华泰联合证券有限责任公司关于成都超纯应用材料股份有限公司首次公开发行股票并在创业板上市之上市保荐书

深圳证券交易所：

作为成都超纯应用材料股份有限公司（以下简称“发行人”、“公司”、“超纯股份”）首次公开发行股票并在创业板上市的保荐人，华泰联合证券有限责任公司及其保荐代表人已根据《中华人民共和国公司法》（以下简称《公司法》）、《中华人民共和国证券法》（以下简称《证券法》）等法律法规和中国证券监督管理委员会（以下简称“中国证监会”）及贵所的有关规定，诚实守信，勤勉尽责，严格按照依法制定的业务规则和行业自律规范出具上市保荐书，并保证所出具文件真实、准确、完整。

（本上市保荐书中所有简称和释义如无特别说明，均与《成都超纯应用材料股份有限公司首次公开发行股票并在创业板上市招股说明书》一致。）

现将有关情况报告如下：

一、发行人基本情况

（一）发行人概况

发行人名称：成都超纯应用材料股份有限公司

注册地址：成都市双流区西航港空港二路1166号

注册时间：2005年8月25日

联系方式：028-85882022

（二）发行人的主营业务、核心技术和研发水平

1、发行人主营业务

公司是一家专注于特殊涂层工艺及其关联技术和材料的国家级专精特新重点“小巨人”企业，主要面向芯片制造、精密光学等领域，提供经材料改性、精


密表面加工、精密清洗和特殊涂层工艺后的精密零部件产品及服务。

特殊涂层是指通过气相沉积、气溶胶、高密度等离子喷涂等特殊涂层工艺在设备零部件表面形成高致密度、低孔隙率的涂层，能够改变设备零部件物理和化学特性、稳定设备运行工艺条件和延长设备零部件寿命。随着先进制程工艺的迭代，颗粒污染和微量元素污染对芯片良率的影响随制程缩小呈“指数级增长”。特殊涂层零部件贯穿集成电路制造产业链，从硅片外延到芯片制造前道及后道的核心设备均需要特殊涂层零部件来控制颗粒污染和微量元素污染到极低的水平，从而提高芯片的良率。公司具备刻蚀、光刻、量检测、退火、薄膜沉积、硅片外延等多种类半导体设备零部件的配套能力，是国内极少数 5nm 及以下制程半导体刻蚀设备核心零部件的供应商。

海外特殊涂层零部件厂商为了避免技术泄密和受到国外政府限制，在中国大陆建厂后引入的都是以阳极氧化、大气等离子喷涂技术为主的产品，均未将最先进的特殊涂层技术引进中国大陆。目前，国内厂商普遍采用阳极氧化等表面处理技术，在设备零部件表面形成的氧化物保护层，该方法大多适用于成熟制程，并且在等离子体刻蚀工艺中组织和成分不稳定，常常造成微量金属和颗粒污染。随着芯片先进制程工艺不断迭代，线宽从14nm向7nm、5nm及以下节点持续突破，晶圆对颗粒污染和微量元素污染的容忍度呈指数级降低——纳米级别的颗粒剥落即可能造成微观电路短路、断路或功能失效，直接导致芯片良率大幅下滑。尤其在先进制程工艺中，需通过数十次甚至上百次的光刻、刻蚀、薄膜沉积等工序构建更复杂的微观结构，因此反应腔内零部件表面的颗粒剥落的累积风险显著上升。因此，在多样化的反应气体腐蚀、极端温度波动及高频离子轰击等极端严苛的工况下，有效控制介质窗、喷嘴、喷淋头、刻蚀环、内衬等距离晶圆最近的核心零部件的颗粒剥落数量和微量元素污染程度，是保障先进制程稳定量产、维持晶圆高良率的关键点之一。研制更耐腐蚀、更耐温度冲击的特殊涂层零部件是芯片制造向更先进制程迭代的必然发展路线。

公司特殊涂层技术突破设备制程瓶颈，促进了国产先进制程迭代升级。公司运用自主研发的多项特殊涂层工艺技术，实现特殊涂层零部件国产突破和进口替代，针对不同的运用场景能够实现超低颗粒污染和微量元素污染控制、耐等离子轰击、耐气体腐蚀、高平整精度、抗高低温冲击性等关键性能。


公司技术谱系全面，产品矩阵多元化。公司建立了覆盖关键设备自研改造、涂层材料制备改性、特殊涂层工艺开发、表面精密加工、特种金属和非金属材料精密成型、精密清洗及成品检测的全工艺链条全自主可控的严密体系，拥有介质窗、喷淋头、喷嘴、刻蚀环、内衬、支架、内门、反射板、镀金套筒、晶舟、外延片托盘、静电卡盘、反射碗、扩缩束系统等数十种机械类和光学类半导体特殊涂层零部件产品，产品覆盖了晶圆制造前道、后道制程以及硅外延片领域，在刻蚀、光刻、量检测、退火、薄膜沉积等领域取得较为突出的技术优势，在扩散、离子注入、键合和先进封装等领域小批量量产或取得客户验证，在硅外延片领域实现关键零部件产品的技术突破。除此之外，公司凭借在精密光学领域的技术积累和持续创新，为国内重点科研单位提供高激光阈值的激光光学产品，广泛应用于航空航天等国家重大战略发展领域。

公司客户群体领先多元，市场布局纵深协同。公司深度融入国内半导体产业链生态，形成零部件“国产配套+进口替代”双轮驱动的战略布局：在国产设备商市场，公司与客户A、客户B、客户D、鲁汶仪器等国产设备龙头公司建立深度合作关系，共同推进关键零部件的验证与导入；在晶圆厂市场，公司产品已通过客户E、客户F等头部晶圆厂认证，并批量供货，用于替代国外设备原装零部件。此外，公司积极拓展核电站泵阀及暗室用耐辐照材料等新兴领域，以及探索诸如OLED面板、燃气轮机、航空发动机等高端制造领域的创新应用，为可持续增长注入新动能。

未来，公司将紧握半导体设备自主可控的战略机遇，锚定国家“强链补链”攻坚方向，聚焦先进制程核心工艺节点，持续强化关键设备自研改造、涂层材料制备改性、特殊涂层工艺开发、表面精密加工、特种金属和非金属材料精密成型、精密清洗及成品检测的全工艺链条技术创新和生产配套能力，筑牢国产半导体设备供应链安全基础，推动国产半导体设备零部件从国内产业链配套向全球技术竞争核心力量演进，为集成电路产业的高质量发展注入强劲动能。

2、发行人核心技术

公司核心技术体系以下游市场需求为导向，构建了覆盖关键设备自研改造、涂层材料制备改性、特殊涂层工艺开发、表面精密加工、特种金属和非金属材料精密成型、精密清洗及成品检测的全链条技术能力，通过自主研发和技术创新，


建立了特殊涂层工艺及其关联技术、特殊涂层材料及陶瓷材料制备技术和生产装备自主化研制技术等三位一体的核心技术矩阵。

在特殊涂层工艺及其关联技术方向，公司突破实现了高致密、超低孔隙率、超低微量元素污染特殊涂层的制备工艺，通过对气相沉积、高致密等离子喷涂等表面处理工艺的研发创新，使半导体设备特殊涂层零部件产品的耐等离子侵蚀、抗颗粒污染及微量元素控制等性能达到较高水平，能够先进制程芯片制造需求。

在特殊涂层材料及陶瓷材料制备技术方向，公司依托自主研发的高纯特殊涂层材料制备技术、半导体设备零部件用氧化物陶瓷制备技术等材料制备方法，提升特殊涂层零部件的基础材料工艺自主可控性。

在生产装备自主化研制技术方向，公司通过设备硬件改造、全新设计以及工艺控制软件自主编程，与公司自身积累的特殊涂层工艺经验实现良好适配，实现设备工艺环境多级气体混合、智能热场调控的创新，以及特殊涂层工艺过程中工艺参数的高精度控制，使产品的加工良率与稳定性大幅度提升。

公司具备完善的研发体系，核心技术矩阵均为自主研发，不存在依赖第三方的情况，具备独立自主的研发能力。公司已形成从基础材料研发、特殊涂层工艺技术、精密零部件加工工艺到生产装备自主化研发的完整创新闭环，运用核心技术的多款半导体零部件产品实现量产供货。核心技术具体情况如下：

（1）特殊涂层工艺及其关联技术

核心技术名称

技术内容与特征

主要应用产品

核心技术来源

技术先进性体现

物理气相沉积(PVD)工艺

集合磁控溅射、离子束蒸镀工艺优势,通过气压的精准控制、功率选择、沉积时间等工艺参数调整,该项技术能够实现:(1)高纯度高致密度特殊涂层沉积,实现半导体设备反应腔内特殊涂层零部件孔隙率小于0.01%,降低颗粒污染和微量元素污染问题发生概率,提升晶圆制造良率。(2)在半导体设备光学类特殊涂层零部件、精密光学器件生产中实现客户所需的特定光学性能。

半导体设备特殊涂层零部件、精密光学器件

自主研发

国内少数掌握此项技术的半导体特殊涂层零部件厂商。应用此项技术的产品向国内最先进制程的刻蚀设备商稳定量产供货。

高致密等离子喷涂(HDPS)工艺

传统的大气等离子喷涂技术制备的特殊涂层具有典型的片层结构,

半导体设备特殊涂层零部件

自主研发

特殊涂层寿命较传统大气等离子喷涂


核心技术名称

技术内容与特征

主要应用产品

核心技术来源

技术先进性体现

孔隙率较PVD工艺制备的涂层高很多(通常>3%)，力学性能较差，易产生裂纹；并且传统大气等离子喷涂形成的特殊涂层表面粗糙度较大，在等离子体的冲蚀下，容易产生污染硅晶圆的颗粒。公司通过氩氢混合比动态调节与多层结构设计以及工艺优化，改善等离子喷涂特殊涂层微观结构，制备热膨胀系数渐进变化的特殊复合涂层，提升表面结合强度，同时孔隙率小于1%。

