中微半导体设备（上海）股份有限公司2026 年半年度报告

公司代码：688012 公司简称：中微公司

中微半导体设备（上海）股份有限公司 2026 年半年度报告

重要提示

一、 本公司董事会及董事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存 在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。

二、 重大风险提示

公司已在报告中详细描述可能存在的相关风险，敬请查阅第三节管理层讨论与分析“四、风险因 素”部分内容。

三、 公司全体董事出席董事会会议。

四、 本半年度报告未经审计。

五、 公司负责人尹志尧、主管会计工作负责人陈伟文及会计机构负责人（会计主管人员）陈伟文 声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。

六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无 七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项

• □适用 √不适用

八、 前瞻性陈述的风险声明 √适用 □不适用 本半年度报告中涉及的未来计划、发展战略等前瞻性陈述不构成公司对投资者的实质承诺，投资 者及相关人士均应当对此保持足够的风险认识，并且应当理解计划、预测与承诺之间的差异，敬 请投资者注意投资风险。

九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况 否 十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况 否 十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否 十二、 其他

• □适用 √不适用

目录

第一节 释义.......................................................................................................................................... 4 第二节 公司简介和主要财务指标......................................................................................................5 第三节 管理层讨论与分析..................................................................................................................9 第四节 公司治理、环境和社会........................................................................................................42 第五节 重要事项................................................................................................................................ 44 第六节 股份变动及股东情况............................................................................................................75 第七节 债券相关情况........................................................................................................................85 第八节 财务报告................................................................................................................................ 86

第一节 释义

在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：

第二节 公司简介和主要财务指标

一、 公司基本情况

二、 联系人和联系方式

三、 信息披露及备置地点变更情况简介

四、 公司股票/存托凭证简况 (一) 公司股票简况 √适用 □不适用

(二) 公司存托凭证简况

• □适用 √不适用 五、 其他有关资料
• □适用 √不适用 六、 公司主要会计数据和财务指标

(一) 主要会计数据

单位：元 币种：人民币

(二) 主要财务指标

公司主要会计数据和财务指标的说明 √适用 □不适用 2026 年上半年公司营业收入约 66.91 亿元，较上年同期增加约 17.31 亿元，同比增长约 34.89%。公司针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升， 在先进逻辑器件和先进存储器件中多种关键刻蚀工艺实现大规模量产。

2026 年上半年归属于母公司所有者的净利润约 28.25 亿元，较上年同期增加约 21.19 亿元，同比 增长约 300.22%，主要原因：（1）2026 年上半年营业收入增长 34.89%下，毛利较去年增加约 6.82 亿元。（2）2026 年上半年公司研发投入约 20.41 亿元，同比增加约 5.50 亿元（增长约 36.86%），2026 年上半年研发投入占公司营业收入比例约为 30.51%，远高于科创板上市公司的 平均研发投入水平（10%~15%）。2026 年上半年研发费用 13.10 亿元，较上年同期增加约 1.93 亿元（增长约 17.31%）。（3）经评估师评估，公司以公允价值计量且其变动计入当期损益的对 外股权投资于 2026 年上半年产生公允价值变动收益和投资收益合计约 10.29 亿元，较 2025 年上 半年的 1.68 亿元增加约 8.61 亿元。（4）公司本期出售了部分持有的拓荆科技股份有限公司股 票，产生投资收益约 9.53 亿元。

• 2026 年上半年归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润约 11.23 亿元，较上年同期增加 约 5.84 亿元，同比增长约 108.36%，主要原因：2026 年上半年营业收入增长 34.89%，毛利较去 年增加约 6.82 亿元，以及 2026 年上半年研发费用较去年增加约 1.93 亿元。

七、 境内外会计准则下会计数据差异

□适用 √不适用 八、 非经常性损益项目和金额 √适用 □不适用

单位：元 币种：人民币

对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1 号——非经常性损益》未列举的项目认 定为非经常性损益项目且金额重大的，以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1 号 ——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因

□适用 √不适用 九、 存在股权激励、员工持股计划的公司可选择披露扣除股份支付影响后的净利润 √适用 □不适用

单位：元 币种：人民币

十、 非企业会计准则业绩指标说明 √适用 □不适用

单位：元 币种：人民币

选取该非企业会计准则财务指标的原因 无

选取的非企业会计准则财务指标或调整项目较上一年度发生变化的说明

□适用 √不适用

该非企业会计准则财务指标本期增减变化的原因 无

第三节 管理层讨论与分析

一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明

（一）所属行业情况

近年来数码产业蓬勃发展，已成为国民经济发展最重要的引擎，也促进全球半导体芯片和晶 圆制造领域的持续投资，推动半导体设备行业的快速发展。数码产业占全球企业总产值 40%以上， 而且在不断增长，和传统工业已经成为国民经济的两大支柱，数码产业的发展正在彻底改变人类 的生产方式和生活方式。半导体微观加工设备是发展集成电路和数码产业的关键，已成为人们最

关注的硬科技产业之一。

半导体设备是集成电路和泛半导体微观器件产业的基石，而集成电路和泛半导体微观器件， 又是数码产业的基础。半导体设备微观加工的能力是数码产业发展的关键。没有能加工微米和纳 米尺度的光刻机、等离子体刻蚀机和薄膜沉积等设备，就不可能制造出集成电路和微观器件。随 着微观器件尺寸越做越小，结构从平面 2D 到三维立体，半导体设备的极端重要性更加凸显出来。

中国的集成电路和泛半导体产业近年来持续兴旺。在政府的大力推动和业界的努力下，在半 导体设备的门类、性能和大规模量产能力等方面，国产设备和国外设备相比正在快速缩小差距， 发展迅速并已初具规模，中国大陆半导体设备市场规模在全球的占比逐年提升。根据国际半导体 产业协会（SEMI）在发布《年中总半导体设备市场预测报告》中指出，预测 2026 年全球半导体 制造设备（OEM）总销售额将创下 1659 亿美元的历史新高，同比增长 23.2%。人工智能正在加速 对更强大、更高效芯片的需求，重塑半导体制造投资格局，推动整个半导体设备市场的规模快速 增长。

（二）公司主营业务情况

中微公司主要从事高端半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售。公司瞄准世界科技 前沿，基于在半导体设备制造产业多年积累的专业技术，涉足半导体集成电路制造、先进封装、 LED 外延片生产、功率器件、MEMS 制造以及其他微观工艺的高端设备领域。

中微公司开发的 CCP 高能等离子体和 ICP 低能等离子体刻蚀两大类、包括二十几种细分刻蚀 设备已可以覆盖大多数刻蚀应用。中微公司的等离子体刻蚀设备已被广泛应用于国内和国际一线 客户，从 65 纳米到 3 纳米及更先进工艺的众多刻蚀应用，并已实现 CMP 湿法设备多种应用研发 和客户验证。中微公司最近十年着重开发多种导体和半导体化学薄膜设备，如 MOCVD，LPCVD，

ALD，PVD，PECVD 和 EPl 设备，并取得了可喜的进步。中微公司开发的用于 LED 和功率器件 外延片生产的 MOCVD 设备早已在客户生产线上投入量产，并在全球氮化镓基 LED MOCVD 设 备市场占据领先地位。此外，中微公司已全面布局光学和电子束量检测设备，并开发多种泛半导 体微观加工设备，包括大平板显示设备等。

公司主要为集成电路、LED 外延片、功率器件、MEMS 等半导体产品的制造企业提供刻蚀设 备、薄膜沉积设备、化学机械抛光（CMP）设备、量检测设备、MOCVD 设备及其他设备，如今， 公司已开发出 54 种高端半导体设备，包括 26 种高能和低能等离子体刻蚀机设备，24 种各类薄膜 设备、化学机械抛光（CMP）设备和量检测设备。刻蚀和薄膜设备的加工精度已经达到了原子级 水平。

报告期内，公司主营业务未发生变化。

（三）主要经营模式 1、盈利模式 公司主要从事高端半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售，通过向下游集成电路、

LED 外延片、先进封装、MEMS 等半导体产品的制造公司销售等离子体刻蚀设备、薄膜沉积设 备、化学机械抛光（CMP）设备、MOCVD 设备及其他设备、提供配件及服务实现收入和利 润。报告期内，公司主营业务收入来源于半导体设备产品的销售，其他收入来源于设备相关配件 销售及设备支持服务等。

