科技股份，且每次披露的减持时间区间不超过 6 个月，并按照证券交易所的规则及时、准确地履行信息披露义务。

（5）遵守届时有关法律、法规、规章和规则的相关规定

在本公司进行减持行为时，本公司亦将遵守本公司届时应遵守的相关法律、法规、规章以及中国证监会或者拓荆科技所上市的交易所关于股东减持 股份的相关规定。

（6）严格履行上述承诺事项

本公司将严格履行上述承诺事项，如果未履行上述承诺事项，将根据中国证监会和证券交易所的规定承担相关责任。

承诺时间：上市前，承诺期限：长期有效，具体见上文。

注 3：国投上海、中微公司关于持股意向及减持意向的承诺

（1）减持股份的条件

本公司/本企业作为拓荆科技的主要股东，严格按照公司首次公开发行股票招股说明书及本公司/本企业出具的承诺载明的各项锁定期限要求，并严格 遵守相关法律、法规、规范性文件规定及监管要求，在锁定期内不减持持有拓荆科技的股份。

（2）减持股份的方式

锁定期届满后，本公司/本企业拟减持拓荆科技股份的，应按照相关法律法规及上海证券交易所的规则要求进行减持，且不违反本公司/本企业已作出 的承诺，减持方式包括但不限于二级市场集中竞价交易、大宗交易、协议转让等方式。

• （3）减持股份的价格

本公司/本企业减持所持有的拓荆科技股份的价格根据当时的二级市场价格确定，并应符合相关法律法规及上海证券交易所规则要求。

• （4）减持股份的期限

本公司/本企业持有的拓荆科技股份的锁定期限（包括延长的锁定期）届满后，在本公司/本企业所持拓荆科技股份数量占拓荆科技股份总数的比例不 低于 5%期间，本公司/本企业减持所持拓荆科技股份时，应提前将减持意向和拟减持数量等信息以书面方式通知拓荆科技，并由拓荆科技及时予以公告， 自拓荆科技公告之日起 3 个交易日后，本公司/本企业方可减持拓荆科技股份，自公告之日起 6 个月内完成，并按照证券交易所的规则及时、准确地履行 信息披露义务。

（5）遵守届时有关法律、法规、规章和规则的相关规定

在本公司/本企业进行减持行为时，本公司/本企业亦将遵守本公司/本企业届时应遵守的相关法律、法规、规章以及中国证监会或者拓荆科技所上市 的交易所关于股东减持股份的相关规定。

（6）严格履行上述承诺事项

本公司/本企业将严格履行上述承诺事项，如果未履行上述承诺事项，将根据中国证监会和证券交易所的规定承担相关责任。

承诺时间：上市前，承诺期限：长期有效，具体见上文。

注 4：姜谦及其原一致行动人关于持股意向及减持意向的承诺

（1）减持股份的条件

本人/本企业将严格按照公司首次公开发行股票招股说明书及出具的承诺载明的各项锁定期限要求，并严格遵守相关法律、法规、规范性文件规定及 监管要求，在锁定期内不减持持有拓荆科技的股份。

（2）减持股份的方式

锁定期届满后，本人/本企业拟减持拓荆科技股份的，应按照相关法律法规及上海证券交易所的规则要求进行减持，且不违反本人/本企业已作出的承 诺，减持方式包括但不限于二级市场集中竞价交易、大宗交易、协议转让等方式。

• （3）减持股份的价格

本人/本企业减持所持有的拓荆科技股份的价格根据当时的二级市场价格确定，并应符合相关法律法规及上海证券交易所规则要求。

• （4）减持股份的期限

本人/本企业持有的拓荆科技股份的锁定期限（包括延长的锁定期）届满后，在本人/本企业及一致行动人所持拓荆科技股份数量占拓荆科技股份总数 的比例不低于 5%期间，本人/本企业减持所持拓荆科技股份时，应提前将减持意向和拟减持数量等信息以书面方式通知拓荆科技，并由拓荆科技及时予

以公告，自拓荆科技公告之日起 3 个交易日后，本人/本企业方可减持拓荆科技股份，自公告之日起 6 个月内完成，并按照证券交易所的规则及时、准确 地履行信息披露义务。

（5）遵守届时有关法律、法规、规章和规则的相关规定

在本人/本企业进行减持行为时，本人/本企业亦将遵守本人/本企业届时应遵守的相关法律、法规、规章以及中国证监会或者拓荆科技所上市的交易 所关于股东减持股份的相关规定。

（6）严格履行上述承诺事项

本人/本企业将严格履行上述承诺事项，如果未履行上述承诺事项，将根据中国证监会和证券交易所的规定承担相关责任。

承诺时间：上市前，承诺期限：长期有效，具体见上文。

注 5：拓荆科技关于不存在欺诈发行及招股说明书不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏之声明承诺

• （1）本公司确认，本次发行上市不存在欺诈发行的情形，本次发行上市的招股说明书不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并对其真实性、准

确性、完整性承担法律责任。

• （2）若中国证监会、证券交易所或有权机构认定本公司本次发行上市的招股说明书有虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，或本公司存在欺诈发行

的情形，导致对判断本公司是否符合法律规定的发行条件构成重大、实质影响的，本公司将在该等有权部门作出前述认定后五个工作日内启动股份购回 程序，依法回购首次公开发行的全部新股，回购价格不低于本公司股票发行价，并根据相关法律、法规及本公司章程规定的程序实施。上述回购实施时 法律法规另有规定的，从其规定。若本公司在本次发行上市后有派息、送股、资本公积转增股本等除权除息事项的，应对前述发行价进行除权除息调整。

• （3）若因本公司本次发行上市的招股说明书有虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，或本公司存在欺诈发行的情形，致使投资者在证券交易中遭受

损失的，本公司将依法赔偿投资者损失。

承诺时间：上市前，承诺期限：长期有效。

注 6：公司董事、监事、高级管理人员关于拓荆科技不存在欺诈发行及招股说明书不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏之声明承诺

• （1）本人确认，拓荆科技本次发行上市不存在欺诈发行的情形，拓荆科技本次发行上市的招股说明书不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并

