公司代码：688766 公司简称：普冉股份

普冉半导体（上海）股份有限公司 2026 年半年度报告

重要提示

一、 本公司董事会及董事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存 在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。

二、 重大风险提示

公司已在本报告中详细阐述经营过程中可能面临的风险及应对措施，有关内容详见第三节“管理 层讨论与分析”，敬请投资者注意阅读。

三、 公司全体董事出席董事会会议。

四、 本半年度报告未经审计。

五、 公司负责人王楠、主管会计工作负责人钱佳美及会计机构负责人（会计主管人员）沈奕声明： 保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。

六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 不涉及 七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项

• □适用 √不适用

八、 前瞻性陈述的风险声明

√适用 □不适用 本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性陈述不构成公司对投资者的实质承诺，敬请投资 者注意投资风险。

九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况 否 十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况 否 十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否 十二、 其他

• □适用 √不适用

目录

第一节 释义.......................................................................................................................................... 4 第二节 公司简介和主要财务指标......................................................................................................8 第三节 管理层讨论与分析................................................................................................................13 第四节 公司治理、环境和社会........................................................................................................47 第五节 重要事项................................................................................................................................ 50 第六节 股份变动及股东情况............................................................................................................75 第七节 债券相关情况........................................................................................................................80 第八节 财务报告................................................................................................................................ 81

第一节 释义

在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：

第二节 公司简介和主要财务指标

一、 公司基本情况

二、 联系人和联系方式

三、 信息披露及备置地点变更情况简介

四、 公司股票/存托凭证简况 (一) 公司股票简况 √适用 □不适用

(二) 公司存托凭证简况

• □适用 √不适用 五、 其他有关资料
• □适用 √不适用 六、 公司主要会计数据和财务指标

(一) 主要会计数据

单位：元 币种：人民币

(二) 主要财务指标

公司主要会计数据和财务指标的说明 √适用 □不适用

• 1、报告期内归属于上市公司股东的净利润同比增加 78,601.25 万元，归属于上市公司股东的扣除 非经常性损益的净利润同比增加 79,790.46 万元。主要变动原因具体如下：

• （1）营业收入增加和毛利增加：

• 1.1 2026 上半年营业收入同比增加 30.53 亿元，增幅 336.67%，主要系 2026 年上半年，受益于全 球 AI 算力建设，存储芯片市场供给格局的有利变化，通用存储芯片产品价格呈上行趋势，叠加公 司“存储+”战略持续落地，MCU、Driver 等模拟新产品在工业控制、AIoT 领域快速放量，相关 产品市场占有率稳步提升，产品结构持续优化，最终带动公司上半年整体营业收入较去年同期实 现大幅增长，同时，公司于 2025 年 11 月通过现金收购方式，控制珠海诺亚长天存储技术有限公

• 司 51%股权，将其 100%全资子公司 Skyhigh Memory Limited（以下简称“SHM”）纳入上市公司 合并范围，其营业收入对本报告期合并报表的营业收入贡献约为 23.46 亿元。
• 1.2 报告期内，由于市场供需变化导致的价格上涨，公司产品毛利率较上年同期有所上升，同时 SHM 的产品为中高端应用的高性能 2D NAND 及衍生存储器，售价及毛利均有较大提升，带动公 司整体毛利率水平呈现明显上升趋势。
• 1.3 结合以上两个因素，本期收入增长及综合毛利率增长双重叠加，整体毛利额同比增加约 17.44 亿元。

• （2）期间费用的增长： 公司持续重视产品研发和下游应用结构的优化，保持高强度的研发投入。报告期内由于项目复杂 度增加，研发人员增加，使得研发费用较上年增加 7,830.79 万元，增幅比例达 53.01%。公司的规 模扩大使得销售、管理支出也有所增加，报告期内销售费用和管理费用分别增加 9,624.27 万元及 6,173.33 万元，增幅分别为 255.47%和 175.89%。
• （3）信用减值损失的计提： 本报告期确认信用减值损失金额同比增加 2,385.38 万元，主要系 SHM 纳入合并范围所致。
• （4）所得税费用的增长 本报告期计提的所得税费用同比增加 1.93 亿元，主要系 SHM 纳入合并范围所致。
• （5）其他收益的减少 本报告期，公司获得的各项属于非经常性损益的政府补助有所减少，导致其他收益减少 1,399.00 万元。

• 2、报告期内经营活动产生的现金流量净额同比增加 9.87 亿元,主要系报告期内：

• （1）收入增加，销售商品、提供劳务收到的现金同比增加 26.28 亿元；
• （2）伴随收入规模扩大，本报告期向上游的采购货款同比增加 14.70 亿元，支付的各项税费同比 增加 3,506.48 万元；
• （3）公司员工人数及人均薪酬显著增长，工资薪金等支付同比增加 9,047.89 万元；
• （4）随着公司规模扩大，本期支付其他与经营活动有关的现金增加 4,255.61 万元，主要系研发活 动和业务活动等支出随企业规模扩大而增加。

• 3、归属于上市公司股东的净资产较上年期末增加 38.26%，主要系本报告期归属于上市公司股东 的净利润实现 8.27 亿所致。总资产较上年期末增加 29.09 亿，增幅达 79.56%，主要系公司业务 规模扩大带动资金及存货上升，同时良好的盈利表现亦进一步增厚了资产总量。
• 4、基本每股收益、稀释每股收益及扣除非经常性损益后的基本每股收益同比增加 5.22 元/股、5.21 元/股和 5.33 元/股，主要系报告期归属于上市公司股东的净利润同比明显增加所致。

七、 境内外会计准则下会计数据差异

□适用 √不适用 八、 非经常性损益项目和金额 √适用 □不适用

单位：元 币种：人民币

对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1 号——非经常性损益》未列举的项目认 定为非经常性损益项目且金额重大的，以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1 号 ——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因

□适用 √不适用 九、 存在股权激励、员工持股计划的公司可选择披露扣除股份支付影响后的净利润 √适用 □不适用

单位：万元 币种：人民币

十、 非企业会计准则业绩指标说明

□适用 √不适用

第三节 管理层讨论与分析

一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明

• 1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛

（1） 公司所处行业

公司主要从事集成电路产品的研发设计和销售，根据中国证监会《上市公司行业分类指引》， 公司所处行业为“C 制造业——C39 计算机、通信和其他电子设备制造业”。根据《国民经济行业 分类（GB/T4754—2017）》，公司所处行业为“6520 集成电路设计”。

（2） 所处行业情况

集成电路行业作为全球信息产业的基础，经历了 60 多年的发展，如今已成为世界电子信息技 术创新的基石。集成电路行业派生出诸如 5G、6G、物联网、智能手机、数字图像、云计算、大数 据、人工智能等诸多具有划时代意义的创新应用，成为现代日常生活中必不可少的组成部分。集 成电路行业主要包括集成电路设计业、制造业和封装测试业，属于资本与技术密集型行业，业内 企业普遍具备较强的技术研发能力、资金实力、客户资源和产业链整合能力。

近年来，得益于技术进步、市场需求增长以及政策扶持等多重因素推动，全球半导体行业呈 现出快速发展的态势。作为现代信息技术产业的核心，半导体在通信、消费电子、工业控制、汽 车电子等领域发挥着不可替代的作用，其重要性日益凸显。随着智能汽车、AI 大模型等新兴场景 的涌现，对存储需求的增长提供了强劲动力。存储技术升级和容量提升将进一步推动行业发展。

本轮存储超级周期主要由 AI 驱动，随着大模型从训练走向推理和 AI 智能体应用的不断涌现，

AI 基础设施产生海量数据存储与高速访问需求。国际头部 IDM 存储大厂优先将产能、扩产资源 及先进工艺布局投向市场空间更广、技术壁垒更高的高端存储产品，大幅挤压了通用消费级内存 及其他存储产品线的产能供给。受到供给和需求双向挤压的作用，本轮存储产品量价齐升。但同 时，也对存储芯片的性能、容量、读写速度、体积、功耗等方面都提出了更高的要求。

中国作为全球最大的半导体市场之一，其半导体产业规模不断扩大，技术水平逐步提升，一 批具有国际竞争力的企业开始逐步崭露头角。尽管如此，在部分高端芯片、关键设备等领域，与 全球领先水平相比，我国仍存在明显差距。为提升中国半导体产业的自主创新能力，实现核心技 术突破，国家出台了一系列扶持政策，国产替代势在必行。国产芯片目前逐步朝着高性能、高效 能演进，市场应用场景多元化、产业竞争格局逐步清晰化等趋势显现。

随着经济的复苏和技术的进步，在政策的持续扶持和市场的推动下，中国半导体行业有望实 现快速发展。我国优秀企业也将努力追赶，不断缩小与国际先进水平的差距，为全球半导体产业 的繁荣作出贡献。

（3） 主要技术门槛

集成电路设计行业是典型的技术密集、知识密集和资本密集型行业，拥有较高的行业准入壁 垒，行业产品具有高度的复杂性和专业性，在电路设计、软件开发等方面对创新型人才的数量和 专业水平均有很高要求。由于国内行业发展时间较短、技术水平较低，高端、专业人才仍然十分 紧缺，和国际顶尖集成电路企业相比，国际市场上主流的集成电路公司大都经历了四十年以上的 发展。国内同行业的厂商仍处于成长的阶段，与国外大厂依然存在技术差距，尤其是制造及封装 测试环节所需的高端技术支持存在明显的短板，目前我国集成电路行业中的部分高端市场仍由国 外企业占据主导地位。因此，产业链上下游的技术水平也在一定程度上限制了我国集成电路设计 行业的发展。

就公司产品涉及的技术来看，存储器芯片产品的标准化程度较高，差异化竞争较小，因此工 艺水平创新和研发技术升级是存储器芯片公司的核心竞争力体现，存储器芯片的工艺水平创新可 以使得公司在优势领域保持领先性。同时，工艺创新及研发技术升级还体现在工艺制程和产品性 能两方面。工艺制程方面，受限于摩尔定律及底层架构技术的应用，向更高制程迭代需要公司在 工艺设计、专利等知识产权、底层架构授权等方面具备坚实的技术储备，而综合芯片设计的研发 周期、不同工艺下的制造周期、产品的市场销售周期等因素，存储产品迭代周期为 3-5 年，这要 求公司在擅长领域持续投入研发；产品性能方面，合格的芯片产品需要在功耗、可靠性、读取速 度、寿命等性能指标满足市场要求，并不断进行指标上的突破和优化，能适用于市场上种类繁多

的各种电子系统，因此芯片设计公司需要具备从芯片工艺、电路、到系统平台等全方位的技术储 备。

行业内的新进入者缺乏先发优势以及客户资源优势，往往需要经历较长一段时间的技术摸索 和积累时期，此外，由于终端客户出于对供应商可持续发展能力及产品平台优势等因素的综合考 量，新进企业需要大力更新竞争优势和创新技术，才能和业内已经占据技术优势的企业相抗衡。 MCU 领域的设计人员需要熟悉各类硬件架构、指令集、接口、协议等，以创建高效、可靠且功

能丰富的 MCU 产品，同时要求其具备深入理解低功耗设计、电磁兼容性、热设计等方面的综合 专业能力。同时，行业考验企业对硬件、软件的开发和设计能力，以及其建立起来的生态环境成 熟度，确保产品能够执行复杂的指令和算法，同时与各类外部设备和系统进行交互，从而在各种 应用场景中能够稳定、高效运行。上述门槛共同构成了 MCU 行业的技术壁垒，需要企业持续投 入研发，积累市场洞察力才能应对。

模拟芯片设计核心门槛集中在电路架构、工艺适配、器件理解、可靠性与人才壁垒。模拟芯 片不依赖先进制程，重在对半导体器件物理特性的深度掌握，需要工程师熟练处理噪声、温漂、 电压扰动、功耗、EMC 电磁兼容等现实问题。不同工艺节点下器件非线性、寄生参数差异大， 设计高度依赖长期流片迭代积累的 IP 与实测数据库，难以简单复制。同时产品对良率、车规/工 业级可靠性标准要求严苛，需要大量可靠性验证。该领域高度依赖资深工程师项目积累与实操经 验，人才培养周期漫长；另外还存在应用场景 know‑how 壁垒，需要结合下游客户场景反复调试 优化，新进入者难以在短时间内实现性能、成本、可靠性三者平衡。

2、公司所处的行业地位分析及其变化情况

（1） NOR Flash 行业 公司是中国大陆主要的 NOR Flash 存储器芯片供应商之一。据 Web-Feet Research 报告显示，

在 2025 年 NOR Flash 市场销售额排名中，公司位列全球第六。2026 年上半年，公司 NOR Flash 产品线同期出货量突破历史新高，出货量超 37 亿颗。

从工艺水平来看，公司作为行业首家采用电荷俘获的 SONOS 工艺设计 NOR Flash 的公司， 充分发挥产品的性价比、体积、功耗、读写速度等优势。在工艺节点上，基于 SONOS 工艺的平台 特点，公司第二代 40nm 制程产品已经成为量产交付主力，实现了升级替代；公司也已经推出第 三代工艺制程 40E 的产品。相对于行业主流的 ETOX 55nm 工艺制程，SONOS 40nm 及以下节点 的 NOR Flash 产品具备更高的芯片集成度、更低的功耗水平，更优的性价比优势，帮助公司保持 了在该行业的领先优势。

从细分市场来看，公司 NOR Flash 产品在 512Kbit~128Mbit 以内的中小容量市场具备竞争优 势，占据较大的市场渗透率。此外，公司基于 ETOX 传统工艺，持续开发 4Mbit~1Gbit 系列产品 的研发设计，目前已经大批量产出货，公司 256Mbit~1Gbit 产品应用于 PC、通讯、服务器等领域， 并持续推进客户拓展。至今为止，公司可以提供基于两种工艺平台的全系列 NOR Flash 产品线， 为客户提供更好的平台化服务。

此外，公司 ETOX 平台最新一代制程已达 4Xnm，实现了 4Mbit~256Mbit 的批量出货，为行 业领先水平。

未来，公司将在全容量范围领域加速布局 NOR Flash 产品，基于原本擅长的消费电子领域， 持续推进 5G、工控、车载电子等更多的高端应用领域，进一步提升公司在 NOR Flash 领域的行业 地位。

（2） EEPROM 行业

公司深耕于 EEPROM 行业，具备丰富的产业经验和深厚的技术积累，在芯片设计上实现了更 高的可靠性以及分区域保护、地址编程等功能。同时，基于对芯片的制造工艺的深度了解，研发 团队在行业主流的 130nm 工艺制程基础上对存储单元结构和操作电压进行了改进和优化，实现 55nm 制程产品量产，降低了公司 EEPROM 芯片面积，提高了产品的成本竞争优势。

近年来公司的 EEPROM 出货量呈现明显的增长。据 Web-Feet Research 报告显示，在 2025 年 EEPROM 市场销售额排名中，公司位列全球第六。2026 年上半年，出货量超 8.7 亿颗。

从应用领域来看，聚辰股份和公司的 EEPROM 主要应用于摄像头模组。多摄像头配置拉动下 游智能终端市场增长，进而带动 EEPROM 市场需求增长，公司现已成为国内外摄像头模组市场中 主要的 EEPROM 供应商，在该领域保持着较强得产品竞争力。

从产品体系来看，公司和国内外竞争对手，产品阵列差别不大。但由于该产品线推出时间较 晚，与各大海外大厂，如意法半导体、安森美等，在汽车电子、工业控制领域的客户资源积累仍 然存在差距，尚未形成具有较强竞争力，仍有进一步提升的空间。报告期内，公司在工控、车规、 商用领域的客户推进均取得了进展。

伴随着公司在海内外市场的业务铺设和开展，以及公司 EEPROM 产品在工业控制及车载电 子领域的大力拓展，公司的 EEPROM 出货量有望持续攀升，公司在 EEPROM 领域的行业地位有 望得到进一步的巩固和提升。

（3） MCU 行业

作为国内领先的非易失性存储器芯片供应商，公司借助设计与工艺的协同优势，在先进逻辑 工艺平台优化嵌入式存储器技术，并构建通用高性能和高可靠性的 MCU 产品平台。公司自主研 发的 IP 使得产品具备芯片尺寸、功耗及读取速度等应用特性优势，以及存储器擦写及数据保持时 间等可靠性优势。同时，公司作为全球极少数掌握工艺技术的 Fabless 厂商，先进工艺开发和演进 能力结合设计优势，构筑了行业领先的成本控制能力和面向通用产品领域的长期竞争力。

公司于 2022 年初向市场全面推出 MCU。截至 2026 年上半年，公司 MCU 产品总出货量已突 破 33 亿颗，实现了市场的快速获取，逐步树立了市场品牌形象，获得了多领域、多客户的认可。

公司通用 MCU 产品采用 M0+及 M4 内核，提供全系列宽电压、工业温度范围 (-40℃~105℃ /125℃)产品，以消费类为主，工业及其他应用功能为辅。通用 MCU 业务涵盖智能硬件、影音、 家电、物联网、个人护理、BLDC 无刷电机（风机及水泵）、BMS、电动自行车、家用医疗、逆 变器、安防、消防、车载后装及汽车电子周边等。后续公司将以消费类应用为基盘，加大工业应 用领域投入和成长，为长期的高端应用市场打下基础。

从行业格局来看，国内 MCU 芯片市场主要被瑞萨电子、恩智浦、意法半导体等国外厂商占 据，从国产化率来看，国产替代仍有较大空间。相较于全球 MCU 市场的格局的区别，国内 MCU 厂商主要集中于消费市场，在工业和汽车电子领域的占比较低，公司目前在工业和汽车电子领域 尚未形成具有较强竞争力的产品，公司产品市场和竞争力仍有较大的拓展机会。

从产品系列和生态环境建设来看，公司对比瑞萨电子、恩智浦、英飞凌、意法半导体等行业 头部厂商依旧有较大差距，公司已持续布局软硬件开发和生态建设投入，未来公司竞争力具备较 大提升空间。

虽然 MCU 市场竞争者较多，但前排的优质企业都具备自身的核心竞争优势，且坚定持续投 入发展。未来，公司将持续进行工艺升级、发挥工艺优势及成本管控优势，提升产品竞争力，以 获取市场份额及行业地位的进一步提升。

（4） VCM Driver 行业

公司作为 VCM Driver 行业的新入局者，依托于产品本身及可协同客户资源，已经实现独立 开环及存储二合一产品的大量出货，主要应用于摄像头模组（CCM），与公司原本的 EEPROM 产 品下游 CCM 领域形成出货协同，可以更好的满足下游终端客户的需求。同时，公司基于存储、模 拟及传感器技术研发 VOIS 和 OIS 光学防抖产品，均已实现批量出货（VOIS 指不带 MCU 的分体 式光学防抖，OIS 指带 MCU 的一体式光学防抖）。VCM Driver 产品线与 EEPROM 深度协同，开 环产品导入多家品牌手机客户，新一代整合型产品简化客户选型；分离式 OIS 产品实现国内领先 的大批量交付。高端产品线同步迭代突破，首款闭环驱动芯片适配折叠屏、潜望摄像头等高端场 景；新一代 OIS 芯片亦实现送样交付。此外，公司还新增了光圈马达驱动（Iris Driver）等国产替 代应用。未来公司将进一步提升工艺制程，持续完善产品线，提高模拟前端性能以实现高端应用 的突破。

从产品体系来看，公司目前的出货主力由入门级的开环产品，逐渐向光学防抖系列升级，但 尚未形成品牌知名度，与韩国动运、罗姆半导体、旭化成、安森美等目前全球市场上的音圈马达 驱动芯片头部厂商具有一定的差距。

公司凭借核心研发团队所具备的模拟设计基因，实现了模拟芯片产品探索的第一步。但公司 在逐步向平台型公司过渡的过程中，和行业模拟公司产品推出的时间、下游客户积累等均存在差 异，后续产品本身及市场导入仍然存在较大提升空间。

（5） 2D NAND 及 MCP 行业

公司于 2025 年 11 月以现金收购方式，实现对 SHM 的间接控股，在 2D NAND 这一重要细 分市场中，SHM 展现出强劲的竞争力与明确的行业地位。依据 TrendForce 等第三方市场调研数 据，在 2025 年全球 SLC NAND Flash 市场中，SHM 已位列全球第三大供应商，仅次于铠侠和华 邦，在该细分领域具备显著的行业影响力。在 MLC NAND 市场中，随着 2025 年三星宣布退出 MLC NAND 的生产，SHM 的产能水平位于全球前列。

从技术与产品化能力来看，SHM 的 2D NAND Flash 产品在存储芯片的平台化开发与客户服 务方面具有丰富经验，这种能力可有效服务于 2D NAND Flash 产品线的拓展与客户定制化需求对 接，提供稳定、多样性存储解决方案。SHM 作为高端供应链整合者与解决方案提供商，体现了其 在质量控制、客户服务及下游渠道拓展方面的强大能力。在工艺节点上，SHM 基于行业领先制程 SLC NAND Flash 产品以及基于先进制程 MLC NAND Flash 的 eMMC 产品已经量产。从细分市场 来看，SHM 的 2D NAND 及其衍生产品凭借其高可靠性和快速读取特性，面向工业及车载领域已 通过全球多家大型客户的平台验证，而公司基于在消费电子等领域积累的坚实基础与客户口碑， 正持续将存储产品向 5G 通信、工业控制、汽车电子等对可靠性、耐久性要求严苛的高端应用领 域推进。这些领域是 2D NAND 的关键需求市场，为公司带来了广阔的增长空间与价值提升。