2、研发模式 公司主要采取自主研发的模式。根据公司产品成熟度，公司的研发流程主要包括概念与可行

性阶段、Alpha 阶段、Beta 阶段、量产阶段。 公司按照刻蚀设备、薄膜沉积设备、化学机械抛光（CMP）设备、量检测设备、MOCVD 设备等不同研发对象和项目产品，组成了相对独立的研发团队。不同产品研发团队拥有各自独立

的机械设计、工艺开发、产品管理和技术支持团队，而在电气工程、平台工程、软件工程等方面 则采用共享的方式进行研发支持。通过这种矩阵管理的方法，实现了人才、营运等资源在不同的 产品及技术服务之间灵活分配，实现共享经验知识，优化资源使用效率，使公司能够快速响应不 断变化的研发要求，进行持续的技术创新。

3、采购模式

为保证公司产品的质量和性能，公司制定了严格的供应商选择和审核制度。达到经营资质、 研发和设计能力、技术水平、质量管控能力、生产能力、产品价格、交货周期及付款周期等众多 标准要求的供应商，被纳入公司合格供应商名录，并定期审核。目前，公司已经与全球众多供应 商建立了长期、稳定的合作关系。

4、生产模式

公司主要实行订单式生产为主，结合少量库存式生产为辅的生产方式。订单式生产是指公司 在与客户签订订单后，根据订单情况进行定制化设计及生产制造，以应对客户的差异化需求。库 存式生产是指公司对设备通用组件或成批量出货设备常用组件根据内部需求及生产计划进行预生 产，主要为快速响应交期及平衡产能。

5、营销及销售模式 公司采取直销为主的销售模式，因欧洲市场的客户较为分散，公司在该区域通过代理商模式

进行销售。公司设有全球业务部负责公司所有产品的销售管理，下设中国大陆、中国台湾、韩 国、新加坡、美国等国家或地区的区域销售和支持部门。

新增重要非主营业务情况

□适用 √不适用

二、 经营情况的讨论与分析

数码产业已成为国民经济发展的重要引擎，而作为数码产业的基石，加工集成电路和各种微 观器件的半导体设备产业，正成为备受关注的硬科技领域。作为国内外半导体高端设备的领先公 司，中微公司迎来了快速发展机遇。

中微公司的主打产品等离子体刻蚀设备和薄膜沉积设备是除光刻机以外的核心微观加工设备，

具有制程步骤最多、工艺过程开发难度最高的特点。微观器件的不断缩小推动了器件结构和加工 工艺的变化。存储器件从平面 2D 到立体 3D 架构的转换，显著提升了等离子体刻蚀和薄膜沉积工 艺的关键性，相应设备的需求量大大增加。同时，光刻机由于波长的限制，更小的微观结构要靠 等离子体刻蚀和薄膜沉积设备的组合“二重模板”和“四重模板”工艺技术来加工，刻蚀机和薄膜设 备的重要性和市场空间持续提升，相关设备市场的年平均增长速度远高于其他种类的设备，为中 微公司带来了强劲增长动力。此外，随着半导体工艺节点持续缩小，量检测设备需满足更高精度 要求，推动该设备市场快速增长，已成为占半导体前道设备总市场约 13%的第四大设备门类。量 检测设备主要涵盖光学量检测设备和电子束量检测设备。中微公司于 2024 年新发起设立了超微

公司，重点开发电子束量检测设备等，公司将通过多种方式扩大对多门类量检测设备的市场参与 和产品覆盖。

同时，公司于报告期内完成对众硅公司控股权的收购，完成了对化学机械抛光（CMP）设 备的覆盖，实现从“干法”向“干法+湿法”整体解决方案的关键跨越。这一整合不仅填补了上 市公司在湿法设备领域的空白，更显著提升了公司在先进制程中为客户提供系统级整体解决方案 的能力。面对先进晶圆厂和先进存储厂对工艺协同性、产线稳定性与整体效率日益严苛的要求， 上市公司可为客户提供高度协同的成套设备解决方案，大幅缩短工艺调试和验证周期，从而增强 客户黏性，加速上市公司在主流产线的规模化渗透。

在集成电路产业飞速发展的浪潮中，中微公司站在先进制程工艺发展的最前沿，以高端半导 体设备为核心，坚持技术的创新、产品的差异化和知识产权保护的基本原则。凭借强有力的研发 团队和深厚的客户关系，公司不断开发出具有市场竞争力的设备并快速进入市场；同时，中微公 司将整合产业链上下游和相关资源作为另一发力点，积极考虑投资和并购，推动公司更快发展。 目前公司的五十多种设备产品已经覆盖了超 30%前道集成电路设备产品，未来五年，公司将通 过自主开发与外延并购，覆盖 60%以上的集成电路高端设备市场和 70%以上的先进封装设备市 场，在规模上成为全球领先的高端设备平台型公司。

近年来泛半导体产业的发展也非常迅猛。三五族化合物半导体器件，如照明和显示屏所用的 发光二极管、氮化镓和碳化硅功率器件等市场发展极快。这些器件所需的 MOCVD 设备是重要 的关键设备。与集成电路需要很多种设备、上千步循环的制造工艺不同，制造三五族化合物器件 主要靠 MOCVD 设备实现，而且该设备的大部分市场集中在中国大陆。

中微公司瞄准世界科技前沿，持续践行三维发展战略，聚焦集成电路关键设备领域，扩展在 泛半导体关键设备领域应用并探索其他新兴领域的机会，推进公司实现高速、稳定、健康、安全 发展。公司坚持以市场和客户需求为导向，积极应对复杂形势，继续加大研发投入和业务开拓力

度，推动以研发创新为驱动的高质量增长策略，抓住重点客户扩产投资机会，推进订制化、精细 化生产模式，公司在刻蚀设备、薄膜沉积设备、化学机械抛光（CMP）设备、量检测设备、MOCVD 设备等设备产品研发、市场布局、新业务投资拓展等诸多方面取得了较大的突破和进展，产品不 断获得海内外客户的认可，为公司持续健康发展提供了有力支撑。

公司同时兼顾外延性发展，在聚焦公司核心业务集成电路设备的同时积极探索布局包括健康 领域在内的新业绩增长点，子公司中微惠创、中微汇链、芯汇康及公司参与投资的标的公司在各 自细分领域取得了卓有成效的进展。

为更好地完善公司的产业链布局，进一步提升公司的产能规模和综合竞争实力，公司在上海 临港新片区建设中微临港产业化基地及中微临港总部和研发中心，在南昌高新区建设中微南昌产 业化基地，在广州建设华南总部研发及生产基地，在成都建设成都研发及生产基地暨西南总部项 目。

报告期内公司持续提升综合竞争力，在技术进步、业务发展、业绩增长、规范治理等方面不 断向国际先进水平的方向努力，实现公司高速、稳定、健康、安全发展。

报告期内重点任务完成情况 报告期内，公司在研发创新、知识产权体系建设、生产经营、外延式生长等方面取得了积极

成果： 1、产品研发及客户拓展方面 公司坚持自主创新，产品布局及技术研发面向世界科技前沿。报告期内，公司继续保持较高 的研发投入，与国内外一流客户保持紧密合作，相关设备产品研发进展顺利、客户端验证情况良 好，在部分关键客户市场占有率稳步提升。2026 年上半年公司研发投入约 20.41 亿元，同比增加 约 5.50 亿元（增长约 36.86%），2026 年上半年研发投入占公司营业收入比例约为 30.51%。公 司目前在研项目涵盖六大类设备，包含多个关键制程工艺的核心设备开发。

公司积极参与有影响力的市场活动，不断强化公司技术和品牌优势。报告期内，公司发挥产 品性能、技术及销售服务竞争优势，持续深化同海内外客户的业务合作，以更好的市场形象和更 专业的服务为客户提供产品解决方案。在持续改善量产机台的运行时间和生产效率的同时，研发 团队和客户紧密合作，进行更多的关键制程工艺开发和验证，进一步提高产品的技术先进性和市 场竞争力，拓宽机台的生产能力并赢得更多的量产机会。