对其真实性、准确性和完整性承担个别和连带的法律责任。

• （2）本人承诺，若经中国证监会、证券交易所或有权机构认定，拓荆科技本次发行上市招股说明书有虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，或拓荆

科技存在欺诈发行的情形，致使投资者在证券交易中遭受损失的，本人将依据前述认定依法承担相应责任，同时积极督促拓荆科技履行相关股份回购承 诺并披露相关承诺的履行情况，采取补救和改正措施。

• （3）本声明承诺函所述事项已经本人确认，为本人的真实意思表示，对本人具有法律约束力，不因本人职务变更、离职等原因而终止。本人将自愿

接受监管机关、社会公众及投资者的监督，积极采取合法措施履行本承诺，并依法承担相应责任。

承诺时间：上市前，承诺期限：长期有效。

注 7：拓荆科技关于填补被摊薄即期回报相关措施的承诺

（1）积极提升公司核心竞争力，规范内部控制，全面提升经营管理效率

公司已建立并形成了较为完善的内部控制制度和管理体系，将致力于进一步巩固和提升核心竞争优势、拓宽市场，努力实现收入水平和盈利能力的 双重提升。公司将加强企业内部控制，推进全面预算管理，加强成本管理，强化预算执行监督，全面有效地控制公司经营和管理风险，提升经营效率和 盈利能力。

（2）提升研发技术和优化营销体系，增强公司的持续盈利能力

公司将依托自身的技术研发能力，坚持自主技术研发与产品创新，不断丰富和完善产品种类，提升研发技术水平。同时公司将以现有的营销体系为 发展基石，通过一流的技术产品优势，以及不断优化的销售服务体系建设，持续增强品牌影响力，实现客户数量和质量的同步良性发展。同时，公司将 积极培育和开拓海外市场，以领先技术和优秀产品为基础，充分发挥与战略合作伙伴的协同优势，促进销售规模的持续增长和盈利能力的不断提升。

（3）不断完善公司治理，为公司发展提供制度保障

公司将严格遵循《公司法》《证券法》等法律、法规和规范性文件的要求，不断完善公司治理结构，确保股东能够充分行使权力，确保董事会能够 按照法律、法规和公司章程的规定行使职权，作出科学、迅速和谨慎的决策，确保独立董事能够认真履行职责，维护公司整体利益，尤其是中小股东的 合法权益，确保监事会能够独立有效地行使对董事、经理和其他高级管理人员及公司财务的监督权和检查权，为公司发展提供制度保障。

（4）保证募集资金有效合理使用，加快募集资金投资项目进度，提高资金使用效率

①加强募集资金管理，保证募集资金有效合理使用

为规范公司募集资金的使用与管理，确保募集资金的使用规范、安全、高效，根据《公司法》等法律、法规、规范性文件及《公司章程》的规定， 公司制定了《募集资金管理办法》、《信息披露管理制度》及《投资者关系管理制度》等管理制度。上述制度对募集资金的专户存储、使用、用途变更、 管理和监督以及相关信息的披露进行了明确的规定，保证了公司募集资金的存放和使用的安全，防止募集资金被关联方占用或挪用。为保障公司规范、 有效使用募集资金，本次发行募集资金到位后，公司董事会将持续监督公司对募集资金进行专项存储、保障募集资金用于指定的投资项目、定期对募集 资金进行内部审计、配合监管银行和保荐机构对募集资金使用的检查和监督，以保证募集资金合理规范使用，合理防范募集资金使用风险。

②加快募集资金投资项目进度，提高资金使用效率

本次发行募集资金到位后，公司将加快推进募集资金投资项目建设，争取募投项目早日实现预期效益。同时，公司将根据相关法规和公司募集资金 管理制度的要求，严格管理募集资金使用，保证募集资金按照原定用途得到充分有效利用。

（5）完善利润分配制度，优化投资者回报机制

公司建立对投资者持续、稳定、科学的回报规划与机制，对利润分配做出制度性安排，保证利润分配政策的连续性和稳定性。为进一步增强公司现 金分红的透明度，强化公司回报股东的意识，树立上市公司给予投资者合理的投资回报的观念，公司根据《关于进一步落实上市公司现金分红有关事项 的通知》和《上市公司监管指引第 3 号——上市公司现金分红》的相关要求，明确了利润分配的条件及方式，制定了现金分红的具体条件、比例，股票 股利分配的条件，完善了公司利润分配的决策程序、考虑因素和利润分配政策调整的决策程序，健全了公司分红政策的监督约束机制。

公司上市后将严格按照公司章程的规定，完善对利润分配事项的决策机制，重视对投资者的合理回报，积极采取现金分红等方式分配股利，吸引投 资者并提升公司投资价值。

承诺时间：上市前，承诺期限：长期有效。

注 8：公司全体董事和高级管理人员关于填补被摊薄即期回报相关措施的承诺

• （1）承诺本人将忠实、勤勉地履行职责，维护公司和全体股东的合法权益。
• （2）为确保公司股东大会审议通过的《关于公司填补被摊薄即期回报相关措施的议案》中所述的填补即期回报措施的切实履行，承诺：

• ①不无偿或以不公平条件向其他单位或者个人输送利益，也不采用其他方式损害公司利益；
• ②对职务消费行为进行约束；
• ③不动用公司资产从事与履行职责无关的投资、消费活动；
• ④由董事会或薪酬与考核委员会制订的薪酬制度与公司填补回报措施的执行情况相挂钩；
• ⑤若公司后续推出股权激励政策，则拟公布的公司股权激励的行权条件与公司填补回报措施的执行情况相挂钩；
• ⑥切实履行公司制订的有关填补回报措施以及本承诺，若违反该等承诺并给公司或者投资者造成损失的，本人届时将依据有权主管部门的认定依法 承担相应责任；
• ⑦在中国证监会、上海证券交易所另行发布摊薄即期填补回报措施及其承诺的相关意见及实施细则后，如果公司的相关规定及本人承诺与该等规定 不符时，本人将立即按照中国证监会及上海证券交易所的规定出具补充承诺，并积极推进公司作出新的规定，以符合中国证监会及上海证券交易所要求。 承诺时间：上市前，承诺期限：长期有效。