MCP 模组是 SLC NAND 与 LPDDR 堆叠的多芯片封装产品，把闪存与运行内存封在单颗 BGA 封装内，单颗同时提供存储运行计算能力，从而大幅节省 PCB 面积，缩短 NAND 与 DRAM 之间 信号路径，简化终端硬件设计；产品的信号完整性、高低温老化筛选由 SHM 完成，客户拿到即可 直接使用，降低整机研发工作量。主要应用于车载联网终端、工业网关、便携医疗设备、空间受 限的物联网通信模块、可穿戴设备。

未来，公司在以上产品线领域具备持续向更高性能、更广容量范围产品演进的研发与量产潜 力，这将有助于其不断丰富产品组合，满足多元化市场需求，增强客户黏性。

• 3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势

（1） 新技术

NOR Flash：公司是业界首家创新性采用 SONOS 工艺设计量产 NOR Flash 的厂商，相较传统 的浮栅技术，SONOS 电荷俘获技术在芯片尺寸、功耗、性价比方面具备优势。制程方面，公司第 二代 40nm 制程系列产品已经成为出货主力，显著提升了产品性能和成本效益。报告期内，公司 已经推出第三代 40E 系列产品，保持了公司在行业内的领先优势。容量方面，公司采用创新工艺 SONOS 平台，研发出 256Kbit~128Mbit 全系列产品，体现了公司工艺水平和设计能力的高效融合 能力。公司基于 SONOS 工艺平台，公司研发成功并推出 1.1V 超低电压超低功耗 NOR Flash 产 品，具备宽电压范围，可涵盖 1.2V 和 1.8V 系统，体现了公司在低功耗技术方面基于 SONOS 工 艺平台的持续创新。此外，公司 ETOX 平台最新一代制程平台已达 4Xnm，实现了 4Mbit~256Mbit 的批量出货，为行业领先水平。

EEPROM：制程方面，公司采用 130nm 和 55nm 工艺制程，通过优化存储单元的机构和擦写 电压，有效的缩小了芯片面积，同时在保证可靠性的前提下降低了芯片的单位成本。产品性能方 面，公司在 EEPROM 产品中增加了分区域保护和地址编程等功能，以支持智能手机的不同摄像头 参数和同一摄像头不同参数的有效管理。此外，公司 EEPROM 产品 P24/P25C 系列满足 1000 万 次擦写寿命，100 年数据保存的高可靠性要求，其产品性能达到业界领先水平。MCU：发挥公司 深厚的存储芯片设计经验，公司利用先进的逻辑工艺平台优化嵌入式存储器技术，构建了通用高 性能和高可靠性的 MCU 产品平台。这一自研 Flash IP 使得公司产品在性价比、低功耗、体积等方 面可以延续存储器的特异性优势，构建了公司在 MCU 领域的竞争壁垒。同时，公司的 MCU 产品 在设计时考虑到电磁兼容性（EMC），确保了产品在各种电磁环境下都能稳定运行。此外，通过 优化电路布局和使用专门的保护器件，公司 MCU 产品能够有效的抑制外部干扰，保持数据完整 性和系统稳定性。

VCM Driver：公司依托大尺寸晶圆及工艺的配合，优化了单颗芯片成本。目前产品已成功导 入多家手机大客户并量产。在支持的马达类型上，产品基于悬丝弹片马达，增加了双层滚珠、单 层滚珠、滑杆、潜望式棱镜等多个中高端马达类型的项目验证。基于原本的开环、OIS，今年公司 新增了闭环及光圈马达驱动（Iris Driver）等国产替代应用。未来公司将进一步提升工艺技术，持 续完善产品线，提高模拟前端性能以实现高端应用的突破。

2D NAND Flash 及 MCP：公司能够针对不同主控平台和应用场景（如汽车电子、工业控制）

对存储进行深度定制化调优。这包括优化读写速度、提升数据可靠性与耐久性、增强错误校验与 管理能力，从而在系统层面实现超越标准芯片规格的性能与稳定性。并购带来的封装模组设计能 力，使公司能够根据不同客户的尺寸、散热和可靠性要求，提供定制化的存储模组解决方案。通 过采用更先进的封装形式，可以在物理层面提升产品集成度、抗干扰能力和环境适应性，满足高 可靠应用领域的苛刻要求。获取的工程测试经验，使公司能够建立更为严苛的专属测试流程与质 量标准。这不仅保障了模组产品的高良率与一致性，更重要的是，能够为客户提供基于实际应用 场景的完整可靠性数据与认证支持，构建了在质量与信任上的重要技术壁垒。公司的新技术体系 完成了从“芯片设计”到“芯片设计+系统级工程实现”的闭环。这使得公司的“存储+”战略能 够以更完整、更可靠的形态落地，为 MCU 等核心产品提供经过深度验证和优化的存储搭档，共 同构成更具市场竞争力的系统级解决方案。

（2） 新产业 随着物联网、5G 通信、人工智能新兴技术的快速发展。公司积极布局下游相关产业，拓展产

品应用领域。公司的存储和 MCU 等芯片均为通用芯片，在各类智能电子领域，如智能家居、可 穿戴设备、工业自动化、汽车电子、服务器、基站、光模块等领域，均得到了广泛应用。

公司 NOR Flash 大容量产品将推广和应用于智能音频/音响、传统/AI 服务器、新能源车智能 驾驶、ADAS 系统、中央域控等场景，为公司在存储器市场打开了新的成长空间。公司大容量 NOR Flash 和 2D NAND 产品凭借其高可靠性和快速读取特性，正重点拓展至 5G 通信基站、汽车智能 座舱与车载控制单元、工业自动化控制器以及边缘 AI 设备等新兴市场。未来，随着这些领域智能 化程度的提升，对底层硬件中可靠、小容量代码存储的需求持续增长，可为公司打开更广阔的成 长空间。

随着 AI 软件升级，智能化程度提高，智能终端渗透率提高，终端设备出货量也将相应的大幅 增长，同时将带动上游电子硬件用量的大幅增加。未来随着 AI 硬件的智能化兴起，公司出货量及 容量等级均会有一定量级的提升。

（3） 新业态 公司积极响应数字化转型和智能化升级的驱动，利用大数据、智慧系统等现代信息技术，优

化研发、管理、销售、财务等各个环节，不仅提高了公司的运营效率，也为客户提供了更加及时、 准确的服务反馈，从而推动新业态形成。

其次，公司注重与产业链上下游企业合作，支持国产合作伙伴的自主发展，共同打造产业生 态圈。通过与上游代工厂共同优化工艺平台、产线，与国产 EDA 厂共同打磨 EDA 工具、在生产 过程中引入国产设备等，提高了公司的综合竞争力和自主创新能力，也为行业做出贡献。

2025 年度，公司收购诺亚长天从而间接控股 SHM，是公司构筑“新业态”的关键战略举措。通 过整合 SHM 公司在固件算法与封装模组等工程能力的深厚积累，公司实现了从存储芯片设计供 应商，向提供一体化存储解决方案及软硬件协同平台的形态升级。

通过本次并购，公司业务形态的纵向深化，能够基于对底层介质（如 SLC NAND）的深刻理 解，通过自研固件算法优化性能、可靠性与寿命，并结合定制化封装设计，为客户提供高集成度、 高可靠性的存储模组。提升产品附加值与客户黏性。同时，使得组织能力横向扩展，并购带来了 关键的固件开发与系统集成团队，使公司内部形成了“芯片设计-固件算法-硬件封装”的完整能力 闭环。这种组织融合让公司能更高效地响应汽车电子、工业控制等领域对存储子系统苛刻的定制 化需求。公司凭借此次整合，能够像行业领先的模组厂商一样，直接为终端客户提供经过验证的 存储解决方案，显著缩短客户产品开发周期。这强化了公司在产业链中的主导地位，与公司原有 产品线、销售渠道、客户资源等形成更深层次的协同，共同构建开放共赢的产业生态圈。此次并 购不仅是技术的补充，更是驱动公司整体业态向更高价值环节演进的核心动力。

（4） 新模式 “存储+”战略构建平台发展新模式：公司基于原本的存储战略产品条线，扩展存储+战略，

新增的 MCU 及模拟产品条线扩展了公司原本的产品线，可以为客户提供更加全面的产品组合选 择。同时，MCU 不同于原本的存储器产品，在芯片硬件的基础上，还需要对软件等方面的设计， 以及生态方面的建设投入持续性力量。

公司的存储器产品采用直销+经销相结合的方式。公司推出 MCU 产品后，和下游方案设计商 保持良好的合作关系，基于公司性能过硬的产品，借助方案设计上的软件设计能力，相互协同，

软硬结合，为下游客户提供完整的产品方案。后随着公司团队的不断完善，软件设计团队、FAE 团队的不断扩充，目前可以为客户提供完备的应用解决方案。

此外，公司自主开发 KEIL/IAR/GCC 等工具驱动文件及开发板、PY-LINK 等，且与多家烧录 器厂商紧密合作，为客户提供多种烧录选择。公司还提供完整的 HAL/LL 库文件及相应的例程、 使用手册、数据手册、参考手册、应用文档等技术资料，给予客户全面的软硬件支持及配套资料， 使得公司的 MCU 潜力可以被开发者充分挖掘，从而高效快速地推进项目，加速客户产品开发周 期。

SHM 的加入，在公司原本的存储、“存储+”双战略外，进一步拓展了公司的“存储 X”战略。

公司同样为相关产品提供了完善的技术支持与开发生态，包括详尽的硬件设计参考、可靠性测试 报告及烧录解决方案，与下游方案商紧密合作，共同为客户缩短开发周期，构建了以可靠存储为 核心、软硬件协同的产品平台新模式，其核心在于通过垂直整合创造独特客户价值，使公司从产 业链的中间环节，迈向能够定义产品标准、输出整体能力的关键主导者。

（二）主营业务情况

公司的主营业务是非易失性存储器芯片及基于存储芯片的衍生芯片的设计与销售，致力于提 供高性能、高可靠性芯片产品及解决方案，公司聚焦于存储器芯片及基于存储芯片的衍生芯片两 大产品方向，目前主要产品包括：NOR Flash、EEPROM、面向中高端 2D NAND 及其衍生存储芯 片、MCU 以及模拟产品。其中非易失性存储器芯片及其衍生产品属于通用型芯片，可广泛应用于 手机、计算机、网络通信、家电、工业控制、汽车电子、可穿戴设备和物联网等领域。例如，根 据存储需求的不同，公司的 NOR Flash 产品应用于低功耗蓝牙模块、TWS 蓝牙耳机、手机触控和 指纹、TDDI（触屏）、AMOLED（有源矩阵有机发光二极体面板）、可穿戴设备、车载导航和安全 芯片等领域。EEPROM 产品应用于摄像头模组（含手机、笔电和新能源车及传统汽车、3D）、智 能仪表、工业控制、汽车电子、网络通信、家电等领域。SLC NAND Flash、eMMC 及 MCP 等产 品应用于可穿戴设备、通讯设备、安防监控、工业控制、汽车电子等领域。微控制芯片（Micro Control Unit，简称 MCU）主要为基于 ARM Cortex-M 系列 32 位通用 MCU 产品，可广泛应用于智能家 电、可穿戴设备、物联网、计算机网络、玩具、安防等消费类及各类工业控制、车载领域；模拟 产品的第一个产品系列为音圈马达驱动芯片（Voice Coil Motor Driver，简称 VCM Driver），目前 提供开环、闭环驱动以及光学防抖等芯片产品，主要应用于摄像头模组（含手机和非手机），公司 基于存储、模拟及传感器技术的积累和延展，持续研发推出面向更高端客户需求的音圈马达驱动 芯片产品。

公司团队在非易失性存储器芯片领域深耕多年，凭借其低功耗、高可靠性的产品优势，在下 游客户处积累了良好的品牌认可度，成为了国内 NOR Flash 和 EEPROM 的主要供应商之一。在 此基础上，公司实施“存储+”战略，积极拓展微控制器及模拟芯片领域，依托公司在存储领域的工 艺、技术优势和平台资源，实现向更高附加值领域和更多元化的市场拓展。

2025 年下半年度，公司通过收购诺亚长天公司部分股权实现对 SkyHigh Memory Limited 的间 接控股，通过此次产业并购，公司新增“存储 X”战略条线，不仅扩充了存储器芯片领域的产品 线、充实了相关技术储备，更进一步增强了自身在存储器芯片领域的全球战略布局。与此同时， 公司持续推进海外业务布局，实现了在日本、韩国、美国等多家的知名大客户导入，产品应用领 域涵盖消费、工控、光伏及车载，增强了在全球市场的影响力。

 主要产品或服务情况 1、 存储系列芯片 报告期内，公司实现存储系列芯片营业收入 12.84 亿元，同比上升 90.79%。 存储系列芯片应用领域如下图所示：

（1） NOR Flash 产品

NOR Flash 具备随机存储、读取速度快、芯片内执行（XIP）等特点。作为数据读取和存储的 重要器件，其主要功能是数据的存储和读取，同时实现开机启动等固定运行的程序。由于 NOR Flash 不必把应用程序代码读到系统 RAM 中即可直接运行，使得 NOR Flash 在运行程序时优势更 显著，适用于开机响应时间、可靠性等要求较高的电子设备。基于 NOR Flash 上述应用特点及性 价比优势，其被广泛应用于手机，电脑，可穿戴等消费类电子、汽车电子、安防、工控、基站、 物联网设备等其他领域。

公司 NOR Flash 产品采用电荷俘获（SONOS）及浮栅（ETOX）工艺结构，提供了 512Kbit 到 1Gbit 容量的系列产品，覆盖 1.1V-3.6V 的操作电压区间，具备低功耗、高可靠性、快速擦除和快 速读取的优异性能，公司 NOR Flash 产品应用领域集中在蓝牙、IOT、BLE、AMOLED、工业控 制等相关市场。目前公司 40nm SONOS 工艺制程下 4Mbit 到 128Mbit 容量的全系列产品均已实现 量产，处于行业内领先技术水平。公司 40nm 工艺节点已成为公司 SONOS 工艺结构下 NOR Flash 产品的主要工艺节点，能够进一步提高公司产品的成本优势，同时更好的满足下游应用的面积需 求。公司 SONOS 工艺的第三代 40E 系列产品 4Mbit~16Mbit 小容量系列已实现批量出货； 32Mbit~128Mbit 容量系列将于今年完成开发，该平台系列将继续助力公司保持行业领先的成本优 势。

图：公司 NOR Flash 产品

此外，公司也并行采用浮栅（ETOX）工艺结构，提供以中大容量为主、中小容量为辅的系列 产品，目前 55nm 及 50nm 制程实现了 4Mbit~1Gbit 全容量系列产品量产出货。报告期内，公司 4Xnm 4Mbit~256Mbit 产品均已量产出货，应用于 IPC、CAT1（LTE UE‑Category 1，智能网联终 端）等领域。同时，公司 ETOX 工艺平台 1.65V~3.6V 宽压系列已完成部分容量产品的量产； 256Mbit~1Gbit 大容量产品已交付了部分工控、通讯、PC、服务器等客户。未来将继续通过工艺研

发和设计创新实现产品完备化，实现公司在大容量市场的快速导入，持续提升公司在 NOR Flash 领域的市场占有率。

公司中小容量 SONOS NOR Flash 车载产品已陆续完成 AEC-Q100 认证，主要应用于部分品 牌车型的前装车载导航、中控娱乐等。同时，公司全容量 ETOX NOR Flash 系列产品通过 AECQ100 车规认证，为公司在汽车电子领域的进一步发展奠定了坚实的基础，打开了更加广阔的市场 空间。

公司推出的超低电压超低功耗新一代 SPI NOR Flash 系列新产品，支持 1.1V 电源系统，同时 具备宽电压范围，可涵盖 1.2V 和 1.8V 系统，该产品系列计划覆盖 4Mbit-128Mbit 的容量区间， 应用于基于嵌入式 SoC、手持移动应用、多媒体信息处理等场景中，能显著降低运行功耗，有效 延长设备的续航时间。同时，在 NOR Flash 多款产品封装可靠性上进一步优化，可为客户提供更 高可靠性的产品品类。

（2） EEPROM 产品 EEPROM 是一类通用型的非易失性存储器芯片，在断电情况下仍能保留所存储的数据信息，

可以在计算机或专用设备上擦除已有信息重新编程，可擦写次数至少 100 万次，数据保存时间超 过 100 年。该类产品相较于 NOR Flash 的容量更小、擦写次数高，因此适用于各类电子设备的小 容量数据存储和反复擦写的需求，广泛应用于智能手机摄像头、工业控制、汽车电子、液晶面板、 蓝牙模块、通讯、计算机及周边、医疗仪器、白色家电等领域。

公司已形成覆盖 2Kbit 到 2Mbit 容量的 EEPROM 产品系列，操作电压覆盖 1.2V-5.5V，主要 采用 130nm 工艺制程，具有高可靠性、体积小、性价比高等优势，同时实现了分区域保护、地 址编程等功能，可对芯片中存储的参数数据进行保护，避免数据丢失和篡改，可擦写次数可达到 400 万次，数据保持时间可达 200 年。公司部分中大容量产品采用 55nm 工艺制程并已实现量 产，公司 EEPROM 产品 P24C/P25C 系列满足 1000 万次擦写寿命，100 年数据保存的高可靠性要 求。

公司持续推进 EEPROM 产品在工业控制和车载领域的应用，工业控制上应用占比显著提升，

对稳定公司毛利率起到一定作用；报告期内，公司拓展了该产品线的海外供应链。同时，公司车 载产品完成 AEC-Q100 Grade1 标准的全面考核，在车身摄像头、车载中控、娱乐系统等应用上实 现了海内外客户的批量交付，同时完成了多家国内 Tier1 厂商的认证，汽车电子产品营收占比有 所提升；同时公司持续推进 EEPROM 产品全系列的车规认证。

公司超大容量 EEPROM 系列产品，支持 SPI/I2C 接口和最大 2Mbit 容量，其中 2Mbit 产品批 量用于高速宽带通信和数据中心。

与此同时，公司推出的超低电压 1.2V 系列 EEPROM 已实现量产出货，涵盖 32Kbit 至 512Kbit， 是目前行业内工艺节点领先和容量覆盖面较为完备的超低电压产品线。

报告期内，公司 EEPROM 产品线重要组成部分 SPD（Serial Presence Detect，串行存在检测， 一种访问内存模块有关信息的标准化方式）产品线批量出货，已成功导入重点大客户。该系列主 要产品为 SPD 及 TS（Temperature Sensor，温度传感器），具有高可靠性特点，能够满足相关应 用场景对数据保存的较高要求，主要配套新一代 DDR5 内存条，应用于计算机和服务器内存条， 可存储内存条相关信息，如内存的容量、速度、电压等，帮助计算机系统正确识别和配置内存， 确保内存正常工作。后续产品推广速度将一定程度受益于 DDR5 内存模组渗透率的提升。

2、 “存储 X”系列芯片 报告期内，公司实现“存储 X”系列芯片营业收入 23.46 亿元。 （1）SLC NAND Flash 产品

SLC NAND Flash（单层单元闪存）是一种高可靠性、高性能的闪存存储器，其每个存储单元 仅存储 1bit 数据，凭借这一简洁的存储结构，SLC NAND Flash 具备读写速度快、擦写寿命长、 数据稳定性强、抗干扰能力优异等显著优势。作为高可靠性的数据存储载体，它主要承担高频次 读写、高安全性要求的数据存储任务，可快速完成数据的写入、读取与擦除操作。由于无需频繁 进行数据纠错与磨损均衡的复杂调度，SLC NAND Flash 常被应用于工业控制、汽车电子、网络通 信、嵌入式系统及高端物联网设备等领域，同时也被应用于部分高端消费电子的数据存储模块， 为设备的高效运行提供坚实的存储支撑。

公司于 2025 年 11 月通过现金收购诺亚长天部分股权实现对 SkyHigh Memory Limited 的间接 控股。SHM 提供中高端应用的高性能 2D NAND 及衍生存储器（SLC NAND，eMMC，MCP）产 品及方案，其 SLC NAND Flash 产品以高可靠、宽温、长寿命为核心优势，覆盖并行与串行两大 接口，容量覆盖 1Gbit–16Gbit，适配工业、汽车、通信等对稳定性要求严苛的场景，满足 AEC‑Q100 与+105℃高温运行需求。公司 SLC NAND Flash 同时布局多代际工艺产品线，紧凑封装设计更好 满足下游嵌入式设备的空间需求，凭借成熟工艺保障长期稳定供应。目前，公司产品已通过全球 多家大型客户的平台验证，未来将继续通过工艺迭代和方案创新完善产品矩阵，持续提升在高端 消费、工业与车规 SLC NAND 领域的市场占有率。