公司主要产品的进展情况如下： （1）CCP 刻蚀设备 公司 CCP 刻蚀设备中双反应台 Primo D-RIE、Primo AD-RIE、Primo AD-RIE-e，单反台 Primo HD-RIE 等产品已广泛应用于国内外一线客户的生产线。持续推进用于高深刻比刻蚀的 Primo UDRIE 设备的迭代，不断拓展应用场景，有效提高了该系列设备的工艺覆盖范围。同时，公司积极 开拓晶圆及先进封装及超透镜等领域，持续推进产品在多个客户端的验证，顺利取得重复订单。

公司针对超高深宽比刻蚀工艺，开发了全新的 Primo XD-RIE。该设备采用全新腔体结构设计，

适用于高腐蚀性气体和超低温刻蚀工艺，刻蚀工艺显著减少碳氟气体使用，刻蚀效率较上一代产 品提升明显。该设备还具备国内首创镜像磁场等离子体调节功能及等离子体边缘鞘层主动调节功 能，可以更有效地改善深孔的刻蚀形貌，提高设备的生产稳定性。目前，Primo XD-RIE 的 Alpha 机已完成实验室马拉松测试，Beta 机在客户端验证顺利。针对更加先进的 7 纳米及以下的逻辑器 件生产中所需要的更高选择比和均匀度的接触孔，通孔以及金属掩膜大马士革工艺，开发的全新 的高选择比高均匀度刻蚀设备，在实验室开展多个客户工艺开发，测试与迭代工作稳步推进，预 计 2026 年内，运付客户端进行工艺验证。

此外，公司持续开展先进射频技术的研究，探索新的反应方式，通过多维度技术攻关，持续 夯实技术储备，强化产品差异化竞争力。

（2）ICP 刻蚀设备

报告期内，公司的 ICP 刻蚀设备包括 Primo Twin-Star、Primo Nanova、Primo Menova 等产 品在涵盖逻辑、DRAM、3D NAND、功率和电源管理、以及微电机系统等芯片和器件的 50 多个 客户的生产线上量产，并继续验证更多 ICP 刻蚀工艺。

报告期内，公司低温高深宽比 ICP 刻蚀设备 Primo Nanova LUX-Cryo 在客户的下一代产品的 产线上稳定量产。与此同时，为应对先进节点高深宽比挑战，公司研发的下一代高精度 ICP 刻蚀 设备的 Primo Angnova 在实验室开展多个客户的工艺验证，全面满足客户的刻蚀需求，Beta 机器 在客户端认证顺利，并取得多个重复订单。Primo Twin-Star 装机量快速增长，在海内外客户的逻 辑芯片、功率器件、微型发光二极管 Micro-LED、AR 和 VR 智能眼镜用的超透镜（Metalens） 等特色器件的产线上实现量产。公司的 Primo Menova 金属刻蚀设备，在客户端认证顺利，已投 入量产。

公司开发的高选择比气相刻蚀设备 Primo Domingo，在实验室的 Alpha 腔上开展多个工艺验 证，全面满足客户的刻蚀需求。

报告期内，公司 ICP 刻蚀设备类中的 8 英寸 Primo TSV 2G 200E 和 12 英寸深硅刻蚀设备 Primo TSV 2G 在晶圆级先进封装、2.5D 封装和微机电系统芯片生产线等成熟市场继续获得重复 订单的同时，在 12 英寸的 3D 芯片的硅通孔刻蚀工艺上得到成功验证，并在欧洲客户 12 英寸微 机电系统芯片产线上获得认证的机会，这些新工艺的验证为公司 Primo TSV 2G 刻蚀设备拓展了 新的市场。与此同时，公司针对更高金属污染和颗粒物控制要求等技术需求的第三代硅通孔刻蚀 机 Primo TSV 3G，取得 BVR 和 0.15s Bosch 工艺验证成功。

此外，报告期内，公司根据客户和市场技术发展需求，继续推进包括方波技术，ALE 技术 和 ALD 技术在 ICP 等离子体刻蚀设备上的应用研发，为未来推出更多的 ICP 刻蚀设备做技术储 备，以满足三维逻辑、三维 DRAM 和更多堆叠的 3D NAND 存储等芯片制造对更先进 ICP 刻蚀 设备的持续需求。

（3）薄膜沉积设备研发 公司开发的多款薄膜沉积产品已推向市场。中微公司钨系列薄膜沉积产品：CVD（化学气

相沉积）钨设备，HAR（高深宽比）钨设备和 ALD（原子层沉积）钨设备，可覆盖存储器件所 有钨应用；该系列设备均已通过关键存储客户端现场验证，满足先进存储应用中所有金属互连应 用（包含高深宽比金属互连应用）及三维存储器件字线应用各项性能指标，并获得客户重复量产 订单。同时，公司钨系列产品也可满足先进逻辑器件中多道金属钨互连应用需求，已通过关键逻 辑客户端现场验证，满足先进逻辑应用中各项性能指标，已获得客户重复量产订单。此外，公司 钨系列产品也通过了特殊器件客户金属钨应用现场验证。基于公司钨系列产品独特的性能优势， 已顺利完成先进逻辑、先进存储和特殊器件的现场验证，未来将进一步扩大市场占有率。

同期，公司开发出应用于先进逻辑器件的金属栅系列产品 Preforma Uniflash ® ALD 氮化钛， ALD 钛铝，ALD 氮化钽产品，已完成多个先进逻辑客户设备验证，可满足先进逻辑客户性能需

求的同时，设备的薄膜均一性，污染物控制和生产效率均达到世界先进水平。该系列设备已付运 到多个先进逻辑客户端进行验证，已顺利通过客户现场验证。其中，ALD 氮化钛薄膜也可运用 于先进存储器件中钨填充阻挡层和粘结层、先进存储及先进封装中的电容器极板等关键应用场 景，公司开发的 ALD 氮化钛设备可满足高深宽比及三维结构的台阶覆盖率需求及各项性能指 标，并已交付多个关键客户进行现场验证，有利于进一步扩大市场规模。

针对先进逻辑、先进存储器件的高选择比、低电阻金属-半导体接触层需求，公司推出了金 属硅化物集成系统 Preforma Uniflash ®，包含原位高选择性前清洁产品 SA & SU，等离子体增强 化学气相沉积金属钛 SPTi，和原子层沉积氮化钛 ALD TiNM产品。该系列产品已交付多个先进 逻辑、先进存储客户，现场验证顺利推进，能够满足客户各项性能需求的同时，实现高生产效 率。中微公司金属硅化物集成系统适配先进逻辑器件中的源漏接触层，背部供电接触层及三维存 储器件中的源漏接触层等关键应用场景，可以在小尺寸、高深宽比的复杂结构中实现高质量填 充，在金属薄膜沉积领域中扩展了全新的市场版图，将为中微公司的持续高速增长提供更充足的 空间。

公司的薄膜沉积设备采用独特的双腔设计，每个腔体可独立进行工艺调节，保证产品性能的 同时，大大提高了生产效率，降低了材料成本。此外，中微独立自主的 IP 设计，确保了更优化 的产品性能，也保障了产品未来的可持续发展。

EPI 设备方面，公司的减压外延设备已在成熟制程客户端验证成功，也已付运多家先进制程 客户端，部分先进工艺已进入量产验证阶段；常压外延设备现已完成开发，进入晶圆验证阶段。

（4）MOCVD 设备 报告期内，公司用于蓝光照明的 PRISMO A7、用于深紫外 LED 的 PRISMO HiT3、用于 Mini-

LED 显示的 PRISMO UniMax 等产品持续服务客户。截止 2025 年，公司持续保持国际氮化镓基

MOCVD 设备市场领先地位。其中 PRISMO UniMax 产品自 2021 年 6 月正式发布以来，凭借其高 产量、高波长均匀性、高良率等优点，受到下游客户的广泛认可，在 Mini-LED 显示外延片生产设 备领域处于国际领先。

公司于 2023 年底付运 Micro-LED 应用的设备样机 Preciomo Udx 至国内领先客户开展生产验 证。报告期内样机验证进展顺利，其性能与可靠性已满足客户产线要求，并获得客户的重复订单。 同时，公司正进一步推进该新产品在 Micro-LED 市场的应用拓展与推广。