注 9：拓荆科技关于未履行相关承诺的约束措施的声明承诺

• （1）本公司将严格履行本次首发上市各项声明承诺，积极接受监管部门和投资者的监督。
• （2）如非因不可抗力因素，本公司未能履行、未能完全履行或未能按时履行本次首发上市各项声明承诺，本公司将：

• ①在股东大会以及中国证监会指定媒体上公开说明具体原因，并向公众投资者道歉；
• ②以自有资金赔偿公众投资者因依赖本次首发上市各项声明承诺实施交易而遭受的直接损失，赔偿金额由本公司与相关投资者协商确定，或根据监 管机关认可的方式确定，或根据司法机关裁判结果确定。

承诺时间：上市前，承诺期限：长期有效。

注 10：全体董事、监事、高级管理人员关于未履行相关承诺的约束措施的声明承诺

• （1）本人将严格履行本次首发上市各项声明承诺，积极接受监管部门和投资者的监督。
• （2）如非因不可抗力因素，本人未能履行、未能完全履行或未能按时履行本次首发上市各项声明承诺，本人将：

• ①在中国证监会指定媒体上公开说明具体原因，并向公众投资者道歉；
• ②如持有拓荆科技股份的，在履行相关声明承诺之前，不要求拓荆科技进行任何形式的分红、不从拓荆科技处领取任何形式的分红，且拓荆科技有 权扣留应付本人的任何形式的分红；
• ③如持有拓荆科技股份的，在履行相关声明承诺之前，不以任何形式转让所持拓荆科技的股份；
• ④不要求拓荆科技发放或增加、也不从拓荆科技处领取任何形式的工资、津贴等报酬，且拓荆科技有权扣留应付本人的任何报酬；
• ⑤根据监管机关认可的方式或根据司法机关裁判结果依法承担相应的责任。

（3）如拓荆科技等主体未能履行、未能完全履行或未能按时履行本次首发上市各项声明承诺，且本人负有直接责任的，本人也将执行上述约束措施。

注 11：国家集成电路基金关于未履行相关承诺的约束措施的声明承诺

• （1）本公司将严格履行本次发行上市各项声明承诺，积极接受监管部门和投资者的监督。
• （2）如非因不可抗力因素，本公司未能履行、未能完全履行或未能按时履行本次发行上市各项声明承诺，本公司将：

• ①在中国证监会指定媒体上公开说明具体原因，并向公众投资者道歉；
• ②在履行相关声明承诺之前，不自拓荆科技获取任何分红；
• ③在履行相关声明承诺之前，不以任何形式转让所持拓荆科技的股份；

④根据监管机关认可的方式或根据司法机关裁判结果依法承担相应的责任。

承诺时间：上市前，承诺期限：长期有效。

注 12：国投上海、中微公司关于未履行相关承诺的约束措施的声明承诺

• （1）本企业/本公司将严格履行本次发行上市各项声明承诺，积极接受监管部门和投资者的监督。
• （2）如非因不可抗力因素，本企业/本公司未能履行、未能完全履行或未能按时履行本次发行上市各项声明承诺，本公司/本企业将：

• ①在中国证监会指定媒体上公开说明具体原因，并向公众投资者道歉；
• ②在履行相关声明承诺之前，不要求拓荆科技进行任何形式的分红、不从拓荆科技处领取任何形式的分红，且拓荆科技有权扣留应付本企业/本公司

的任何形式的分红；

• ③在履行相关声明承诺之前，不以任何形式转让所持拓荆科技的股份；

④根据监管机关认可的方式或根据司法机关裁判结果依法承担相应的责任。

注 13：姜谦及其原一致行动人关于未履行相关承诺的约束措施的声明承诺

• （1）本人/本企业将严格履行本次发行上市各项声明承诺，积极接受监管部门和投资者的监督。
• （2）如非因不可抗力因素，本人/本企业未能履行、未能完全履行或未能按时履行本次发行上市各项声明承诺，本人/本企业将：

• ①在中国证监会指定媒体上公开说明具体原因，并向公众投资者道歉；
• ②在履行相关声明承诺之前，不要求拓荆科技进行任何形式的分红、不从拓荆科技处领取任何形式的分红，且拓荆科技有权扣留应付本人/本企业的

任何形式的分红；

• ③在履行相关声明承诺之前，不以任何形式转让所持拓荆科技的股份；

④根据监管机关认可的方式或根据司法机关裁判结果依法承担相应的责任。

承诺时间：上市前，承诺期限：长期有效。

注 14：公司 5%以上的股东国家集成电路基金、国投上海、11 个公司员工持股平台关于避免同业竞争的承诺

• （1）截至本承诺函出具之日，本公司/本企业及本公司/本企业直接或间接控制的下属企业（如有）并未在中国境内或境外以任何方式直接或间接从

事与拓荆科技或其下属企业存在同业竞争或潜在同业竞争的业务，包括但不限于未单独或连同、代表任何人士、商号或公司（企业、单位）发展、经营 或协助经营、参与、从事相关业务。

• （2）本公司承诺，本公司/本企业及本公司/本企业直接或间接控制的下属企业（如有）将不会：

• ①单独或与第三方，以任何形式直接或间接从事与拓荆科技或其下属企业目前及今后进行的主营业务构成具有重大不利影响的同业竞争或潜在同业 竞争的业务或活动（以下简称“竞争业务”）；
• ②不会直接或间接控股、收购从事竞争业务的企业（以下简称“竞争企业”），或以其他方式拥有竞争企业的控制性股份、股权或权益。

（3）本承诺函自出具之日起生效，直至发生下列情形之一时终止：

• ①本公司/本企业不再是持有拓荆科技 5%以上股份的股东或其一致行动人；
• ②拓荆科技的股票终止在任何证券交易所上市（但拓荆科技的股票因任何原因暂停买卖除外）。