（2）eMMC 产品 eMMC（嵌入式多媒体卡）是一种集成化的非易失性存储方案。它将 MLC NAND Flash 存储

芯片与控制芯片封装在同一模组内，适合在各类安卓系统的嵌入式设备。具备集成度高、体积小、 功耗低的特点，适配嵌入式设备的紧凑设计需求，主要承担系统存储和数据存储功能，广泛应用 于手机、平板、智能电视、车载中控等消费电子与嵌入式终端。

SHM 提供高性能 eMMC 产品及方案，其 eMMC 延续了公司在高可靠性存储领域的技术积 累，以工业级与车规级标准为核心设计导向，具备宽温操作、强抗干扰、长久数据保持与高耐用 性等突出优势。产品支持 eMMC 5.1 及以上协议标准，容量覆盖从 2GB 至 64GB，可灵活适配不 同系统对存储空间与性能的需求。在工艺与封装方面，SHM 的 eMMC 覆盖先进制程，采用先进 的控制器设计与稳定的 MLC NAND Flash 存储芯片，结合紧凑型封装技术，在有限空间内实现高 容量存储，满足嵌入式设备对结构轻量化与模块化的要求。

SHM 将持续推进 eMMC 产品在容量、速度与安全功能上的迭代升级，积极布局大容量、高 性能且具备硬件加密、安全启动等增强功能的产品系列，加快其在车载信息系统、工业自动化、 智能物联网、边缘计算设备以及高端消费电子等领域的市场渗透。目前，SHM 的 eMMC 已通过 多家主流客户的严格平台验证。公司将继续依托工艺进步与系统级方案创新，不断完善存储产品 矩阵，巩固并在工业与汽车存储市场中提升竞争力与占有率。

（3）MCP 产品 MCP（多芯片封装）是一种芯片封装技术。它将 SLC NAND Flash 和低功耗 DRAM 集成在一

个封装体内。其特点是大幅缩小占用空间、简化设备电路设计、提升数据传输效率，主要适配于 物联网模组等对空间要求严苛的产品，是实现设备小型化、轻薄化的重要技术。

SHM 的 MCP 以工业级与车规级可靠性为根基，将高耐久、宽温幅、长寿命的 SLC NAND 闪 存与经过优化匹配的低功耗 DRAM 进行系统化整合。产品具备优异的抗振动、抗干扰能力与长期 数据保持特性，能够在复杂的电磁环境及-40℃至+105℃的宽温度范围内稳定工作，为关键应用提 供坚固的存储核心。

产品容量组合灵活多样，可提供灵活配置的 NAND（如 8Gb 至 16Gb）与 DRAM（如 8Gb 至 16Gb LPDDR4x），以满足从轻量级物联网模块到高性能车载信息娱乐系统等不同层次的应用需 求。

未来，SHM 将持续推进 MCP 产品在容量提升、功耗优化及安全强化等方面的迭代，并通过 与主控平台的深度适配，进一步巩固其在高端嵌入式存储领域的综合供应能力与市场地位。

3、 “存储+”系列芯片 报告期内，公司实现“存储+”系列芯片营业收入 3.29 亿元，同比上升 41.20%。 “存储+”系列芯片应用领域如下图所示：

（1） MCU 产品

MCU 是微控制单元，又称单片机，是把 CPU（中央处理器）的频率与规格做适当缩减，并将 内存、计数器、USB、A/D 转换、DMA 等周边接口，甚至包括 TFT、LCD、LED 驱动电路等整合 在单一芯片上形成的芯片级计算机，可广泛应用于各类消费电子产品，如智能可穿戴设备、电机 与电池、传感器信号处理、家电控制、计算机网络、通信、工业控制、汽车电子等应用领域。

公司基于领先工艺和超低功耗与高集成度自有设计的存储器优势，布局 ARM Cortex-M 内核 系列 32 位通用型 MCU 产品。截止 2026 年 6 月 30 日，公司已成功量产基于 M0+和 M4 内核的五 大产品系列、超三百款 MCU 产品，覆盖 55nm、40nm 工艺制程，产品支持 24 MHz~176 MHz 主 频、12KByte~512KByte Flash 存储容量、USB/CAN/SDIO/Ethernet 等主流接口，以及 8~100Pin 的 多种封装形式，形成宽电压、低功耗、-40℃~105℃/125℃宽温度范围等高质量、高可靠性、高性 价比通用产品矩阵。通用型 MCU 产品主要应用于智能家居、小家电、白电、BMS、无人机、电 机驱动、工业及健康管理等各场景应用领域，国产替代趋势下持续导入空间较大。

同时，公司通过持续扩充 MCU 研发、芯片测试、方案开发、应用支持及市场业务人员团队，

大力推进 MCU 完整生态建设。公司持续和 KEIL、IAR 等生态伙伴深入合作，为客户提供 PY32 全系列 MCU 的开发环境和编译器支持；升级了自带仿真功能的新版 Starkit 开发板，便捷了工程 师调试及客户的应用；推出了 PY Studio 上位机开发工具及 Flythings 图形化代码生成工具，可以 一键生成代码，加快开发者开发进度；完成了 PY32 系列烧录器的开发，为客户提供高品质的烧 写服务；同时开发了各类先进的电机方案并量产；公司网站也进行了全面的产品及技术支持内容 相关升级，旨在提升客户实用性及用户感受。

报告期内，公司从功能开发、性能升级、使用场景多样化、封装形式全覆盖等多个角度持续 拓展 MCU 产品系列，并逐步导入消费电子、家用电器、工业控制等众多下游应用终端中，具体 如下：

• 1） 公司基于空调、洗衣机、冰箱等白电的变频、电机、主控及触摸、HMI 显示等多模块推

出对应系列产品。报告期内，对应领域 M0+和 M4 内核的多系列 MCU 已成功量产，主频覆盖 24MHz~176MHz，支持多种封装形式，应用场景包括家电主控，触摸控制、变频电机及压缩机、 PFC、旋钮屏和双变频等高端场景；

• 2） 公司在电机专用 MCU 领域已构建完整的产品矩阵，其系列芯片支持 48~144MHz 主频，

在电机控制应用方面，公司 MCU 已实现单芯片集成预驱+控制方案，支持 BLDC/PMSM 电机的 无感 FOC 控制算法，广泛应用于风机、水泵、电动工具等场景。特别开发的 PY32MD 系列专用 MCU 内置三相半桥栅极驱动器，集成运放和比较器，可显著减少外围器件数量，降低系统 BOM 成本 30%以上。目前该系列产品已通过工业级可靠性验证，并逐步向车规级应用拓展，满足从家 电电机到工业伺服系统的多样化需求；

• 3） 公司基于 ARM Cortex-M4 内核的 MCU 产品目前已有超 30 颗料号量产出货，主频高达

176MHz，涵盖主流通用 M4 内核 MCU 应用。其中，高性价比 PY32F410 系列具备丰富的软件资 源，支持 OTA 时边读边写。产品受到舞台灯（多 PWM）、电机控制、手持云台、雷达、TFT 屏幕 驱动、游戏手柄等诸多应用领域客户认可，已进入小米、美的、云鲸等品牌客户供应链体系，协 助客户实现低成本、高性能控制；

• 4） 公司基于 ARM Cortex-M0+内核的 MCU 产品在取得大批量量产和众多客户认可的基础

上，持续迭代，不断推出高性价比，低功耗产品系列。目前 M0+系列 MCU 已涵盖从 24MHz 到 72MHz 主频，从 12KByte 到 256KByte 片内 Flash，从 5pin 到 64pin，超 200 个产品，为客户需求 提供精准匹配，在消费、工业、家电市场均实现大批量稳定供货。

（2） 模拟产品 VCM Driver 芯片 音圈马达（VCM）是摄像头模组内用于推动镜头移动进行自动聚焦的装置，音圈马达驱动芯

片（VCM Driver）为与音圈马达匹配的驱动芯片，主要用于控制音圈马达来实现自动聚焦功能。 目前，开环式、闭环式、光学防抖式是音圈马达驱动芯片最为常见的三类产品，主要应用于摄像 头模组领域。

公司目前多款开环的音圈马达驱动芯片产品均已量产出货，成功导入多家品牌手机客户，市 场份额显著提升。该系列产品可有效降低产品功耗，缩小芯片面积，以顺应各类智能终端轻薄化 的发展趋势。公司推出新一代开环驱动产品，整合底置、中置等多颗料号，简化客户选型流程， 实现产品型号高效适配。同时，公司实现第二代分离式 OIS 芯片大批量量产和交付，成为进口替 代主力。公司还推出面向主摄长焦及潜望镜头的新一代 OIS（光学防抖音圈马达驱动）芯片，现 已实现规模化大批量量产。此外，公司规划推出适配长焦相机、Vlog 相机等终端的 OIS 芯片，以 满足长行程、防抖、高清成像等更严苛的产品需求。报告期内，公司推出首款闭环驱动芯片，可 满足大行程应用需求，适配折叠屏、潜望式摄像头等高端应用场景。此外，公司还新增了光圈马 达驱动（Iris Driver）等国产替代应用。

公司 VCM Driver 产品能与 EEPROM 产品形成良好的协同效应，提升公司在摄像头模组领 域的竞争优势和市场占有率。未来公司将进一步提升工艺制程，持续完善产品线，提高模拟前端 性能以实现高端应用的突破。

新增重要非主营业务情况

□适用 √不适用

二、 经营情况的讨论与分析

公司秉承“普冉之芯，造福世界”的愿景，始终坚持“持续创新、卓越品质、恒久伙伴、信守承 诺”的核心价值观，专注于集成电路设计领域的科技创新。围绕非易失存储器领域，以先进工艺低 功耗 NOR Flash 和高可靠性 EEPROM 为核心，完善和优化产品，满足客户对高性能存储器需求， 实现对工业和车载应用的支持。在立足于存储芯片领域的基础上，实施基于先进工艺和存储器优 势的“存储+”战略，积极拓展通用微控制器和存储结合模拟的全新产品线。还通过外延并购的方式， 成功纳入 SkyHigh Memory，完善公司第三条战略路线“存储 X”，进一步强化公司在存储领域的 技术实力和市场竞争力。现将 2026 年上半年公司的整体经营情况总结报告如下：

(一)经营生产方面

2026 年上半年，公司所处的半导体设计行业景气度持续上行，公司加速导入新品，新增客户 及市场渗透率逐步显现。受益于 AI 算力建设，海内外头部大厂产能持续被高端产品线挤占，行业 供需格局持续偏紧，带动公司核心产品价格稳步抬升。基于行业格局头部化、集中化趋势显现的 重要时间窗口，公司把握导入窗口和契机，加大市场拓展力度，同时根据客户需求及时进行技术 和产品创新，持续丰富和优化产品品类和结构，公司第二季度单季度营业收入及半年度营业收入 均达到成立以来的新高。

此外，公司合并诺亚长天 51%股权，并于 2025 年 11 月完成交割。自 2025 年初以来，海外存 储头部厂商陆续退出 2D NAND 市场，行业供需缺口变大，产品价格上涨，业绩向上弹性强，为 公司 2026 年上半年营收和利润带来一定程度贡献。

在产品线布局方面，随着公司近年持续高投入的研发项目逐步落地，如大容量 NOR Flash、 M0+ MCU、M4 MCU、Driver 等逐步放量，公司快速把握新增市场机遇，提高新产品市场渗透率，

市场地位和竞争优势进一步提高。报告期内，公司实现营业总收入 39.59 亿元，较上年同期增加 336.67%，实现归属于母公司所有者的净利润 8.27 亿元，较上年同期增加 1929.65%；实现归属于 母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润 8.25 亿元，较上年同期增加 2994.08%。

(二)研发创新方面

公司始终坚持高强度研发投入，重视产品研发创新和工艺深化，推进核心技术自主研发。报 告期内，公司投入研发费用 2.26 亿元，较上年同期增长 53.01%。通过持续增加的研发投入，公司 整体研发能力快速提升，原有产品迭代并实施性能优化，新产品按计划实现量产，产品竞争力和 产品线覆盖面进一步增强。截至报告期末，公司研发及技术人员较上年同期增加 21.48%，公司新 申请专利及获得专利数持续增长。

存储产品线方面的持续优化： 1、Flash 产品方面：持续进行工艺平台迭代，保持行业领先优势

• 1）成本方面，公司新一代 SONOS 平台下 40E 系列产品以及 ETOX 平台下 4Xnm 制程的系

列产品已量产出货，使得公司领先的性能及性价比优势可持续保持；2026 年下半年，公司将持续 拓展 SONOS 工艺平台的可靠性和应用场景范围；

• 2）产品矩阵方面，公司已实现 SONOS 和 ETOX 双工艺平台全容量系列的产品覆盖，可以为

客户提供完善的产品供应和服务支持；

• 3）客户方面，公司产品已在消费电子领域构建了一定的品牌力，同时，公司重视提升在高端

工业、白电、PC、通讯和汽车等领域的市场拓展和产品推广。报告期内，由于市场对存储需求的 大幅提升，公司 256Mbit~1Gbit 大容量 NOR Flash 已加速导入 PC、服务器等大客户；

• 4）“AI+”浪潮涌现为公司众多系列的通用产品提供新型需求，为各类 AIoT 端侧应用客户提

供满足其存储需求的产品。

2、EEPROM 产品方面：高可靠性产品覆盖车载和工业，低功耗领域继续领先

• 1）公司在巩固手机摄像头等优势领域份额的基础上，抓住运动相机、电话手表等摄像头相关

的新型需求市场的兴起，以及 1.2V 低电压产品跟随主控更新换代的机会、持续夯实在摄像头市场 的地位，扩大市场份额；

• 2）公司紧跟三表智慧化发展趋势，挖掘海内外三表市场应用，满足客户即时方案需求；
• 3）报告期内，公司持续拓展车身领域应用，目前已成功导入车身域控、电机控制、电池 BMS、

车载中控、娱乐性系统等汽车电子的应用场景，后续将继续有效拓展对应领域及客户份额；

• 4）公司 SPD 及 TS 产品稳步进行市场拓展，已经完成了多家客户的批量出货，重点大客户的

已经完成验证，且量产出货。 “存储+”系列产品方面的拓展： 1、微控制器：持续完善产品家族图谱，逐步迈入更高阶产品市场

• 1）M0+方面，公司持续优化产品性能，完善产品品类，推进现有客户份额提升及新客户导入，

持续发挥出公司在 32 位 MCU 优势领域的规模效应；

• 2）公司基于 M0+产品逐步构建的品牌力，持续推进 M4 MCU 的市场拓展工作；
• 3）公司保持着在 MCU 产品线上的持续投入，逐步拓展更高端市场份额，持续推出白色家电

与电机控制系列，不断满足高端客户和市场需求；

• 4）公司在持续提升性能和成本优势的同时，不断扩大自身的软件及方案设计优势，完善配套

工具库、软件包等，同时重视 FAE 团队的综合素质培养及服务响应效率提升，为客户提供完善的 技术支持。

2、模拟产品：形成对存储器产品线和微控制器产品线的有效协同

• 1）依托公司 EEPROM 产品线协同发力，VCM Driver 产品线在开环驱动市场已斩获一定市场

份额，成功导入多家品牌手机客户。报告期内推出新一代开环驱动产品，整合底置、中置等多款 料号，简化客户选型流程，实现产品型号高效适配；

• 2）报告期内，公司推出面向主摄长焦及潜望镜头的新一代 OIS（光学防抖音圈马达驱动）芯

片，现已实现规模化大批量量产；

• 3）公司规划推出适配长焦相机、Vlog 相机等终端的 OIS 芯片，以满足长行程、防抖、高清

成像等更严苛的产品需求；

• 4）报告期内，公司推出首款闭环驱动芯片，可满足大行程应用需求，适配折叠屏、潜望式摄

像头等高端应用场景。此外，公司还新增了光圈马达驱动（Iris Driver）等国产替代应用；

• 5）依托产品线协同推进 MCU 预驱等产品出货，助力公司 MCU 产品在电机市场的份额持续

拓展。

（6）未来公司将进一步提升工艺制程，持续完善产品线，提高模拟前端性能以实现高端应用 的突破。

（三）外延并购方面

2025 年 11 月，公司实现对诺亚长天 51%的控股，将其全资子公司 SkyHigh Memory Limited 纳入合并范围。SHM 作为专注于中高端应用的高性能 2D NAND 及衍生存储器产品及方案的半导 体企业，拥有成熟的业务体系与独立经营能力，其在韩国和日本的工程中心以及全球多地的销售 办事处，构建起完善的销售网络。

公司通过此次外延并购，成功拓展了公司第三大战略条线“存储 X”的业务边界，实现优势 互补。SHM 在算法开发、存储芯片测试方案等方面的核心竞争力，与公司核心的业务形成协同效 应，极大地丰富了公司的产品线，进一步强化了其在存储器芯片领域的技术实力与市场竞争力。 未来，公司在以上产品线领域具备持续向更高性能、更广容量范围产品演进的研发与量产潜力， 这将有助于其不断丰富产品组合，满足多元化市场需求，增强客户黏性。

SHM 纳入合并范围，为公司 2026 年上半年带来营业收入贡献约 23.46 亿元、扣非净利润约 5.08 亿元。此次并购不仅为公司带来直接显著的规模增长，更为普冉在全球存储市场的深度拓展 与长远发展奠定了坚实基础。

(四)产能保障方面

公司一直以来和上游晶圆厂、封测厂保持长期良好的战略伙伴关系，建设高弹性、低成本、 可持续的供应链体系，是运营工作的重点。一方面，公司与供应商进行提前规划，动态调整产能 分配，进行技术和运营方式上的改革创新，积极应对供应链资源和成本上的挑战；另一方面，持 续推进既有产品和新产品领域的供应商考评和引入，进一步加强产能保障，多元化和深度协同并 举，满足客户对供货安全和产品多样性、及时性的需求。

(五)团队建设方面

优秀的人才团队是技术密集型公司的核心竞争力之一。公司着重人才培养与团队建设，通过 建立、健全公司长效激励机制，保障企业未来的长足发展。一方面，公司持续加大人才投入，积 极扩充研发团队，并通过与高校的联合培养，形成梯队型的人才结构和储备。另一方面，公司根 据市场情况完善薪酬激励体系和其他福利体系，建立有效的内部培养的机制，并为员工提供更多 职业发展空间。2026 年上半年，公司继续实施了股权激励计划，各期激励计划的激励对象覆盖率 已达全体在职员工的 80%以上，有效激发了员工的奋斗精神，也使员工感受到公司成长带来的回 报和个人成就的提升。

(六)内部治理方面

公司持续推进治理体系建设，强化风险管理，推行内部审计。公司根据新《公司法》的完善 了公司制度和治理架构，并通过公司流程、系统建设和定期培训不断提升管理和内部控制水平， 确保生产经营业务稳健发展。公司始终严格按照上市公司规范运作的要求，严格履行信息披露义 务，重视信息披露管理工作和投资者关系管理工作，重视制度治理和规范运作，法人治理水平和 规范运作水平进一步提升。公司通过在官网上开设“投资者关系”专栏、召开业绩说明会等举措强 化和投资者的沟通，积极听取投资者诉求和建议，在注重生产经营的同时，重视维护股东利益， 通过资本公积转增及现金分红等手段，尽力回报股东和投资者。报告期内，公司在 2025 年年度盈 利的基础上，实施了每 10 股分配 1.2 元现金红利的权益分派方案。

非企业会计准则财务指标变动情况分析及展望

• □适用 √不适用

报告期内公司经营情况的重大变化，以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未 来会有重大影响的事项

• □适用 √不适用

三、 报告期内核心竞争力分析 (一) 核心竞争力分析 √适用 □不适用

1、 核心技术优势 公司自创立以来，专注于存储器芯片的技术研发和产品创新。以技术创新为基础，通过持续

的创新研发和技术积累，现已形成具备完整的核心技术和产品体系。同时，公司推出“存储+”及“存 储 X”规划和长期战略，积极拓展全新产品线。

NOR Flash 方面，公司创新性地将电荷俘获技术的 SONOS 工艺应用在 NOR Flash 的研发设 计中，并与晶圆厂联合开发和优化 55nm、40nm 及 40E NOR Flash 工艺制程的 NOR Flash 芯片， 使得公司的 NOR Flash 芯片具备了宽电压、超低功耗、快速擦除和高性价比等特点以及领先的成 本优势。同时，公司也基于 ETOX 工艺延伸产品进行布局，目前工艺制程已经覆盖 55nm、50nm 和 4Xnm 节点，以中大容量市场为主，衔接 SONOS 工艺下的中小容量市场。随着公司和下游客 户之间业务的不断开展，公司 NOR Flash 产品的功耗、稳定性和兼容性得到了国内外客户的认可， 出货量逐年增长，公司已经逐渐成为了 NOR Flash 市场中重要的供应商之一。

MCU 方面，公司与晶圆厂合作自研 IP，芯片中嵌入 Flash 和 SRAM 存储器，结合基本逻辑 工艺的低功耗特征和低功耗技术，使得公司的 MCU 芯片产品具备与公司 SONOS NOR Flash 一脉 相承的低功耗、高可靠性、高性价比和优越的抗电磁干扰性能等特点。