随着电动汽车、消费电子、人工智能、风力与光伏储能和轨道交通等应用的快速发展，市场 对氮化镓和碳化硅功率器件的需求呈现爆发式增长。公司已经建立了氮化镓 LED 外延装备的优 势，在此基础上，进一步研发了面向硅基氮化镓异质外延功率器件的专用设备。于 2022 年推出 了用于氮化镓功率器件生产应用的 MOCVD 设备 PRISMO PD5，目前已交付客户进行生产验 证，并取得了重复订单。除此之外，公司正开发新一代氮化镓功率器件应用的 MOCVD 设备， 将进一步提升设备性能，降低客户生产成本；报告期内，公司已付运新型氮化镓功率器件应用 MOCVD 设备至领先客户端开展生产验证。

公司也启动了应用于碳化硅功率器件外延生产设备的开发，报告期内，公司持续提升优化该 设备的工艺性能，并与多家行业领先客户开展技术对接和商务洽谈。目前，该新型 8 寸碳化硅外 延设备已进入国内头部企业进行生产验证，并取得了重复订单。

此外，公司紧跟市场发展趋势，积极拓展 MOCVD 设备的应用范围，进一步推进应用于红黄 光 LED 的 MOCVD 设备开发，实验室已实现了优良的 LED 波长均匀性能。报告期内，公司已付 运红黄光 LED 应用的设备样机至国内领先客户开展生产验证，目前样机验证进展顺利。针对光通 讯等新兴应用需求，公司积极与行业领先客户开展合作，于报告期内启动磷化铟（InP）材料体系 专用 MOCVD 设备的开发，实验室已取得良好进展。下半年将结合客户反馈意见，加快产品开发， 尽早付运样机至客户端开展生产验证。

（5）先进封装相关设备 报告期内，公司用于 2.5D、SoIC WoW 及高深宽比深槽电容刻蚀的 Primo TSV 300E 产品持

续服务客户，并获得重复订单。公司用于先进封装等离子体切割的 Primo Matrix 即将发往国内 头部客户产线验证。同时，先进封装所用的第三代 TSV 刻蚀机研发顺利，获得优良的工艺结 果，并且已得到多家客户订单，即将发往客户端验证。

此外，先进封装所用的 TSV CuBS PVD 集成设备开发顺利，报告期内得到了优良的工艺结 果，正与多家领先客户开展商务洽谈。同时，公司已启动 UBM PVD 集成设备研发，进一步完善 先进封装平台化产品布局。

（6）气体净化设备

子公司中微惠创利用分子筛的吸附原理的化学反应器，开发制造了工业用大型净化设备。设 备可根据客户的要求灵活配置不同处理规模的系统，提供给客户可靠、稳定、安全和节能的净化 解决方案。中微惠创与德国 DAS 环境专家有限公司签订战略合作协议后，双方秉承协议内容按 计划实施，在半导体行业尾气处理设备领域展开紧密的合作，目前已经生产制造的净化设备顺利 地应用在各个客户端，共同推动环保科技行业的发展。此外，中微惠创还在积极探索新能源领域 的相关研究。

（7）分布式生态工业互联网平台 子公司中微汇链基于多年来在中微公司沉淀的业务管理经验以及在高科技制造领域多家企业

的数字化服务实践经验，研发和推广数字化运营体系及产品，专注服务以集成电路为代表的高科 技制造行业与行业内企业。

汇链推出的“We”系列数字化产品为提升企业从研发、制造，到质量、售后的管理能力，助 力企业融入产业生态，为高科技制造产业打造企业间协同互信、资源共享的生态型平台 WeLinkin。目前，中微汇链产品已涵盖超 80 个场景应用、超 900 项微服务功能。

基于半导体产业数字化领域的战略布局，专注为中国半导体设备、核心零部件及特种材料领

域的科创型、高成长性企业，提供端到端的数字化运营整体解决方案。以“研发运营一体化、运 营管理指标化”为核心理念的产业数字合伙人，致力于帮助客户将技术创新高效、可靠地转化为 市场成功与可持续增长。汇链科技已成功服务超过 50 家半导体领域的科创企业，产业链数字化 解决方案覆盖率 85%。

中微汇链为国家“星火・链网”半导体骨干节点技术建设单位、中国产业区块链企业 50 强， 并被授予上海市集成电路产业数字化转型“链主”培育服务企业；入选上海市专精特新企业；入选 上海市质量管理数字化转型十佳案例；并参与制定《区块链服务基于区块链的去中心化标识 （DID）技术要求》、《区块链服务数字孪生开发平台技术规范》等多项数字化领域团体标准。

2、生产基地建设 为更好地完善公司的产业链布局，进一步提升公司的产能规模和综合竞争实力，公司在上海 临港新片区建设中微临港产业化基地及中微临港总部和研发中心，在南昌高新区建设中微南昌产 业化基地，在广州建设华南总部研发及生产基地，在成都建设成都研发及生产基地暨西南总部项 目。公司位于南昌的约 14 万平方米的生产和研发基地已于 2023 年 7 月正式投入使用；公司在上 海临港的约 18 万平方米的生产和研发基地已于 2024 年 8 月正式投入使用，临港二期约 20 万平 方米的生产和研发基地拟于 2026 年下半年开工建设；上海临港滴水湖畔约 10 万平方米的总部大 楼暨研发中心已于 2026 年 8 月 1 日举办落成典礼；位于广州的华南总部研发及生产基地总体规 划占地约 130 亩，一期项目占地约 50 亩，主体结构已于 2026 年 7 月封顶，计划 2027 年投产；

成都研发及生产基地暨西南总部一期项目占地约 50 亩，主体结构已于 2026 年 8 月封顶，预计

• 2027 年建成投产，为今后的发展夯实基础。

（图：中微临港总部大楼外景）

3、供应保障方面

公司在需求预测、库存管理和供应商管理三方面建立了动态协调机制，使生产所需的零部件 原材料能够高效流转。公司持续开发关键零部件的供应商，非常重视零部件的国产化工作。公司 建立了高效的库存管控体系，设置合理的库存警戒线，以加快存货周转。随着智能工厂项目和精 益管理的持续推进，人员效率和人均产能将稳步提升，制造成本更富竞争力。同时，公司深入强 化质量管理体系建设，增强员工质量意识，产品质量缺陷数量呈逐年下降态势。

4、营运管理方面 公司在营运管理中采用关键指标管理，尤其在生产管理、材料管理、客户技术支持和设备运

行表现方面设定了一系列的关键考核指标，覆盖了质量、效率、成本和安全等众多方面。公司定 期跟踪各项指标的执行情况，并根据统计结果和客户反馈，制定出关键指标的改进要求。

2026 年，公司获得了多项殊荣，行业认可度不断提升，包括 2025 福布斯中国 ESG50、气候 灯塔制造优秀案例奖、2026 年 ESG 新标杆企业奖入选 2026 ESG 投资价值 Top 100 榜单等。报 告期内，公司营运效率持续提高，设备交付按时率保持在较高水准、物料成本控制等指标达到预 期水平。

5、知识产权保障方面

公司高度重视科技创新和知识产权保护工作。报告期内，公司新增专利申请 145 项，其中发 明专利 113 项。截至 2026 年 6 月 30 日，公司已申请 3837 项专利，其中发明专利 3097 项；已获 授权专利 2418 项，其中发明专利 1925 项。公司鼓励创新，组织开展优秀专利奖项的评选活动， 着重奖励在产品创新方面取得杰出成效的员工。

公司深耕知识产权文化建设，以 4 月 26 日世界知识产权日为契机，在内部通过组织开展包 括知识竞赛、优秀专利评选、圆桌论坛、大咖开讲等系列活动，提高员工的知识产权保护意识， 激发员工对科技创新的信心和热情。