承诺时间：上市前，承诺期限：长期有效。

注 15：中微公司与拓荆科技就防范双方的利益冲突事项的声明与承诺

中微公司与公司于 2021 年 8 月 25 日共同签署了《关于防范利益冲突事项的声明与承诺函》，就防范双方的利益冲突等事项共同声明并承诺如下：

• （1）中微公司作为公司的主要股东之一，将严格遵守相关法律、法规、规范性文件规定及监管要求，切实履行股东义务，维护公司及公司投资者的

权益；

• （2）截至上述承诺函出具之日，中微公司及中微公司直接或间接控制的下属企业与公司均未直接或间接从事与对方主营业务相竞争的业务，双方不

存在利益冲突；

• （3）如果未来双方及双方下属企业的业务发生变化，中微公司及公司承诺保持密切沟通，充分协商，确保产品和业务的开发互补，而不竞争，确保

相关业务变化不会对各自业务的拓展产生重大不利影响，否则双方同意采取相应解决措施避免或消除该影响；

• （4）中微公司及公司将严格履行上述承诺事项，如果未履行上述承诺事项，将根据中国证监会和证券交易所的规定承担相关责任。

承诺时间：上市前，承诺期限：长期有效。

注 16：国家集成电路基金关于规范和减少关联交易承诺

• （1）本公司将善意履行作为拓荆科技股东的义务，充分尊重拓荆科技的独立法人地位，保障拓荆科技独立经营、自主决策。本公司将严格按照《公

司法》以及拓荆科技公司章程的规定，促使经本公司提名的拓荆科技董事（如有）依法履行其应尽的诚信和勤勉责任。

• （2）如果拓荆科技及其下属公司在今后的经营活动中必须与本公司或本公司控制的企业或者经济组织发生不可避免的关联交易，本公司将促使此等

交易严格按照国家有关法律法规、拓荆科技公司章程和其他有关规定履行相应程序，并按照正常的商业条件进行；保证本公司及本公司控制的企业或者 经济组织将不会要求或接受拓荆科技及其下属公司给予比在任何一项市场公平交易中第三者更优惠的条件；保证不利用股东地位，就拓荆科技及其下属 公司与本公司或本公司控制的企业或者经济组织相关的任何关联交易采取任何行动，故意促使拓荆科技的股东大会或董事会作出侵犯拓荆科技或其他股 东合法权益的决议。

• （3）保证本公司及本公司控制的企业或者经济组织将严格和善意地履行其与拓荆科技及其下属公司签订的各种关联交易协议。本公司及本公司控制

的企业或者经济组织将不会向拓荆科技及其下属公司谋求任何超出该等协议规定以外的利益或收益。

• （4）如违反上述承诺，本公司将根据中国证监会和证券交易所的规定承担相关责任。”

承诺时间：上市前，承诺期限：长期有效。

注 17：国投上海、中微公司、吕光泉、11 个公司员工持股平台关于规范和减少关联交易承诺

• （1）本企业/本公司/本人将善意履行作为拓荆科技股东的义务，充分尊重拓荆科技的独立法人地位，保障拓荆科技独立经营、自主决策。本企业/本

公司/本人将严格按照《公司法》以及拓荆科技公司章程的规定，促使经本企业/本公司/本人提名的拓荆科技董事（如有）依法履行其应尽的诚信和勤勉 责任。

• （2）截至本函件出具日，除已经招股说明书、审计报告和律师工作报告等文件披露的情形外，本企业/本公司/本人及本企业/本公司/本人直接或间接

控制的企业或者经济组织（以下统称“本企业/本公司/本人控制的企业或者经济组织”）与拓荆科技及其下属公司不存在其他关联交易。

• （3）保证本企业/本公司/本人以及本企业/本公司/本人控制的企业或者经济组织，今后原则上不与拓荆科技及其下属公司发生关联交易。如果拓荆科

技及其下属公司在今后的经营活动中必须与本企业/本公司/本人或本企业/本公司/本人控制的企业或者经济组织发生不可避免的关联交易，本企业/本公 司/本人将促使此等交易严格按照国家有关法律法规、拓荆科技公司章程和其他有关规定履行相应程序，并按照正常的商业条件进行；保证本企业/本公司 /本人及本企业/本公司/本人控制的企业或者经济组织将不会要求或接受拓荆科技及其下属公司给予比在任何一项市场公平交易中第三者更优惠的条件；

保证不利用股东地位，就拓荆科技及其下属公司与本企业/本公司/本人或本企业/本公司/本人控制的企业或者经济组织相关的任何关联交易采取任何行动， 故意促使拓荆科技的股东大会或董事会作出侵犯拓荆科技或其他股东合法权益的决议。

• （4）保证本企业/本公司/本人及本企业/本公司/本人控制的企业或者经济组织将严格和善意地履行其与拓荆科技及其下属公司签订的各种关联交易

协议。本企业/本公司/本人及本企业/本公司/本人控制的企业或者经济组织将不会向拓荆科技及其下属公司谋求任何超出该等协议规定以外的利益或收益。

• （5）如违反上述承诺给拓荆科技及其下属公司造成损失，本企业/本公司/本人将及时、足额地向拓荆科技及其下属公司作出赔偿或补偿。本企业/本

公司/本人未能履行上述赔偿或补偿承诺的，则拓荆科技有权相应扣减应付本企业的现金分红（包括相应扣减本企业/本公司/本人未来可能因间接持有拓 荆科技的股份而可间接分得的现金分红）。在相应的承诺履行前，本企业/本公司/本人亦不转让本企业/本公司/本人所直接或未来可能间接所持的拓荆科 技的股份，但为履行上述承诺而进行转让的除外。

承诺时间：上市前，承诺期限：长期有效。

注 18：拓荆科技及全体董事、审计委员会委员、高级管理人员对再融资发行申请文件真实性、准确性和完整性的承诺书

拓荆科技及全体董事、审计委员会委员、高级管理人员对公司 2025 年度向特定对象发行 A 股股票申请文件进行了核查和审阅，确认上述文件不存 在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并对其真实性、准确性、完整性承担相应的法律责任。

承诺时间：2025 年 12 月，承诺期限：长期有效。 注 19：董事、高级管理人员对再融资发行摊薄即期回报的相关承诺

为保障中小投资者利益，确保公司 2025 年向特定对象发行股票摊薄即期回报风险的填补措施得到有效执行，公司董事、高级管理人员做出如下承 诺：

• (1) 本人承诺忠实、勤勉地履行职责，维护上市公司和全体股东的合法权益。
• (2) 本人承诺不无偿或以不公平条件向其他单位或者个人输送利益，也不采用其他方式损害公司利益。