EEPROM 方面，公司联合晶圆厂优化 130nm 及 55nm 工艺制程下的制造工艺，针对存储单元 的结构、擦写电压进行了改造和优化，有效的缩小了芯片面积，在保障可靠性的前提下有效的降 低了芯片的单位成本。公司积极响应市场需求、发挥技术优势，实现了地址编程、区域保护等特 色功能，满足了客户对摄像头模组中的参数的保护诉求，极大地提升了公司产品的市场竞争力并 保障了公司的盈利能力。综合来看，公司 EEPROM 产品的可靠性、功耗等性能指标均表现优异。

2D NAND 及 MCP 方面，公司通过并购 SHM 实现了从“提供标准化芯片”到“定义与优化存储 系统行为”的跨越，新增了将裸片（Die）转化为高可靠模组的完整工程能力，注入了算法、定制 化测试、集成封装设计及存储产品深度定制这四项核心能力。通过先进的封装设计，可以根据客 户产品的具体空间、散热和电气环境，提供小型化、高抗干扰、耐高低温的定制化存储模组，可 缩短客户研发周期，形成了从设计到物理实现的垂直整合优势。

公司的核心技术均属于自主知识产权，并形成了有规划、有策略的专利布局。报告期内，公 司取得 11 项发明专利授权，新提交 8 项发明专利，逐步拓宽知识产权的护城河。

公司的核心技术均属于自主知识产权，并形成了有规划、有策略的专利布局。截至 2026 年 6 月 30 日，公司已获授权的发明专利达 77 项，集成电路布图设计证书 76 项，已经建立起了完 整的自主知识产权体系。

2、 核心团队优势 公司自创立以来，专注于持续的技术研发和产品创新，持续的研发创新帮助公司在产品性能

上取得重要的技术突破，形成了“存储”及“存储+”两大产品模块。公司创始团队和技术团队曾经 在 NEC、华虹 NEC、中芯国际、Integrated Device Technology,Inc.（IDT）、旺宏、Silicon Storage Technology,Inc.、SONY、瑞萨等国内外知名公司有多年研发和管理经历，核心技术人员 平均工作超过十五年，具备深厚的 IDM、Foundry 和 Fabless 行业经验，具备综合竞争优势：

• （1）公司拥有丰富的与晶圆代工厂合作开发先进工艺制程的产业经验，具备推动存储器技

术升级和存储单元及相关器件的优化的研发能力；

• （2）公司作为 Fabless 设计公司，拥有持续成功的产品开发量产经验，形成存储器和数模混

合芯片领域的设计优势，产品具备领先的低功耗、宽电压等优势；

• （3）公司基于 IDM 的工艺和产品协同开发经验，通过优化产品的设计架构与工艺，能够最

大程度地实现对产品性能、可靠性和芯片面积的优化；

• （4）公司基于与晶圆厂的长期合作和战略协同，提高了工艺开发和产品迭代的效率，使公

司的产品具备业界领先的工艺节点和存储单元性能及尺寸。

公司核心团队在技术研发、市场销售、工程管理等领域均有着丰富的阅历和实战经验。公司 自成立以来就十分注重人才的培养和创新，目前已培养了众多存储器芯片设计领域的专业技术人 才，同时，公司重视针对新研发业务的优质行业人才引进，凭借“持续创新,卓越品质,恒久伙伴,

信守承诺”的企业文化、覆盖全员的激励机制及已构建的品牌优势，不断吸收优秀的人才，为公 司的产品升级和业务拓展奠定良好的研发团队基础。

3、 客户资源拓展迅速 在存储产品领域，目前公司核心产品广泛应用于各类 TWS 蓝牙耳机、工业控制、汽车电

子、可穿戴设备、手机摄像头模组、AMOLED、家电、TDDI 等领域，公司在国内市场覆盖了 OPPO、vivo、荣耀、小米、联想、美的等众多知名企业，同时不断拓展海外市场，覆盖三星、 松下、惠普、希捷等知名终端客户，并与 Dialog Semiconductor（DLG）等主控原厂建立了稳定 的合作关系。凭借国内外客户资源的迅速拓展，公司逐步扩大与各大品牌的深度合作，参与更多 项目及产品合作，市场规模持续扩张。

MCU 领域，公司核心产品涵盖智能硬件、影音、家电、物联网、个人护理、BLDC 无刷电

机（风机及水泵）、BMS、电动自行车、家用医疗、逆变器、安防、消防、车载后装及汽车电 子周边等。目前公司已经与小米、SKG、美的、追觅等品牌客户展开合作，并凭借已经建立的 MCU 品牌知名度，正在逐步推进更多客户的导入工作。

此外，SHM 在韩国、日本的工程中心及其覆盖亚洲、欧洲、北美的成熟销售网络，为公司 带来了直接的全球化研发支持与市场渠道，极大地提升了面向全球客户提供高质量闪存解决方案 的独立运营与持续服务能力。

4、 产品体系优势 公司已推出的产品体系覆盖了 NOR Flash、EEPROM 两大类存储器芯片及 MCU 和 VCM

Driver 芯片，均具备优异的产品性能和较强的市场竞争力。首先，公司的存储器芯片产品容量覆 盖 2Kbit-1Gbit、支持宽电压操作，可满足不同场景下的数据存储需求和完整解决方案，例如手 机摄像模组中的 2D 和 3D 应用场景，而公司 MCU 芯片产品具备自主嵌入式存储器 IP 的通用高 性能，可进一步降低工作功耗，同时支持 1.7V-5.5V 宽电源电压，集中度更高；其次，公司提供 超小型封装方案，包括 1.5mm*1.5mm USON 封装和最小 0.575mm*0.575mm 的 WLCSP 封装， 并在通讯产品中采用领先的 Fan-out 技术，满足下游客户对存储器芯片的小型化需求，公司 MCU 芯片产品提供多样化封装形式，在封装引脚限定的情况下提供更多通用外设，产品的功能 性有所增加，满足不同客户的多样化需求；最后，公司存储器芯片产品提供合封和外挂的两种选 择方案，公司 MCU 芯片产品提供低功耗通用设计、电动工具等多种方案及生态支持，适用不同 的客户场景需求。同时，公司 VCM Driver 产品可以与 EEPROM CCM 领域形成协同，为客户提 供更加完整的产品服务。

公司是行业内为数不多的同时具备 NOR Flash、EEPROM 和 MCU 产品线的芯片设计公司， 能够针对客户不同的容量、功能和封装需求，提供综合性存储器芯片解决方案。同时，报告期 内，公司通过并购专注于高性能 2D NAND 产品的 SHM，公司的核心竞争力得到了增强与延 伸。此次并购直接为公司补充了 SLC NAND、eMMC、MCP 等重要的产品线。

(二) 报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施

□适用 √不适用

(三) 核心技术与研发进展

• 1、 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况

公司的核心技术可以分为设计及工艺技术和特定产品技术。设计及工艺技术指该类核心技术 主要在设计和工艺阶段，可应用于公司的多条或全部产品线；特定产品技术指该类技术主要应用 于某一类产品线，该类技术也可能出现跨产品线应用的情况。

报告期内，公司在存储器芯片领域持续拓展，进行 40E 新一代 SONOS 工艺和下一代 4Xnm 制程 ETOX 工艺创新技术储备，推出 1.1V 超低电压超低功耗创新技术；布局“存储+”战略，包括 基于 ARM 内核的 32 位 MCU 芯片多个系列上百种型号的产品实现研发量产出货，以及应用于摄 像头模组的高性能 VCM Driver 芯片系列模拟产品。

相关的核心技术如下： A. 存储器芯片相关核心技术 （1） 超低功耗设计

通过模拟及混合信号电路设计，实现全差分低幅度的灵敏放大器，高速的双沿采样实现读取 数据的低功耗；结合数字电路的优化，在手表、眼镜及 TWS 耳机等穿戴领域具备领先的低功耗优 势。

在芯片擦写电路设计中，采用非离散域控制方法，实现较低的输出抖动和动态功耗。 （2） 宽电源电压设计 公司在产品规划中采用了一体化自适应读出电路电源管理和宽电压低功耗电荷泵设计技术，

产品支持 1.65V 至 3.60V 工作电压范围。公司在成立之初推出了支持四线模式和宽电压的 Flash 产品，满足了低功耗蓝牙在电池系统供电下与主流 SoC 配合的供电范围要求。

（3） 超低电压设计 公司推出的 1.2V EEPROM 系列产品，支持最低 1.1V 工作电压；这是基于超低电压的模拟及

存储器技术。 （4） 高可靠性设计 公司采用特殊器件和温度补偿电路，实现擦写电压的零温度系数，在相同工艺条件下，公司

的 EEPROM 产品擦写寿命可达 400 万次。 （5） 面向封装的可靠性设计 公司的 WLCSP 产品均采用自主知识产权的划片槽技术，能有效避免生产过程中带来的裂片

风险，在手机模组应用的 WLCSP 存储器产品划片中实现更优的失效率和颗粒残留，满足摄像头 模组的可靠性要求。

（6） 面向产品灵活性和竞争力的设计 公司利用单套掩膜版实现多颗产品的设计技术，实现产品软件配置可调而支持多地址、多接

口的应用。

B. 工艺研发及优化的核心技术

存储器芯片主要由存储单元和外围电路两部分组成。存储单元方面，目前 NOR Flash 的主流 基础工艺包括浮栅 ETOX 和电荷俘获的 SONOS 工艺结构，为芯片设计企业提供了不同的存储单 元结构选择；外围电路方面，芯片设计企业在确定基础工艺后，结合存储单元结构特性和产品功 能需求进行复杂的外围电路设计，外围电路设计技术的不同决定了 NOR Flash 性能的差异化。因 此，存储单元结构是芯片设计的基础，电路设计的核心技术是决定产品性能的关键因素，是不同 芯片设计公司之间芯片产品差异化的来源，帮助企业形成自身的产品竞争优势和核心技术壁垒。

• （1）先进工艺节点的 Cell 单元优化；
• （2）面向工艺均一性的制程优化技术；
• （3）面向良率提升的制程优化技术；
• （4）面向核心工艺设备（炉管等）的工艺优化和窗口提升技术。 目前 NOR Flash 领域中，兆易创新、华邦、旺宏等传统闪存芯片厂商均采用浮栅 ETOX 工艺

结构。公司则率先将 SONOS 工艺结构应用于 NOR Flash 的研发设计，现阶段已形成完整的核心 技术体系和技术壁垒，并凭借超低功耗和高可靠性等产品特点，形成了极具竞争力的 NOR Flash 产品矩阵。公司与晶圆厂充分配合，在存储单元开发和工艺优化方面展开了深入的合作。公司成 立至今，累计实现了三个制程节点近十种存储单元的开发。

C. NOR Flash 相关核心技术

 SONOS 工艺下 NOR Flash 相关核心技术 （1） SONOS 工艺平台 公司采用 SONOS 工艺平台，结合基本逻辑工艺的低功耗特征，采用了双管（2T）单元共源

（CSL）结构，有效满足了穿戴应用及 IoT 应用对低电压和低功耗的要求。双管（2T）单元的存 储结构可以有效控制存储单元的漏电，使得产品具备极低的静态功耗。而对于共源（CSL）结构， 在存储单元尺寸显著减小同时也可以进一步降低编程和擦写电压，降低功耗，并实现工艺技术走 向更先进的工艺制程。

公司通过自主研发和设计架构的配合，通过工艺复杂度的降低，有效减少所需掩膜版的层数，

从而降低产品的成本，通过降低操作电压，降低了擦除和写入操作对单元结构的损耗，实现 NOR Flash 低功耗和高可靠性。目前公司已完成 SONOS 工艺面向 NOR Flash 的工艺和设计研发，形成

了完整的 NOR Flash 芯片设计技术体系，帮助公司 NOR Flash 产品实现了低功耗、快速读取等优 异性能。

（2） 产品设计及测试相关技术 公司通过创新的存储器架构和模拟电路的设计和优化，实现产品超低功耗的读出和擦写，产

品在深睡眠模式下只需满足极低工作电流的操作条件。

公司结合工艺和器件的特点，通过自主研发的存储器架构和全芯片的优化设计（含存储单元 周边驱动电路、模拟电路和数字电路），实现 1.65-3.60V 的宽电压工作范围并支持四线工作模式。 通过存储单元设计技术的创新与升级，实现了三个产品优势：

• 1）快速擦除，全芯片擦除速度较 ETOX 工艺下的 NOR Flash 大幅提升，对于在线擦除或批

量烧录的擦除有显著的优势；

• 2）产品使用过程中，初期擦写时间和末期擦写时间不变，相较于 ETOX NOR Flash，公司的

SONOS NOR Flash 产品在特定的应用环境中具备一定优势；

• 3）异常掉电下的安全性和上电的快速特性，即掉电不影响非擦写区域，不会在掉电恢复后产

生芯片漏电而无法正常工作的问题，也保障了上电过程的快速实现。

通过自主研发的校准技术和温度补偿技术，实现擦写电压与存储单元的温度特性匹配，有效 提升产品的可靠性，达到擦写次数优于 10 万次，数据保持时间优于 20 年。

通过产品缓存的优化设计，实现产品并行写入效率的 2 至 4 倍提高，有效提升产品进行在线 升级或批量烧录的效率，从而降低成本。通过独特的页单位的擦除模式设计，改善产品在小数据 结构下的擦写效率，有利于可靠性和应用效率的提升。

通过自主研发的面向测试的设计技术，提升产品的测试效率、缩短测试时间，同时提升测试 的覆盖率。

通过针对 SONOS NOR Flash 面向制造的设计技术（包括电路和版图），提升产品在先进工艺 下的生产控制窗口，提升产品的良率。

通过自主开发的智能校准和动态调整技术，实现产品规格与工艺窗口的动态匹配，提升产品 良率，并优化可靠性水平。

通过采用全差分读取电路、高灵敏度比较器、以及亚阈值设计等先进设计技术，实现产品超 低电压工作；采用高效率读相关电路、功耗优化的低电压电荷泵等技术实现产品超低功耗，推出 业界首款支持 1.1V 工作的超低电压、超低功耗 Flash 平台。

 ETOX 工艺下 NOR Flash 相关核心技术 （1） 功耗优化技术 公司产品在读和擦写功耗上，采用了多种新技术对功耗进行了优化。在读功耗上：采用逻辑

控制非用即关技术，优化了读取控制电路的功耗；采用了新的解码编排技术，减小了位线寄生电 容，减少了读取功耗；采用了新的敏感放大技术，节约了数据读取所需要时间，减小了读取功耗。 在写功耗上，采用了逐级控制电流技术，提升了编程效率，缩减了编程功耗；采用了动态算法编 程技术，提升了随机数编程效率；在擦除功耗上，对擦除步骤之一的预编程进行了改进，用隧穿 编程替代了热载流子编程，大大缩短了预编程的时间和功耗。

（2） 读取速度提升技术 公司产品采取的多种技术提升了的产品的读取速度。采用了动态采样、输出再编码、传输路

径最适化、字线匹配及非满幅检出等技术。 （3） 过擦除保护技术 公司 ETOX 产品的特点有过擦除问题，需要对过擦除进行修复。产品采用了逼近优化的两步

修复技术对过擦除进行修复；产品还采用了上电过擦除检测及修复机制，对异常断电及数据老化 导致的阈值变化进行检测和纠正。

（4） 冗余位线自动修复技术 公司 ETOX 产品在测试时需要用到冗余位线对常规位线的坏块进行修复，产品采用了冗余位

线自动修复技术，在一定背景数据下，当位线出现坏块时，修复系统自动对字线坏块进行修复， 并输出修复信息或出错信息，减少了修复处理的复杂度及测试时间。

D. EEPROM 相关核心技术 （1） 130nm 制程下的存储单元改进技术

行业内公司的 EEPROM 芯片主流制程为 130nm，公司在 130nm 制程的基础上，对存储单元 结构进行工艺优化改进，优化编程电压及电荷泵补偿结构。

一方面，降低了存储单元的面积和 EEPROM 芯片的大小，另一方面，擦写电压的优化和补偿 结构，提升了产品的可靠性和寿命，使得公司的 EEPROM 芯片具备 400 万次擦写能力及 200 年 的数据保存时间。

（2） 55nm 工艺制程的开发升级 在 130nm 高可靠性 EEPROM 的基础上，从工艺制程、电路设计等方面切入，对手机摄像头

模组等消费类 EEPROM 以及智能电表、智慧通信等工业类 EEPROM 存储器芯片进行升级研发， 达到了 55nm 的工艺制程，实现更大容量、更低工作电压和更低功耗。

（3） 工艺结合设计的可靠性优化 通过特殊工艺器件的开发，工艺膜厚的优化、结合设计补偿和电荷泵启动技术，实现擦写电

压的温度补偿、并显著降低高压过程对存储单元的损伤，实现常温的高擦写次数，同时更为显著 地提升了高温下的擦写能力和擦写寿命。

（4） 工艺结合设计的成本优化设计 通过特殊工艺层次的加入，结合设计电路在浮栅的控制方法，实现存储单元窗口的平移和操

作电压的优化，从而改善了存储单元的面积，同一工艺节点下实现存储单元和芯片尺寸的缩小。 （5） 容错纠错技术 在容错和纠错技术的研究和开发方面，一是采用 ECC 技术，也就是纠错校验技术，在存储单 元阵列的基础上，需要增加一位的校验码，当数据被写入 EEPROM 的时候，相应的 ECC 代码与 此同时也被保存下来。当重新读回刚才存储的数据时，保存下来的 ECC 代码就会和读数据时产生 的 ECC 代码做比较。来保证数据的准确性。二是采用差分存储方案，利用差分存储单元特点，把 数据存储分在差分的两个位置同时存储，在读出的时候再比对两个位置的数据，解码一致则读出。

（6） 先进封装和小型化技术 针对手机摄像头 WLCSP 封装对 EEPROM 小型化及可靠性需求。公司采用软件地址编程及软 件写保护技术，实现在 4 球的封装中提供全地址可编程的方案。同时针对手机摄像头加工和组装 中容易产生灰尘颗粒缺陷的要求，在产品设计的时候，采用无金属化的划片槽设计，能有效降低 芯片加工过程中产生的裂片和颗粒缺陷的风险，降低产品使用过程中可能发生的潜在失效。

E. 2D NAND 及 MCP 的相关核心技术

SHM 聚焦 NAND、eMMC 等嵌入式存储产品工程化领域，依托长期工程实践沉淀形成多项 自主专有核心技术，主要包括：SLC NAND/MCP 产品规格定义与参数优化技术、存储芯片量产导 入可靠性验证技术、eMMC 系统级兼容性测试技术、嵌入式存储系统失效根因分析技术。上述核 心技术属于产品工程与系统验证类技术 Know-how，支撑其面向多行业应用场景完成存储产品开 发、认证与持续迭代。

上述核心技术落地依托完善的工程化技术能力体系，主要体现在存储产品产品工程与系统级 验证及失效分析领域。业务聚焦存储产品面向不同应用场景下的产品定义、产品开发、产品认证、 系统级验证及可靠性分析等关键环节，构建了以系统级工程经验与体系化流程为支撑的技术落地 体系。

在 NAND 产品工程方面，公司具备针对 SLC NAND、MCP 等产品形态开展产品开发与量产 导入的工程实施能力，能够基于上游晶圆厂及封测供应链资源，运用自有核心技术完成产品规格 定义、产品参数优化、量产导入及可靠性验证工作，保障产品匹配不同客户、不同应用场景下的 性能与可靠性指标要求。

在 eMMC 相关领域，公司依托系统级验证与失效分析核心技术，开展 eMMC 产品整机系统 环境下兼容性、稳定性测试与各类异常失效根因定位分析，支撑产品持续迭代优化；相关技术成 熟度较高，已在公司主要产品及重点客户项目中规模化稳定应用。

F. 微控制器相关核心技术 （1） 宽电压 MCU 技术 公司 MCU 产品规划中定义了宽电压设计指标，产品低压支持最低 1.7V 工作电压，高压支持

最高 5.5V 工作电压。既可以满足新兴市场低电压、低功耗的要求，也可以满足早期 8 位 MCU 市 场 5V 应用的需求。

（2） 多 IO 设计技术 通过优化芯片电源网络和 PMU 设计，最大化的减少芯片电源引脚，在封装引脚限定的情况

下提供更多的通用 IO，增加功能性。 （3） 基于先进存储工艺的自主开发嵌入式 Flash 闪存技术 公司 MCU 产品采用 55nm 及以下嵌入式 Flash 工艺技术，结合基本逻辑工艺的低功耗特征，

采用了双管（2T）单元共源（CSL）结构，双管（2T）单元的存储结构可以有效控制存储单元的 漏电，使得产品具备极低的静态功耗。而对于共源（CSL）结构，在存储单元尺寸显著减小同时也 可以进一步降低编程和擦写电压，降低功耗，并实现工艺技术走向更先进的工艺制程。