工艺大幅提升，应用此项技术的产品向国内最先进制程的刻蚀设备商稳定量产供货

化学气相沉积(CVD)工艺

实现高精度气体流量控制、热场分布均匀性、膜厚控制等关键工艺，解决大尺寸碳化硅CVD加工难点。

半导体设备特殊涂层零部件

自主研发

具备12寸大硅片外延托盘加工能力

高洁净度精密清洗再生(Cleaning)工艺

经过脱脂、冲洗、酸洗、超声洗、烘干等工艺，实现精密去除材料表面颗粒物、金属离子等残留物，满足后续镀膜工艺及半导体零部件成品的高洁净度要求。

半导体设备特殊涂层零部件

自主研发

满足国内最先进制程设备直接上机使用的洁净度指标

超精密机械抛光工艺

自主开发抛光液配合体系和工艺，通过高精度机械加工和抛光工艺，实现复杂型面、脆性材料的精密研磨抛光。该工艺的精度和误差控制水平对后续特殊涂层工艺至关重要。

精密光学器件产品、半导体设备光学类特殊涂层零部件(光刻、量检测设备用)

自主研发

突破脆性基底材料纳米级加工瓶颈，实现基底材料表面粗糙度≤0.5nm，光洁度≤1级。

（2）特殊涂层材料及陶瓷材料制备技术

核心技术名称

技术内容与特征

主要应用产品

核心技术来源

技术先进性体现

高纯特殊涂层材料制备技术

冷等静压成型工艺

利用流体介质在高压下对粉末材料施加各向同性压力，实现粉体的均匀致密化成型。

半导体设备特殊涂层零部件、特种材料产品

自主研发

实现先进制程晶圆制造环境中陶瓷粉体/特殊涂层粉体高密度胚体成型

真空烧结工艺

真空烧结过程中待处理的材料通常以粉末或者颗粒的形式存在。在加热的作用下，材料的颗粒开始熔结并形成结晶结构。高温下，材料颗粒之间发生扩散，表面能量降低，从而

半导体设备特殊涂层零部件、特种材料产品

自主研发

实现先进制程晶圆制造环境中特殊涂层材料的密度、纯度和强度


核心技术名称

技术内容与特征

主要应用产品

核心技术来源

技术先进性体现

使颗粒相互结合形成致密的整体。

精密退火工艺

将真空烧结后的物体进行多次多温区退火，降低物料的应力。

半导体设备特殊涂层零部件、特种材料产品

自主研发

实现先进制程晶圆制造环境中特殊涂层材料的高纯度、高热稳定性

半导体设备零部件用氧化物陶瓷材料制备工艺技术

通过在氧化物原料中加入定量的分散剂以及表面活性剂，结合球磨和喷雾干燥技术，造粒得到粒度分布均匀、球形度好，分散性良好的高纯氧化物陶瓷造粒粉。造粒粉经过成型工艺得到陶瓷素坯，机加工后在高温烧结炉内进行排胶脱脂和常压烧结。工艺流程操作简单，生产成本低，适合生产各种尺寸复杂的零部件，灵活性高。

特种材料产品、半导体设备特殊涂层零部件

自主研发

自研工艺提升粉体原料质量，经陶瓷成型后体积密度、气孔率、机械强度、热学性能等指标达到半导体设备零部件要求。

（3）生产装备自主化研制技术

核心技术名称

技术内容与特征

主要应用产品

核心技术来源

技术先进性体现

化学气相沉积设备炉体设计及热场和气场优化设计技术

对设备中热场、气体流场进行设计和优化，使得提升生产的基础镀膜效率。并通过不断的设备改进，满足长时间无故障生产的实际需求。通过对工艺气体比例、工艺温度等进行相应硬件设计和软件编程，使得镀膜效率提升、镀膜质量或关键指标可调节，以满足不同客户对膜层的需求。

公司自研自用设备

自主研发

对于炉体设计、工业控制和工艺设计，使得产品镀膜性能高度可控，膜层生长效率大幅提升和膜层纯度达到半导体设备零部件生产需求。

真空涂层工艺参数优化软件开发与精准控制技术

通过PLC硬件及工艺软件的设计与调试，与真空镀膜设备控制软件接口实现对接，调整真空镀膜设备的真空系统参数（如极限真空度、抽气速率）、沉积工艺参数（如电子束功率、基片转速、气体流量）、膜厚控制参数（如膜厚仪反馈精度）等，使薄膜沉积过程达到均匀性高、附着力强、性能稳定的最佳状态

公司自研自用设备

自主研发

在先进制程晶圆制造中通过对设备参数的精准调试，保证工艺的可复现性、精度与薄膜质量稳定性，满足半导体设备零部件等领域对特殊涂层性能（如孔隙率、厚度均匀性、附着力、光学特性）的高要求。

公司的核心技术系依靠公司研发团队的自主研发形成，由专利技术、专有技术两部分共同构建而成。涂层材料和涂层工艺直接影响公司主营产品性能的优劣，公司已在长期研发和生产中总结形成了多类型涂层材料和涂层工艺，其核心


知识产权主要以专有技术形式存在。公司在材料和工艺方面申请专利较少，主要系一旦申请专利公开，容易被竞争对手在研发中参考使用，维权困难。

公司高度重视知识产权管理，制定了知识产权保护相关的研发管理制度，与核心员工签署了保密协议、竞业禁止协议。公司对关键技术工序进行分解，分别由不同的技术人员掌握不同工序关键点；对研发资料文档和数据信息实施加密授权管理，实现材料、工艺参数等创新成果的有效隔离，并使用独立存储等手段对技术图纸和技术方案等文档进行保护。

3、发行人研发水平

（1）研发费用情况

报告期内，公司研发费用分别为956.06万元、1,378.84万元和1,849.30万元，占当期营业收入比例分别为 5.66%、5.37%和 3.73%。具体情况如下表所示：

单位：万元

项目

2025年度

2024年度

2023年度

研发投入

1,849.30

1,378.84

956.06

营业收入

49,573.87

25,687.80

16,905.00

研发投入占营业收入的比例

3.73%

5.37%

5.66%

（2）研发人员情况

报告期各期末，公司研发人员构成情况如下：

单位：人

项目

2025年末

2024年末

2023年末

研发人员

43

32

24

员工人数

356

252

196

研发人员占比

12.08%

12.70%

12.24%

报告期内，公司核心技术人员共2人，分别为柴杰、柴林。核心技术人员简历等情况详见招股说明书“第四节发行人基本情况”之“十二、董事、监事、高级管理人员及其他核心人员的简要情况”之“（一）董事会成员”。

公司核心技术人员拥有扎实的专业基础和丰富的研发技术经验，为公司不断提升自主研发能力奠定了坚实的基础，具体情况如下：


姓名

专业背景

对公司研发的贡献、重要科研成果

柴杰

南京理工大学无线电技术本科毕业

公司董事长、总经理，从事表面处理及材料技术管理工作20余年，积累了丰富行业技术和应用经验，对公司研发主要贡献如下：（1）公司早期搭建研发团队，构建研发体系；（2）参与解决研发项目开展过程中遇到的重难点问题；（3）组织建立并监督执行公司研发管理制度；（4）截至报告期末，是公司6项发明专利的主要发明人。

柴林

电子科技大学物理电子技术专业本科

公司研发总工程师，具备30余年表面处理工艺、材料技术和真空设备研发与项目管理经验。对公司研发主要贡献如下：（1）搭建并管理公司研发团队，组建专业、高效的研发队伍；（2）主持并参与公司技术研发，在研发方向确立、关键节点技术评审和项目验收评审等各环节发挥重要的建议、指导和决策作用；（3）截至报告期末，是公司3项发明专利的主要发明人。