• (3) 本人承诺对本人的职务消费行为进行约束。
• (4) 本人承诺不动用公司资产从事与本人履行职责无关的投资、消费活动。
• (5) 本人承诺在自身职责和权限范围内，支持公司董事会或薪酬与考核委员会制定的薪酬制度与公司填补回报措施的执行情况挂钩。
• (6) 若公司未来实施股权激励，本人承诺在自身职责和权限范围内，支持公司拟公布的股权激励的行权条件与公司填补回报措施的执行情况相挂钩。

承诺时间：2025 年 12 月，承诺期限：长期有效。

二、 报告期内控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况

• □适用 √不适用 三、 违规担保情况
• □适用 √不适用 四、 半年报审计情况
• □适用 √不适用 五、 上年年度报告非标准审计意见涉及事项的变化及处理情况
• □适用 √不适用 六、 破产重整相关事项
• □适用 √不适用 七、 重大诉讼、仲裁事项
• □本报告期公司有重大诉讼、仲裁事项 √本报告期公司无重大诉讼、仲裁事项 八、 上市公司及其董事、高级管理人员、控股股东、实际控制人涉嫌违法违规、受到处罚及整改 情况
• □适用 √不适用 九、 报告期内公司及其控股股东、实际控制人诚信状况的说明
• □适用 √不适用 十、 重大关联交易 (一) 与日常经营相关的关联交易

• 1、 已在临时公告披露且后续实施无进展或变化的事项

□适用 √不适用

• 2、 已在临时公告披露，但有后续实施的进展或变化的事项 √适用 □不适用

• 公司于 2025 年 12 月 5 日召开第二届董事会第二十一次会议，审议通过了《关于公司预计

2026 年度日常关联交易的议案》，确定公司（含合并报表范围内的下属公司）预计的 2026 年度 日常关联交易额度为总金额不超过人民币 129,000.00 万元。

• 公司于 2026 年 4 月 27 日召开第二届董事会第二十四次会议，审议通过了《关于公司新增

2026 年度日常关联交易预计额度的议案》，新增 2026 年度日常关联交易额度人民币不超过 15,000.00 万元。

报告期内，公司的日常关联交易发生额如下：

单位：万元 币种：人民币

• 注 1：2026 年半年度发生关联交易金额占同类业务比例的计算：向关联人购买原材料、接受劳务 占同类业务比例，向关联人销售产品、商品占同类业务比例的分母为公司经审计 2025 年度的同类 业务金额。
• 注 2：公司原董事齐雷曾担任富创精密董事。2026 年 1 月 9 日，齐雷因个人工作原因辞去公司董 事职务，根据《上市规则》第 15.1 条第（十五）项的有关规定，富创精密与公司的关联关系于 2027 年 1 月 8 日终止。
• 注 3：D 公司与公司的关联关系将于 2026 年 9 月 11 日终止。
• 注 4：公司原监事曹阳曾担任上海熹贾董事，公司于 2025 年 11 月 19 日召开 2025 年第四次临时 股东大会取消监事会，根据《上市规则》第 15.1 条第（十五）项的有关规定，上海熹贾与公司的 关联关系将于 2026 年 11 月 18 日终止。
• 注 5：公司与 A 公司、B 公司、C 公司及 D 公司发生的关联交易涉及内容属于公司商业秘密，根 据相关规则，公司对 A 公司、B 公司、C 公司及 D 公司基本情况和关联关系进行了豁免披露，并 履行了信息豁免披露内部登记及审批程序，此外，A 公司与 B 公司系受同一控制方控制的子公司， 故将公司与 A 公司和 B 公司的关联交易合并列示。
• 注 6：2026 年半年度，公司超出上述审议额度但尚未达到董事会审议标准的日常关联交易事项均 已经公司总经理办公会审议通过。

• 3、 临时公告未披露的事项

• □适用 √不适用 (二) 资产收购或股权收购、出售发生的关联交易

• 1、 已在临时公告披露且后续实施无进展或变化的事项

□适用 √不适用

• 2、 已在临时公告披露，但有后续实施的进展或变化的事项

□适用 √不适用

• 3、 临时公告未披露的事项

□适用 √不适用

• 4、 涉及业绩约定的，应当披露报告期内的业绩实现情况

• □适用 √不适用

(三) 共同对外投资的重大关联交易

• 1、 已在临时公告披露且后续实施无进展或变化的事项

□适用 √不适用

• 2、 已在临时公告披露，但有后续实施的进展或变化的事项

□适用 √不适用

• 3、 临时公告未披露的事项

• □适用 √不适用 (四) 关联债权债务往来

• 1、 已在临时公告披露且后续实施无进展或变化的事项

□适用 √不适用

• 2、 已在临时公告披露，但有后续实施的进展或变化的事项

□适用 √不适用

• 3、 临时公告未披露的事项

• □适用 √不适用 (五) 公司与存在关联关系的财务公司、公司控股财务公司与关联方之间的金融业务
• □适用 √不适用 (六) 其他重大关联交易
• □适用 √不适用 (七) 其他
• □适用 √不适用 十一、 重大合同及其履行情况 (一) 托管、承包、租赁事项