基于多年来在闪存工艺及设计技术上的耕耘，公司自主开发的 Flash 闪存具有低动态和静态 功耗，快速 Flash 擦除速度，同等容量下更小更有竞争力的闪存 IP 面积，和独立 Flash 相匹敌的 Flash 擦写次数和数据保持等可靠性指标。

（4） 低功耗设计技术 动态电流方面：公司 MCU 产品采用先进工艺及自有 IP，擦和写都是通过 FN 隧穿方式实现，

故擦写电流低。采用公司专利的读电路设计可以大幅降低读电流，芯片动态功耗具备优势。 静态功耗方面：公司 MCU 产品采用多电源域的设计，通过对不同电源域的电压控制和电源

开关控制，实现更低的静态电流。 （5） 工艺结合设计的成本优化设计 公司 MCU 产品采用先进制程下的嵌入式 Flash 工艺和设计，使得版图优化，从而实现更小更

有竞争力的芯片面积，同时通过工艺复杂度的降低，有效减少所需掩膜版的层数，从而降低产品 的成本。

（6） 高性能触控技术 公司 32 位触控 MCU 内置电容检测电路，配备完善的触控库算法，兼具灵敏度和可靠性，可

以稳定通过 10V 动态 CS 测试，可实现高信噪比、超强抗干扰性和超低功耗功能，具有易操作、 响应快、成本低、无开孔等优点。

（7） 高性能电机驱动控制技术 公司电机专用型 MCU 通过集成相适配的高效架构算法、电机结构设计方案以及多通道接

口，可实现高低电压自适应启动、转子初始位置自学习、零速闭环启动、宽转速范围等功能，有 效提升产品运行效率和稳定性。

G. 模拟产品的音圈马达驱动芯片相关核心技术 （1） 接口低电压技术 现在主流的智能终端应用处理器平台为实现系统整体低功耗，未来几年通用接口将逐渐过渡

到采用 1.2V 接口，本公司音圈马达驱动全系列产品实现了 1.2V 到 3.6V 全电压输入范围的正常通 讯，可兼容各种通用接口的接口电平。

（2） 马达快速稳定算法 公司自主研发的四阶马达快速稳定算法，与电机阻尼系数调较，两种技术的叠加使用，可以

实现电机的稳定时间在 10ms 以内，比业界通用标准（<15ms.）提高 30%的速度。

• （3） VCM Driver 与 EEPROM 二合一的产品开发技术 产品实现地址可选择，稳定算法参数的用户配置，更优的成本和更小的产品体积。
• （4）动态电压适配驱动技术 通过设定不同的 Driver IC 的输入电压，可以获得不同的最大电流输出能力，兼顾功耗节省

和电机推动能力的不同需求。 （5）高主频 OIS Driver 公司高主频 OIS driver 支持 2 路 OIS 和 1 路 AF 线性驱动控制，并支持 6 轴 PWM 驱动输

出，可同时支持传统的 OIS 马达和 SMA 马达。

国家科学技术奖项获奖情况

• □适用 √不适用 国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
• □适用 √不适用

2、 报告期内获得的研发成果

报告期内，公司取得 6 项发明专利，新提交 4 项发明专利，取得 6 项集成电路布图设计登记、取 得 1 项软件著作权登记。

报告期内获得的知识产权列表

注：其他指集成电路布图设计登记。

3、 研发投入情况表 单位：元

研发投入总额较上年发生重大变化的原因 √适用 □不适用 报告期内，公司着力扩充研发团队，持续加强对现有产品的完善与升级以及对新产品的研究与开 发，研发投入的增长主要来自研发人员薪酬以及购买软件、IP、实验室测试设备等导致的折旧摊 销费用的增加。

研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明

□适用 √不适用

4、 在研项目情况 √适用 □不适用

单位：万元

情况说明

• 1、上述 4 个项目的“本期投入金额”及“累计投入金额”分别为本期研发费用及累计研发费用口径；预计总投资规模为现金流口径。
• 2、第 3 个项目为公司 2025 年 11 月通过现金收购珠海诺亚长天存储技术有限公司 51%股权后，其全资子公司 SHM 在本报告期内发生的研发费用。

• 5、 研发人员情况 单位：万元 币种：人民币

注：研发人员薪酬合计包含股权激励计提的股份支付费用。

• 6、 其他说明

□适用 √不适用 四、 风险因素 √适用 □不适用

1、 产品研发风险 公司各产品线存在较强的技术迭代与产品研发风险。集成电路行业持续遵循摩尔定律演进，

芯片集成度、性能持续升级，下游应用场景不断丰富，客户对存储芯片及控制类芯片的工艺制程、 功耗、尺寸、稳定性等性能指标要求持续提升，行业技术更新迭代速度较快，企业需持续投入研 发、推进产品迭代与工艺升级，方可维持市场竞争力。

公司主营的 NOR Flash、EEPROM 以及新增布局的 SLC NAND、eMMC 等 2D NAND 存储器 产品标准化程度高、产品差异化较小，行业竞争主要依托工艺制程迭代与产品性能升级实现。目 前 NOR Flash、EEPROM 持续向更先进制程升级，2D NAND 领域亦存在持续的制程优化需求， 同时 3D NAND 等新一代存储技术快速普及，对传统 2D 存储产品的部分市场应用形成替代压力， 对公司持续研发创新能力提出更高要求。若公司无法持续跟进行业技术迭代，完成各类存储产品 的性能升级与制程优化，将面临产品成本偏高、性能落后、竞争力下降的风险，对公司经营业绩 产生不利影响。

除存储芯片外，公司布局的 MCU、音圈马达驱动芯片等产品技术壁垒高、工艺复杂、研发及 流片成本高、量产周期长。上述新产品领域均需要长期、大额的研发投入进行技术攻关与产品验 证，研发过程存在较大不确定性。若公司后续新产品、新工艺研发迭代进度不及预期或研发失败，

将面临前期研发投入无法有效收回、新品落地不及预期的风险，将会对公司整体经营与业务拓展 进度带来不利影响。

2、 基础工艺技术授权到期风险

公司已付费购买赛普拉斯的 40nm 和 55nm SONOS 工艺的授权，授权截止时间为 2028 年 12 月 31 日。赛普拉斯因被英飞凌收购，自 2020 年 1 月 1 日起，其与公司就 SONOS 工艺的授权协 议所约定的权利义务均转移至英飞凌继续履行。2025 年 5 月，公司与英飞凌签署修订协议，工艺 授权时间延长到 2038 年 12 月 31 日。

获得第三方公司知识产权许可或引入相关技术授权是集成电路的行业惯例。同时，赛普拉斯 授权使用的 SONOS 工艺技术属于集成电路领域广泛使用的基础性技术平台，但如在授权有效期 截止前赛普拉斯终止该授权合作或到期后赛普拉斯不再与公司就该授权合作进行续期，公司将无 法进行 SONOS 工艺下的 NOR Flash 研发设计及生产，将对公司的正常经营造成不利影响。

3、 主营业务市场利基，公司竞争实力有待提高的风险 存储器芯片市场由 DRAM、NAND Flash 和 NOR Flash、EEPROM 等细分市场组成，其中 DRAM 和 NAND Flash 占据了存储器芯片市场的主要份额。公司主营业务聚焦 2D NAND、NOR Flash、EEPROM 非易失性存储器芯片，所属赛道为利基市场，整体市场规模相对有限。此外，2D NAND、NOR Flash 和 EEPROM 市场已经经历了数十年的发展，成立时间较早的铠侠、华邦、旺 宏、兆易创新等 2D NAND 或 NOR Flash 厂商以及意法半导体等 EEPROM 厂商已经在收入规模、 业务毛利率、专利技术等方面具备了一定的先发优势，并保持着较高的研发投入水平和研发人员 数量，公司作为市场新进入者，面临一定的外部竞争压力，综合实力有待提升。

综上所述，虽然公司现阶段的业务规模较小、公司的市场占有率仍有增长空间，但是长期来 看，如果公司不能及时扩展产品体系或未能较好地应对外部竞争压力、全球 2D NAND、NOR Flash 和 EEPROM 市场规模增长停滞，可能面临因市场规模相对较小或外部竞争处于下风而导致经营 业绩长期增长承压的风险。

4、 公司各产品线业务存在市场竞争加剧的风险

NOR Flash 市场中，由于 NOR Flash 市场规模相对较小且竞争日趋激烈以及 DRAM、NAND Flash 需求爆发，国际存储器龙头纷纷退出中低端 NOR Flash 市场，产能或让位于高毛利的高容量 NOR Flash，或转向 DRAM 和 NAND Flash 业务。美光和赛普拉斯分别在 2016 年和 2017 年开始 减少中低端 NOR Flash 存储器产品产能。

全球 NOR Flash 主要市场份额由华邦、旺宏、兆易创新、赛普拉斯和美光等国内外大型厂商 占据，而全球 EEPROM 主要市场份额由意法半导体、安森美、聚辰股份等厂商占据。公司在整体 规模、资金实力、海外渠道等方面仍然存在一定差距。如果公司不能够保证产品良好的竞争力以 应对市场竞争压力，可能面临因市场竞争导致产品价格和利润空间缩减以及经营业绩不及预期的 风险。

MCU 市场中，全球市场 MCU 份额主要由意法半导体、瑞萨、恩智浦为代表的海外大型厂商 占据。公司目前的 MCU 和 Driver 等产品尚处于起步阶段，可能面临因市场竞争导致产品导入、 产品价格和利润等不及预期的风险。

公司新增布局的 SLC NAND、eMMC 等 2D NAND 产品同样面临显著的市场竞争与技术迭代 风险。目前国际存储龙头持续聚焦 3D NAND 高端市场，逐步退出 2D NAND 领域，行业格局快 速迭代，且 3D 架构产品对传统 2D 产品的呈替代趋势。公司该类业务尚处于起步阶段，在技术工 艺、供货能力、客户认证等方面弱于行业头部企业，若无法快速提升产品竞争力与市场拓展能力， 将面临新品导入缓慢、盈利空间压缩、新业务布局不及预期的风险。

5、 产品质量风险

芯片产品的质量是公司保持竞争力的基础。由于芯片产业的高度复杂性，公司无法完全排除 因不可控因素导致出现产品质量问题。若公司产品质量出现缺陷或未能满足客户对质量的要求， 公司可能需承担相应的退货和赔偿责任并可能对公司经营业绩、财务状况造成不利影响；同时， 公司的产品质量问题亦可能对公司的品牌形象、客户关系等造成负面影响，不利于公司业务经营 与发展。

6、 人才流失风险 芯片设计行业属于技术密集型产业，对技术人员的水平要求较高，行业内优秀的人才较为短

缺。同行业竞争对手仍可能通过更优厚的待遇吸引公司技术人才，或公司受其他因素影响导致公

司技术人才流失，将对公司新产品的研发以及技术能力的储备造成影响，进而对公司的盈利能力 产生一定的不利影响。

7、 知识产权风险 芯片设计属于技术密集型行业，该行业知识产权众多。在产品开发过程中，涉及到较多专利

及集成电路布图等知识产权的授权与许可。未来不能排除竞争对手或第三方采取恶意诉讼的策 略，阻滞公司市场拓展的可能性。同时，也不能排除竞争对手窃取公司知识产权非法获利的可能 性。

8、 供应商集中度较高与其产能利用率周期性波动的风险 晶圆制造、晶圆测试和封装测试均为资本及技术密集型产业，相关行业集中度较高。报告期

内，公司的晶圆代工主要委托华虹集团和中芯国际进行，公司的晶圆测试和封装测试主要委托伟 测科技和盛合晶微、华天科技、通富微电等厂商进行，公司供应商集中度较高。

2026 年上半年，集成电路行业景气度有所回升，区域性竞争加剧，产能出现地域性不均衡的 情况。如果上述供应商发生不可抗力的突发事件，或因集成电路市场需求旺盛出现产能紧张等因 素，晶圆代工、晶圆测试和封装测试产能可能无法满足需求，将对公司经营业绩产生一定的不利 影响。

9、 公司规模扩张带来的内控和管理风险

随着公司的发展，在资源整合、技术开发、资本运作、生产经营管理和市场开拓等方面，对 公司的要求也随之提高，公司研发、采购、生产、销售等环节的资源配置和内控管理的复杂度不 断上升，对公司的组织架构和经营管理能力提出了更高要求。如果公司的管理水平不能适应规模 迅速扩张和业务快速发展的要求，组织模式和管理方式未能随着公司规模的扩大而及时调整、完 善，将影响公司的应变能力和发展活力，进而削弱公司竞争力，给公司未来的经营和发展带来一 定影响。

10、 毛利率波动的风险

根据集成电路行业特点，产品毛利率受到市场需求、产能供给等多方面因素影响，公司需根 据市场需求不断进行产品的迭代升级和创新，以维持公司较强的盈利能力。若公司未来营业收入 规模出现显著波动，或受市场竞争影响导致产品单价进一步下降，或受产能供应影响导致产品单 位成本上升，公司将面临毛利率波动或下降的风险。

11、 应收账款的风险

随着公司经营规模的扩大，应收账款绝对金额可能逐步增加。如果后续公司不能对应收账款 进行有效控制，无法按时收回到期应收账款，或因宏观经济形势下行、市场情况恶化等因素出现 重大应收账款不能收回的情况，将增加公司资金压力，导致公司计提的坏账准备大幅增加，从而 对公司未来经营业绩造成重大不利影响。

12、 存货跌价风险 公司存货主要由原材料、委托加工物资、库存商品和发出商品构成。截至 2026 年上半年末，

公司存货账面价值为 21.29 亿元。公司每年根据存货的可变现净值低于成本的金额计提相应的跌 价准备，2026 年上半年，公司存货跌价准备余额为 1.95 亿元，占同期存货账面余额的比例为 8.41%。 若未来市场环境发生变化、市场需求下降、竞争加剧或技术更新导致存货过时，使得产品滞销、 存货积压，将导致公司存货跌价风险增加，对公司的盈利能力产生不利影响。

13、 募投项目实施后折旧及摊销费用大幅增加的风险

募投项目建成后，将新增大量固定资产、无形资产、研发投入，年新增折旧及摊销费用较大。 如果行业或市场环境发生重大不利变化，募投项目无法实现预期收益，则募投项目折旧及摊销费 用支出的增加可能导致公司利润出现一定程度的下滑。

14、 所得税优惠政策变化的风险

自 2008 年 1 月 1 日起，新修订的《中华人民共和国企业所得税法》开始施行，其中规定“居 民企业所得税的税率为 25%”，但对国家需要重点扶持的高新技术企业，减按 15%的税率征收企 业所得税。根据全国高新技术企业认定管理工作领导小组办公室 2025 年 1 月 14 日下发的《上海 市认定机构 2024 年认定报备的第二批高新技术企业备案名单》，公司通过高新技术企业复审，拟 被认定为高新技术企业。证书日期为 2024 年 12 月 26 日，证书编号为 GR202431005991。公司 2025 年度企业所得税税率按照 15%执行，认定有效期三年，期间享受企业所得税的税收优惠政策。

若公司未来不能继续享受高新技术企业税收优惠政策，或者国家有关税收政策发生变化，则公司 经营业绩可能会受到影响。

15、 汇兑损益风险 公司境外销售与采购规模金额较大，以及报告期内纳入的 SHM 其销售与采购活动主要以美

元等外币计价和结算，汇率大幅波动可能给标的公司运营带来汇兑损益风险。 16、 宏观环境风险 公司所在的半导体设计行业属于周期性波动行业。公司产品在消费电子领域占比较大，虽然

公司产品均为通用产品，且在工业控制及通讯、车载电子等领域持续推进，提高公司抗波动能力， 但如果出现行业性的增长放缓，可能对公司业绩造成不利影响。

同时，公司所在的半导体芯片行业受国家政策鼓励影响发展迅速，一方面，行业内企业数量 增加迅速，一方面行业内企业不断结合自身优势拓展市场。国内非易失性存储器芯片及微控制器 芯片的市场参与者数量不断增多，市场也进一步分化，公司面临的市场竞争逐渐加剧，若未来公 司无法正确把握市场动态及行业发展态势，无法根据客户需求开发相应产品，无法结合市场需求 进行相应产品创新、开发，则公司的行业地位、市场规模、经营业绩将受到一定影响。

17、 投资风险

基于产业支持政策、市场环境和发展趋势，公司经过可行性研究作出项目投资决策。公司投 资项目标的企业在后续发展过程中，可能面临产业政策变化、市场环境变化、产品技术水平不达 预期等诸多不确定因素，可能导致标的企业实际经营表现不达预期，进而导致投资项目的实际效 益与预期结果存在较大差异。

18、 境外经营风险 公司重要控股主体 SHM 总部在中国香港，另外在韩国、日本等地设有子公司或办事处，已形

成全球化布局，其原材料采购、封装测试等活动主要发生于境外，公司在境外开展业务需遵守所 在国家或地区的法律法规。

未来，若业务所在国家或地区的政治经济形势、产业政策、法律法规等发生不利变化，将可

能给标的公司的境外经营业务带来不利影响。 19、 并购整合风险 报告期内，公司通过对外收购的方式，实现了 SLC NAND 和 eMMC 等 2D NAND 产品的快 速落地与战略布局。尽管并购有助于公司加速技术获取与市场拓展，但后续整合过程仍面临多重 挑战。若公司在战略协同、组织管理、财务控制、企业文化和人才团队融合等方面未能实现有效 整合，可能导致协同效应不及预期、核心技术团队流失、管理成本攀升及投资回报率下降等情形， 从而对项目预期效益的实现和公司整体经营稳定性产生不利影响。

五、 报告期内主要经营情况

报告期内，公司实现营业收入 39.59 亿元，较 2025 年半年度同比增加 336.67%；实现利润总 额 14.99 亿元，较 2025 年半年度同比增加 4028.81%；归属于母公司所有者的净利润 8.27 亿元， 较 2025 年半年度同比增加 1929.65%。扣除政府补助等非经常性损益的影响，报告期内实现归属 于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润 8.25 亿元，较 2025 年半年度同比增加 2994.08%。 (一) 主营业务分析

1、 财务报表相关科目变动分析表 单位：元 币种：人民币

营业收入变动原因说明:：2026 上半年营业收入同比增加 30.53 亿元，增幅 336.67%，主要系 2026 年上半年，受益于全球 AI 算力需求爆发，存储芯片市场供给格局的有利变化，通用存储芯片产品 价格呈上行趋势，叠加公司“存储+”战略持续落地，MCU、Driver 等模拟新产品在工业控制、AIoT 领域快速放量，相关产品市场占有率稳步提升，产品结构持续优化，最终带动公司上半年整体营 业收入较去年同期实现大幅增长，同时，由于 SHM 纳入上市公司合并范围，其营业收入对本报告 期合并报表的营业收入贡献约为 23.46 亿元。

营业成本变动原因说明:营业成本同比上升 209.27%，主要随营收同步增长，但由于市场供需变化 导致的价格上涨，公司通用存储芯片产品毛利率较上年同期有所上升，同时 SHM 的产品为中高 端应用的高性能 2D NAND 及衍生存储器，售价及毛利均有较大提升，带动公司整体毛利率水平 呈现明显上升趋势，所以本报告期营业成本增加幅度低于营业收入；

销售费用变动原因说明:销售费用同比增加 9,624.27 万元，上升 255.47%，主要系随销售金额上升 销售人员人数增加，使得职工薪酬及股份支付增加，同时产品线拓展使得佣金、业务咨询费增加；

管理费用变动原因说明:管理费用同比增加 6,173.33 万元，上升 175.89%，主要系报告期内随着公 司规模扩大，职工薪酬及股份支付有所增加，以及咨询费、办公费、折旧摊销费用增加所致；

财务费用变动原因说明:公司财务费用同比增加 423.91 万元，本报告期，利息费用同比增加 225.80 万元，同时，受到汇率波动影响，汇兑收益有所减少；

研发费用变动原因说明:研发费用同比增加 7,830.79 万元，增幅比例达 53.01%，主要系公司持续 重视产品研发和下游应用结构的优化，保持高强度的研发投入，报告期研发项目规模及复杂度增 加，团队扩充使得职工薪酬及股份支付大幅增加，此外购买软件、实验室测试设备等导致的折旧 摊销费用和研发材料等费用也有所增加；

经营活动产生的现金流量净额变动原因说明:1）收入增加，销售商品、提供劳务收到的现金同比 增加 26.28 亿元；2）伴随收入规模扩大，本报告期向上游的采购货款同比增加 14.70 亿元，支付 的各项税费同比增加 3,506.48 万元；3）公司员工人数及人均薪酬显著增长，工资薪金等支付同比 增加 9,047.89 万元；4）随着公司规模扩大，本期支付其他与经营活动有关的现金增加 4,255.61 万 元，主要系研发活动和业务活动等支出随企业规模扩大而增加；

投资活动产生的现金流量净额变动原因说明:无明显变化。

筹资活动产生的现金流量净额变动原因说明:本报告期新增银行借款 6.32 亿元。

• 2、 本期公司业务类型、利润构成或利润来源发生重大变动的详细说明

√适用 □不适用 公司于 2025 年 11 月通过现金收购方式，控制珠海诺亚长天存储技术有限公司 51%股权，将其

100%全资子公 SHM 纳入上市公司合并范围，使公司报告期的营业收入和利润较去年同期产生大 幅的增长，分别贡献营业收入约 23.46 亿元、归属于母公司所有者的净利润约 5.08 亿元、归属于 母公司所有者的扣非后母公司净利润约 5.08 亿元，而同期上年度数据中未包含合并因素。