（3）科研实力和成果情况

$ \textcircled{1} $重要奖项和荣誉

截至报告期末，公司获得重要奖项和荣誉情况如下：

序号

奖项名称

核发机构

授予时间

1

专精特新重点“小巨人”企业

工业和信息化部

2024年

2

高新技术企业证书

四川省科学技术厅、四川省财政厅、国家税务总局四川省税务局

2024年

3

四川省企业技术中心

四川省经济和信息化厅、四川省发展和改革委员会、四川省科学技术厅、四川省财政厅、国家税务总局四川省税务局、中华人民共和国成都海关

2023年

4

专精特新“小巨人”企业

工业和信息化部

2022年、2025年

5

成都市新材料企业

成都市经济和信息化委员会

2016年

6

卓越合作伙伴暨杰出表现奖

客户B

2022年

7

杰出支持奖

客户B

2017年、2019年

8

协同创新奖

客户A

2021年、2024年

9

全球战略合作商奖

客户A

2025年

$ \textcircled{2} $重大科研项目

截至报告期末，公司承担重大科研项目的具体情况如下：

项目类别

项目及课题名称

项目角色

主要任务

项目进展

国家

“高导热轻量化关键部件

承担

开发出透明陶瓷原料混合一体

已申请验收


项目类别

项目及课题名称

项目角色

主要任务

项目进展

重点研发计划

结构功能一体化成型技术与装备”项目之“透明陶瓷制造技术及装备”课题

单位

化装备，实现装备运行和工艺技术控制；负责AION散热模块粉体合成及陶瓷烧结专用装备的方案设计与中试运行

结项

（4）研发项目及进展情况

$ \textcircled{1} $在研项目情况

截至报告期末，公司正在从事的主要研发项目如下：

序号

项目名称

具体研发内容和目标

所处阶段

1

半导体化学沉积设备研发

完成实体硅外延零部件生产设备的研发，并掌握适用于石墨基体材料的耐超高温、耐腐蚀、抗氧化性特殊涂层技术

在研中

2

高精度离子束精密抛光设备研制

研究可作用于多种材料的高精度等离子束抛光技术，满足多类表面应用，为发展纳米级的光学元件超精密加工技术提供支撑

在研中

3

半导体刻蚀设备用YH涂层工艺研发

开发具有优异耐等离子体刻蚀性能的YH陶瓷涂层制备工艺，满足半导体刻蚀设备对高纯、防污染、抗腐蚀陶瓷部件的需求

在研中

4

先进半导体、高标准光学镜片等材料高精密抛光工艺研发

开发出领先的工艺技术，使半导体、高标准光学镜片等材料达到更高的面型指标、更小的粗糙度指标，满足半导体、高功率激光等设备制造商提出的更高要求和标准

在研中

5

新型耐辐照高透过率锆酸镧钆透明陶瓷研发

基于高活性粉体合成-高质量素坯成型-高致密陶瓷烧结全链条创新技术，开发系列具有自主知识产权的先进透明陶瓷材料

在研中

6

高反射厚金镀膜技术研发

通过在铜和铝合金基体上进行镀膜工艺优化，在复杂异形产品表面上镀厚金膜，解决半导体设备制造商提出的使产品关键功能面在红外波段具备高反射率

在研中

7

高纯氧化物陶瓷材料及半导体核心零部件制备技术的研发-氧化钇方向

开发低成本、大规模、产业化生产的高纯氧化钇陶瓷，使其具有更优耐等离子体腐蚀特性，从而满足半导体设备企业的更高需求标准

在研中

8

半导体湿法刻蚀工艺用部件涂层研发

开发一种高温耐酸涂特殊涂层的工艺制备技术

在研中

9

应用于半导体器械的金刚石膜和金刚石热沉片工艺开发及相关设备制造

开发金刚石沉积工艺，通过精确控制反应气体比例、气压和基底温度，实现高品质金刚石膜的稳定生长；同时通过升级沉积设备，通过扩大高能量密度区域、设计匀气装置、温度控制系统，增强金刚石膜品质，扩散沉积面积，满足新一代半导体器械设计需求

在研中

10

新型半导体设备核心零部件研发

围绕先进制程原子层沉积（ALD）、原子层刻蚀（ALE）及等离子刻蚀设备核心零部件在结构、材料、热场、流场及洁净度等方面的综合要求，构建覆盖“结构设计-材料选择-制造工艺-性能验证”的

在研中


序号

项目名称

具体研发内容和目标

所处阶段

系统化技术体系，形成面向先进制程设备核心零部件的综合研发能力

11

高导热氮化铝陶瓷材料及其部件制备工艺的研发

开发具有高导热性、高电绝缘性、优良的化学稳定性的氮化铝陶瓷材料，应用于半导体封装和功率电子器件领域

在研中

12

低热膨胀系数的堇青石陶瓷材料及其大型异构件制备工艺的研发

开发具有低热膨胀系数、高机械强度、轻量化的堇青石陶瓷材料，拟应用于半导体光刻机工作平台，以确保光刻过程的精度和稳定性

在研中

13

一种超精密清洗技术的研发

优化清洗液化学配方与物理工艺组合，突破HAR结构去除效率与无损性方面关键技术，开展国产自主可控的清洗装备与配方研发，突破国产清洗装备和配方关键技术，搭建全流程数字化体系

在研中

$ \textcircled{2} $合作研发情况

公司、四川大学、北京航空航天大学共同承担国家重点研发计划“高性能制造技术与重大装备”重点专项中项目1.2“高导热轻量化关键部件结构功能一体化成形技术与装备”中的课题2“透明陶瓷制造技术及装备”，在此课题中进行技术合作。

公司为“透明陶瓷制造技术及装备”课题的承担单位，对该课题的研究进行开发和协调管理，并负责课题的申请、核对、交付验收，目前已开发出透明陶瓷原料混合一体化连续化装备，实现装备运行和工艺技术控制。四川大学、北京航空航天大学负责课题中部分任务内容的实施。该课题合作过程具体分工如下：

课题名称

单位名称

主要承担任务

透明陶瓷制造技术及装备

超纯股份

开发出透明陶瓷原料混合一体化装备，实现装备运行和工艺技术控制；负责AION散热模块粉体合成及陶瓷烧结专用装备的方案设计与中试运行。

四川大学

突破透明陶瓷模块高性能制备关键技术，形成模块批量化制备技术方案。

北京航空航天大学

进行AION陶瓷散热模块散热设计、形成散热模块冷却结构设计方案、并对多目标优化所得的透明陶瓷散热模块结构进行验证。

本项目产生的知识产权，由各方合作共同研究的部分，归各方共有；由各方自行研究的部分归各方自己拥有。各方原有的知识产权归各方自己所有。

（三）发行人主要经营和财务数据及指标

项目

2025.12.31/

2024.12.31/

2023.12.31/

2025年度

2024年度

2023年度


项目

2025.12.31/2025年度

2024.12.31/2024年度

2023.12.31/2023年度

资产总额(万元)

108,665.38

76,121.40

39,835.27

归属于母公司所有者权益(万元)

85,413.32

59,709.20

32,091.14

资产负债率(母公司)

21.47%

20.88%

17.08%

营业收入(万元)

49,573.87

25,687.80

16,905.00

净利润(万元)

18,452.70

8,226.30

6,480.52

归属于母公司所有者的净利润(万元)

18,474.73

8,295.22

6,480.52

扣除非经常性损益后归属于母公司所有者的净利润(万元)

20,368.21

8,551.46

6,642.45

基本每股收益(元)

2.44

0.42

不适用

稀释每股收益(元)

2.44

0.42

不适用

加权平均净资产收益率

25.30%

18.54%

20.80%

经营活动产生的现金流量净额(万元)

16,542.94

8,769.32

6,119.05

现金分红(万元)

-

-

5,000.00

研发投入占营业收入的比例

3.73%

5.37%

5.66%

（四）发行人存在的主要风险

1、与发行人相关的风险

（1）技术风险

$ \textcircled{1} $技术研发无法满足先进制程迭代的风险

随着国内半导体先进制程工艺微缩化迭代，半导体设备反应腔室内部面临愈发严苛的工艺制备环境，高密度等离子体、极端温度波动及高频离子轰击对反应腔内零部件的抗侵蚀性能和稳定性提出指数级增长的技术要求。公司应用自主研发的多项特殊涂层工艺，实现等离子体耐受性、超低颗粒和微量元素污染控制等关键性能突破。

随着制程不断迭代，半导体设备及零部件厂商必须紧跟晶圆制造厂商等下游厂商的需求而不断提高工艺水平以及产品性能，随之对公司的研发能力、工艺水平不断提出更高要求。对于同一代工艺制程，半导体设备企业也会不断升级优化从而提升良率，公司必须及时研发相匹配的零部件产品以应对下游厂商不断提升的技术要求。


报告期内，公司半导体特殊涂层零部件中来自成熟制程的收入占比分别为 77.76%、74.70%、74.30%、占比相对较高。公司下游客户不断加大在先进制程领域的投入，若产品研发不能及时满足先进工艺制程及先进技术路线演进的需求，或无法实现关键技术突破导致产品性能无法达到客户先进制程产品的预期要求，公司的行业地位和未来经营业绩将受到不利影响。

$ \textcircled{2} $核心技术泄密与技术人才流失的风险

公司的持续发展和创新依赖于长期自主研发过程中积累的核心技术和相关储备技术。为了防止核心技术泄密，公司进行了一系列严格的保密管理，且与核心人员签署了保密及竞业限制协议。近年来，半导体设备零部件市场需求不断增长，行业竞争日益激烈。如若公司核心技术保密措施不能得到有效执行，或因行业不正当竞争导致核心技术泄密，亦或因行业内其他公司提供更具竞争力的薪酬待遇和发展平台导致技术人才流失等，均可能存在公司丧失核心竞争力的风险。

（2）经营风险

$ \textcircled{1} $客户集中度较高的风险

报告期内，公司向前五大客户的销售收入合计分别为14,566.62万元、 22,140.01万元、44,440.88万元，占同期营业收入的比例分别为 86.17%、86.19%、 89.65%，主要因为半导体产业技术门槛高、研发周期长、投资额较大，行业特性导致下游单个设备企业与晶圆制造企业规模较大且集中度较高。客户A、客户B作为行业龙头企业，市场份额较高，报告期内公司向客户A、客户B销售占比合计分别为 46.41%、69.74%、64.79%，客户较为集中。

若客户A、客户B等主要客户经营状况发生较大不利变化，或公司无法维护与现有主要客户的稳定合作关系，持续获取订单并转化为收入，亦或是由于行业景气度下降，公司主要客户需求减少同时公司无法有效开拓新客户资源，则将对公司的经营业绩的可持续性产生不利影响。

$ \textcircled{2} $新产品验证或新应用领域拓展不达预期的风险

报告期内，公司的产品主要包括半导体设备特殊涂层零部件、精密光学器件和特种材料，其中半导体设备特殊涂层零部件收入占报告期各期营业收入九成以上。未来，公司将进一步在键合、外延、离子注入、氧化扩散、清洗、先进封装