• 1、 托管情况

□适用 √不适用

• 2、 承包情况

□适用 √不适用

• 3、 租赁情况

□适用 √不适用

(二) 报告期内履行的及尚未履行完毕的重大担保情况 √适用 □不适用

单位：万元 币种：人民币

注：“担保总额占公司净资产的比例”是以报告期归属于上市公司股东的净资产作为分母计算。 (三) 其他重大合同

□适用 √不适用 十二、 募集资金使用进展说明 √适用 □不适用 (一)募集资金整体使用情况 √适用 □不适用

单位：元

其他说明 √适用 □不适用

• 注 1：根据中国证监会出具的《关于同意拓荆科技股份有限公司向特定对象发行股票注册的批复》（证监许可〔2026〕913 号），公司向特定对象发行 人民币普通股（A 股）股票 7,985,972 股，每股面值 1 元，发行价为每股人民币 576.01 元，募集资金总额为 459,999.97 万元，扣除各项发行费用（不含 税）人民币 4,174.73 万元后，公司实际募集资金净额为人民币 455,825.24 万元。
• 注 2：上表中“超募资金总额”合计数为 112,730.08 万元，与“超募资金明细使用情况”表中“拟投入超募资金总额”合计数 114,556.60 万元存在差异 为 1,826.52 万元，系公司首次公开发行股票部分超募资金的理财收入及利息收入用于“高端半导体设备产业化基地建设项目”所致，具体内容详见公司 于 2024 年 8 月 28 日在上交所网站发布公告《关于使用超募资金用于在建项目的公告》（公告编号：2024-048）。
• 注 3：上表中的“截至报告期末累计投入募集资金总额”合计数为 196,201.94 万元，与“募集资金明细使用情况”表中“截至报告期末累计投入募集资 金总额”合计数 176,474.65 万元的差异 19,727.29 万元，系公司 2024 年使用超募资金回购公司股份所致。
• 注 4：上表中“募集资金净额”合计数为 668,584.96 万元，与“募集资金明细使用情况”表中“募集资金计划投资总额”合计数为 650,681.49 万元，差 异为 17,903.47 万元，系公司使用超募资金回购公司股份的计划使用金额 19,730.00 万元未列入“募集资金明细使用情况”表中，以及“募集资金明细使 用情况”表中“高端半导体设备产业化基地建设项目”募集资金计划投资总额包含注 2 中所述超募资金理财和利息收入 1,826.52 万元。

(二)募投项目明细 √适用 □不适用

• 1、 募集资金明细使用情况

√适用 □不适用

单位：万元

• 注 1：“高端半导体设备扩产项目”主要在原有半导体薄膜设备研发和生产基地基础上进行二期洁净厂房建设，效益反映在公司的整体经济效益中，因 此不单独进行项目效益分析。本项目已于 2023 年 7 月结项，截至本公告披露日，公司已将本项目的实际节余募集资金合计 3,470.02 万元全部转入公司 自有资金账户并完成相应的募集资金专户销户。
• 注 2：“先进半导体设备的技术研发与改进项目”主要在原有产品和技术的基础上，进行技术改进与研发，效益反映在公司的整体经济效益中，因此不 单独进行项目效益分析。本项目已于 2024 年 4 月结项，截至本公告披露日，公司已将本项目的实际节余募集资金合计 2,843.71 万元（含利息收入）全 部转入公司自有资金账户并完成相应的募集资金专户销户。
• 注 3：“ALD 设备研发与产业化项目”主要通过拓荆上海实施 ALD 产品研发及产业化基地建设，效益反映在公司的整体经济效益中，因此不单独进行 项目效益分析。本项目已于 2024 年 4 月结项，截至本公告披露日，公司已将本项目的实际节余募集资金合计 2,541.99 万元（含利息收入）全部转入公 司自有资金账户并完成相应的募集资金专户销户。
• 注 4：“半导体先进工艺装备研发与产业化项目”主要通过拓荆上海建设新的研发及产业化基地，实施先进薄膜沉积设备及工艺的研发与产业化，其效 益反映在公司的整体经济效益中，因此不单独进行项目效益分析。公司于 2025 年 8 月 25 日召开第二届董事会第十七会议，审议通过了《关于公司超募 资金投资项目结项并将节余募集资金和剩余首发超募资金永久补充流动资金的议案》，并于 2025 年 9 月 29 日召开 2025 年第三次临时股东大会，审议 通过了《关于公司超募资金投资项目结项后节余募集资金和剩余首发超募资金永久补充流动资金的议案》，该项目已于 2025 年 8 月 25 日结项，并将以 募集资金专户内的节余募集资金支付剩余待支付项目尾款，待项目尾款支付完毕后，公司将募集资金专户内的剩余募集资金（实际金额以转出当日专户 余额为准）永久补充流动资金，用于公司日常生产经营。报告期内，本项目投入金额系支付项目尾款。
• 注 5：公司于 2024 年 3 月 1 日召开第二届董事会第三次会议，并于 2024 年 3 月 18 日召开 2024 年第二次临时股东大会，审议通过了《关于投资建设 “高端半导体设备产业化基地建设项目”并变更部分募集资金用途投入该项目的议案》，同意公司将首发募投项目“先进半导体设备的技术研发与改进 项目”募集资金承诺投资由 39,948.34 万元调减至 19,948.34 万元，将超募资金投资项目“半导体先进工艺装备研发与产业化项目”的募集资金承诺投资总

• 额由 93,000.00 万元调减至 88,000.00 万元，并将上述调减的募集资金合计人民币 25,000.00 万元投入“高端半导体设备产业化基地建设项目”。此外，公 司于 2024 年 8 月 26 日召开第二届董事会第七次会议，审议通过了《关于公司使用超募资金用于在建项目的议案》，同意公司将首次公开发行股票部分 超募资金 1,826.60 万元用于高端半导体设备产业化基地建设项目，本次调整后，“高端半导体设备产业化基地建设项目”使用首次公开发行股票募集资 金承诺投资总额为 26,826.60 万元。
• 注 6：公司于 2025 年 9 月 12 日召开第二届董事会第十八次会议，并于 2025 年 9 月 29 日召开 2025 年第三次临时股东大会，审议通过了《关于公司 2025 年度向特定对象发行 A 股股票方案的议案》，“高端半导体设备产业化基地建设项目”总投资金额由 110,000.00 万元变更为 176,830.11 万元。其 中首次公开发行股票部分募集资金承诺投资额不变，拟用 2025 年度向特定对象发行 A 股股票募集资金投入 150,000.00 万元，自有资金投入 3.51 万元； 该项目主要通过在沈阳市浑南区购置土地建设新的产业化基地，进一步增加公司薄膜沉积设备产能，从而推动公司业务规模的持续增长，提升公司整体 竞争力和盈利能力。因此该项目的效益反映在公司的整体经济效益中，无法单独核算。
• 注 7：该项目仅使首次公开发行股票募集资金的使用情况发生变更，该项目拟使用 2025 年度向特定对象发行 A 股股票募集资金承诺投资总额与《拓荆 科技股份有限公司 2025 年度向特定对象发行 A 股股票募集说明书》一致，未使 2025 年度向特定对象发行 A 股股票募集资金使用情况发生变更。
• 注 8：“高端半导体设备产业化基地建设项目”系公司使用首次公开发行募集资金 26,826.60 万元投资的项目，公司拟使用 2025 年度向特定对象发行股 票募集资金 150,000.00 万元对其进行追加投资。
• 注 9：“前沿技术研发中心建设项目”实施主体为拓荆创益及拓荆上海，效益反映在公司的整体经济效益中，因此不单独进行项目效益分析。截至 2026 年 6 月 17 日，本项目已使用自筹资金预先投入人民币 23,065.43 万元，截至报告期末尚未置换。相关事项已经天健会计师事务所（特殊普通合伙）鉴 证，于 2026 年 7 月 20 日出具了《关于拓荆科技股份有限公司以自筹资金预先投入募投项目的鉴证报告》（天健审〔2026〕17216 号），并于 2026 年 7 月 30 日经公司第二届董事会第二十八次会议审议通过。具体内容详见公司 2026 年 7 月 31 日披露于上交所网站（www.sse.com.cn）的《关于使用募集 资金置换预先投入募投项目的自筹资金的公告》（公告编号 2026-049）。
• 注 10：公司于 2026 年 7 月 7 日召开了第二届董事会审计委员会第十五次会议及第二届董事会第二十六次会议，审议通过了《关于调整向特定对象发行 股票募集资金投资项目投入金额的议案》，同意公司根据 2025 年度向特定对象发行 A 股股票募集资金净额的实际情况，对部分募投项目拟投入募集资