(二) 非主营业务导致利润重大变化的说明

□适用 √不适用

(三) 资产、负债情况分析 √适用 □不适用 1、 资产及负债状况

单位：元

其他说明 不适用

普冉半导体（上海）股份有限公司 2026 年半年度报告

2、 境外资产情况 √适用 □不适用

• (1) 资产规模 其中：境外资产2,629,142,739.95（单位：元 币种：人民币），占总资产的比例为40.05%。
• (2) 境外资产占比较高的相关说明

√适用 □不适用

单位：元 币种：人民币

注：本报告期净利润系 SHM 公司整体报表的净利润。 其他说明 不适用

3、 截至报告期末主要资产受限情况

□适用 √不适用

4、 其他说明

□适用 √不适用

42 / 191

(四) 投资状况分析 1、 对外股权投资总体分析

□适用 √不适用

(1) 重大的股权投资

□适用 √不适用

(2) 重大的非股权投资

□适用 √不适用

(3) 以公允价值计量的金融资产

√适用 □不适用

单位：万元 币种：人民币

证券投资情况

• □适用 √不适用 衍生品投资情况
• □适用 √不适用

(4) 私募股权投资基金投资情况

√适用 □不适用

单位：万元 币种：人民币

其他说明 不适用

(五) 重大资产和股权出售

□适用 √不适用

(六) 主要控股参股公司分析 √适用 □不适用

主要子公司及对公司净利润影响达 10%以上的参股公司情况 √适用 □不适用

单位：万元 币种：人民币

报告期内取得和处置子公司的情况 √适用 □不适用

其他说明

• □适用 √不适用

(七) 公司控制的结构化主体情况

• □适用 √不适用

六、 其他披露事项 √适用 □不适用

1、报告期内公司重大资产重组具体进展情况 2025 年 12 月 8 日，公司召开第二届董事会第二十四次会议，审议通过了《关于〈普冉半导体（上海）股份有限公司发行股份、可转换公司债券及

支付现金购买资产并募集配套资金预案〉及其摘要的议案》等与本次交易相关的议案，并与所有交易对方签署了《发行股份、可转换公司债券及支付现 金购买资产框架协议》，本次交易发行股份的发行价格为 90 元/股、本次交易发行的可转换公司债券初始转股价格为 90 元/股，具体内容详见公司于 2025 年 12 月 9 日在上海证券交易所网站（www.sse.com.cn）上披露的《普冉半导体（上海）股份有限公司发行股份、可转换公司债券及支付现金购买 资产并募集配套资金预案》等相关公告。待本次交易完成后，标的公司将成为上市公司的全资子公司。

同日，经公司向上海证券交易所申请，公司股票（股票简称：普冉股份，证券代码：688766）于 2025 年 12 月 9 日（星期二）开市起复牌。具体内 容详见公司于 2025 年 12 月 9 日在上海证券交易所网站（www.sse.com.cn）披露的《关于披露发行股份、可转换公司债券及支付现金购买资产并募集配 套资金预案的一般风险提示暨公司股票复牌的公告》（公告编号：2025-088）。

公司于 2026 年 3 月 20 日召开第二届董事会第二十七次会议，审议通过了关于公司发行股份、可转换公司债券及支付现金购买资产并募集配套资金 方案等与本次重大资产重组有关的相关议案，具体内容详见公司于 2026 年 3 月 21 日披露的《普冉半导体（上海）股份有限公司发行股份、可转换公司 债券及支付现金购买资产并募集配套资金报告书（草案）》《普冉半导体（上海）股份有限公司发行股份、可转换公司债券及支付现金购买资产并募集 配套资金报告书（草案）（摘要）》等公告文件，本次事项经过公司 2025 年年度股东会审议通过。

因实施 2025 年年度权益分派，公司发行股份、可转换公司债券及支付现金购买资产并募集配套资金所涉发行股份、可转换公司债券购买资产的股 份发行价格由 90.00 元/股调整为 89.88 元/股；可转换公司债券初始转股价格由 90.00 元/股调整为 89.88 元/股。具体内容详见公司于 2026 年 5 月 27 日 披露的《普冉半导体（上海）股份有限公司关于实施 2025 年年度权益分派后发行股份、可转换公司债券及支付现金购买资产并募集配套资金所涉股份 发行价格、可转换公司债券初始转股价格调整公告》（公告编号：2026-044）。

公司于 2026 年 5 月 14 日收到上海证券交易所（以下简称“上交所”）出具的《关于普冉半导体（上海）股份有限公司发行股份、可转换公司债券 及支付现金购买资产并募集配套资金申请的审核问询函》（上证科审（并购重组）〔2026〕022 号）（以下简称“《审核问询函》”）。公司及相关中 介机构根据《审核问询函》的要求，就相关事项进行了逐项说明和回复，具体内容详见公司于 2026 年 7 月 4 日披露的《普冉半导体（上海）股份有限 公司关于发行股份、可转换公司债券及支付现金购买资产并募集配套资金申请的审核问询函回复》等相关文件。

本次交易尚需经上交所审核通过及中国证券监督管理委员会同意注册后方可实施。

第四节 公司治理、环境和社会

一、公司董事、高级管理人员和核心技术人员变动情况 √适用 □不适用

公司董事、高级管理人员和核心技术人员变动的情况说明 √适用 □不适用

公司于 2026 年 3 月 20 日召开了第二届董事会第二十七次会议，审议通过了《关于公司董事 会换届选举暨提名第三届董事会非独立董事候选人的议案》及《关于公司董事会换届选举暨提名 第三届董事会独立董事候选人的议案》，上述议案均于 2026 年 4 月 13 日召开的 2025 年年度股 东会审议通过，本次股东会采用累积投票的方式选举王楠先生、李兆桂先生、孙长江先生、冯国 友先生担任公司第三届非独立董事，选举荣毅先生、陈卓先生、梁晶晶担任第三届董事会独立董 事，本次换届选举完成后，公司第二届董事会董事陈凯、独立董事蒋守雷、独立董事陈德荣不再 担任公司董事。

公司核心技术人员的认定情况说明

• □适用 √不适用

二、利润分配或资本公积金转增预案 半年度拟定的利润分配预案、公积金转增股本预案

三、公司股权激励计划、员工持股计划或其他员工激励措施的情况及其影响 (一) 相关股权激励事项已在临时公告披露且后续实施无进展或变化的 √适用 □不适用

(二) 临时公告未披露或有后续进展的激励情况 股权激励情况

• □适用 √不适用 其他说明
• □适用 √不适用 员工持股计划情况
• □适用 √不适用 其他激励措施
• □适用 √不适用 四、纳入环境信息依法披露企业名单的上市公司及其主要子公司的环境信息情况
• □适用 √不适用 其他说明
• □适用 √不适用 五、巩固拓展脱贫攻坚成果、乡村振兴等工作具体情况
• □适用 √不适用

第五节 重要事项

一、承诺事项履行情况 (一) 公司实际控制人、股东、关联方、收购人以及公司等承诺相关方在报告期内或持续到报告期内的承诺事项 √适用 □不适用

备注一： 公司，公司控股股东、实际控制人及其一致行动人、董事、高级管理人员关于所提供信息真实性、 准确性和完整性的承诺： 公司控股股东、实际控制人及其一致行动人承诺： 1.本人/企业保证本次交易的信息披露和申请文件不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏。

公司，公司控股股东、实际控制人及其一致行动人、董事、高级管理人员承诺：

• 1.本人/企业保证为本次交易所提供的资料和信息是真实、准确和完整的，不存在虚假记载、误导 性陈述或者重大遗漏。
• 2.本人/企业保证向参与本次交易的各中介机构所提供的资料和信息均为真实、准确、完整的原始 资料或副本资料：该等资料副本或复印件与其原始资料或原件一致；所有文件的签名、印章均是 真实的，并已履行该等签署和盖章所需的法定程序、获得合法授权，无任何虚假记载、误导性陈 述或者重大遗漏。
• 3.本人/企业保证已履行法定的披露和报告义务，不存在应当披露而未披露的合同、协议、安排或 其他事项。
• 4.根据本次交易的进程，需要本人/企业继续提供相关资料和信息时，本人/企业将依照相关法律、 法规、规章、中国证监会和上海证券交易所的有关规定，及时提供和披露有关本次交易的资料和 信息，并保证所提供的资料和信息真实、准确、完整，不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗 漏。
• 5.本人/企业确认上述内容系真实、自愿作出，本人企业对内容不存在任何重大误解，并愿意为上 述内容的真实性、准确性和完整性承担相应的法律责任。如上述内容存在任何虚假记载、误导性 陈述或者重大遗漏的情形，或者本人企业违反上述内容的，本人/企业将依法承担相应的法律责任。

备注二： 公司，公司控股股东、实际控制人及其一致行动人、董事、高级管理人员关于无违法违规行为及 诚信情况的承诺： 公司董事、高级管理人员承诺： 1.本人/企业不存在违反《中华人民共和国公司法》规定的不得担任董事、高级管理人员的情形， 也不存在违反《中华人民共和国公司法》规定的董事、高级管理人员义务、行为规范的情形。

公司，公司控股股东、实际控制人及其一致行动人、董事、高级管理人员承诺：

• 1.本人/企业不存在因涉嫌犯罪正被司法机关立案侦查或因涉嫌违法违规正被中国证券监督管理 委员会立案调查的情形，不存在根据《上海证券交易所科创板股票上市规则》规定应予披露的尚 未了结的或可合理预见的重大诉讼或仲裁案件，不存在因证券违法违规被中国证监会采取限制业 务活动、证券市场禁入，尚未解除的情形。
• 2.本人/企业最近三年内未受过任何刑事处罚或与证券市场相关的行政处罚，不存在严重损害上市 公司利益、投资者合法权益或者社会公共利益的重大违法行为，不存在未按期偿还大额债务、未 履行承诺或被列入失信联合惩戒对象、失信被执行人名单的情况。
• 3.本人/企业最近十二个月内未受到证券交易所的公开谴责，亦不存在其他重大失信行为。
• 4.本人/企业确认上述内容系真实、自愿作出，本人企业对内容不存在任何重大误解，并愿意为上 述内容的真实性、准确性和完整性承担相应的法律责任。同时，如上述内容存在任何虚假记载、 误导性陈述或者重大遗漏的情形，或者本人/企业违反上述内容的，本人/企业将依法承担相应的 法律责任。

备注三： 公司，公司控股股东、实际控制人及其一致行动人、董事、高级管理人员关于不存在不得参与任 何上市公司重大资产重组情形的承诺：

• 1.本公司及本公司控制的企业均不存在《上市公司监管指引第 7 号一一上市公司重大资产重组相 关股票异常交易监管》第十二条或《上海证券交易所上市公司自律监管指引第 6 号一一重大资产 重组》第三十条规定的不得参与任何上市公司重大资产重组情形，即不存在因涉嫌与本次交易相

• 关的内幕交易被立案调查或立案侦查的情形，最近 36 个月内不存在因与重大资产重组相关的内 幕交易被中国证券监督管理委员会作出行政处罚或者被司法机关依法追究刑事责任的情形。
• 2.本公司及本公司控制的企业保证采取必要措施对本次交易所涉及的资料和信息严格保密。
• 3.本公司及本公司控制的企业若违反上述承诺，愿意依法承担相应的法律责任。

备注四： 公司控股股东、实际控制人及其一致行动人、董事、高级管理人员关于公司本次交易摊薄即期回 报采取填补措施的承诺： 公司控股股东、实际控制人及其一致行动人承诺：

• 1.本人/企业承诺不越权干预上市公司经营管理活动，也不采用其他方式损害上市公司利益。
• 2.自本承诺签署日至本次交易实施完毕前，若中国证券监督管理委员会作出关于填补回报措施及 其承诺的其他新的监管规定，且本承诺相关内容不能满足中国证券监督管理委员会该等规定时， 本人/企业承诺届时将按照中国证券监督管理委员会的最新规定出具补充承诺。
• 3.如本人/企业违反上述承诺并因此给上市公司或者上市公司股东造成损失的，本人/企业将依法承 担赔偿责任。

董事、高级管理人员承诺：

• 1.本人承诺不无偿或以不公平条件向其他单位或者个人输送利益，也不采用其他方式损害公司利 益。
• 2.本人承诺对职务消费行为进行约束。
• 3.本人承诺不动用公司资产从事与本人履行职责无关的投资、消费活动。
• 4.本人承诺由董事会或薪酬与考核委员会制定的薪酬制度与公司填补回报措施的执行情况相挂钩。
• 5.若公司后续推出公司股权激励计划，本人承诺拟公布的公司股权激励的行权条件与公司填补回 报措施的执行情况相挂钩。
• 6.本承诺出具日后至公司本次重组实施完毕前，若中国证监会作出关于填补回报措施及其承诺的 其他新的监管规定，且上述承诺不能满足中国证监会该等规定时，本人承诺届时将按照中国证监 会的最新规定出具补充承诺。
• 7.本人切实履行公司制定的有关填补回报措施以及本人对此作出的任何有关填补回报措施的承诺。 若本人违反上述承诺并给公司或者投资者造成损失的，本人愿意依法承担对公司或者投资者的赔 偿责任。

备注五： 公司控股股东、实际控制人及其一致行动人关于保障上市公司独立性的承诺：

• 1.本次交易前，上市公司已按照《中华人民共和国公司法》《中华人民共和国证券法》和中国证券 监督管理委员会的有关要求，建立了完善的法人治理结构和独立运营的公司管理体制，本人/企业 保证上市公司在业务、资产、机构、人员和财务等方面与本人/企业及本人/企业控制的其他企业之 间保持独立，上市公司在业务、资产、机构、人员和财务等方面具备独立性。
• 2.本次交易完成后，本人/企业不会利用上市公司股东的身份影响上市公司独立性和合法利益，在 业务、资产、机构、人员和财务上与上市公司保持五分开原则，并严格遵守中国证券监督管理委 员会关于上市公司独立性的相关规定，不违规利用上市公司为本人/企业或本人/企业控制的企业 提供担保，不违规占用上市公司资金、资产，保持并维护上市公司的独立性，维护上市公司其他 股东的合法权益。
• 3.本人/企业确认上述内容系真实、自愿作出，本人/企业对内容不存在任何重大误解，并愿意为上 述内容的真实性、准确性和完整性承担相应的法律责任。同时，如上述内容存在任何虚假记载、 误导性陈述或者重大遗漏的情形，或者本人/企业违反上述内容的，本人/企业将依法承担相应的法 律责任。

备注六： 公司控股股东、实际控制人及其一致行动人关于避免同业竞争的承诺：

• 1.除持有上市公司股权外，本人/企业及本人/企业控制的其他企业不存在直接或间接从事与上市公 司及其控制的企业实际从事的业务构成或可能构成同业竞争的任何业务活动。
• 2.在本次交易完成后，本人/企业及本人/企业控制的其他企业不会直接或间接地以任何方式参与或 进行与上市公司及其控制的企业实际从事的业务存在直接或间接竞争的任何业务活动。凡本人/企 业及本人/企业控制的其他企业将来可能获得任何与上市公司及其控制的企业存在直接或间接竞 争的业务机会，本人/企业及本人/企业控制的其他企业将无条件放弃可能发生同业竞争的业务，或 以公平、公允的价格，在适当时机将该等业务注入上市公司。
• 3.本人/企业保证有权签署本承诺函，且本承诺函一经签署即对本人/企业构成有效的、合法的、具 有约束力的责任。
• 4.自本承诺函签署日起，本人/企业如违反上述承诺而给上市公司造成损失的，本人/企业将向上市 公司承担赔偿责任；本人/企业亦应将违反本承诺的相关获利（如有）支付给上市公司，上市公司 有权将应付本人/企业的分红收入予以扣留并冲抵前述相关款项。

备注七： 公司控股股东、实际控制人及其一致行动人关于减少和规范关联交易的承诺：

• 1.本人/企业及本人/企业直接或间接控制的企业将采取必要措施尽量避免和减少与上市公司及其 下属企业之间发生的关联交易。
• 2.对于正常业务范围内无法避免或有合理理由存在的关联交易，本人/企业及本人/企业直接或间接 控制的企业将遵循公开、公平、公正的原则，将依法签订协议，按照公允、合理的市场价格与上 市公司及其下属企业进行交易，促使上市公司依据有关法律、法规及规范性文件的规定履行决策 程序，依法履行信息披露义务。
• 3.本人/企业及本人/企业直接或间接控制的企业保证不以拆借、占用或由上市公司代垫款项、代偿 债务等任何方式挪用、侵占上市公司及其下属企业的资金、利润、资产及其他资源，不利用关联 交易损害上市公司及其下属企业或上市公司其他股东的合法权益。
• 4.如违反上述承诺，本人/企业将依法承担相应的法律责任。

备注八： 公司，公司控股股东、实际控制人及其一致行动人、董事、高级管理人员关于采取的保密措施及 保密制度的说明： 公司控股股东、实际控制人及其一致行动人、董事、高级管理人员承诺：

• 1.本人/企业保证针对本次交易已采取了有效的保密措施，履行了保密义务。
• 2.本人/企业保证不泄露本次交易内幕信息，在内幕信息依法披露之前，不公开或者泄露信息，不 利用内幕信息买卖或者建议他人买卖上市公司股票。
• 3.本人/企业严格按照上市公司内幕信息知情人登记管理制度相关要求进行内幕信息知情人登记。
• 4.本人/企业确认，上述声明属实，如因本人/企业违反上述承诺或因上述承诺被证明不真实给上市 公司或投资者造成损失的，将依法承担全部相应法律责任。

公司承诺：

• 1.本公司在本次交易中严格按照《上市公司重大资产重组管理办法》《上市公司信息披露管理办 法》等法律、法规及规范性法律文件的要求，遵循《公司章程》及公司内部管理制度的规定，就 本次交易采取了充分必要的保密措施，制定了严格有效的保密制度，严格控制参与本次交易的人 员范围，尽可能地缩小知悉本次交易相关敏感信息的人员范围。
• 2.本公司高度重视内幕信息管理，按照《上市公司监管指引第 5 号——上市公司内幕信息知情人 登记管理制度》等相关规定，严格控制内幕信息知情人范围，及时记录商议筹划、论证咨询等阶 段的内幕信息知情人信息及筹划过程，制作内幕信息知情人档案和重大事项进程备忘录，并及时 报送上海证券交易所。

• 3.在本公司与交易对方签署的《发行股份、可转换公司债券及支付现金购买资产框架协议》设有 保密条款，约定双方对本次交易的相关信息负有保密义务。
• 4.本公司多次督导、提示内幕信息知情人严格遵守保密制度，履行保密义务，在内幕信息依法披 露前，不得公开或泄露内幕信息，不得利用内幕信息买卖或建议他人买卖本公司股票。

备注九： 公司控股股东、实际控制人及其一致行动人关于对本次交易的原则性意见及本次交易期间股份减 持计划的承诺：

• 1.本人/企业自本次交易预案披露之日起至本次交易实施完毕期间，本人/企业暂无减持上市公司 股份的计划。如本次交易实施完毕前本人/企业根据自身实际需要或市场变化拟进行减持，本人/ 企业将严格按照有关法律法规及中国证券监督管理委员会和上海证券交易所的相关规定及时披露 减持计划，并将严格执行相关法律法规关于股份减持的规定及要求。
• 2.若本人/企业的减持承诺与证券监管机构的最新监管意见不相符，本人/企业将根据相关证券监 管机构的监管意见进行调整。
• 3.本承诺函自签署日起对本人/企业具有法律约束力，本人/企业保证上述承诺是真实的、准确的 及完整的，不存在任何虚假、故意隐瞒或致人重大误解之情形。若因本人/企业违反本函项下承诺 内容而给上市公司造成损失的，本人/企业将依法承担相应赔偿责任。

备注十： 董事、高级管理人员关于本次交易期间股份减持计划的承诺：

• 1.本人自本次重组预案披露之日起至本次交易实施完毕期间，本人暂无减持上市公司股份的计划。 如本次交易实施完毕前本人根据自身实际需要或市场变化拟进行减持，本人将严格按照有关法律 法规及中国证券监督管理委员会和上海证券交易所的相关规定及时披露减持计划，并将严格执行 相关法律法规关于股份减持的规定及要求。
• 2.若本人的减持承诺与证券监管机构的最新监管意见不相符，本人将根据相关证券监管机构的监 管意见进行调整。
• 3.本承诺函自签署日起对本人具有法律约束力，本人保证上述承诺是真实的、准确的及完整的， 不存在任何虚假、故意隐瞒或致人重大误解之情形。若因本人违反本函项下承诺内容而给上市公 司造成损失的，本人将依法承担相应赔偿责任。