等领域陆续进行产品验证、市场开拓，并持续拓展国防军工、航空航天、核工业等前沿战略领域。

公司成为客户的合格供应商，一般需要完成质量体系认证、特种工艺制程认证、首件试制等环节，方可具备为客户大批量生产的资格，认证周期较长。如若公司新产品开发或首件认证不达预期或不具备竞争优势，或公司无法突破现有产品应用领域，未能在新的产品应用领域实现有效拓展并实现规模化收入，将对盈利能力与可持续增长空间产生不利影响。

$ \textcircled{3} $单一供应商依赖与主要原材料的供应来源较为集中的风险

公司产品的主要原材料包括陶瓷基底、金属基底等。为保障原材料质量、供应渠道和生产工艺的稳定性，公司对陶瓷基底、金属基底等重要材料通常会选择 1-2家供应商作为长期合作伙伴，与主要供应商建立长期稳定的合作关系，有利于保证产品质量稳定。报告期内，公司向前五大供应商的采购占比分别为 54.05%、66.62%、79.44%；其中，公司向珂玛科技采购占比分别为 33.75%、48.47%、 38.06%，存在单一供应商依赖与主要原材料的供应来源较为集中的风险。

如若珂玛科技等主要供应商的生产经营产生波动，或者受上游材料市场或其他因素影响，无法按时、保质保量地供应公司原材料，且公司短期内找不到相应替代原材料，将会对公司生产经营产生不利影响。

$ \textcircled{4} $主要原材料价格波动风险

公司主要原材料为陶瓷基底和金属基底等。报告期内，公司主营业务成本中材料成本占比超过 50%，比重较大。原材料价格的波动直接影响公司产品的成本及毛利率水平。原材料价格受宏观环境、经济周期、市场需求、汇率等因素的影响可能出现波动。如若原材料市场价格出现大幅上涨，或公司难以将原材料价格上涨传导至客户端，可能导致公司营业成本上升，对公司业绩产生不利影响。

$ \textcircled{5} $关联交易的风险

报告期内，公司与关联方之间存在销售商品及服务等关联交易。其中，公司向客户B销售金额分别为4,454.73万元、8,104.45万元、12,900.25万元，占当期收入比重分别为 26.35%、31.55%、26.02%，交易金额及占比较高。公司向客户B销售具有商业合理性：一方面客户B在半导体设备领域具有较高的市场占


有率，另一方面公司刻蚀设备零部件有效匹配了客户B的性能需求。报告期内，公司与关联方的交易定价公允，不存在利益输送的情形。

公司预计未来仍将存在一定的关联销售，若公司未能严格执行相关的内控制度和关联交易管理制度，无法有效控制关联交易规模，或关联交易定价不公允或不合理，或者未能履行关联交易决策、审批程序，则存在关联交易损害公司或中小股东利益的风险。

$ \textcircled{6} $替代品导致未来毛利率下降的风险

半导体设备零部件的特殊涂层技术是指通过在半导体设备零部件表面进行特殊涂层处理的工艺，以确保半导体设备在极端制程环境下长期稳定运行，有效支撑先进制程对良率和洁净度的严苛要求。目前发行人掌握稳定量产的物理气相沉积（PVD）工艺、高致密等离子喷涂（HDPS）工艺等特殊涂层工艺，具备较高的商业价值，并已成功导入国内知名的半导体设备厂商与晶圆厂商。

如若未来半导体设备零部件特殊涂层相关领域出现突破性技术或国内竞争者亦实现同类特殊涂层工艺的稳定量产，而公司未能及时、准确地研判技术趋势并投入足够研发资源进行布局，将可能导致现有技术及产品面临竞争加剧、被替代的风险，进而对毛利率产生不利影响。

（3）财务风险

$ \textcircled{1} $业绩波动或业绩增速放缓甚至下滑的风险

半导体产业受国际贸易环境、下游市场需求市场等影响，存在一定的波动性。在行业上行阶段，半导体企业通常增加资本性支出，导致半导体设备及零部件的需求大幅提升；但在行业下行阶段，半导体企业则削减资本支出，从而对半导体设备及零部件的市场需求产生不利影响。

报告期内得益于半导体产业持续增长，公司营业收入分别为16,905.00万元、 25,687.80万元、49,573.87万元，呈快速增长态势。

如若未来发生宏观经济景气度下行、国家产业政策调整、国际贸易摩擦升级、国内主要竞争对手新增产能投产造成竞争加剧进而影响公司产品销售价格、公司不能有效拓展新客户、下游客户需求发生波动、研发投入未能及时实现产业转化、


产能利用不达预期等情形，将使公司面临一定的经营压力，导致公司未来业绩存在不确定性、增幅大幅放缓、业绩下滑甚至出现亏损的风险。

$ \textcircled{2} $主营业务毛利率下滑的风险

报告期内，公司的主营业务毛利率分别为 63.13%、58.09%、59.26%，保持在较高水平，与同行业可比公司不存在重大差异。

从长期来看，近年来半导体行业竞争格局与下游需求不断变化，国内半导体设备零部件厂商陆续扩大投资并增加产能，行业竞争持续加码，在产能完全释放的情况下，市场总供给规模将大幅提升，可能会对产品价格产生一定影响。且公司在同步开拓其他半导体设备核心零部件产品，新产品毛利率水平存在一定不确定性。

如若后续行业竞争加剧、市场竞争格局发生变化导致发行人竞争优势无法维持、下游主要客户采购模式发生结构性变化、新客户拓展不及预期导致在手订单金额大幅下滑、关键原材料价格出现大幅上涨或公司新产品的生产成本较高，均可能导致主营业务毛利率水平下滑。

$ \textcircled{3} $应收账款增加的风险

报告期各期末，公司应收账款的账面价值分别为8,964.78万元、15,619.35万元、20,701.24万元，占总资产的比例分别为 22.50%、20.52%、19.05%，公司应收账款周转率分别为1.83次、1.80次、2.27次。报告期内，随着业务扩张、销售规模不断扩大，公司应收账款余额快速提高，坏账准备有所增长。

如若未来公司应收账款增幅较大，主要客户经营状况出现不利变化或付款大幅延迟，公司应收账款周转率可能下降、计提的坏账准备可能增加，继而可能对公司的生产经营和业绩造成不利影响。

$ \textcircled{4} $存货增加及跌价的风险

报告期各期末，公司存货的账面价值分别为2,045.50万元、3,011.00万元、 5,786.22万元，占总资产的比例分别为 5.13%、3.96%、5.32%，公司存货周转率分别为2.41次、3.17次、3.47次。随着半导体行业需求增长，报告期内业务持续扩张，为应对客户日益增加的订单量，公司需储备足够的原材料、库存商品等，


公司存货余额持续增加。

如若未来公司不能保持对存货的有效管理，较大的存货规模将会对公司流动资金产生一定压力，且可能导致存货跌价准备上升，将对公司的资金周转或业绩造成不利影响。

$ \textcircled{5} $税收优惠政策变动的风险

公司系高新技术企业，享受减按 15%税率缴纳企业所得税的优惠政策，上述高新技术企业认定持续至2027年12月；子公司眉山超纯、龙瓷科技、百嘉宜华属于小型微利企业，享受年应纳税所得额不超过100万元的部分，减按 25%计入应纳税所得额，按 20%的税率缴纳企业所得税的税收优惠政策。同时，根据《关于集成电路企业增值税加计抵减政策的通知》及《关于提高集成电路和工业母机企业研发费用加计扣除比例的公告》规定，公司符合税收政策条件，2023年至 2027年可享受“按照当期可抵扣进项税额加计 15%抵减应纳增值税税额”、“开展研发活动中实际发生的研发费用，未形成无形资产计入当期损益的可按照实际发生额的 120%在税前扣除；形成无形资产的按照无形资产成本的 220%在税前摊销”的税收优惠政策。报告期各期，公司享受的税收优惠金额分别为1,058.18万元、1,317.21万元和2,950.85万元，占当期利润总额的 14.03%、13.69%和 13.53%。

如若未来上述政策条件发生变化，或公司及子公司不再符合相关认定，将导致公司无法享受上述税收优惠政策，从而对公司业绩水平造成一定的影响。

（4）内部控制风险

$ \textcircled{1} $经营规模扩张引致的管理风险

报告期内，随着公司业务发展，收入与资产规模持续增加，相应将在资源整合、产品研发、质量管理、内部控制、市场开拓等方面对公司提出更高的要求，公司在战略规划、运营管理、资金管理和内部控制等方面将面临更大的挑战。

如若公司的组织模式和管理制度未能随着公司规模扩张及时调整完善，管理水平无法适应公司的快速发展，将使公司一定程度上面临规模扩张导致的管理风险，对未来业务的发展造成不利影响。

$ \textcircled{2} $实际控制人及一致行动人不当控制的风险


公司控股股东、实际控制人为柴杰先生，柴杰先生直接持有公司 41.89%的股份，通过嘉泽和畅（担任执行事务合伙人）间接控制公司 3.26%股份的表决权，通过嘉田和新（担任执行事务合伙人）间接控制 3.08%股权表决权，合计控制公司 48.23%的表决权，为公司的控股股东、实际控制人；柴杰之兄柴林直接持有公司 20.61%股份，为柴杰的一致行动人。实际控制人及一致行动人合计控制公司 68.84%的表决权，能够通过所控制的表决权影响公司的重大经营决策。