• 金金额进行调整。具体内容详见公司于 2026 年 7 月 8 日在上交所网站（www.sse.com.cn）披露的《关于调整向特定对象发行股票募集资金投资项目投 入金额的公告》（公告编号：2026-033）。
• 注 11：除上述募投项目外，2024 年度，公司使用首次公开发行股票超募资金 19,727.29 万元（含交易佣金等中介费用）回购公司股份。

• 2、 超募资金明细使用情况 √适用□不适用

单位：万元

注 1：“高端半导体设备产业化基地建设项目”拟使用募集资金总额为 26,826.60 万元，其中超募资金 6,826.60 万元，截至报告期末，累计投入超募资 金 6,826.60 万元，使用超募资金部分投入进度为 100.00%。

• 3、 报告期内募投项目重新论证的具体情况

□适用 √不适用 (三)报告期内募投变更或终止情况

□适用 √不适用

(四)报告期内募集资金使用的其他情况

• 1、 募集资金投资项目先期投入及置换情况 √适用 □不适用

（1）2022 年首次公开发行股票募投项目

1）募集资金到账前，以自筹资金预先投入募投项目并以募集资金置换

报告期内，公司不存在以自筹资金预先投入募投项目并以首次公开发行股票募集资金置换的 情况。

2）募集资金到账后，使用自有资金支付募投项目所需资金并以募集资金等额置换

公司于 2025 年 9 月 12 日召开第二届董事会第十八次会议和第二届监事会第十七次会议，审 议通过了《关于公司使用自有资金支付募投项目所需资金并以募集资金等额置换的议案》，同意 公司（含实施募投项目的子公司）在首次公开发行股票募投项目实施期间，根据实际情况先行使 用自有资金支付募投项目所需资金，在履行内部相关审批程序后定期以募集资金等额置换。报告 期内，公司以募集资金置换自有资金支付首次公开发行股票募投项目的资金金额为 0。

（2）2025 年度向特定对象发行 A 股股票募投项目

1）募集资金到账前，以自筹资金预先投入募投项目并以募集资金置换

2025 年度向特定对象发行 A 股股票募投项目“前沿技术研发中心建设项目”使用自筹资金 进行了预先投入，截至报告期末，该项目预先投入情况及置换情况如下：

单位：万元

截至报告期末，上述先期投入尚未置换，相关事项已经天健会计师事务所（特殊普通合伙） 鉴证，于 2026 年 7 月 20 日出具了《关于拓荆科技股份有限公司以自筹资金预先投入募投项目的 鉴证报告》（天健审〔2026〕17216 号），并于 2026 年 7 月 30 日经公司第二届董事会第二十八 次会议审议通过。具体内容详见公司 2026 年 7 月 31 日披露于上交所网站（www.sse.com.cn）的 《关于使用募集资金置换预先投入募投项目的自筹资金的公告》（公告编号 2026-049）。

2）募集资金到账后，使用自有资金支付募投项目所需资金并以募集资金等额置换

公司于 2026 年 7 月 7 日召开第二届董事会审计委员会第十五次会议及第二届董事会第二十 六次会议，审议通过了《关于公司使用自有资金支付募投项目所需资金并以募集资金等额置换的 议案》，同意公司（含实施募投项目的子公司）在 2025 年度向特定对象发行 A 股股票募投项目

实施期间，根据实际情况先行使用自有资金支付募投项目所需资金，在履行内部相关审批程序后 定期以募集资金等额置换。

报告期内，公司以募集资金置换自有资金支付 2025 年度向特定对象发行 A 股股票募投项目 的资金金额为 0。

• 2、 用闲置募集资金暂时补充流动资金情况

□适用 √不适用

• 3、 对闲置募集资金进行现金管理，投资相关产品情况

□适用 √不适用

• 4、 其他

• □适用 √不适用 (五)中介机构对募集资金存储与使用情况核查异常的相关情况说明
• □适用 √不适用 (六)擅自变更募集资金用途、违规占用募集资金的后续整改情况
• □适用 √不适用 十三、 其他重大事项的说明
• □适用 √不适用