• 6、人才建设方面 公司视员工为最宝贵的资产，致力于为员工提供广阔的职业发展空间，构建专业线、管理线 发展双通道，并设计了针对不同发展阶段，包括从入职、成长到成熟，形式多样的职业规划，拓 展人才发展渠道，无论普通员工，还是高管团队均能获得充分的发展机会。同时，公司践行“五个 十大”的公司文化，打造赋能型、人性化、全员参与式的学习氛围，不断激发员工活力，助力员工 实现自身职业理想，与企业共同成长发展。报告期内，公司进一步拓宽人才吸引渠道，从国内外 吸引了行业经验丰富的管理及技术人才，并从知名院校中挑选了一批优秀的毕业生，公司 2026 年 上半年新入职员工 655 人。公司注重激发组织和员工活力，组织开展多项深入的专题培训、学习 交流活动，涵盖工程技术、战略商务、运营管理、财会金融、人工智能和人才发展六大学习板块， 有力促进培养组织需要的技能，提升组织及人员竞争力，建立学习型组织文化氛围。公司持续优 化人才绩效评估体系及人才晋升机制，使得优势资源更进一步向高绩效员工倾斜。2026 年 4 月 23 日，公司向 3049 名激励对象授予 700 万股限制性股票。公司持续优化人才梯队，为业务可持续发 展提供人才保障。
• 7、外延式发展方面 公司不断践行外延式发展策略，公司下属的中微汇链、中微惠创、芯汇康在新业务拓展领域

取得了良好的进展，得到了市场和用户的认可。2025 年度，公司参与设立智微资本；在 2025 年 认购了上海智微攀峰创业投资合伙企业（有限合伙）、持股 49%的基础上，2026 年拟以 14.7 亿 元认购上海智微凌峰创业投资合伙企业（有限合伙），支持智微资本继续深耕半导体产业链，与 公司业务形成良好的协同效应。

8、内部治理方面 公司建立了较为完善的公司内控制度和公司治理结构，报告期内持续完善公司治理机制，强

化风险管理和内部控制，严格贯彻执行相关制度，切实保障公司和股东的合法权益，为企业持续 健康发展提供坚实基础。

9、信息披露及防范内幕交易方面

公司严格遵守法律法规和监管机构规定，严格执行公司信息披露管理制度，真实、准确、完 整、及时、公平地履行信息披露义务，通过上市公司公告、投资者交流会、业绩说明会、上证 e 互 动、电话、邮件等诸多渠道，与投资者保持有效沟通，并确保信息披露合规。报告期内，公司荣

获 SEMI“杰出半导体设备奖”、证券时报“第十七届中国上市公司投资者关系管理天马奖”等多 个奖项。

公司高度重视内幕交易防范，做好内幕信息知情人登记管理和防范内幕交易工作。对公司董 事、高级管理人员及相关员工定期作出禁止内幕交易的警示及教育，敦促董事、高级管理人员及 相关知情人员严格履行保密义务并严格遵守买卖股票规定。

非企业会计准则财务指标变动情况分析及展望

• □适用 √不适用

报告期内公司经营情况的重大变化，以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未 来会有重大影响的事项

• □适用 √不适用 三、 报告期内核心竞争力分析

(一) 核心竞争力分析 √适用 □不适用

公司主要从事半导体及泛半导体设备的研发、生产和销售，为全球半导体制造商及其相关的 高科技新兴产业公司提供加工设备和工艺技术解决方案，助力他们提升技术水平、提高生产效率、 降低生产成本。公司围绕这一目标，不断加强管理和研发能力，形成了优秀的技术和管理团队， 持续研发创新并推出有技术和市场竞争力的产品。

（一）突出的创始人及技术团队保证公司在高端半导体设备研发和运营的竞争优势 中微公司的创始团队及技术人员拥有国际领先半导体设备公司的从业经验，是国内具有国际

化优势的半导体设备研发和运营团队之一。

中微公司的创始人、董事长及总经理尹志尧博士在半导体芯片和设备产业有超过 40 年的行 业经验，是国际等离子体刻蚀技术发展和产业化的重要推动者之一。中微公司的其他联合创始人、 核心技术人员和重要的技术、工程人员，包括各专业领域的专家，其中很多是在国际半导体设备 产业耕耘数十年，为行业发展做出杰出贡献的资深技术和管理专家。他们在参与创立或后续加入 中微公司后，不断创造新的技术、工艺和设计，为公司产品和技术发展做出了不可替代的贡献。

中微公司以合作共赢的团队精神和全员持股的激励制度，吸引了来自世界各地具有丰富经验 的半导体设备专家，形成了成熟的研发和工程技术团队。截至报告期末，公司共有研发人员 1908 名，占员工总数的 51.85%，涵盖了等离子体物理、射频及微波学、结构化学、微观分子动力学、 光谱及能谱学、真空机械传输等相关学科的专业人员。凭借研发团队多年的努力以及持续不断的 研发投入，公司成功研发了具有市场竞争力的半导体刻蚀设备、薄膜设备及 MOCVD 设备，积累 了丰富的研发和产业化密切结合的经验和雄厚的技术、专利储备。

公司成功打造了一支具有创造力和竞争力的技术和研发团队，有力地保障了公司产品和服务 不断创新改进。

（二）持续高水平的研发投入，依照产业发展提前布局 持续较高水平的研发投入是公司保持核心竞争力的关键。半导体制造对设备的可靠性、稳定

性和一致性提出了极高的要求，半导体设备行业技术门槛较高，行业新进入者需要经过较长时间 的技术积累才能进入该领域。

公司面向世界先进技术前沿，以国际先进的研发理念为依托，专注于高端微观加工设备的自 主研发和创新。公司始终保持大额的研发投入和较高的研发投入占比。公司具有一支技术精湛、 勇于创新的国际化人才研发队伍，形成了良好的企业创新文化，为公司持续创新和研发提供保障 力量。

公司积累了深厚的技术储备和丰富的研发经验，这一优势保证了公司产品和服务的不断进步。 公司拥有多项自主知识产权和核心技术，截至 2026 年 6 月 30 日，公司已申请 3837 项专利，其中 发明专利 3097 项；已获授权专利 2418 项，其中发明专利 1925 项。

在逻辑集成电路制造环节，公司开发的 12 英寸高端刻蚀设备已运用在国际知名客户最先进 的生产线上并用于 3 纳米及以下器件中若干关键步骤的加工；同时，公司根据先进集成电路厂商 的需求持续进行设备开发和工艺优化。在 3D NAND 芯片制造环节，公司的等离子体刻蚀设备已 应用于 128 层及以上的量产，同时公司根据存储器件客户的需求正在开发极高深宽比的刻蚀设备 和工艺；公司也根据逻辑器件客户的需求，正在开发更先进刻蚀应用的设备。公司的 MOCVD 设 备 Prismo A7、Prismo UniMax 能分别实现单腔 34 片 4 英寸和 41 片 4 英寸外延片加工能力。公司 的 Prismo A7 与 Prismo UniMax 设备技术实力突出，已在全球氮化镓基 LED MOCVD 市场中占据 领先地位。公司和诸多一流的 LED 外延片厂商公司紧密合作，实现了产业深度融合。公司开发的 12 英寸低压薄膜沉积设备可以用于先进逻辑电路接触孔填充工艺，以及 128 层及以上 3D NAND 的多个工艺的制程要求，同时公司还致力于更先进逻辑电路的接触孔填充设备和更多层数的存储 器件接触孔和金属互联填充设备的开发和工艺验证。具体在研项目情况详见第三节管理层讨论与 分析部分“三、报告期内核心竞争力分析”中关于核心技术与研发进展部分。

公司高端设备产品和技术处于世界先进水平，产品研发提前布局，符合行业发展趋势。 （三）持续优化营销和服务网络，在产品认证和使用过程与客户形成深度的绑定合作关系积

极打造中微特色的服务优势

经过多年的努力，公司凭借在刻蚀设备及 MOCVD 设备领域的技术和服务优势，产品已成功 进入了海内外半导体制造企业，形成了较强的客户资源优势。

半导体设备制造商的售后服务尤为关键，关系到设备能否在客户生产线上正常、稳定地运行。 随着半导体制造环节向亚洲转移，相较于国际竞争对手，公司在地域上更接近主流客户，能提供 快捷的技术支持和客户维护。