如若相关内部控制制度不能得到有效执行，公司存在实际控制人利用其控制地位对公司的发展战略、重大人事安排、对外投资等重大经营决策事项实施不当控制，从而损害公司及其他中小股东利益的风险。

（5）募集资金投资项目风险

$ \textcircled{1} $募投项目实施及产能消化风险

本次募投项目建成投产后，“半导体设备核心光学零部件产业化项目”预计每年新增20,000片量检测设备及光刻设备零部件的产能，“半导体材料及表面处理产业化项目”预计每年新增17,500片半导体刻蚀设备零部件的产能，“眉山基地产能扩建项目”预计每年新增10,000片/套半导体退火、扩散、外延工艺环节设备配套零部件及精密光学零部件的产能。如若未来市场环境、项目实施进度、公司管理能力等方面出现重大不利变化，公司可能面临募集资金投资项目无法顺利实施的风险。此外，若在项目实际建成后，国家政策变动、市场需求下降或市场竞争加剧、新产品开发或市场开拓不达预期等情况，可能面临新增产能无法及时消化的风险，进而对公司盈利能力产生不利影响。

$ \textcircled{2} $募投项目新增折旧摊销影响公司盈利能力的风险

根据募集资金使用计划，本次募集资金投资项目建成后，公司资产规模将大幅增加，导致各年折旧和摊销费用相应增加，项目完全达产后预计新增折旧摊销费用峰值5,989.91万元/年。若募集资金投资项目不能较快产生效益以弥补新增固定资产投资带来的折旧和无形资产产生的摊销，则募投项目的投资建设将在一定程度上影响公司未来的净利润和净资产收益率。


2、与行业相关的风险

（1）宏观经济、半导体行业周期波动的风险

半导体设备行业受到下游客户的市场需求波动影响较大。若未来宏观经济发生周期性波动，导致下游市场需求下降，客户将大幅削减采购需求。由于公司投资规模大，固定成本高，若订单大幅下滑，则公司业绩可能大幅下滑。

同时，在半导体行业景气度提升的周期，公司必须保证备货和产品交付以满足客户需求。若公司不能及时应对客户需求的快速迭代，或产品性能无法满足客户需求，则可能会导致公司失去既有或潜在客户，进而对公司的业务、经营成果、财务状况或现金流量产生不利影响。

（2）国产化替代进程加速、行业竞争加剧的风险

由于行业壁垒高、国内起步较晚，全球半导体零部件供应链依然由日本、韩国、欧美等海外企业占据绝对主导地位，而国内半导体零部件整体国产化率较低，特别是高端领域国产替代需求极为迫切。随着国外对中国半导体产业的技术封锁持续加码，围绕半导体产业开展的地缘政治竞争日趋激烈，国内半导体设备厂商加快国产化进程，与具备技术实力的零部件厂商开展验证和量产，设备零部件国产化率正在稳步提高。在下游市场需求带动和国家产业政策的推动下，越来越多的国内厂商开始参与半导体设备零部件、核心材料技术研发和业务拓展。根据华泰证券研究所数据，2025年国内半导体设备国产化率预计为 23%。2026年国内半导体设备国产化率预计提升至 29%。

如若未来行业进入者增加，市场竞争加剧，或公司未来无法持续提升技术实力、产品性能或产品供给能力去有效应对日趋激烈的市场竞争，将导致公司产品的竞争力或产品价格下降，从而对公司的盈利能力产生不利影响。

（3）产业政策变动的风险

公司所处的半导体产业属于国家鼓励支持的战略性领域，近年来，国家不断出台相关产业政策、税收优惠政策、技术扶持政策，对行业发展起到积极引导作用，推动企业加快产业结构升级和技术水平提升。

如若未来国家产业政策发生重大不利变化，或出台法律法规对公司生产经营


提出新要求，公司的发展前景将可能受到影响，进而给公司经营状况和盈利能力带来风险。

3、其他风险

（1）发行失败风险

公司本次申请首次公开发行股票并在创业板上市，发行结果将受到公开发行时国内外宏观经济环境、证券市场整体情况、投资者对公司股票发行价格的认可程度及股价未来趋势判断、公司发展前景等多种内、外部因素的影响，可能存在因认购不足等导致的发行失败风险。

（2）前瞻性陈述可能不准确的风险

招股说明书列载有若干前瞻性陈述，涉及公司未来发展规划、业务发展目标等方面的预期或相关的讨论。尽管公司相信，该等预期或讨论所依据的假设是审慎、合理的，但亦提醒投资者注意，该等预期或讨论涉及的风险和不确定性可能不准确。

（3）汇率波动风险

报告期内，公司主营业务收入中销售至保税区及其他境外地区的境外收入占比分别为 25.39%、17.88%、18.78%，主要以美元结算。报告期内公司汇兑损益分别为-102.05万元、-89.75万元、0.15万元（负数表示收益）。未来如果境内外经济环境、政治形势、货币政策等因素发生变化，使得人民币与美元汇率大幅波动，可能使得公司面临汇兑损失风险，进而对公司的净利润造成一定的不利影响。

二、申请上市股票的发行情况

（一）本次发行的基本情况

股票种类

人民币普通股（A股）

每股面值

1.00元

发行股数

2,546.1539万股

占发行后总股本比例

25%

其中：发行新股数量

2,546.1539万股

占发行后总股本比例

25%

股东公开发售股份数量

无

占发行后总股本比例

不适用

发行后总股本

10,184.6154万股


每股发行价格

65.99元

发行市盈率

36.38倍(按照每股发行价除以发行后每股收益计算,每股收益按照公司2025年度经审计的扣除非经常损益前后孰低的归属于母公司股东的净利润除以发行后总股本计算)

发行前每股净资产

11.23元(按照2025年12月31日经审计的净资产除以本次发行前总股本计算)

发行前每股收益

2.42元(按照2025年度经审计的扣除非经常性损益前后孰低的归属于母公司所有者的净利润除以本次发行前总股本计算)

发行后每股净资产

23.71元(按照2025年12月31日经审计的净资产加上本次发行筹资净额之和除以本次发行后总股本计算)

发行后每股收益

1.81元(按照2025年经审计扣除非经常性损益前后孰低的归属于母公司股东净利润除以发行后总股本计算)

发行市净率

2.78倍(按每股发行价格除以发行后每股净资产计算)

发行方式

本次发行采用向参与战略配售的投资者定向配售、网下向符合条件的投资者询价配售和网上向持有深圳市场非限售A股股份和非限售存托凭证市值的社会公众投资者定价发行相结合的方式

发行对象

符合资格的战略投资者、询价对象以及已开立深圳证券交易所股票账户并开通创业板交易的境内自然人、法人等创业板市场投资者,但法律、法规及深圳证券交易所业务规则等禁止参与者除外

承销方式

余额包销

募集资金总额

168,020.70万元

募集资金净额

155,719.14万元

募集资金投资项目

半导体设备核心光学零部件产业化项目

半导体材料及表面处理产业化项目

眉山基地产能扩建项目

总部及研发中心建设项目

补充流动资金项目

发行费用概算

本次发行费用构成如下:1、保荐承销费用:9,944.26万元;2、审计验资费用:1,150.00万元;3、律师费用:476.42万元;4、用于本次发行的信息披露费用:452.08万元;5、发行手续费用及其他费用:278.80万元。注:以上发行费用口径均不含增值税金额,如合计数与各分项数值之和尾数存在微小差异为四舍五入造成。相较于招股意向书,根据发行情况将印花税纳入了发行手续费用,税基为扣除印花税前的募集资金净额,税率为0.025%。

高级管理人员、员工拟参与战略配售情况

公司高级管理人员及核心员工通过专项资产管理计划参与本次发行的战略配售,根据最终确定的发行价格,最终战略配售股份数量为254.60万股,占本次发行股份数量的10.00%;发行人高级管理人员及核心员工专项资产管理计划获得本次配售的股票


限售期为12个月，限售期自本次公开发行的股票在深交所上市之日起开始计算。

保荐人相关子公司拟参与战略配售情况

本次发行的价格不超过剔除最高报价后网下投资者报价的中位数和加权平均数以及剔除最高报价后通过公开募集方式设立的证券投资基金、全国社会保障基金、基本养老保险基金、企业年金基金和职业年金基金、符合《保险资金运用管理办法》等规定的保险资金和合格境外投资者资金报价中位数和加权平均数的孰低值，故保荐人相关子公司华泰创新投资有限公司无需参与本次战略配售。

拟公开发售股份股东名称、持股数量及拟公开发售股份数量、发行费用的分摊原则（如有）

不适用

（二）本次发行上市的重要日期

刊登初步询价及推介公告日期

2026年7月23日

初步询价日期

2026年7月27日

刊登发行公告日期

2026年7月30日

申购日期

2026年7月31日

缴款日期

2026年8月4日

股票上市日期

本次股票发行结束后将尽快申请在深圳证券交易所挂牌上市

三、保荐人工作人员及其保荐业务执业情况、联系方式

1、保荐代表人

本次具体负责推荐的保荐代表人为袁琳翕和张冠峰。其保荐业务执业情况如下：

袁琳翕先生，硕士研究生学历，保荐代表人，具有十年以上投资银行业务经验。曾主持或参与了大连达利凯普科技股份公司首次公开发行项目、广州迈普再生医学科技股份有限公司首次公开发行项目、广州方邦电子股份有限公司首次公开发行项目、中伟新材料股份有限公司首次公开发行项目、深圳市沃特新材料股份有限公司首次公开发行项目、华安证券股份有限公司首次公开发行项目、金安国纪集团股份有限公司首次公开发行项目等；作为项目组主要成员参与安徽省皖能股份有限公司2012年非公开发行股票项目、内蒙古兴业银锡矿业股份有限公司2013年非公开发行股票项目、棕榈生态城镇发展股份有限公司2014年非公开发行股票项目、广州市红棉智汇科创股份有限公司2015年非公开发行股票项目、新希望六和股份有限公司2016年发股购买资产项目、广州越秀资本控股集团股