第六节 股份变动及股东情况

一、股本变动情况 (一) 股份变动情况表

• 1、 股份变动情况表 单位：股

• 注 1：282,693,012 股为公司截至 2026 年 6 月 30 日在中国证券登记结算有限责任公司登记的股本 总数。
• 注 2：2026 年 4 月 20 日，中国证监会出具的《关于同意拓荆科技股份有限公司向特定对象发行股 票注册的批复》（证监许可〔2026〕913 号），同意公司向特定对象发行股票的注册申请。公司本 次向特定对象发行 A 股股票数量为 7,985,972 股，发行价格为 576.01 元/股，募集资金总额为人民 币 4,599,999,731.72 元，扣除各项发行费用（不含税）人民币 41,747,379.84 元后，公司实际募集 资金净额为人民币 4,558,252,351.88 元。其中：计入实收股本 7,985,972.00 元，计入资本公积（股 本溢价）4,550,266,379.88 元。上述募集资金已经全部到位，并经天健会计师事务所（特殊普通合 伙）审验，于 2026 年 6 月 17 日出具了《验资报告》（天健验〔2026〕220 号）。2026 年 7 月 1 日，公司本次发行新增的 7,985,972 股股份在中国证券登记结算有限责任公司上海分公司办理完 成登记托管及限售手续。登记完成后，公司总股本为 290,678,984 股。

• 2、 股份变动情况说明 √适用 □不适用

• 报告期内，2022年限制性股票激励计划第三个归属期第一批次归属的股份1,180,972股于2026

年 1 月 15 日上市流通。具体内容详见公司 2026 年 1 月 13 日披露于上交所网站（www.sse.com.cn）

• 的《关于 2022 年限制性股票激励计划第三个归属期第一批次归属结果暨股份上市公告》（公告编 号：2026-004）。

报告期内，2023 年限制性股票激励计划首次授予部分第一个归属期第二批次归属的股份 165,760 股及公司 2022 年限制性股票激励计划第三个归属期第二批次归属的股份 182,350 股于 2026年 4月13日上市流通。具体内容详见公司 2026年4月 9日披露于上交所网站（www.sse.com.cn）

• 的《关于 2023 年限制性股票激励计划首次授予部分第一个归属期第二批次及 2022 年限制性股票 激励计划第三个归属期第二批次归属结果暨股份上市公告》（公告编号：2026-012）。

• 3、 报告期后到半年报披露日期间发生股份变动对每股收益、每股净资产等财务指标的影响 √适用□不适用

2026 年 7 月 30 日，公司召开第二届董事会第二十八次会议，审议通过了《关于公司 2023 年 限制性股票激励计划首次授予部分第二个归属期符合归属条件的议案》《关于公司 2023 年限制性 股票激励计划预留授予部分第一个归属期符合归属条件的议案》《关于公司 2025 年限制性股票激 励计划第一个归属期符合归属条件的议案》。公司 2023 年限制性股票激励计划首次授予部分第二 个归属期、2023 年限制性股票激励计划预留授予部分第一个归属期、2025 年限制性股票激励计划 第一个归属期规定的归属条件已经成就，分别可归属数量为 113.4714 万股、35.9572 万股和 56.6192 万股。具体内容详见公司 2026 年 7 月 31 日披露于上交所网站（www.sse.com.cn）的《2023 年限 制性股票激励计划首次授予部分第二个归属期符合归属条件的公告》（公告编号：2026-045）、 《2023 年限制性股票激励计划预留授予部分第一个归属期符合归属条件的公告》（公告编号：2026046）、《2025 年限制性股票激励计划第一个归属期符合归属条件的公告》（公告编号：2026-048）。

截至 2026 年 8 月 12 日，除 1 名 2025 年限制性股票激励计划的激励对象申请离职，不再符合 归属条件外，其余归属款项已全部到位，共计人民币 190,686,060.16 元，其中计入股本 1,494,286.00 元，计入资本公积 101,166,222.98 元，转销库存股 88,025,551.18 元，并经天健会计师事务所（特 殊普通合伙）审验，于 2026 年 8 月 19 日出具了《验资报告》（天健验〔2026〕296 号）。本次股 份变动对公司报告期内的基本每股收益、稀释每股收益和报告期末归属于上市公司普通股东的每 股净资产的影响如下：

• 4、 公司认为必要或证券监管机构要求披露的其他内容

• □适用 √不适用 (二) 限售股份变动情况
• □适用 √不适用 二、股东情况 (一) 股东总数

存托凭证持有人数量

(二) 截至报告期末前十名股东、前十名无限售条件股东持股情况表 前十名股东同时通过普通证券账户和证券公司客户信用交易担保证券账户持股的情形

• □适用 √不适用 单位：股

持股 5%以上股东、前十名股东及前十名无限售流通股股东参与转融通业务出借股份情况

• □适用 √不适用 前十名股东及前十名无限售流通股股东因转融通出借/归还原因导致较上期发生变化
• □适用√不适用 前十名有限售条件股东持股数量及限售条件

• 截至报告期末公司前十名境内存托凭证持有人情况表
• □适用 √不适用 持股 5%以上存托凭证持有人、前十名存托凭证持有人及前十名无限售条件存托凭证持有人参与 转融通业务出借股份情况
• □适用 √不适用 前十名存托凭证持有人及前十名无限售条件存托凭证持有人因转融通出借/归还原因导致较上期 发生变化
• □适用 √不适用 前十名有限售条件存托凭证持有人持有数量及限售条件
• □适用 √不适用 (三) 截至报告期末表决权数量前十名股东情况表
• □适用 √不适用 (四) 战略投资者或一般法人因配售新股/存托凭证成为前十名股东
• □适用 √不适用 三、董事、高级管理人员和核心技术人员情况 (一) 现任及报告期内离任董事、高级管理人员和核心技术人员持股变动情况 √适用 □不适用

单位：股

其它情况说明

□适用 √不适用 (二) 董事、高级管理人员和核心技术人员报告期内被授予的股权激励情况

• 1、 股票期权

□适用 √不适用

• 2、 第一类限制性股票

□适用 √不适用

• 3、 第二类限制性股票

• □适用 √不适用 (三) 其他说明
• □适用 √不适用 四、控股股东或实际控制人变更情况

• 五、存托凭证相关安排在报告期的实施和变化情况
• □适用 √不适用 六、特别表决权股份情况
• □适用 √不适用 七、优先股相关情况
• □适用 √不适用

第七节 债券相关情况

一、公司债券（含企业债券）和非金融企业债务融资工具

• □适用√不适用 二、可转换公司债券情况
• □适用 √不适用

第八节 财务报告

一、审计报告

□适用 √不适用

二、财务报表

合并资产负债表 2026 年 6 月 30 日

编制单位：拓荆科技股份有限公司

单位：元 币种：人民币