公司良好的产品性能表现以及专业售后服务能力已在业内树立了良好的品牌形象。 （四）持续拓展泛半导体设备产品，扩大产品覆盖优势

公司的设备产品覆盖集成电路、MEMS、LED、平板显示等不同的下游半导体应用市场，具 有不同的周期性，多产品覆盖能够一定程度平抑各细分市场波动对公司业绩带来的影响。

（五）建立全球化采购体系，持续提升公司生产交付的服务水平

公司对于零部件供应商的选择十分慎重，对供应商的工艺经验、技术水平、商业信用进行严 格考核，并对零部件进行严格测试。公司建立了全球化的采购体系，与全球供应商建立了稳定的 合作关系。同时，公司注重零部件的本土化，在国内培育了众多的本土零部件供应企业，有力地 保障了公司产品零部件供应和服务水平的持续提升。

（六）充分发挥员工主观能动性，打造“总能量”和“净能量”最大化的企业文化 公司高度重视企业管理文化建设，经过 20 多年的实践发展，总结出了一套科创企业发展和成

熟必须要遵循的客观规律和经验法则，形成了以“产品开发十大原则”、“战略销售十大准则”、 “营运管理十大章法”、“领导能力十大要点”和“精神文化十大作风”为核心的企业管理与发 展的哲学。中微一直秉承“自强不息，厚德载物”和“攀登勇者，志在巅峰”的企业精神，不断 攀登新的发展高峰，力争使中微成为总能量最大化和净能量也最大化的强大而成功的企业。

(二) 报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施

□适用 √不适用

(三) 核心技术与研发进展

• 1、 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况 公司特别重视核心技术的创新。在开发、设计和制造刻蚀设备、薄膜沉积设备和 MOCVD

等设备的过程中，公司始终强调创新和差异化并保持高强度的研发投入。通过核心技术的创新， 公司的产品已达到国际先进水平。

1、刻蚀设备技术 报告期内，公司紧跟技术发展趋势和客户需求，坚持自主创新，致力于产品的差异化，持续

强化刻蚀设备的技术领先优势。公司在过去的 20 多年着力开发了一个完整系列的 20 多种等离子 体刻蚀设备，并积累了大量的芯片生产线量产数据和客户验证数据。公司 CCP 和 ICP 刻蚀机的 单、双反应台并举策略的优势凸显。同时，公司大力投入先进芯片制造技术中关键刻蚀设备的研 发和验证，目前针对逻辑和存储芯片制造中最关键刻蚀工艺的设备已经在客户的产线上展开验 证。

公司针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升，先进逻 辑器件中段关键刻蚀工艺和先进存储器件的超高深宽比刻蚀工艺实现大规模量产。其中 CCP 方 面，公司用于关键刻蚀工艺的单反应台介质刻蚀产品保持高速增长，60 比 1 超高深宽比介质刻蚀 设备成为国内标配设备，量产指标稳步提升，下一代超高深宽比介质刻蚀设备即将进入市场；ICP 方面，适用于下一代逻辑和存储客户用 ICP 刻蚀设备和化学气相刻蚀设备开发取得了良好进展， 加工的精度和重复性已达到单原子水平。

此外，公司和国内外特殊器件制造客户合作，在先进封装、功率器件、电源管理、微机电系 统等领域不断拓展应用，持续获得订单。公司通过与国际领先客户合作，积极参与新兴器件制造 技术的研发，在虚拟现实技术和医疗诊断有广泛应用前景的超透镜（Metalens）和基于 12 英寸晶

圆的微机电系统制造等方面都取得可喜的进展，公司设备已经在相应的生产线上进行最新技术的 量产。

在不断扩大刻蚀应用市场占有率和提升产品性能的同时，公司致力于建立完整的供应商体系，

非常注重与本土供应商的合作，力争实现以点带面，合作共赢，共同突破。在带动一批本土供应 商成长的同时也极大地助力公司的高速，稳定，健康和安全发展。近年来，公司继续加大供应商 本土化和多元化的投入，在合作的深度和广度上进一步加强，为降本增效和供应链安全提供更加 坚实的保障。

2、薄膜沉积设备技术 公司已经实现多种薄膜沉积设备的高效研发与交付。公司完全自主设计开发的双台机钨系列 设备，生产效率达到业界领先水平，在保证较低的化学品消耗的同时，具有优秀的阶梯覆盖率和 填充能力，能够满足先进存储器件关键字线应用、接触孔填充应用及其他多个关键应用，同时也 可满足先进逻辑应用中钨接触孔应用需求，中微独创的接触孔填充方案能够在 60 比 1 深宽比的 深孔结构中获得国际领先的填充效果。此外，中微开发的金属钨系列在生产稳定性上也表现出了 突出性能，其中原子层沉积金属钨产品晶圆间薄膜均一性达到了小于 1%的水平。公司自主开发 的金属栅系列产品，继承中微独特的双反应台设计，通过中微专利的多级匀气混气设计，基于模 型算法的加热系统设计和可实现高效原子层沉积反应的反应腔流导设计等，具备高输出效率的同 时，产品性能达到国际先进水平，可满足先进逻辑关键金属栅应用需求。公司针对先进逻辑、先 进存储器件推出的金属硅化物集成系统，集成了高选择比前清洁腔室，可以提高器件性能，适配 先进节点需求。中微金属硅化物集成系统采用独特的高频脉冲系统设计，模拟优化的中微专利流 场设计，以及控制优化的多区控温系统设计，可以在小尺寸、高深宽比的复杂结构中实现高质量 填充，适配先进逻辑器件中的源漏接触层，背部供电接触层及三维存储器件中的源漏接触层等关 键应用需求。

EPI 设备方面，公司的减压外延设备已在成熟制程客户端验证成功，也已付运多家先进制程 客户端，部分先进工艺已进入量产验证阶段；常压外延设备现已完成开发，进入晶圆验证阶段。

3、MOCVD 设备技术 公司用于蓝光 LED 的 PRISMO D-Blue、PRISMO A7 两款 MOCVD 设备能分别实现单腔 14

片 4 英寸和单腔 34 片 4 英寸外延片加工能力。公司的 PRISMO A7 设备已在全球氮化镓基 LED MOCVD 市场中占据领先地位。

用于制造深紫外光 LED 的高温 MOCVD 设备 PRISMO HiT3，其反应腔最高工艺温度可达 1400 度，单炉可生长 18 片 2 英寸外延晶片，并可延伸到生长 4 英寸晶片，已在行业领先客户端 用于深紫外 LED 的生产验证并获得重复订单。

用于 Mini-LED 生产的 MOCVD 设备 PRISMO UniMax，具有行业领先的高产能和高灵活性 的特点，在同一系统中可配备多达 4 个反应腔，每个反应腔都可实现独立控制。PRISMO UniMax 配置了 785mm 大直径石墨托盘，可实现同时加工 164 片 4 英寸或 72 片 6 英寸外延晶片，有效提 高产能并降低生产成本；创新的多区辅助加热调节系统，能精确控制托盘局部区域温度，有助于 更大程度上提升 LED 波长均匀性。PRISMO UniMax 已在领先客户端开始进行规模化生产，助力 公司在全球氮化镓基 LED MOCVD 市场中持续占据领先地位。

用于硅基氮化镓功率器件用 MOCVD 设备 PRISMO PD5，具有高灵活性的特点，在同一系统 中可配备多达 4 个反应腔，每个反应腔都可实现独立控制，仅通过更换石墨托盘即可实现 6 英寸 与 8 英寸工艺的便捷切换，PRISMO PD5 设备已在客户生产线上验证通过并获得重复订单。

用于 Micro-LED 生产的 MOCVD 设备 Preciomo Udx，具有高度生产灵活性，在同一系统中最 多可配置两个反应腔，每个反应腔可以独立控制，可同时加工 18 片 6 英寸或者 12 片 8 英寸高性 能氮化镓基蓝绿光 Micro-LED 外延晶片。系统配置了自主开发的基于模型的温控系统，具有优异 的波长均匀性和产出稳定性等优势；设备集成了腔内原位清洁功能，实现长周期免维护连续运行， 结合业界领先的片盒到片盒自动化生产模式，有效降低了 Micro-LED 外延片的颗粒缺陷数。 Preciomo Udx 已在领先客户生产线上验证通过并获得重复订单。