份有限公司2017年发股购买资产项目、伊之密股份有限公司2020年向特定对象发行股票项目等。

张冠峰先生，硕士研究生学历，保荐代表人，具有十年以上投资银行业务经验，曾主持或参与了大连达利凯普科技股份公司首次公开发行项目、广州迈普再生医学科技股份有限公司首次公开发行项目、深圳市新产业生物医学工程股份有限公司首次公开发行项目、深圳光峰科技股份有限公司首次公开发行项目、广州方邦电子股份有限公司首次公开发行项目、威海光威复合材料股份有限公司首次公开发行项目、上海爱旭新能源股份有限公司非公开发行项目、顺丰控股股份有限公司公开发行可转债、南威软件股份有限公司公开发行可转债、广州越秀资本控股集团股份有限公司非公开发行项目、广州白云山医药集团股份有限公司非公开发行项目、中材科技股份有限公司非公开发行项目等项目，并主持或参与了顺丰控股股份有限公司借壳上市项目、上海爱旭新能源股份有限公司借壳上市项目、深圳华侨城股份有限公司重大资产重组项目、北京旋极信息技术股份有限公司发行股份购买资产项目等。

2、项目协办人

本次超纯股份首次公开发行股票项目的协办人为赵鹏飞，其保荐业务执业情况如下：

赵鹏飞先生，硕士研究生学历，保荐代表人，具有九年投资银行业务经验，曾主持或参与了广东蒙泰高新纤维股份有限公司首次公开发行项目、深圳市澄天伟业科技股份有限公司首次公开发行项目、广东天元实业集团股份有限公司首次公开发行项目、深圳市飞荣达科技股份有限公司首次公开发行项目、安徽国风新材料股份有限公司2021年非公开发行项目等。

3、项目组其他成员

其他参与本次超纯股份首次公开发行股票保荐工作的项目组成员还包括：刘普阳、王禹、邹琳、李祎、方宇晖。

4、联系方式

办公地址：北京市西城区金融大街乙9号金融街中心C座21层


邮政编码：100032

电话：010-56839300

传真：010-56839500

四、保荐人及其关联方与发行人及其关联方之间是否存在关联关系情况说明

华泰联合证券作为发行人的上市保荐人，截至本上市保荐书签署日：

（一）南京华泰紫金新兴产业基金合伙企业（有限合伙）直接持有发行人 0.47%的股份，南京华泰紫金新兴产业基金合伙企业（有限合伙）的执行事务合伙人为华泰紫金投资有限责任公司，华泰紫金投资有限责任公司为发行人保荐人华泰联合证券有限责任公司的控股股东华泰证券股份有限公司的全资子公司。

除上述情形之外，保荐人或其控股股东、实际控制人、重要关联方不存在持有发行人或其控股股东、实际控制人、重要关联方股份的情况。

（二）发行人或其控股股东、实际控制人、重要关联方不存在持有保荐人或其控股股东、实际控制人、重要关联方股份的情况。

（三）保荐人的保荐代表人及其配偶，董事、监事、高级管理人员，不存在持有发行人或其控股股东、实际控制人及重要关联方股份，以及在发行人或其控股股东、实际控制人及重要关联方任职的情况；

（四）保荐人的控股股东、实际控制人、重要关联方与发行人的控股股东、实际控制人、重要关联方不存在相互提供担保或者融资等情况；

（五）保荐人与发行人之间不存在其他关联关系。

五、保荐人承诺事项

（一）保荐人承诺已按照法律法规和中国证监会及深圳证券交易所的相关规定，对发行人及其控股股东、实际控制人进行了尽职调查、审慎核查，充分了解发行人经营状况及其面临的风险和问题，履行了相应的内部审核程序。

（二）保荐人同意推荐成都超纯应用材料股份有限公司在深圳证券交易所创业板上市，相关结论具备相应的保荐工作底稿支持。


（三）保荐人承诺，将遵守法律、行政法规和中国证监会、深圳证券交易所对推荐证券上市的规定，自愿接受深圳证券交易所的自律管理。

六、保荐人关于发行人是否已就本次证券发行上市履行了《公司法》《证券法》和中国证监会及深圳证券交易所规定的决策程序的说明

发行人就本次证券发行履行的内部决策程序如下：

1、2025年7月3日，发行人召开了第一届董事会第四次会议，该次会议应到董事8名，实际出席本次会议8名，审议通过了《关于成都超纯应用材料股份有限公司申请首次公开发行人民币普通股股票并在创业板上市的议案》等议案，并决定将该等议案提请发行人2025年第二次临时股东会审议。

2、2025年7月18日，发行人召开了2025年第二次临时股东会，出席会议股东代表持股总数76,384,615股，占发行人股本总额的 100%，本次会议审议并批准了发行人董事会提交的与本次发行上市有关的全部议案。

依据《公司法》《证券法》《首次公开发行股票注册管理办法》《深圳证券交易所创业板股票上市规则》等法律法规及发行人《公司章程》的规定，发行人申请在境内首次公开发行股票并在创业板上市已履行了完备的内部决策程序。

七、保荐人针对发行人是否符合板块定位及国家产业政策的依据及核查情况

（一）发行人符合创业板定位相关指标要求

公司符合《深圳证券交易所创业板企业发行上市申报及推荐暂行规定（2024年修订）》第四条规定的成长型创新创业企业相关指标（一）的要求，具体如下：

创业板定位相关指标(一)

是否符合

指标情况

最近三年研发投入复合增长率不低于15%，最近一年研发投入金额不低于1,000万元

是□否

2023年至2025年，发行人研发费用分别为956.06万元、1,378.84万元和1,849.30万元，复合增长率为39.08%

最近三年营业收入复合增长率不低于25%

是□否

2023年至2025年，发行人营业收入分别为16,905.00万元、25,687.80万元和49,573.87万元，复合增长率为71.25%


（二）发行人符合创业板定位的具体情况

1、公司能够通过创新、创造、创意促进新质生产力发展的情况

公司自设立以来即深耕于以特殊涂层工艺及其关联技术和材料为代表的核心技术领域，主要面向芯片制造、精密光学等领域，提供经材料改性、精密表面加工、精密清洗和特殊涂层工艺后的精密零部件产品及服务，经过多年持续研发投入和应用拓展，公司能够通过创新、创造、创意促进新质生产力发展。

半导体设备特殊涂层零部件对专业知识、技术储备、行业积累、供应商认证均有较高的要求，技术突破和产品改进无法一蹴而就，需要在对核心技术具有深厚认知的基础上，经过大量技术创新、经验总结、反复试验并进行客户端验证才能完成。公司通过全方位推进新产品研发进程、加速核心技术升级、深化结构创新实践、优化生产工艺流程、建立快速迭代机制、构建柔性化生产体系，促进科技成果高水平应用和生产要素创新性配置，推动国产半导体设备核心零部件产品自主可控。与此同时，公司在设备零部件的技术突破促进下游半导体设备厂商和晶圆制造厂商的产品创新和工艺升级，实现国产设备从被动适配国际标准，转向自主定义设备关键技术路线，为半导体产业高质量发展注入创新动能，为我国迈入半导体强国筑下战略基石。

因此，公司符合能够依靠创新、创造、创意促进企业摆脱传统经济增长方式和生产力发展路径，促进科技成果高水平应用、生产要素创新性配置、产业深度转型升级、新动能发展壮大的成长型创新创业企业。

2、公司的技术创新性及其表征

公司核心技术体系以下游市场需求为导向，构建了覆盖关键设备自研改造、涂层材料制备改性、特殊涂层工艺开发、表面精密加工、特种金属和非金属材料精密成型、精密清洗及成品检测的全链条技术能力，通过自主研发和技术创新，建立了特殊涂层工艺及其关联技术、特殊涂层材料及陶瓷材料制备技术和生产装备自主化研制技术等三位一体的核心技术矩阵。

在特殊涂层工艺及其关联技术方向，公司突破实现了高致密、超低孔隙率、超低微量元素污染特殊涂层的制备工艺，通过对气相沉积、高致密等离子喷涂等表面处理工艺的研发创新，使半导体设备特殊涂层零部件产品的耐等离子侵蚀、


抗颗粒污染及微量元素控制等性能达到较高水平，能够满足先进制程芯片制造需求。

在特殊涂层材料及陶瓷材料制备技术方向，公司依托自主研发的高纯特殊涂层材料制备技术、半导体设备零部件用氧化物陶瓷制备技术等材料制备方法，提升特殊涂层零部件的基础材料工艺自主可控性。

在生产装备自主化研制技术方向，公司通过设备硬件改造、全新设计以及工艺控制软件自主编程，与公司自身积累的特殊涂层工艺经验实现良好适配，实现设备工艺环境多级气体混合、智能热场调控的创新，以及特殊涂层工艺过程中工艺参数的高精度控制，使产品的加工良率与稳定性大幅度提升。

公司具备完善的研发体系，核心技术矩阵均为自主研发，不存在依赖第三方的情况，具备独立自主的研发能力。公司已形成从基础材料研发、特殊涂层工艺技术、精密零部件加工工艺到生产装备自主化研发的完整创新闭环，运用核心技术的多款半导体零部件产品实现量产供货。公司的核心技术情况详见招股说明书之“第五节业务和技术”之“七、发行人的核心技术及研发情况”