备注十一： 公司关于符合向特定对象发行股票、可转换公司债券条件的承诺： 鉴于本公司拟实施发行股份、可转换公司债券及支付现金购买资产并募集配套资金（以下简称“本 次交易”），本公司作为本次交易的交易主体，本公司承诺如下：

• 1.本公司不存在《上市公司证券发行注册管理办法》第十一条规定的不得向特定对象发行股票的 以下情形：

• （1）擅自改变前次募集资金用途未作纠正，或者未经股东会认可。
• （2）最近一年财务报表的编制和披露在重大方面不符合企业会计准则或者相关信息披露规则的 规定；最近一年财务会计报告被出具否定意见或者无法表示意见的审计报告；最近一年财务会计 报告被出具保留意见的审计报告，且保留意见所涉及事项对上市公司的重大不利影响尚未消除。 本次发行涉及重大资产重组的除外。
• （3）现任董事、高级管理人员最近三年受到中国证监会行政处罚，或者最近一年受到证券交易所 公开谴责。
• （4）上市公司或者其现任董事、高级管理人员因涉嫌犯罪正在被司法机关立案侦查或者涉嫌违法 违规正在被中国证监会立案调查。

• （5）控股股东、实际控制人最近三年存在严重损害上市公司利益或者投资者合法权益的重大违法 行为。
• （6）最近三年存在严重损害投资者合法权益或者社会公共利益的重大违法行为。

• 2.本公司不存在《上市公司证券发行注册管理办法》第十四条规定的不得发行可转换公司债券的 以下情形：

• （1）对已公开发行的公司债券或者其他债务有违约或者延迟支付本息的事实，仍处于继续状态；
• （2）违反《中华人民共和国证券法》规定，改变公开发行公司债券所募资金用途。

• 3.本公司确认上述内容系真实、自愿作出，对内容不存在任何重大误解，并愿意为上述内容的真 实性、准确性和完整性承担相应的法律责任。同时，如上述内容存在任何虚假记载、误导性陈述 或者重大遗漏的情形，或者本公司违反上述内容的，本公司将依法承担相应的法律责任。

备注十二： 公司控股股东、实际控制人及其一致行动人关于避免同业竞争的承诺：

• 1.本承诺人及本承诺人控制的公司均未开发、生产、销售任何与普冉股份生产的产品构成竞争或 可能竞争的产品，未直接或间接经营任何与普冉股份经营的业务构成竞争或可能构成竞争的业务， 也未参与投资任何与普冉股份生产的产品或经营的业务构成竞争或可能构成竞争的其他企业。
• 2.本承诺人及本承诺人控制的公司将不开发、生产、销售任何与普冉股份生产的产品构成竞争或 可能构成竞争的产品，不直接或间接经营任何与普冉股份经营的业务构成竞争或可能构成竞争的 业务，也不参与投资任何与普冉股份生产的产品或经营的业务构成竞争或可能构成竞争的其他企 业。
• 3.如普冉股份进一步拓展产品和业务范围，本承诺人及本承诺人控制的公司将不与普冉股份拓展 后的产品或业务相竞争；若与普冉股份拓展后的产品或业务产生竞争，则本承诺人及本承诺人控 制的公司将以停止生产或经营相竞争的业务或产品的方式，或者将相竞争的业务纳入到普冉股份 经营的方式，或者将相竞争的业务转让给无关联关系的第三方的方式避免同业竞争。
• 4.本承诺人愿意承担由于违反上述承诺给普冉股份造成的直接、间接的经济损失、索赔责任及额 外的费用支出。

备注十三： 公司控股股东、实际控制人及其一致行动人，持股 5%以上的股东，董事、监事及高级管理人员 关于减少和规范关联交易的承诺：

• 1.在普冉股份上市以后，承诺人严格按照《中华人民共和国公司法》等法律、法规和规范性文件 与证券交易所的相关规定，以及普冉股份的公司章程，行使权利，履行义务，在股东大会和董事 会对承诺人以及承诺人控制的企业与普冉股份之间的关联交易进行表决时，履行回避表决的义务。
• 2.承诺人及承诺人控制的其他企业将尽量减少与普冉股份的关联交易，并在未来条件成熟时尽快 采取适当措施消除与普冉股份之间发生关联交易。如果届时发生确有必要且无法避免的关联交易， 承诺人保证承诺人及承诺人控制的企业将遵循市场化原则和公允价格公平交易，严格履行法律和 普冉股份公司章程设定的关联交易的决策程序，并依法及时履行信息披露义务，绝不通过关联交 易损害普冉股份及其非关联股东合法权益。
• 3.承诺人承诺不会利用关联交易转移、输送利益，不会通过普冉股份的经营决策权损害普冉股份 及其他股东的合法权益。
• 4.如承诺人违背上述承诺，给普冉股份造成了经济损失、索赔责任及额外的费用，并赔偿普冉股 份及普冉股份的其他股东因此遭受的全部损失，承诺人因违反上述声明与承诺所取得的利益亦归 普冉股份所有。
• 5.上述承诺一经签署立即生效，上述承诺在承诺人与普冉股份存在关联关系期间及关联关系终止 之日起十二个月内，或对普冉股份存在重大影响期间，持续有效，且不可变更或撤销。

备注十四： 公司承诺：

• 1.如本公司未履行相关承诺事项，本公司将在股东大会及证券监管机构指定报刊上及时披露未履 行承诺的具体情况、原因，并向股东和社会公众投资者道歉。
• 2.因本公司未履行相关承诺事项，导致投资者遭受经济损失的，本公司将依法向投资者赔偿损失。
• 3.如因相关法律法规、政策变化及其他不可抗力等本公司无法控制的客观因素导致本公司已作出 的承诺未能履行或未能按期履行，本公司将采取如下措施：1）及时、充分披露承诺未能履行或未 能按期履行的具体原因及影响；2）提出合法、合理、有效的补救措施或替代性承诺，以尽可能保 护投资者权益。 公司全体董事、监事、高级管理人员及核心技术人员承诺：

• 1.如本人未履行相关承诺事项，本人将在公司的股东大会及中国证券监督管理委员会指定报刊上 及时披露未履行承诺的具体情况、原因，并向公司的股东和社会公众投资者道歉。同时，本人将 提出合法、合理、有效的补救措施或替代性承诺，以尽可能保护公司及其投资者的权益。
• 2.如因本人未履行相关承诺事项，致使公司或者投资者遭受损失的，本人将向公司或者投资者依 法承担赔偿责任。
• 3.如本人未能履行相关承诺事项，公司有权在前述事项发生之日起 10 个交易日内，停止对本人进 行现金分红（如有），停发本人应在公司领取的薪酬或津贴，直至本人履行完成相关承诺。同时， 本人直接或间接持有的公司股份不得转让，直至本人履行完成相关承诺。
• 4.如本人因未履行相关承诺事项而获得收益的，所获收益归公司所有。本人在获得收益或知晓未 履行相关承诺事项的事实之日起 5 个交易日内，应将所获收益支付给公司。 公司实际控制人及其一致行动人承诺：

• 1.如本人/企业未履行相关承诺事项，本人/企业将在公司的股东大会及证券监管机构指定报刊上及 时披露未履行承诺的具体情况、原因，并向公司的股东和社会公众投资者道歉。
• 2.如因本人/企业未履行相关承诺事项，致使公司或者投资者遭受损失的，本人/企业将向普冉股份 或者投资者依法承担赔偿责任。
• 3.如本人/企业未能履行相关承诺事项，公司有权在前述事项发生之日起 10 个交易日内，停止对 本人/企业进行现金分红（如有），停发本人/企业应在公司领取的薪酬或津贴，直至本人/企业履 行完成相关承诺。同时，本人/企业直接或间接持有的公司股份不得转让，直至本人/企业履行完成 相关承诺。
• 4.如本人/企业违反上述承诺或法律强制性规定减持公司股份的，本人/企业承诺违规减持公司股票 所得（以下简称“违规减持所得”）归公司所有。如本人/企业未将违规减持所得上缴公司，则公司 有权将应付本人/企业现金分红中与违规减持所得相等的金额收归公司所有。 公司持股 5%以上股东承诺：

• 1.如本合伙企业未履行相关承诺事项，本合伙企业将在公司的股东大会及证券监管机构指定报刊 上及时披露未履行承诺的具体情况、原因，并向公司的股东和社会公众投资者道歉。同时，本合 伙企业将提出合法、合理、有效的补救措施或替代性承诺，以尽可能保护公司及其投资者的权益。
• 2.如因本合伙企业未履行相关承诺事项，致使公司或者投资者遭受损失的，本合伙企业将向公司 或者投资者依法承担赔偿责任。
• 3.如本合伙企业未能履行相关承诺事项，公司有权在前述事项发生之日起 10 个交易日内，停止对 本合伙企业进行现金分红（如有），直至本合伙企业履行完成相关承诺。同时，本合伙企业直接 或间接持有的公司股份不得转让，直至本合伙企业履行完成相关承诺。
• 4.如本企业违反上述承诺或法律强制性规定减持公司股份的，本企业承诺违规减持公司股票所得 （以下简称“违规减持所得”）归普冉股份所有。如本企业未将违规减持所得上缴公司，则普冉股份 有权将应付本企业现金分红中与违规减持所得相等的金额收归公司所有。

备注十五： 公司承诺： 1.公司将严格遵守首次公开发行股票并在科创板上市后适用之《公司章程（草案）》以及《未来分

红回报规划》及公司股东大会审议通过之其他利润分配安排，切实保障投资者收益权。

备注十六： 公司承诺：

• 1.加快募投项目投资进度，争取早日实现项目预期效益

• 本次发行募集资金到位后，公司将调整内部各项资源，加快推进募投项目建设，提高募集资金使 用效率，争取募投项目早日达成并实现预期效益，以增强公司盈利水平。本次募集资金到位前， 为尽快实现募投项目盈利，公司拟通过多种渠道积极筹措资金，积极调配资源，开展募投项目的 前期准备工作，增强项目相关的人才与技术储备，争取尽早实现项目预期收益，增强未来几年的 股东回报，降低发行导致的即期回报摊薄的风险。
• 2.规范募集资金使用，提高资金使用效率 本次募集资金到账后，公司将严格遵守公司《募集资金管理制度》以及法律法规的相关要求，开 设募集资金专项账户对募集资金实施专户管理，严格控制募集资金使用的各个环节。公司将合理 有效使用募集资金，努力提升募集资金使用效率和资本回报水平。
• 3.持续推动业务全面发展，拓展多元化盈利渠道 公司将在目前业务稳步增长的同时拓展业务创新机会，持续关注行业发展趋势，为客户提供更优 质的产品，发掘新的利润增长点，在激烈的市场竞争中赢得先机。 控股股东、实际控制人及其一致行动人承诺： 1.不越权干预公司经营管理活动，不侵占公司利益。 公司董事、高级管理人员承诺：

• 1.承诺忠实、勤勉地履行职责，维护公司和全体股东的合法权益。
• 2.承诺不无偿或以不公平条件向其他单位或者个人输送利益，也不采用其他方式损害公司利益。
• 3.承诺将严格自律并积极促使公司采取实际行动，对董事和高级管理人员的职务消费行为进行约 束。
• 4.承诺不动用公司资产从事与其履行职责无关的投资、消费活动。
• 5.在自身职权范围内积极推动公司薪酬制度的完善使之符合摊薄即期填补回报措施的要求，承诺 支持公司董事会或薪酬与考核委员会制定的薪酬制度与公司填补回报措施的执行情况相挂钩。
• 6.当参与公司制订及推出股权激励计划的相关决策时，在自身职权范围内应该使股权激励的行权 条件与公司填补回报措施的执行情况相挂钩。

备注十七： 公司承诺：

• 1.保证本公司本次公开发行股票并在上海证券交易所科创板上市，不存在任何欺诈发行的情形。
• 2.如本公司不符合发行上市条件，以欺骗手段骗取发行注册并已经发行上市的，本公司将在中国 证监会等有权部门确认后五个工作日内启动股份购回程序，购回本公司本次公开发行的全部新股。 控股股东、实际控制人及其一致行动人承诺：

• 1.本人/企业保证公司本次公开发行股票并在上海证券交易所科创板上市，不存在任何欺诈发行的 情形。
• 2.如公司不符合发行上市条件，以欺骗手段骗取发行注册并已经发行上市的，本人/企业将在中国 证券监督管理委员会、上海证券交易所或司法机关等有权部门确认后五个工作日内启动股份购回 程序，购回公司本次公开发行的全部新股。

备注十八： 公司承诺：

• 1.本公司的本次发行并上市的招股意向书、其他申请文件以及向各上市中介机构提供的所有材料 均真实、准确、完整，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，本公司对其真实性、准确性、 完整性、及时性承担个别和连带的法律责任。
• 2.若本次发行并上市的招股意向书、其他申请文件有虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，导致 对判断本公司是否符合法律规定的发行条件构成重大、实质影响的，本公司将依法回购本次发行 并上市的全部新股。公司董事会将在证券监管部门或司法机关出具有关违法违规事实的认定结果 之日起三十个工作日内，制订股份回购方案并提交股东大会审议批准。公司将自股份回购方案经 股东大会批准或经证券监管部门批准或备案之日起（以较晚完成日期为准）六个月内完成回购。 本公司将按照市场价格且不低于本次发行并上市时的价格进行回购。本公司本次发行并上市后如 有派息、送股、资本公积金转增股本、配股等除权事项，回购的股份包括本次发行并上市的全部 新股及其派生股份，且回购价格将相应进行调整。若本次发行并上市的招股意向书有虚假记载、

• 误导性陈述或者重大遗漏，致使投资者在证券交易中遭受损失的，本公司将依法赔偿投资者的经 济损失。
• 3.若上述回购新股、收购股份、赔偿损失承诺未得到及时履行，本公司将及时进行公告，并且本 公司将在定期报告中披露公司、本公司实际控制人以及公司董事、监事及高级管理人员关于回购 股份、收购股份以及赔偿损失等承诺的履行情况以及未履行承诺时的补救及改正情况。
• 4.如因相关法律法规、政策变化及其他不可抗力等本公司无法控制的客观因素导致本公司已作出 的承诺未能履行或未能按期履行，本公司将采取如下措施：（1）及时、充分承诺未能履行或未能 按期履行的具体原因及影响；（2）提出合法、合理、有效的补救措施或替代性承诺，以尽可能保 护投资者权益。 控股股东、实际控制人及其一致行动人承诺：

• 1.公司的本次发行并上市的招股意向书、其他申请文件以及向各上市中介机构提供的所有材料均 真实、准确、完整，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，承诺人对其真实性、准确性、完 整性、及时性承担个别和连带的法律责任。
• 2.若公司招股意向书有虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，对判断公司是否符合法律规定的发 行条件构成重大、实质影响的，承诺人将依法回购首次公开发行的全部新股，且承诺人将购回已 转让的原限售股份。
• 3.若公司本次发行并上市的招股意向书有虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，致使投资者在证 券交易中遭受损失的，承诺人将依法赔偿投资者损失。在该等违法事实被中国证监会、证券交易 所或司法机关认定后，承诺人将本着简化程序、积极协商、合理赔偿、切实保障投资者特别是中 小投资者利益的原则，选择与投资者和解、通过第三方与投资者调解及设立投资者赔偿基金等方 式积极赔偿投资者由此遭受的经济损失。具体的赔偿标准、赔偿主体范围、赔偿金额等细节内容 待上述情形实际发生时，依据最终确定的赔偿方案为准。
• 4.若上述承诺未得到及时履行，承诺人将通过公司及时、充分披露其承诺未能履行、无法履行或 无法按期履行的具体原因；自愿接受社会和监管部门的监督，及时改正并继续履行有关公开承诺； 因违反承诺给公司或投资者造成损失的，依法对公司或投资者进行赔偿；因违反承诺所产生的收 益全部归公司所有，公司有权暂扣承诺人应得的现金分红和薪酬，同时不得转让直接及间接持有 的公司股份，直至将违规收益足额交付公司为止。 公司董事、监事及高级管理人员承诺：

• 1.公司的本次发行并上市的招股意向书、其他申请文件以及向各上市中介机构提供的所有材料均 真实、准确、完整，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，承诺人对其真实性、准确性、完 整性、及时性承担个别和连带的法律责任。
• 2.如因公司招股意向书、其他申请文件被相关监管机构认定存在虚假记载、误导性陈述或者重大 遗漏，致使投资者在证券交易中遭受损失的，承诺人将依法赔偿投资者损失。在该等违法事实被 证券监管部门或司法机关认定后，将本着简化程序、积极协商、合理赔付、切实保障投资者特别 是中小投资者利益的原则，选择与投资者和解、通过第三方与投资者调解及设立投资者赔偿基金 等方式积极赔偿投资者由此遭受的经济损失。具体的赔偿标准、赔偿主体范围、赔偿金额等细节 内容待上述情形实际发生时，依据最终确定的赔偿方案为准。
• 3.若上述承诺未得到及时履行，承诺人将通过公司及时、充分披露其承诺未能履行、无法履行或 无法按期履行的具体原因；自愿接受社会和监管部门的监督，及时改正并继续履行有关公开承诺； 因违反承诺给公司或投资者造成损失的，依法对公司或投资者进行赔偿；因违反承诺所产生的收 益全部归公司所有，公司有权暂扣本人应得的现金分红和薪酬，同时不得转让直接及间接持有的 公司股份，直至将违规收益足额交付公司为止；上述承诺不因职务变更、离职等原因而失效。

备注十九： 公司控股股东、实际控制人承诺：

• 1.本人直接或间接所持公司股份系为本人真实持有、合法有效，不存在委托持股、信托持股等情 况，本人直接或间接所持公司股份未设置任何质押、查封等权利限制，亦不存在任何第三方权益 或权益纠纷，资金来源均为自有资金，以货币的形式投入。
• 2.自公司首次公开发行股票并上市之日起三十六个月内，不转让或者委托他人管理本人直接或间 接所持公司股份，亦不由公司回购本人直接或间接所持公司股份。

• 3.公司上市后六个月内如公司股票连续二十个交易日的收盘价均低于发行价，或者上市后六个月 期末收盘价低于发行价，本人直接或间接所持公司股份的锁定期限自动延长六个月（若上述期间 公司发生派发派息、送股、转增股本、增发新股或配股等除息、除权行为的，上述收盘价将进行 相应的调整）。
• 4.在上述锁定期（包括延长的锁定期，下同）届满后，在本人担任公司董事、高级管理人员期间， 每年转让的股份不超过本人直接或间接持有公司股份数的 25%；在离职后半年内，不转让本人直 接或间接持有的公司股份。本人在任期届满前离职的，在本人就任时确定的任期内和任期届满后 六个月内，仍应遵守前述限制性规定。
• 5.在锁定期届满后，本人拟减持公司股票的，将认真遵守中国证券监督管理委员会、上海证券交 易所关于实际控制人、公司董事及高级管理人员减持的相关规定，结合公司稳定股价、开展经营、 资本运作的需要，审慎制定股票减持计划，并将明确并披露公司的控制权安排，保证公司持续稳 定经营。
• 6.本人在锁定期满后两年内拟进行股份减持的，将通过法律法规允许的交易方式进行减持，并通 过公司在减持前 3 个交易日予以公告；减持价格不低于首次公开发行的发行价（若上述期间公司 发生派发派息、送股、转增股本、增发新股或配股等除息、除权行为的，最低减持价格和数量将 相应调整）。
• 7.本人在作为公司实际控制人、董事及高级管理人员期间，公司存在《上海证券交易所科创板股 票上市规则》第十二章第二节规定的重大违法情形，触及退市标准的，自相关行政处罚决定或者 司法裁判作出之日起至公司股票终止上市前或者恢复上市前，本人不得减持直接或间接所持公司 股份。
• 8.如本人违反上述承诺或法律强制性规定减持公司股份的，本人承诺违规减持公司股票所得（以 下简称“违规减持所得”）归公司所有。如本人未将违规减持所得上缴公司，则公司有权将应付本人 现金分红中与违规减持所得相等的金额收归公司所有。 公司控股股东的一致行动人承诺：

• 1.本企业直接或间接所持公司股份系为本企业真实持有、合法有效，不存在委托持股、信托持股 等情况，本企业直接或间接所持公司股份未设置任何质押、查封等权利限制，亦不存在任何第三 方权益或权益纠纷，资金来源均为自有资金，以货币的形式投入。
• 2.自公司首次公开发行股票并上市之日起三十六个月内，不转让或者委托他人管理本企业直接或 间接所持公司股份，亦不由公司回购本企业直接或间接所持公司股份。
• 3.公司上市后六个月内如公司股票连续二十个交易日的收盘价均低于发行价，或者上市后六个月 期末收盘价低于发行价，本企业直接或间接所持公司股份的锁定期限自动延长六个月（若上述期 间公司发生派发派息、送股、转增股本、增发新股或配股等除息、除权行为的，上述收盘价将进 行相应的调整）。
• 4.在上述锁定期（包括延长的锁定期，下同）届满后，本企业拟减持公司股票的，将认真遵守中国 证券监督管理委员会、上海证券交易所关于股东减持的相关规定，结合公司稳定股价、开展经营、 资本运作的需要，审慎制定股票减持计划，并将明确并披露公司的控制权安排，保证公司持续稳 定经营。
• 5.本企业在锁定期满后两年内拟进行股份减持的，将通过法律法规允许的交易方式进行减持，并 通过公司在减持前 3 个交易日予以公告；减持价格不低于首次公开发行的发行价（若上述期间公 司发生派发派息、送股、转增股本、增发新股或配股等除息、除权行为的，最低减持价格和数量 将相应调整）。
• 6.本企业作为公司的控股股东的一致行动人期间，公司存在《上海证券交易所科创板股票上市规 则》第十二章第二节规定的重大违法情形，触及退市标准的，自相关行政处罚决定或者司法裁判 作出之日起至公司股票终止上市前或者恢复上市前，本企业不得减持直接或间接所持公司股份。
• 7.如本企业违反上述承诺或法律强制性规定减持公司股份的，本企业承诺违规减持公司股票所得 （以下简称“违规减持所得”）归公司所有。如本企业未将违规减持所得上缴公司，则公司有权将应 付本企业现金分红中与违规减持所得相等的金额收归公司所有。