国家科学技术奖项获奖情况

• □适用 √不适用 国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
• □适用 √不适用

2、 报告期内获得的研发成果

具体内容见下表 报告期内获得的知识产权列表

3、 研发投入情况表 单位：元

研发投入总额较上年发生重大变化的原因 √适用 □不适用 报告期内，公司持续进行较高水平的研发投入，以保持公司的核心竞争力。本期研发投入总额 20.41 亿元，较上年同期增长 36.86%，主要由于随着更多研发项目的开展，研发材料投入增加以 及研发人员增加下职工薪酬增长。

公司站在先进制程工艺发展的最前沿，坚持技术的创新、产品的差异化和知识产权保护的基本原 则，坚持原创的设计，和国际领先的半导体客户公司同步前行。公司目前在研项目涵盖六类设 备，超二十款新设备的开发。公司研发新产品的速度显著加快，过去通常需要三到五年开发一款 新设备，现在只需两年或更短时间就能开发出有竞争力的新设备，并顺利进入市场，公司有望在 未来几年更大规模地推出新产品。

研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明 √适用 □不适用 本期研发投入总额 20.41 亿元较上年同期增长 36.86%，其中本期符合资本化条件的研发项目支 出金额 6.89 亿元，本期研发投入资本化比重较上年同期增加 13.02 个百分点，主要由于本期研发 投入较大的研发项目已达到资本化条件。

4、 在研项目情况

√适用 □不适用

单位：亿元

5、 研发人员情况 单位：万元 币种：人民币

6、 其他说明

□适用 √不适用 四、 风险因素 √适用 □不适用

（一）经营风险 1、下游客户扩产不及预期的风险 近年来，芯片晶圆厂和 LED 芯片制造商积极进行扩产。不能排除下游晶圆厂和 LED 芯片制

造商的后续投资不及预期，对相关设备的采购需求减弱，这将影响公司的订单量，进而对公司的 业绩产生不利影响。

2、员工股权激励带来的公司治理风险

作为科技创新型企业，中微公司秉承扁平化的全员股权激励原则，对不同层级员工均给予股 权激励。员工持股计划涉及公司全体员工的个人利益，在员工持股计划限售期届满后，如何实现 员工保持相当的激励水平，对公司的管理能力提出了一定的挑战。如果公司未来未能使员工持股 计划持续作为员工整体薪酬的重要组成部分，将可能导致公司人员流失等治理风险。

3、政府支持与税收优惠政策变动的风险 如果公司未来不能持续获得政府支持或政府支持显著降低，将会对公司经营业绩产生不利影

响。

公司为高新技术企业，报告期内公司享受高新技术企业 15%所得税的优惠税率，如果国家 上述税收优惠政策发生变化，或者公司未能持续获得高新技术企业资质认定，则可能面临因税收 优惠减少或取消而降低盈利的风险。

（二）行业风险 1、供应链风险

近年来，受复杂的国际形势影响，半导体器件供应链持续紧张，公司部分关键零部件和进口 的材料采购周期较长。公司对关键零部件供应商采取多厂商策略支持零部件及时供应。若未来上 游供应链产能紧张形势延续，将对公司设备交期产生不利影响，进而影响公司销售。

2、行业政策变化风险 集成电路产业作为信息产业的基础和核心，是国民经济和社会发展的战略性产业。国家出台

了一系列鼓励政策以推动我国集成电路及其装备制造业的发展，增强产业创新能力和国际竞争 力。若未来国家相关产业政策支持力度减弱，将对公司发展产生一定影响。

3、国际贸易摩擦加剧风险 近年来，国际贸易摩擦不断。公司始终严格遵守中国和其他国家法律，一直保持与相关政府

部门的及时沟通。公司拥有部分海外业务，存在一定的国际贸易摩擦风险。 （三）其他风险 1、知识产权风险 半导体设备行业是典型的技术密集型行业，为了保持技术优势和竞争力，防止技术外泄风

险，已掌握先进技术的半导体设备企业通常会通过申请专利等方式设置较高的进入壁垒。公司一 贯重视自主知识产权的研发，建立了科学的研发体系及知识产权保护体系，但仍不能排除与竞争 对手产生知识产权纠纷，亦不能排除公司的知识产权被侵权，此类知识产权争端将对公司的正常 经营活动产生不利影响。

公司在全球范围内销售产品，在多个国家或地区注册知识产权，但不同国别、不同的法律体 系对知识产权的权利范围的解释和认定存在差异，若引发争议或诉讼将影响业务经营。

此外，产业链上下游供应商与客户的经营也可能受知识产权争议、诉讼等因素影响，进而间 接影响公司正常的生产经营。

2、人才资源风险

关键技术人员是公司生存和发展的关键，也是公司获得持续竞争优势的基础。公司已经通过 全员持股方式，有效提高了关键技术人员和研发团队的忠诚度和凝聚力，但随着国际贸易摩擦不 断、半导体设备行业对专业技术人才的需求与日俱增，人才竞争不断加剧，若公司不能提供更好 的发展平台、更有竞争力的薪酬待遇及良好的研发条件，存在关键技术人员流失的风险。

3、投资风险

针对契合中微公司的中长期发展战略、有发展潜力的标的公司或部门，中微公司计划通过股 权投资、并购等方式进行布局，以拓展公司业务领域，培育新的利润增长点，进一步提升公司防 范市场波动风险的能力，提升公司盈利能力。在进行投资和并购项目实施过程中，将面临投资风 险及并购风险。

（1）投资风险 基于产业支持政策、市场环境和发展趋势，公司经过尽职调查及可行性研究作出项目投资决

策。公司投资项目标的企业在后续发展过程中，可能面临产业政策变化、市场环境变化、产品技

术水平不达预期等诸多不确定因素，可能导致其实际经营表现不达预期，导致投资项目的实际效 益与预期结果存在较大差异，进而对公司利润产生不利影响。

（2）并购风险

公司强调稳健发展，坚持实施内生性增长与外延式并购相结合的发展策略。虽然公司未来并 购时将继续秉承审慎原则，相应制定整合计划，防范并购风险，但若出现宏观经济波动、市场竞 争加剧、地缘政治环境变化、被并购公司业绩低于预期或协同效应未显现等情形，将对公司的经 营业绩产生不利影响。

4、研发投入不足导致技术被赶超或替代的风险 公司所处的半导体设备行业属于技术密集型行业，半导体关键设备的研发涉及等离子体物

理、射频及微波学、结构化学、微观分子动力学、光谱及能谱学、真空机械传输等多种科学技术 及工程领域学科知识的综合应用，具有产品技术升级快、研发投入大、研发周期长、研发风险高 等特点。

国外领先的半导体设备公司均在研发方面投入巨额资金。公司研发投入总额与国外领先的半 导体公司有相当大的差距。如果公司未来研发资金投入不足，不能满足技术升级需要，可能导致 公司技术被赶超或替代的风险，对公司未来的经营业绩产生不利影响。 五、 报告期内主要经营情况

2026 年上半年公司营业收入约 66.91 亿元，较上年同期增加约 17.31 亿元，同比增长约 34.89%。 (一) 主营业务分析

1、 财务报表相关科目变动分析表 单位：元 币种：人民币

营业收入变动原因说明:公司 2026 年上半年营业收入约 66.91 亿元，较上年同期增加约 17.31 亿 元， 同比增长约 34.89%。 营业成本变动原因说明:随公司业务规模的扩大而增长，与公司营业收入规模相匹配。 销售费用变动原因说明:主要系本期股份支付费用增加 4,104 万元，职工薪酬增加 2,256 万元。 管理费用变动原因说明:主要系本期股份支付费用增加 2,862 万元，职工薪酬增加 2,164 万元。 财务费用变动原因说明:主要系本期汇兑净损失增加 3,461 万元。 研发费用变动原因说明:主要系本期职工薪酬较上年同期增加 13,222 万元，股份支付费用较上年 同期增加 7,229 万元。 经营活动产生的现金流量净额变动原因说明:主要系本期销售商品、提供劳务收到的现金较上年 同期增加所致。

投资活动产生的现金流量净额变动原因说明:主要系本期投资支付的现金较上年同期增加所致。 筹资活动产生的现金流量净额变动原因说明:主要系本期吸收投资收到的现金较上年同期增加所 致。