综上，发行人具备较强的创新能力。

3、公司符合创业板行业领域及其依据

根据国家统计局颁布的《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017），公司所属行业为“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”下的“C3985电子专用材料制造”。根据国家统计局颁布的《战略性新兴产业分类（2018）》，公司属于“1新一代信息技术产业”之“1.2电子核心产业”之“1.2.3高储能和关键电子材料制造”。

发行人不属于《深圳证券交易所创业板企业发行上市申报及推荐暂行规定 （2024年修订）》第五条规定的原则上不支持其申报在创业板发行上市的行业或禁止类行业，符合创业板行业领域要求。

（三）发行人符合国家产业政策的具体情况

公司产品所应用的半导体设备系晶圆制造与芯片封装的重要基础，对于半导体产业具有重要意义。半导体产业是信息技术产业的核心，是支撑经济社会发展


的战略性、基础性和先导性产业，也是世界主要国家高度重视、全力布局的竞争高地。《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》在强化国家战略科技力量以及深入实施制造强国战略两个章节中均明确提及了发展半导体产业的规划和要求，充分体现了发展半导体产业系落实国家经济发展战略的重要举措之一。

综上，公司主营的半导体设备特殊涂层零部件属于由国家主管部门对外正式发布的产业规划文件中大力推动的关键基础零部件，所处行业为战略性新兴产业和鼓励发展产业，主营业务、主要产品及研究方向与国家产业发展规划的主要任务相匹配，在国家产业发展中具有重要的作用和地位，公司主营业务符合国家经济发展战略和产业政策导向。

（四）保荐人的核查程序

保荐人访谈了发行人管理层，了解发行人的主营业务、业务模式、所属行业、市场竞争格局、竞争优势、未来发展规划等情况；实地察看发行人生产经营场所，实地了解发行人主营业务产品的生产流程、技术路线等；查阅《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017）《战略性新兴产业分类（2018）》《产业结构调整指导目录（2024年本）》等文件，了解发行人所处行业及是否符合创业板板块定位和国家产业政策要求；查阅行业主管部门制定的发展规划和产业政策，了解发行人主营业务是否符合国家产业政策；查阅第三方机构出具的行业研究报告，了解发行人所处行业的发展现状和发展趋势、行业的技术水平及特点等；查阅发行人相关知识产权证书文件、所获相关荣誉、研发项目等资料；查阅《深圳证券交易所股票发行上市审核规则》《深圳证券交易所创业板企业发行上市申报及推荐暂行规定（2024年修订）》《首次公开发行股票注册管理办法》，分析发行人是否符合上述规定的相关要求。

（五）关于发行人符合创业板定位、国家产业政策的结论性意见

经充分核查，保荐人认为发行人符合创业板定位、国家产业政策，推荐其在创业板发行上市。


八、保荐人关于发行人是否符合《深圳证券交易所创业板股票上市规则》规定的上市条件的说明

（一）符合《证券法》、中国证监会规定的发行条件

1、本次证券发行符合《证券法》规定的发行条件的说明

华泰联合证券依据《证券法》第十二条关于首次公开发行新股的条件，对发行人的情况进行逐项核查，并确认：

(1) 发行人具备健全且运行良好的组织机构；

保荐人查阅了发行人的组织架构、《公司章程》《股东会议事规则》《董事会议事规则》等公司治理相关制度。

经核查，保荐人认为：发行人已按照《公司法》等法律法规的规定设立了股东会、董事会、董事会专门委员会，并建立了独立董事制度，聘任了总经理、财务总监、董事会秘书等高级管理人员，发行人具备健全且运行良好的组织机构，符合《证券法》第十二条第（一）项之规定。

（2）发行人具有持续经营能力；

保荐人查阅了发行人的营业执照、业务资质证书等资料、行业政策和研究报告、财务报表及销售、采购合同等资料；查阅了天健会计师事务所（特殊普通合伙）出具的《审计报告》；访谈了发行人的主要管理人员。

经核查，保荐人认为：发行人经营状况稳定，具有持续经营能力，符合《证券法》第十二条第（二）项之规定。

(3) 发行人最近三年财务会计报告被出具无保留意见审计报告；

保荐人查阅了天健会计师事务所（特殊普通合伙）出具的《审计报告》。

经核查，保荐人认为：天健会计师事务所（特殊普通合伙）已就发行人最近三年财务会计报告出具了无保留意见的《审计报告》。

(4) 发行人及其控股股东、实际控制人最近三年不存在贪污、贿赂、侵占财产、挪用财产或者破坏社会主义市场经济秩序的刑事犯罪；

保荐人查阅了发行人及合并报表范围内全部子公司的《市场主体专用信用报


告（无违法违规证明版）》或《经营主体专项信用报告（有无违法违规记录证明版）》发行人控股股东、实际控制人的无犯罪记录证明等资料；通过相关主管部门网站对发行人及其控股股东、实际控制人进行了网络核查。

经核查，保荐人认为：发行人及其控股股东、实际控制人最近三年不存在贪污、贿赂、侵占财产、挪用财产或者破坏社会主义市场经济秩序的刑事犯罪。

(5) 经国务院批准的国务院证券监督管理机构规定的其他条件。

保荐人查阅国务院证券监督管理机构关于企业公开发行证券等相关规定。

经核查，保荐人认为：发行人符合经国务院批准的国务院证券监督管理机构规定的其他条件。

2、本次证券发行符合《首次公开发行股票注册管理办法》规定的发行条件的说明

(1) 发行人是依法设立且持续经营三年以上的股份有限公司，具备健全且运行良好的组织机构，相关机构和人员能够依法履行职责。有限责任公司按原账面净资产值折股整体变更为股份有限公司的，持续经营时间可以从有限责任公司成立之日起计算。

查证过程及事实依据如下：

保荐人取得了发行人的营业执照、《公司章程》《审计报告》；获取了发行人设立以来的全套工商登记档案资料，核查发行人的设立程序、工商注册登记的合法性、真实性；通过国家企业信用信息公示系统等网站对发行人设立及存续状态进行了查询。发行人于2005年8月25日注册登记成立，并于2024年12月13日整体变更为成都超纯应用材料股份有限公司。

保荐人查阅了发行人《公司章程》《股东会议事规则》《董事会议事规则》《总经理工作细则》《董事会秘书工作细则》及董事会各专门委员会的工作细则等发行人公司治理制度的相关文件，查阅发行人设立以来历次股东会、董事会等会议资料，查阅发行人组织结构图和部门职能说明。发行人已经依法建立健全股东会、董事会、独立董事、董事会秘书制度，相关机构和人员能够依法履行职责。

经核查，保荐人认为：发行人的持续经营时间已超过三年。发行人具备健全


且运行良好的组织机构，相关机构和人员能够依法履行职责，符合《首次公开发行股票注册管理办法》第十条的规定。

(2) 发行人会计基础工作规范，财务报表的编制和披露符合企业会计准则和相关信息披露规则的规定，在所有重大方面公允地反映了发行人的财务状况、经营成果和现金流量，最近三年财务会计报告由注册会计师出具无保留意见的审计报告。发行人内部控制制度健全且被有效执行，能够合理保证公司运行效率、合法合规和财务报告的可靠性，并由注册会计师出具无保留结论的内部控制鉴证报告。

查证过程及事实依据如下：

保荐人查阅了发行人的会计政策、财务核算及财务管理制度、会计账簿及会计凭证、会计报表、申报会计师出具的《审计报告》和《内部控制审计报告》；核查了发行人各项内部控制制度的建立以及执行情况；访谈了发行人的财务负责人。

经核查，保荐人认为：发行人会计基础工作规范，财务报表的编制和披露符合企业会计准则和相关信息披露规则的规定，在所有重大方面公允地反映了发行人的财务状况、经营成果和现金流量，最近三年财务会计报告由天健会计师事务所（特殊普通合伙）出具无保留意见的审计报告。发行人内部控制制度健全且被有效执行，能够合理保证公司运行效率、合法合规和财务报告的可靠性，天健会计师事务所（特殊普通合伙）出具了无保留结论的内部控制审计报告。综上，发行人符合《首次公开发行股票注册管理办法》第十一条的规定。

(3) 发行人业务完整，具有直接面向市场独立持续经营的能力：

$ \textcircled{1} $资产完整，业务及人员、财务、机构独立，与控股股东、实际控制人及其控制的其他企业间不存在对发行人构成重大不利影响的同业竞争，不存在严重影响独立性或者显失公平的关联交易；

$ \textcircled{2} $主营业务、控制权和管理团队稳定，首次公开发行股票并在主板上市的，最近三年内主营业务和董事、高级管理人员均没有发生重大不利变化；首次公开发行股票并在科创板、创业板上市的，最近二年内主营业务和董事、高级管理人员均没有发生重大不利变化；首次公开发行股票并在科创板上市的，核心技术人


员应当稳定且最近二年内没有发生重大不利变化；

发行人的股份权属清晰，不存在导致控制权可能变更的重大权属纠纷，首次公开发行股票并在主板上市的，最近三年实际控制人没有发生变更；首次公开发行股票并在科创板、创业板上市的，最近二年实际控制人没有发生变更；

$ \textcircled{3} $不存在涉及主要资产、核心技术、商标等的重大权属纠纷，重大偿债风险，重大担保、诉讼、仲裁等或有事项，经营环境已经或者将要发生重大变化等对持续经营有重大不利影响的事项。