备注二十： 公司股东陈凯承诺：

• 1.本人直接或间接所持公司股份系为本人真实持有、合法有效，不存在委托持股、信托等情况， 本人直接或间接所持公司股份未设置任何质押、查封等权利限制，亦不存在任何第三方权益或权 益纠纷，资金来源均为自有资金或合法募集资金，以货币的形式投入。
• 2.自公司首次公开发行并在上市之日起十二个月内，不转让或者委托他人管理本人直接或间接所 持公司股份，亦不由公司回购本人直接或间接所持公司股份。
• 3.在上述锁定期（包括延长的锁定期，下同）届满后，在本人担任公司董事、高级管理人员期间， 每年转让的股份不超过本人直接或间接持有公司股份数的 25%；在离职后半年内，不转让本人直 接或间接持有的公司股份。
• 4.在锁定期届满后，本人拟减持公司股票的，将认真遵守中国证券监督管理委员会、上海证券交 易所关于公司董事、高级管理人员减持的相关规定。
• 5.如本人违反上述承诺或法律强制性规定减持公司股份的，本人承诺违规减持公司股票所得（以 下简称“违规减持所得”）归公司所有。如本人未将违规减持所得上缴公司，则公司有权将应付本人 现金分红中与违规减持所得相等的金额收归公司所有。

备注二十一： 间接持有公司股份的董事、高级管理人员承诺：

• 1.本人直接或间接所持公司股份系为本人真实持有、合法有效，不存在委托持股、信托持股等情 况，本人直接或间接所持公司股份未设置任何质押、查封等权利限制，亦不存在任何第三方权益 或权益纠纷，资金来源均为自有资金，以货币的形式投入。
• 2.自公司首次公开发行股票并上市之日起三十六个月内，不转让或者委托他人管理本人直接或间 接所持公司股份，亦不由公司回购本人直接或间接所持公司股份。
• 3.公司上市后六个月内如公司股票连续二十个交易日的收盘价均低于发行价，或者上市后六个月 期末收盘价低于发行价，本人直接或间接所持公司股份的锁定期限自动延长六个月（若上述期间 公司发生派发派息、送股、转增股本、增发新股或配股等除息、除权行为的，上述收盘价将进行 相应的调整）。
• 4.在上述锁定期（包括延长的锁定期，下同）届满后，在本人担任公司董事、高级管理人员期间， 每年转让的股份不超过本人直接或间接持有公司股份数的 25%；在离职后半年内，不转让本人直 接或间接持有的公司股份。本人在任期届满前离职的，在本人就任时确定的任期内和任期届满后 六个月内，仍应遵守前述限制性规定。 5 在锁定期届满后，本人拟减持公司股票的，将认真遵守中国证券监督管理委员会、上海证券交 易所关于公司董事、高级管理人员减持的相关规定，结合公司稳定股价、开展经营、资本运作的 需要，审慎制定股票减持计划，并将明确并披露公司的控制权安排，保证公司持续稳定经营。

• 6.本人在锁定期满后两年内拟进行股份减持的，将通过法律法规允许的交易方式进行减持，减持 价格不低于首次公开发行的发行价（若上述期间公司发生派发派息、送股、转增股本、增发新股 或配股等除息、除权行为的，最低减持价格和数量将相应调整）。
• 7.本人在作为公司董事、高级管理人员期间，公司存在《上海证券交易所科创板股票上市规则》 第十二章第二节规定的重大违法情形，触及退市标准的，自相关行政处罚决定或者司法裁判作出 之日起至公司股票终止上市前或者恢复上市前，本人不得减持直接或间接所持公司股份。
• 8.如本人违反上述承诺或法律强制性规定减持公司股份的，本人承诺违规减持公司股票所得（以 下简称“违规减持所得”）归公司所有。如本人未将违规减持所得上缴公司，则公司有权将应付本人 现金分红中与违规减持所得相等的金额收归公司所有。 间接持有公司股份的监事承诺：

• 1.本人直接或间接所持公司股份系为本人真实持有、合法有效，不存在委托持股、信托持股等情 况，本人直接或间接所持公司股份未设置任何质押、查封等权利限制，亦不存在任何第三方权益 或权益纠纷，资金来源均为自有资金，以货币的形式投入。
• 2.自公司首次公开发行股票并上市之日起三十六个月内，不转让或者委托他人管理本人直接或间 接所持公司股份，亦不由公司回购本人直接或间接所持公司股份。
• 3.在上述锁定期届满后，在本人担任公司监事的期间，每年转让的股份不超过本人直接或间接持 有公司股份数的 25%；在离职后半年内，不转让本人直接或间接持有的公司股份。本人在任期届 满前离职的，在本人就任时确定的任期内和任期届满后六个月内，仍应遵守前述限制性规定。

• 4.在锁定期届满后，本人拟减持公司股票的，将认真遵守中国证券监督管理委员会、上海证券交 易所关于公司监事减持的相关规定，结合公司稳定股价、开展经营、资本运作的需要，审慎制定 股票减持计划，并将明确并披露公司的控制权安排，保证公司持续稳定经营。
• 5.本人在作为公司监事期间，公司存在《上海证券交易所科创板股票上市规则》第十二章第二节 规定的重大违法情形，触及退市标准的，自相关行政处罚决定或者司法裁判作出之日起至公司股 票终止上市前或者恢复上市前，本人不得减持直接或间接所持公司股份。
• 6.如本人违反上述承诺或法律强制性规定减持公司股份的，本人承诺违规减持公司股票所得（以 下简称“违规减持所得”）归公司所有。如本人未将违规减持所得上缴公司，则公司有权将应付本人 现金分红中与违规减持所得相等的金额收归公司所有。

备注二十二： 间接持有公司股份的核心技术人员承诺：

• 1.本人所持公司股份系为本人真实持有、合法有效，不存在委托持股、信托持股等情况，本人所 持公司股份未设置任何质押、查封等权利限制，亦不存在任何第三方权益或权益纠纷，资金来源 均为自有资金，以货币的形式投入。
• 2.自公司首次公开发行股票并上市之日起三十六个月内及离职后六个月内，不转让或者委托他人 管理本人直接或间接所持公司股份，亦不由公司回购本人所持公司股份。
• 3.上述锁定期满之日起四年内，每年转让的首发上市前的股份不得超过首发上市本人所持公司股 份总数的 25%，本人不会因职务变更、离职等原因而拒绝履行上述承诺，前述每年转让比例累计 使用。
• 4.如本人同时担任公司董事、监事或高级管理人员作出其他锁定期承诺，且该锁定期承诺时间久 于或高于本承诺项下锁定安排的，还应当遵守其他锁定期承诺。
• 5.如相关法律法规及规范性文件或中国证券监督管理委员会、上海证券交易所等证券监管机构对 股份锁定期有其他要求，本人同意对本人所持公司股份的锁定期进行相应调整。
• 6.如本人违反上述承诺或法律强制性规定减持公司股份的，本人承诺违规减持公司股票所得（以 下简称“违规减持所得”）归公司所有。如本人未将违规减持所得上缴公司，则公司有权将应付本人 现金分红中与违规减持所得相等的金额收归公司所有。

备注二十三： 公司承诺：

• 本公司不为本次限制性股票激励计划（2021 年限制性股票激励计划）的激励对象通过本计划

获得限制性股票提供贷款以及其他任何形式的财务资助，包括为其贷款提供担保。

备注二十四： 公司承诺：

• 本公司不为本次限制性股票激励计划（2022 年限制性股票激励计划）的激励对象通过本计划

获得限制性股票提供贷款以及其他任何形式的财务资助，包括为其贷款提供担保。

备注二十五： 公司承诺：

• 本公司不为本次限制性股票激励计划（2024 年限制性股票激励计划）的激励对象通过本计划

获得限制性股票提供贷款以及其他任何形式的财务资助，包括为其贷款提供担保。

备注二十六： 公司承诺：

• 本公司不为本次限制性股票激励计划（2025 年限制性股票激励计划）的激励对象通过本计划

获得限制性股票提供贷款以及其他任何形式的财务资助，包括为其贷款提供担保。

备注二十七： 公司承诺：

本公司不为本次限制性股票激励计划（2025 年第二期限制性股票激励计划）的激励对象通过 本计划获得限制性股票提供贷款以及其他任何形式的财务资助，包括为其贷款提供担保。

备注二十八： 公司承诺：

每 12 个月内累计用于永久补充流动资金的超募资金不超过超募资金总额的 30%；本次使用部分超 募资金永久补充流动资金不会影响募集资金投资项目建设的资金需求；在本次永久补充流动资金 后的 12 个月内不进行高风险投资以及为控股子公司以外的对象提供财务资助。

二、报告期内控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况

• □适用 √不适用 三、违规担保情况
• □适用 √不适用 四、半年报审计情况
• □适用 √不适用 五、上年年度报告非标准审计意见涉及事项的变化及处理情况
• □适用 √不适用 六、破产重整相关事项
• □适用 √不适用 七、重大诉讼、仲裁事项
• □本报告期公司有重大诉讼、仲裁事项 √本报告期公司无重大诉讼、仲裁事项

八、上市公司及其董事、高级管理人员、控股股东、实际控制人涉嫌违法违规、受到处罚及整改 情况

• □适用 √不适用 九、报告期内公司及其控股股东、实际控制人诚信状况的说明
• □适用 √不适用 十、重大关联交易 (一) 与日常经营相关的关联交易

• 1、 已在临时公告披露且后续实施无进展或变化的事项 √适用 □不适用

2、 已在临时公告披露，但有后续实施的进展或变化的事项

√适用 □不适用

公司于 2026 年 3 月 20 日召开第二届董事会第二十七次会议，审议通过《关于 2026 年日常关 联交易预计的议案》，本次与伟测科技的日常关联交易预计不超过 8,200 万元，即预计 2026 年 4 月 1 日至 2026 年年度股东大会召开之日止累计发生额不超过 8,200 万元人民币（不含税）。该事 项经公司于 2026 年 4 月 13 日召开的 2025 年年度股东会审议通过。具体内容详见公司在上海证 券交易所网站（www.sse.com.cn）上披露的相关公告（公告编号：2026-018、2026-029）在上述交 易期间，即 2026 年 4 月 1 日至 2026 年 6 月 30 日公司与关联方上海伟测半导体科技股份有限公 司及其合并范围内的控股子公司实际发生关联交易 1,616.71 万元（不含税）。

3、 临时公告未披露的事项

• □适用 √不适用

(二) 资产收购或股权收购、出售发生的关联交易

• 1、 已在临时公告披露且后续实施无进展或变化的事项

□适用 √不适用

• 2、 已在临时公告披露，但有后续实施的进展或变化的事项

□适用 √不适用

• 3、 临时公告未披露的事项

□适用 √不适用

• 4、 涉及业绩约定的，应当披露报告期内的业绩实现情况

• □适用 √不适用

(三) 共同对外投资的重大关联交易

• 1、 已在临时公告披露且后续实施无进展或变化的事项

□适用 √不适用

• 2、 已在临时公告披露，但有后续实施的进展或变化的事项

□适用 √不适用

• 3、 临时公告未披露的事项

• □适用 √不适用

(四) 关联债权债务往来

• 1、 已在临时公告披露且后续实施无进展或变化的事项

□适用 √不适用

• 2、 已在临时公告披露，但有后续实施的进展或变化的事项

□适用 √不适用

3、 临时公告未披露的事项

• □适用 √不适用

(五) 公司与存在关联关系的财务公司、公司控股财务公司与关联方之间的金融业务

• □适用 √不适用

(六) 其他重大关联交易

• □适用 √不适用

(七) 其他

• □适用 √不适用 十一、 重大合同及其履行情况 (一)托管、承包、租赁事项
• □适用 √不适用

(二)报告期内履行的及尚未履行完毕的重大担保情况 √适用 □不适用

单位： 万元 币种： 人民币

• 注 1：公司于 2026 年 3 月 20 日召开第二届董事会第二十七次会议，审议通过了《关于 2026 年度为员工租房提供担保的议案》，为帮助公司员工减轻租 房压力，公司（分公司）拟为员工租赁公租房提供担保，担保合计金额不超过人民币 50 万元。实际担保金额以最终签署并执行的协议为准。为提高公司

• 决策效率，授权公司经营管理层在上述额度内开展具体业务，授权期限自董事会审议通过之日起至 2026 年年度股东会召开之日止。每笔担保的具体期限 为公司（分公司）与公租房提供单位签订相关合同之日起一年；该议案于 2026 年 4 月 13 日经 2025 年年度股东会审议通过。
• 注 2：报告期内，公司为员工提供的租房担保发生日期/协议签署日最早签署时间为 2025 年 6 月；
• 注 3：被担保方均提供相应的反担保，签署了相应的《反担保函》。

(三)其他重大合同

□适用 √不适用

十二、 募集资金使用进展说明 √适用 □不适用 (一)募集资金整体使用情况 √适用 □不适用

单位：元

注 1：超出 100%部分系募集资金使用期间的利息收入 其他说明

□适用 √不适用

(二)募投项目明细 √适用 □不适用

• 1、 募集资金明细使用情况

√适用 □不适用

单位：元

2、 超募资金明细使用情况

√适用 □不适用

单位：元

注：截至报告期末累计投入超募资金总额中，永久补充流动资金实际投入含利息及现金管理收益部分。

3、 报告期内募投项目重新论证的具体情况

• □适用 √不适用

(三)报告期内募投变更或终止情况

• □适用 √不适用

普冉半导体（上海）股份有限公司 2026 年半年度报 告

(四)报告期内募集资金使用的其他情况

• 1、 募集资金投资项目先期投入及置换情况

√适用 □不适用 截至 2021 年 9 月 10 日止，公司已利用自筹资金对募集资金投资项目累计投入 69,467,414.60 元， 经立信会计师事务所（特殊普通合伙）审验，并由其出具了信会师报字[2021]第 ZF10910 号《募 集资金置换专项鉴证报告》。募集资金到位后，公司已于 2021 年 11 月置换先期投入 69,467,414.60 元。本次置换已经公司 2021 年 10 月 29 日召开的了第一届董事会第十七次会议、第一届监事会第 十四次会议通过。

• 2、 用闲置募集资金暂时补充流动资金情况

□适用 √不适用

• 3、 对闲置募集资金进行现金管理，投资相关产品情况

√适用 □不适用

单位：万元 币种：人民币

其他说明

• 公司于 2025 年 8 月 21 日召开了第二届董事会第二十次会议和第二届监事会第二十次会议，审议 通过了《关于公司使用部分暂时闲置募集资金进行现金管理的议案》，同意公司在确保不影响募 集资金安全和投资项目资金使用进度安排的前提下，使用不超过 2.8 亿元（含本数）的暂时闲置 募集资金进行现金管理，用于购买安全性高、流动性好的保本型产品，在上述额度范围内，资金 可以滚动使用，使用期限不超过 12 个月，自 2025 年 9 月 1 日起至 2026 年 8 月 31 日止。

4、 其他 √适用 □不适用

• 公司于 2026 年 3 月 20 日召开了第二届董事会第二十七次会议，于 2026 年 4 月 13 日召开了 2025 年年度股东大会，审议通过了《关于使用剩余超募资金永久补充流动资金的议案》，同意公司使 用超募资金人民币 1.86 亿元（含利息及现金管理收益等，最终补流转入公司自有资金账户的实际 超募资金金额以资金转出当日超募资金专户余额为准）用于永久补充流动资金。

(五)中介机构对募集资金存储与使用情况核查异常的相关情况说明

• □适用 √不适用

(六)擅自变更募集资金用途、违规占用募集资金的后续整改情况

• □适用 √不适用 十三、 其他重大事项的说明
• □适用 √不适用

第六节 股份变动及股东情况

一、股本变动情况 (一) 股份变动情况表 1、 股份变动情况表

单位：股

2、 股份变动情况说明

√适用 □不适用 公司 2022 年、2024 年及 2025 年限制性股票激励计划相关条件已成就，公司于 2026 年 6 月 10 日 收到中国证券登记结算有限责任公司上海分公司出具的《证券变更登记证明》，完成对 2022 年限 制性股票激励计划首次授予部分第三个归属期、2024 年限制性股票激励计划预留授予部分第一个 归属期、2024 年限制性股票激励计划首次授予部分第二个归属期、2025 年限制性股票激励计划首 次授予部分第一个归属期的股份登记工作，本次向激励对象定向发行股票上市流通总数为 654,451 股，该部分股票于 2026 年 6 月 17 日上市流通，公司总股本由 148,049,102 股增加至 148,703,553 股，具体内容详见公司于 2026 年 6 月 12 日刊登在上海证券交易所网站(www.sse.com.cn)的《普冉 半导体（上海）股份有限公司关于 2022 年、2024 年及 2025 年限制性股票激励计划相关归属期归 属结果暨股票上市公告》（公告编号：2026-055）。

3、 报告期后到半年报披露日期间发生股份变动对每股收益、每股净资产等财务指标的影响（如 有）

√适用 □不适用 报告期内，公司向 2022 年、2024 年及 2025 年股权激励对象定向发行股票 654,451 股，发行后公 司总股本增加至 148,703,553 股。

4、 公司认为必要或证券监管机构要求披露的其他内容

• □适用 √不适用

(二) 限售股份变动情况

• □适用 √不适用 二、股东情况 (一) 股东总数:

存托凭证持有人数量

• □适用 √不适用

(二) 截至报告期末前十名股东、前十名无限售条件股东持股情况表 前十名股东同时通过普通证券账户和证券公司客户信用交易担保证券账户持股的情形 √适用 □不适用 股东钟格通过信用证券账户持有 3,960,000 股。

单位：股

持股 5%以上股东、前十名股东及前十名无限售流通股股东参与转融通业务出借股份情况

• □适用 √不适用 前十名股东及前十名无限售流通股股东因转融通出借/归还原因导致较上期发生变化
• □适用 √不适用 前十名有限售条件股东持股数量及限售条件
• □适用 √不适用 截至报告期末公司前十名境内存托凭证持有人情况表
• □适用 √不适用

持股 5%以上存托凭证持有人、前十名存托凭证持有人及前十名无限售条件存托凭证持有人参与 转融通业务出借股份情况

• □适用 √不适用

前十名存托凭证持有人及前十名无限售条件存托凭证持有人因转融通出借/归还原因导致较上期 发生变化

• □适用 √不适用 前十名有限售条件存托凭证持有人持有数量及限售条件
• □适用 √不适用

(三)截至报告期末表决权数量前十名股东情况表

• □适用 √不适用

(四) 战略投资者或一般法人因配售新股/存托凭证成为前十名股东

• □适用 √不适用

• 三、董事、高级管理人员和核心技术人员情况 (一) 现任及报告期内离任董事、高级管理人员和核心技术人员持股变动情况
• □适用 √不适用 其它情况说明
• □适用 √不适用

(二) 董事、高级管理人员和核心技术人员报告期内被授予的股权激励情况

• 1、 股票期权

□适用 √不适用

• 2、 第一类限制性股票

□适用 √不适用

• 3、 第二类限制性股票

• □适用 √不适用

(三) 其他说明

• □适用 √不适用 四、控股股东或实际控制人变更情况
• □适用 √不适用 五、存托凭证相关安排在报告期的实施和变化情况
• □适用 √不适用 六、特别表决权股份情况
• □适用 √不适用 七、优先股相关情况
• □适用 √不适用

第七节 债券相关情况

一、公司债券（含企业债券）和非金融企业债务融资工具

□适用 √不适用

二、可转换公司债券情况

□适用 √不适用

第八节 财务报告

一、审计报告

□适用 √不适用

二、财务报表

合并资产负债表 2026 年 6 月 30 日

编制单位： 普冉半导体（上海）股份有限公司

单位：元 币种：人民币

公司负责人：王楠 主管会计工作负责人：钱佳美 会计机构负责人：沈奕

母公司资产负债表 2026 年 6 月 30 日

编制单位：普冉半导体（上海）股份有限公司

单位：元 币种：人民币

公司负责人：王楠 主管会计工作负责人：钱佳美 会计机构负责人：沈奕

合并利润表 2026 年 1—6 月

单位：元 币种：人民币