2、 本期公司业务类型、利润构成或利润来源发生重大变动的详细说明

□适用 √不适用

(二) 非主营业务导致利润重大变化的说明 √适用 □不适用 公司本期投资收益为 10.86 亿元，主要包括非流动资产处置产生投资收益 9.91 亿元。该收益不具 有可持续性，公司将其计入非经常性损益。

公司本期公允价值变动收益为 9.92 亿元，主要包括其他非流动金融资产经评估师事务所评估产 生公允价值变动收益 9.92 亿元。该收益不具有可持续性，公司将其计入非经常性损益。

(三) 资产、负债情况分析 √适用 □不适用

• 1、 资产及负债状况 单位：元

其他说明 无

2、 境外资产情况 √适用 □不适用

• (1) 资产规模 其中：境外资产7.78（单位：亿元 币种：人民币），占总资产的比例为2.06%。
• (2) 境外资产占比较高的相关说明

□适用 √不适用

其他说明 无

3、 截至报告期末主要资产受限情况

□适用 √不适用

4、 其他说明

□适用 √不适用

(四) 投资状况分析 1、 对外股权投资总体分析 √适用 □不适用

单位：万元 币种：人民币

(1) 重大的股权投资

□适用 √不适用

(2) 重大的非股权投资

□适用 √不适用

(3) 以公允价值计量的金融资产

√适用 □不适用

单位：元 币种：人民币

证券投资情况 √适用 □不适用

单位：亿元 币种：人民币

衍生品投资情况

□适用 √不适用

(4) 私募股权投资基金投资情况

√适用 □不适用

单位：亿元 币种：人民币

其他说明 无

(五) 重大资产和股权出售

□适用 √不适用

(六) 主要控股参股公司分析 √适用 □不适用

主要子公司及对公司净利润影响达 10%以上的参股公司情况 √适用 □不适用

单位：万元 币种：人民币

报告期内取得和处置子公司的情况 √适用 □不适用

其他说明

• □适用 √不适用

(七) 公司控制的结构化主体情况

• □适用 √不适用

• 六、 其他披露事项
• □适用 √不适用

第四节 公司治理、环境和社会

一、公司董事、高级管理人员和核心技术人员变动情况 √适用 □不适用

公司董事、高级管理人员和核心技术人员变动的情况说明 √适用 □不适用 公司于 2026 年 6 月 29 日召开第三届董事会第十四次会议，审议通过了《关于聘任副总经理的议 案》。详见公司于 2026 年 7 月 1 日在上海证券交易所网站披露的相关公告文件。

公司核心技术人员的认定情况说明

• □适用 √不适用

二、利润分配或资本公积金转增预案 半年度拟定的利润分配预案、公积金转增股本预案

三、公司股权激励计划、员工持股计划或其他员工激励措施的情况及其影响 (一) 相关股权激励事项已在临时公告披露且后续实施无进展或变化的 √适用 □不适用

(二) 临时公告未披露或有后续进展的激励情况 股权激励情况

• □适用 √不适用 其他说明
• □适用 √不适用 员工持股计划情况
• □适用 √不适用 其他激励措施
• □适用 √不适用 四、纳入环境信息依法披露企业名单的上市公司及其主要子公司的环境信息情况
• □适用 √不适用 其他说明
• □适用 √不适用 五、巩固拓展脱贫攻坚成果、乡村振兴等工作具体情况
• □适用 √不适用

第五节 重要事项

一、承诺事项履行情况 (一) 公司实际控制人、股东、关联方、收购人以及公司等承诺相关方在报告期内或持续到报告期内的承诺事项 √适用 □不适用

二、报告期内控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况

• □适用 √不适用 三、违规担保情况
• □适用 √不适用

• 四、半年报审计情况
• □适用 √不适用

五、上年年度报告非标准审计意见涉及事项的变化及处理情况

• □适用 √不适用 六、破产重整相关事项
• □适用 √不适用 七、重大诉讼、仲裁事项
• □本报告期公司有重大诉讼、仲裁事项 √本报告期公司无重大诉讼、仲裁事项

八、上市公司及其董事、高级管理人员、控股股东、实际控制人涉嫌违法违规、受到处罚及整改 情况

• □适用 √不适用 九、报告期内公司及其控股股东、实际控制人诚信状况的说明
• □适用 √不适用 十、重大关联交易 (一) 与日常经营相关的关联交易

1、 已在临时公告披露且后续实施无进展或变化的事项 √适用 □不适用

2、 已在临时公告披露，但有后续实施的进展或变化的事项

□适用 √不适用

3、 临时公告未披露的事项

• □适用 √不适用

(二) 资产收购或股权收购、出售发生的关联交易

• 1、 已在临时公告披露且后续实施无进展或变化的事项

□适用 √不适用

• 2、 已在临时公告披露，但有后续实施的进展或变化的事项

□适用 √不适用

3、 临时公告未披露的事项

□适用 √不适用

4、 涉及业绩约定的，应当披露报告期内的业绩实现情况

□适用 √不适用

(三) 共同对外投资的重大关联交易

• 1、 已在临时公告披露且后续实施无进展或变化的事项 √适用 □不适用

• 2、 已在临时公告披露，但有后续实施的进展或变化的事项

□适用 √不适用

• 3、 临时公告未披露的事项

• □适用 √不适用

(四) 关联债权债务往来

• 1、 已在临时公告披露且后续实施无进展或变化的事项

□适用 √不适用

• 2、 已在临时公告披露，但有后续实施的进展或变化的事项

□适用 √不适用

• 3、 临时公告未披露的事项

• □适用 √不适用

(五) 公司与存在关联关系的财务公司、公司控股财务公司与关联方之间的金融业务

• □适用 √不适用

(六) 其他重大关联交易

• □适用 √不适用

(七) 其他

• □适用 √不适用

• 十一、 重大合同及其履行情况 (一)托管、承包、租赁事项
• □适用 √不适用

(二)报告期内履行的及尚未履行完毕的重大担保情况

□适用 √不适用

(三)其他重大合同

□适用 √不适用

十二、 募集资金使用进展说明 √适用 □不适用 (一)募集资金整体使用情况 √适用 □不适用

单位：万元

其他说明

□适用 √不适用

(二)募投项目明细 √适用 □不适用

• 1、 募集资金明细使用情况

√适用 □不适用

单位：万元

2、 超募资金明细使用情况

√适用 □不适用

单位：万元

3、 报告期内募投项目重新论证的具体情况

• □适用 √不适用

(三)报告期内募投变更或终止情况

• □适用 √不适用

(四)报告期内募集资金使用的其他情况

• 1、 募集资金投资项目先期投入及置换情况

√适用 □不适用

为了保障募投项目“支付现金对价及中介机构费用”的顺利推进，公司在募集资金到位前， 根据募投项目的实际进展情况使用自筹资金进行了预先投入。截至 2026 年 7 月 31 日，公司以自 筹资金预先投入募集资金投资项目“支付现金对价及中介机构费用”的实际投资额为人民币 6,004.51 万元，本次拟使用募集资金置换预先投入金额为人民币 6,004.51 万元。

上述事项已经普华永道中天会计师事务所（特殊普通合伙）出具的《中微半导体设备（上 海）股份有限公司截至 2026 年 7 月 31 日止以自筹资金预先投入募集资金投资项目及支付发行费 用情况报告及鉴证报告》（普华永道中天特审字(2026)第 0892 号）鉴证。

• 2、 用闲置募集资金暂时补充流动资金情况

□适用 √不适用

• 3、 对闲置募集资金进行现金管理，投资相关产品情况

√适用 □不适用

单位：万元 币种：人民币

其他说明 无

• 4、 其他

• □适用 √不适用

(五)中介机构对募集资金存储与使用情况核查异常的相关情况说明

• □适用 √不适用

(六)擅自变更募集资金用途、违规占用募集资金的后续整改情况

• □适用 √不适用

十三、 其他重大事项的说明

• □适用 √不适用

第六节 股份变动及股东情况

一、股本变动情况 (一) 股份变动情况表

• 1、 股份变动情况表 单位：股