查证过程及事实依据如下：

保荐人核查了发行人的主要资产、专利、商标等资产的权属情况；查阅了发行人生产经营相关的业务资质证书、重大业务合同；核查了实际控制人及其控制的其他企业的基本情况；核查了发行人关联交易程序的合规性、定价的公允性、发生的合理性。经核查，保荐人认为：发行人资产完整，业务及人员、财务、机构独立，与实际控制人及其控制的其他企业间不存在对发行人构成重大不利影响的同业竞争，不存在严重影响独立性或者显失公平的关联交易。

保荐人查阅了发行人营业执照、《公司章程》以及全套工商登记档案资料、报告期内发行人股东会决议、董事会决议等文件；查阅了发行人实际控制人与其他股东签署的《一致行动协议》。经核查，保荐人认为：发行人主营业务、控制权和管理团队稳定，最近二年内主营业务和董事、高级管理人员均没有发生重大不利变化；发行人的股份权属清晰，不存在导致控制权可能变更的重大权属纠纷，最近二年实际控制人没有发生变更。

保荐人核查了发行人主要资产、专利、商标的权属情况；获取了发行人的征信报告并函证了主要银行；结合网络查询情况，核查了是否存在诉讼、仲裁等或有事项；研究了发行人所处行业的发展情况。经核查，保荐人认为：发行人不存在涉及主要资产、核心技术、商标等的重大权属纠纷，重大偿债风险，重大担保、诉讼、仲裁等或有事项，经营环境已经或者将要发生重大变化等对持续经营有重大不利影响的事项。

综上，发行人符合《首次公开发行股票注册管理办法》第十二条的规定。

(4) 发行人生产经营符合法律、行政法规的规定，符合国家产业政策。


最近三年内，发行人及其控股股东、实际控制人不存在贪污、贿赂、侵占财产、挪用财产或者破坏社会主义市场经济秩序的刑事犯罪，不存在欺诈发行、重大信息披露违法或者其他涉及国家安全、公共安全、生态安全、生产安全、公众健康安全等领域的重大违法行为。

董事、监事和高级管理人员不存在最近三年内受到中国证监会行政处罚，或者因涉嫌犯罪正在被司法机关立案侦查或者涉嫌违法违规正在被中国证监会立案调查且尚未有明确结论意见等情形。

查证过程及事实依据如下：

保荐人查阅了所属行业相关法律法规和国家产业政策，访谈了发行人高级管理人员，查阅了发行人生产经营所需的各项权利证书等，实地查看了发行人生产经营场所；取得了发行人及合并报表范围内全部子公司的《市场主体专用信用报告（无违法违规证明版）》或《经营主体专项信用报告（有无违法违规记录证明版）》；取得了发行人实际控制人、董事、取消监事会前在任监事和高级管理人员的无犯罪记录证明。

经核查，保荐人认为：发行人生产经营符合法律、行政法规的规定，符合国家产业政策。最近三年内，发行人及其实际控制人不存在贪污、贿赂、侵占财产、挪用财产或者破坏社会主义市场经济秩序的刑事犯罪，不存在欺诈发行、重大信息披露违法或者其他涉及国家安全、公共安全、生态安全、生产安全、公众健康安全等领域的重大违法行为。发行人的董事、取消监事会前在任监事和高级管理人员不存在最近三年内受到中国证监会行政处罚，或者因涉嫌犯罪被司法机关立案侦查或者涉嫌违法违规被中国证监会立案调查，尚未有明确结论意见等情形。

综上，发行人符合《首次公开发行股票注册管理办法》第十三条的规定。

（二）发行后股本总额不低于3000万元

截至本上市保荐书签署日，发行人注册资本为7,638.4615万元，发行后股本总额不低于3,000万元。综上，保荐人认为，发行人符合上述规定。


（三）公开发行的股份达到公司股份总数的 25%以上；公司股本总额超过4亿元的，公开发行股份的比例为 10%以上

本次公开发行不超过2,546.1539万股，本次发行后股本总额不超过 10,184.6154万元（未超过4亿元），公开发行股份的比例达到 25%以上。综上，保荐人认为，发行人符合上述规定。

（四）市值及财务指标符合《上市规则》规定的标准

发行人符合并选择适用《深圳证券交易所创业板股票上市规则》第2.1.2条第（一）款上市标准“最近两年净利润均为正，累计净利润不低于1亿元，且最近一年净利润不低于6,000万元”。

查证过程及事实依据如下：

保荐人查阅了发行人会计师出具的无保留意见《审计报告》（天健审〔2026〕 11-25号），发行人2024年度及2025年度归属于母公司所有者的净利润（扣除非经常性损益前后孰低）分别为8,295.22万元和18,474.73万元，累计不低于1亿元，且最近一年净利润不低于6,000万元，符合《深圳证券交易所创业板股票上市规则》第2.1.2条第（一）款上市标准。

九、保荐人关于发行人证券上市后持续督导工作的具体安排

持续督导事项

具体安排

1、总体职责和持续督导期

1、督导上市公司建立健全并有效执行公司治理制度、财务内控制度和信息披露制度，以及督导上市公司按照《上市规则》的规定履行信息披露及其他相关义务，审阅信息披露文件及其他相关文件，并保证制作、出具的文件真实、准确、完整，没有虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏。

2、保荐人和保荐代表人督导上市公司的控股股东、实际控制人、董事、监事和高级管理人员遵守《上市规则》及深圳证券交易所其他相关规定，并履行其所作出的承诺。

3、在股票上市结束当年的剩余时间及以后3个完整会计年度内对上市公司进行持续督导。

2、审阅披露文件

保荐人在上市公司向深圳证券交易所报送信息披露文件及其他文件，或者履行信息披露义务后，完成对有关文件的审阅工作。发现信息披露文件存在问题的，及时督促公司更正或者补充。

3、督促公司在股票严重异常波动时履行信息披露义务

上市公司股票交易出现深圳证券交易所业务规则规定的严重异常波动情形的，保荐人、保荐代表人督促上市公司及时按照《上市规则》履行信息披露义务。

4、对重大事项、风险事项、核心竞争力面临重大风险情

1、重大事项：上市公司临时报告披露的信息涉及募集资金、关联交易、委托理财、提供担保、对外提供财务资助等重大事项


持续督导事项

具体安排

形等事项发表意见

的,保荐人按照中国证监会和深圳证券交易所相关规定发表意见。

2、风险事项:公司日常经营出现《上市规则》规定的风险事项的,保荐人就相关事项对公司日常经营的影响以及是否存在其他未披露重大风险发表意见并披露。

3、核心竞争力:公司出现《上市规则》规定的使公司的核心竞争力面临重大风险情形的,保荐人就相关事项对公司核心竞争力和日常经营的影响以及是否存在其他未披露重大风险发表意见并披露。

5、现场核查

1、公司出现下列情形之一的,保荐人和保荐代表人在知悉或者理应知悉之日起十五日内进行专项现场核查:(一)存在重大财务造假嫌疑;(二)控股股东、实际控制人、董事、监事或者高级管理人员涉嫌侵占公司利益;(三)可能存在重大违规担保;(四)资金往来或者现金流存在重大异常;(五)深圳证券交易所或者保荐人认为应当进行现场核查的其他事项。

2、告知公司现场核查结果及提请公司注意的事项,并在现场核查结束后十个交易日内披露现场核查报告。

6、持续督导跟踪报告

1、持续督导期内,自上市公司披露年度报告、半年度报告后十五个交易日内按照中国证监会和深圳证券交易所相关规定在符合条件媒体披露跟踪报告。

2、对上市公司进行必要的现场检查,以保证所发表的意见不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏。

7、督促整改

1、在履行保荐职责期间有充分理由确信公司可能存在违反本规则规定的行为的,应当督促公司作出说明和限期纠正,并向深圳证券交易所报告。

2、保荐人按照有关规定对公司违法违规事项公开发表声明的,于披露前向深圳证券交易所书面报告,经深圳证券交易所审查后在符合条件的媒体公告。

8、虚假记载处理

保荐人有充分理由确信相关证券服务机构及其签字人员出具的专业意见可能存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏等违法违规情形或者其他不当情形的,及时发表意见并向深圳证券交易所报告。

9、出具保荐总结报告书、完成持续督导期满后尚未完结的保荐工作

1、持续督导工作结束后,保荐人在上市公司年度报告披露之日起的十个交易日内披露保荐总结报告书。

2、持续督导期届满,上市公司募集资金尚未使用完毕的,保荐人继续履行募集资金相关的持续督导职责,并继续完成其他尚未完结的保荐工作。

十、其他说明事项

无。

十一、保荐人对发行人本次股票上市的保荐结论

保荐人华泰联合证券认为成都超纯应用材料股份有限公司申请其股票上市符合《证券法》《首次公开发行股票注册管理办法》《深圳证券交易所创业板股票上市规则》《深圳证券交易所股票发行上市审核规则》等法律、法规的有关规定，


发行人股票具备在深圳证券交易所上市的条件。华泰联合证券愿意保荐发行人的股票上市交易，并承担相关保荐责任。

（以下无正文）


（本页无正文，为《华泰联合证券有限责任公司关于成都超纯应用材料股份有限公司首次公开发行股票并在创业板上市之上市保荐书》之签章页）

项目协办人：


保荐代表人：

袁小雨

袁琳翕


内核负责人：


保荐业务负责人：

法定代表人 （或授权代表）：


保荐人：

华泰联合证券有限责任公司

联合证券有限责任公司

年8月10日

2026年8月10日